Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Ukraina abi Ukraina kaitse vajab abi. Tee annetus täna! Tee annetus täna Sulge
Add link

Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 (0)

5 VÄGA HEA
Punktid

Esitatud küsimused

  • Millised on libisemispinnad ja libisemissuunad RTK ja SPH võre korral?
Vasakule Paremale
Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #1 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #2 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #3 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #4 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #5 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #6 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #7 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #8 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #9 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #10 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #11 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #12 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #13 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #14 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #15 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #16 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #17 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #18 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #19 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #20 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #21 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #22 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #23 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #24 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #25 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #26 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #27 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #28 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #29 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #30 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #31 Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega 2013 #32
Punktid 50 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
Leheküljed ~ 32 lehte Lehekülgede arv dokumendis
Aeg2013-05-22 Kuupäev, millal dokument üles laeti
Allalaadimisi 39 laadimist Kokku alla laetud
Kommentaarid 0 arvamust Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Autor Sweeeet Õppematerjali autor

Sarnased õppematerjalid

24
docx

Materjaliteaduse üldalused eksamiküsimused

Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama (vajalikku lisaenergiat) nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: kus N ­ aatomite üldine kontsentratsioon; C ­ mingi konstant; E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1

Materjaliteaduse üldalused
22
rtf

Materjaliteaduse üldalused 2012 kevad

Eksamiküsimused 2012 KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4) 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev.

Materjaliteaduse üldalused
37
docx

Materjaliteadus

2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (nt. Mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahu kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli tõmbamise skeem sulandist joonis 2-19. Nii saadakse nt suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri. Anisotroopia on nähtus , kus monokristalli omadused eri suundades on erinevad. See on seotud osakeste erineva tihedusega erinevates suundades. Anisotroopia on seda suurem, mida ebasümmtrilisem on krisatall. Anisotroopsed omadused on nt elastusmoodul, peegeldumistegur, elektrijuhtivus. Polükritalne materjal on isotroopne, omadused on keskmised. Võimalik on valmistada polükristalseid materjale, milles kristallid on orienteeritud kindlas suunas. Selline polükritalne materjal võib olla anisotroopne.

Materjaliteaduse üldalused
11
docx

Materjaliteaduse üldaluste eksam

Nende kontsent-ratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: n = N xC x exp(- E*/kT) kus N­ aatomite üldine kontsentratsioon; C ­ mingi konstant E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile 4.1 on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformee-rimiseks liikumisel.Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht ,kuhu minna;2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuurVakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1

Materjaliteaduse üldalused
13
docx

Materjateaduse üldalused.

kiiremini kui vakantsmehhanismi alusel, kuna võrevahelisi tühimikke on tunduvalt rohkem kui vakantse. Metallide omadifusioonis võrevaheline mehhanism on vähetähtis, küll aga on märgatav keraamilistes materjalides, mille kristallid ei oma suurimad pakketihedust. 4. Statsionaarne difusioon. Üldiselt sõltub difusiooniprotsess ajast. Statsionaarne difusioon on ajas püsiv difusiooniprotsess. Difusioonivoog J- ainehulk, mis difundeerub ajaühikus läbi ühikulise pinna. J=m/S*t Kui J ei muutu ajas, ongi tegemist statsionaarse difusiooniga. Toimub mingi gaasi difusiooni läbi vaheseina pindalaga S, kusjuures gaasi rõhku mõlemal pool vaheseina hoitakse konstantsena. Konsentratsiooni sõltuvus koordinaadist x nim kontsentratsiooni profiiliks. Selle sõltuvuse kalle mingi punktis dC/dx on kontsentratsiooni gradient. Statsionaarse difusiooni korral on kontsentratsiooni profiil lineaarne ja gradient konstantne.

