Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt (0)

Pantud kõik ühte faili kokku, parandatud vigu, lisatud sisukord ja konverteeritud pdf vormingusse.

enn mellikov materjalifüüsika materjalikeemia füüsika keemia

elektron, aatom, metalliline, polümorfism, arenguetappide nimetused, teaduslik lähenemine, autode loomine, materjaliteadus, baasteadused, järgnev aste, organiseeritust, materjali omadus, materjalide omadustest, analoogselt, antud kitsendus, vastavalt sellele, keraamilised materjalid, keraamilised materjalid, täiendatavateks eelisteks, antud hetkel, maatriks, komposiitmaterjalid, polümeermaterjalid, elektriliselt omadustelt, tähtsaim pool, väljatöötluste realiseerimine, komposiitmaterjalid, elektronmaterjalide tehnoloogias, sünergism, lihtsaim aatom, elemendi aatommass, aatommassi ühikuks, aatommass, vesiniku aatom, ii nivool, antud lihtsustus, vastab n, energianivoo, energiale, eksperimentaalselt, väiksema reaktsioonivõimega, elektropositiivsed elemendid, primaarsed sidemed, ioon, sideme energia, esitav liige, energia miinimumipunktis, iooniline side, piires 600, aatomid, molekuli moodustumine, süsinik, vastavalt elektron, süsivesinikus, benseenile, teemanti kristallvõres, 36d, euleri seadusele, fullereenid, struktuuris, kovalentsele sidemele, aatomid, moodustatud elektronpilvest, defermatsioonivõime, metallilisem, moodustamise aluseks, fluktuaalsetel dipoolidel, keemispunkt, vee molekulis, vesiniksidemel, sulamistäpp, metalliline, kombineeritud side, zns, metalliline, metalliline, sekundaarsed sidemed, iooniline side, kovalentne side, metalliline side, fluktuatiivsed sidemed, pidevad dipoolid, kombineeritud sidemed, pooljuhtmaterjalid, komposiidid, põhimomentideks, klaasid, ideaalses kristallis, elementaar, kristallsüsteemid, sümmeetriaga süsteemiks, lihtsad elementaar, kuubilises süsteemis, tetragonaalses süsteemis, lihtne elementaar, htp, röntgendifraktsioon, elementaar, ptk kristallstruktuur, kristallstruktuuris pf, struktuuris, kuubiline elementaar, 17b, kuubilises süsteemis, kristallstruktuuris, kristallograafilisele tasapinnale, seejuures ühikmõõduks, pöördväärtused, pöördväärtused, ekvivalentsed tasapinnad, 22a, d hke, ühiksuurus a, vastavateks pöördväärtusteks, tahud rtk, elementaar, polümorfism, ptk kristallstruktuuris, rtk kristallstruktuuris, monokristallid, monokristallid, monokristallide kasvatamine, anisotroopsed omadused, trikliinsed struktuurid, kristallisatsiooniprotsess, vakantsid, vakantsid, q t, k väärtus, ioonilistes kristallides, tegelik olukord, materjalis 10, konkreetne olukord, tahke lahus, tahketes lahustes, elektronegatiivsuse faktor, struktuuri faktor, süsteemis cu, väikesed lisandaatomid, joondefektid, joondislokatsioon, allpool dislokatsioonijoont, dislokatsiooni, burgersi vektor, sellisteks defektideks, täitmise väljenduseks, lisaenergia tõttu, piirpinna energia, kaksikpinnad, kaksikute teke, kolmemõõtmelisteks defektideks, aatomvõre võnkumine, materjalide omadused, difusiooniga, lähteolek, antud nähtust, keskmise energia, osakeste arv, n total, analoogse võrrandiga, n v, e v, nagu märkasite, valemite sarnasus, tahkes kehas, sõltuvuse aluseks, võrevaheline difusioon, lähte kontsentratsioon, c s, c o, c x, rtk rauas, d o, aatomidifusiooni põhimehhanismideks, võrevaheline mehhanism, difusioonikiirusele, elektrilised omadused, materjali elektrijuhtivus, elektrivool, enamikes materjalides, materjalides, nivoodel, kogumiku, paiknemine, isolaatoritele, aukude energia, osa elektrone, isolaatoritele, valentselektronid, pooljuhtides side, liikumise resultaadiks, elektrijuhtivus, c i, pooljuhtmaterjalide elektrijuhtivus, materjalide elektrijuhtivus, omapooljuhid, omajuhtivusega pooljuhtidele, augu laeng, elektrilised omadused, lisandit, lisandpooljuhtmaterjalis, lisandjuhtivusega materjalides, elektrivool, n i, d i, lainepikkusega 10, valge valgus, teemandil, nivood tsoonis, metallide peegeldus, valguse lainepikkusest, i o, mitmed polümeermaterjalid, valentstsoon, lisandpooljuhis, hajumine, luminestsents, fotojuhtivus