sidemete tõttu. 19. Mis on faaside vahelised piirpinnad materjalis? 20. Mis on foononid? Aatomite võnkumine kristallivõres 21. Mis on difusioon? materjali ülekandumine, mis põhineb aatomite liikumisel materjalis. 22. Kuidas väljendub difusiooni temperatuursõltuvus? 23. Mis on aktivatsiooni energia? Energia hulka, mida aatomid peavad omama üle kõigi aatomite keskmise energia nimetatakse aktivisatsioonienergiaks E* 24. Millised on aatomdifusiooni mehhanismid tahketes kehades? vakantsmehhanism ja võrevaheline mehhanism. 25. Kirjelda difusiooni vakantsmehhanismi? Aatomid võivad liikuda kristallvõres ühest sõlmest teise, kui nad omavad termilise vibratsioonliikumise tõttu küllaldaselt energiat ja kui sel suurema energia omamise hetkel on nende kõrval tühi võresõlm (vakants), kuhu nad võivad asuda 26. Miks difusioon vakantsmehhanismil on väga temperatuuritundlik? temperatuuri tõstmine
E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast. E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom. Vakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1.2 Võrevaheline mehhanism
E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast. E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom. Vakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1.2 Võrevaheline mehhanism
dipoole on suurem 6.Koordinatsiooniarv PTK struktuuris? 12 7.Kuidas tekivad tasakaalsed vakantsid? Materjali tahkumisel kui lokaalsed häiritused ideaalsusest kui ka kristallvõre võnkumiste fluktuatsioonide tõttu tekkinud aatomite ümberpaigutumise tulemusena juba väljakujunenud kristallides. Vakantside tasakaaluline kontsentratsioon suureneb temperatuurile vastavalt.(?) 8.Millised on aatomdifusiooni mehhanismid tahketes kehades? Vakantsmehhanism ja võrevaheline mehhanism. 9.Mis on elektronide liikuvus? Elektronide liikumise resultaadiks on elektronide liikumine elektriväljale vastupidises suunas elektrivool. Kõik elektronid liiguvad kiirendusega kuni materjalile on rakendatud elektrväli(selline asi on võimalik ainult teoorias, kuna praktikas on materjalides sisetakistused) 10.Kuidas toimub valguse peegeldumine metalli pinnalt? Enamik metallis neeldunud kiirgust vabaneb kohe, kui elektron läheb tagasi madalama
kontsentratsioon; C mingi konstant E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile 4.1 on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformee-rimiseks liikumisel.Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht ,kuhu minna;2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuurVakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1.2 Võrevaheline mehhanism Aatom liigub ühest võrevahelisest asendist teise.Selle mehhanismi alusel toimub peamiselt väikeste mõõtmetega aatomite
vabadus moodustada tugevamaid dipoole on suurem. 6. Koordinatsiooniarv PTK struktuuris? 12 7. Kuidas tekivad tasakaalsed vakantsid? kas materjali tahkumisel kui lokaalsed häiritused ideaalsusest kui ka kristallvõre võnkumiste fluktuatsioonide tõttu tekkinud aatomite ümberpaigutumise tulemusena juba väljakujunenud kristallides. Vakantside tasakaaluline kontsentratsioon suureneb temperatuurile vastavalt. (?) 8, Millised on aatomdifusioonj mehhanismid tahketes kehades? Vakantsmehhanism ja võrevaheline mehhanism. 9. Mis on elektronide liikuvus? Elektronide liikumise resultaadiks on elektronide liikumine elektriväljale vastupidises suunas- elektrivool. Kõik elektronid liiguvad kiirendusega kuni materjalile on rakendatud elektriväli (selline asi on võimalik ainult teoorias, kuna praktikas on materjalides sisetakistused) 10. Kuidas toimub valguse peegeldumine metalli pinnalt? Enamik metallis neeldunud kiirgust vabaneb kohe, kui elektron läheb tagasi madalama energiaga
foonon ........................................................................... 49 6. DIFUSIOONIPROTSESSID TAHKETES KEHADES. ............................................................... 50 6.1. Sissejuhatus ............................................................................................................. 50 6.2. Aatomdifusioon tahketes materjalides (joonis 4.8). ............................................... 51 6.3. Difusiooni vakantsmehhanism. ............................................................................... 51 6.4. Võrevaheline difusioonimehhanism........................................................................ 52 6.5. Statsionaarne difusioon (joonis 4.11, 4.12, 4.13).................................................... 52 6.6. Mittestatsionaarne difusioon (joonis 4.14, 4.15) .................................................... 53
E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile 4.1 on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast (joon 4-2). E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom. Vakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1.2 Võrevaheline mehhanism
E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile 4.1 on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast (joon 4-2). E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamis- temperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom. Vakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1.2 Võrevaheline mehhanism
aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama nim difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergia, on difusiooni mõttes aktiivsed. Aatomi liikumiseks kritallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1)kõrval peab olema tühi koht, kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi: 1)Vakantsmehhanism- aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. Aktiveerimise energia on seda suurem, mida kõrgem on metallid sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom. Vakantsimehhanism on omadifusioonis ja difusioon tahketes lahustes. 2)Võrevaheline mehhanism Aatom liigub ühest võrevahelisest asendist teise. Selle mehhanismi alusel toimub peamiselt
annaabi.ee 