Materjaliteaduse üldalused
32
docx

Materjaliteaduse üldalused Eksami kordamisküsimused

12. Polümeeride tüübid. Termoplastid, vedelkristalsed polümeerid, termoaktiivsed polümeerid, elastomeerid. Termokäitumise järgi jagatakse termoplastideks ja termoaktiivseteks. 1) Termoplastid on lineaarsed või väheargnenud polümeerid, mis korduval kuumutamisel vedelduvad ja jahtudes tahkestuvad. Nii amorfsed kui poolkristallilised. Amorfsed: polümetüülmetakrülaat, polüstrüool, polüvinüülkloriid. Osaliselt kristallilised: polüetüleen, polütetrafluoretüleen, polüpropüleen, polüamiid, polüetüleen-tereftalaat (polüester). 2) Vedelkristalsed polümeerid: neis esinevad vedelas olekus korrastatud alad: ühedimensionaalne või kahedimensionaalne. Vedelkristalses olekus on näiteks täisaromaatsed polüestrid ja täisaromaatsed polüamiidid. 3) Termoaktiivsed polümeerid kõvastuvad kuumenemisel, kuid ei pehmene enne hävimist.

Materjaliteaduse üldalused
31
docx

Materjalide keemia eksamiküsimuste vastused 2015

Liitmaterjali valmistamisel saab kompenseerida ühe materjali puudujääke teise materjali abil. Betoon? Betoon on ehitusmaterjal, mis koosneb sideainest (tsement/lubi) ja täitematerjalist (liiv/kruus/killustik), veest ja mõnest muust lisandist, milles sideaine kõvastub. Betooni saadakse betoonisegu vormimise ja kivistumise teel. Betooni parim omadus on tema tugevus. Sidemete liigid tahketes ainetes. Kuidas mõjutavad aine omadusi? Sideme liigid tahkistes: Iooniliste sidemetega tahkised - koosnevad katioonidest ja anioonidest, kõige kõrgem sulamistemperatuur, võre energia sõltub iooni suurusest ja laengust, kovalentse sideme osakaal kasvab koos polariseeritavuse kasvuga, lahustuvad ainult polaarsetes lahustes(NaCl, CaCl2). kõige tugevamad tahkised. Metalliliste sidemetega tahkised ­ katioonid on väga lähestikku pakitud, valentselektronid on delokaliseeritud üle kogu massiivi. kõrge soojus- ja elektrijuhtivus,

Materjalide keemia
30
docx

Keemia ja materjaliõpetuse eksami küsimuste vastused

1. Elemendi ja lihtaine mõisted ja nimetused ning nende mõistete õige kasutamine praktikas. Süsteemsuse olemus ja süsteemse töötamise vajalikkus inseneritöös. Näiteid praktikast. Milline on süsteemne materjalide korrosioonitõrje? Keemiline element ehk element on aatomituumas sama arvu prootoneid omavate (ehk sama aatomnumbriga) aatomite klass. Lihtaine on keemiline aine, milles esinevad ainult ühe elemendi aatomid, keemilises reaktsioonis ei saa seda lõhkuda lihtsamateks aineteks. Lihtaine valemina kasutatakse vastavate elementide sümboleid (üheaatomilised: Fe, Au, Ag, C, S; kaheaatomilised: H2, O2, F2, Cl2, Br2). Enamik elementidele vastavaid lihtaineid on toatemperatuuril tahked ained või gaasid. Mõistete kasutamine: Segadust tekitavad mitmed asjaolud:1) Aatomite liigil ja nendest moodustunud lihtainetel on enamikel juhtudel ühesugune

Keemia ja materjaliõpetus



Lisainfo

Materjaliteaduse üldaluste eksamiküsimused vastustega.

Märksõnad

Mõisted


Meedia

Kommentaarid (0)

Kommentaarid sellele materjalile puuduvad. Ole esimene ja kommenteeri





Uutele kasutajatele e-mailiga aktiveerimisel
10 punkti TASUTA

Konto olemas? Logi sisse

Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun