Plaanid puhkusele minna? Võta endale majutus AirBnb kaudu ja saad 37€ kontoraha Tee konto Sulge
Facebook Like

Elektroonika aluste õppematerjal (5)

5 VÄGA HEA
Punktid
 
Säutsu twitteris



Elektroonika alused
Elektroonikaseadmete koostaja erialale







2007
SISUKORD
1. POOLJUHTIDE OMADUSI 3
1.1.Üldist 3
1.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides 3
1.3.P-N- siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction ) 6
1.4. P-N siirde omaduste sõltuvus temperatuurist (Temperature Effects ) 8
1.5. P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest 9
1.6. P-N-siirde läbilöök (Breakdown) 9
2. POOLJUHTDIOODID ( Diodes ) 11
2.1. Pooljuhtdioodide liigid 11
2.2. Alaldusdioodid ( Rectifier Diode ) 11
2.3. Lülitidioodid (Switching Diode) 12
2.4. Stabilitronid ja stabistorid ( Zener Diode) 12
2.7. Valgusdiood ( Light Emitting Diode) 14
2.8. Valgusdioodindikaatorid (LED- display ) 15
2.9. Dioodide tähistamine 16
3. TOITESEADMED 17
3.1. Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid 17
3.3. Silufiltrid 22
3.4. Stabilisaatorid 24
4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 28
4.1.Transistori ehitus. 28
4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus 28
4.3. Transistori tööpõhimõte 29
4.4. Transistori kolm lülitust. 30
4.5. Transistori parameetrid 34
4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest 35
4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist 35
4.8. Transistori kolm režiimi 36
4.9. Transistor lüliti režiimis 37
4.10. Transistori tööpunkti fikseerimine 39
4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine 40
4.12.Liittransistor ehk Darlingtoni transistor 43
4.13. Transistoride liigid 43
5. VÄLJATRANSISTORID 44
5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid 44
5.2.P-N- siirdega väljatransistorid (Junction FET ( JFET )) 44
5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid ( MOSFET ). 46
5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid ( Power MOSFET). 48
5.5 Väljatransistor lüliti režiimis 48
5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel 49
5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). 50
5.8. Väljatransistoride eriliike 51
6. NELJAKIHILISED SEADISED EHK TÜRISTORTÜÜPI ELEMENDID 53
(Thyristors, Four- Layer Devices) 53
6.1. Üldist neljakihiliste seadiste kohta 53
6.2. Dioodtüristor ehk dinistor 53
6.3. Sümmeetriline dioodtüristor ehk DIAC 54
6.4. Trioodtüristor ehk SCR türistor 54
6.5. Trioodsümmistor ehk TRIAC 56
6.6. Tüürvoohiga väljalülitatav türistor ehk GTO türistor 56
6.7. Kasutusnäiteid 57
6.8. Türistoride tähistamine 58
7. VÕIMENDID 60
7.1. Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid 60
7.2. Võimendamisel tekkivad moonutused 62
7.3 Mitmeastmelised võimendid 64
7.4. Lõppvõimendid 67
7.5. Tagasiside võimendites. 71
8. VEDELKRISTALLINDIKAATORID 77
9.MIKROELEKTROONIKA ALUSED 79
9.1. Üldist mikroelektroonikast 79
9.2.Ehitus, kasutuse eripära ja liigid 79
9.3. Operatsioonvõimendid 80
1. POOLJUHTIDE OMADUSI
1.1.Üldist
Pooljuhtseadised ja nende kasutamine oli eelmise sajandi tehnilise revolutsiooni peasüüdlaseks. Nendeta ei oleks personaalarvuteid, mobiiltelefone ega palju muud sellist, mis tundub meile igapäevasena. Võime julgesti öelda , et ilma pooljuhtseadisteta ei oleks praegust infoühiskonda.
Samal ajal tuleb meeles pidada , et pooljuhttehnika on poole sajandi jooksul läbinud juba mitu arenguetappi. On olnud germaaniumi ajastu, kus enamik pooljuhtseadiseid valmistati germaaniumist , järgnes räniajastu , mis jätkub senini ja mille raames algas massiline integraallülituste tootmine ja kasutamine. Praeguseks on alanud nanotehnoloogia ajastu , kus elementide mõõtmed pooljuhtkristallis lähenevad nanomeetrile
1.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides
Pooljuhtideks nimetatakse suurt hulka aineid, mille elektrijuhtivus on elektrijuhtide ja isolaatorite vahepeal . Elektrijuhtide mahueritakistus on vahemikus 10 -4 …10 –6  cm , isolaatoritel 10 10…10 18  cm. ja pooljuhtidele jääb küllalt suur vahemik 10… 10 1  cm.
Tuntumad pooljuhid on germaanium , räni , galliumarseniid jt . Tänapäeval kasutatakse kõige enam räni.
Kõik põhilised pooljuhtmaterjalid kuuluvad Mendelejevi tabeli 4. rühma ja neil on elektronstruktuuri väliskihis 4 elektroni , mis on pooljuhtidele tüüpiline.
Kasutatavatele pooljuhtmaterjalidele on iseloomulik kristalliline ehitus. Kristallilise ehituse puhul paiknevad kõik aine aatomid ruumis kindlatel kohtadel ja on omavahel seotud . Pooljuhtide kristallstruktuuris on aatomid seotud kovalentsete ehk kaheelektroniliste sidemetega . On iseloomulik , et kovalentsetest sidemetest osavõtvad valentselektronid kuuluvad korraga nagu kahele aatomile . Seetõttu võib kujutleda , et aatomi välisorbiidil on kaheksaelektroniline stabiilne struktuur . Kirjeldatud kovalentsete sidemetega struktuuri kujutatakse skemaatiliselt joonise 1..1. kohaselt. Taolise struktuuri juures on kõik elektronid tugevalt seotud tuumaga ja voolu tekitavaid vabu elektrone ei esine.
Ühised valentselektronid
JOONIS 1.1.
Sellist ideaalset struktuuri omavad keemiliselt puhtad pooljuhid absoluutse nulltemperatuuri juures
(-273 °C). Säärases olukorras on kõik pooljuhid isolaatorid. Väliste tegurite mõjul võivad aga väliskihi elektronid saada juurde energiat ja saadud lisaenergia arvel lahkuda oma kohalt struktuuris, kuna selleks vajalik lisaenergia on küllaltki väike (ränil 1,1 eV, germaaniumil 0,67 eV). Põhiliseks väliseks teguriks , mis soodustab juhtivuselektronide tekkimist, on temperatuur. Struktuurist lahkunud elektroni kohale jääb vaba koht. Seetõttu omandab aatom positiivse laengu, mille väärtus võrdub elektroni laenguga. Taolist vaba kohta nimetatakse auguks ja me võime teda vaadelda positiivse ühiklaenguna. Kuna auk omab positiivset laengut, võib ta tõmmata oma kohale struktuuris mõne kõrvalaatomi elektroni. Selle protsessi kordumisel auk nagu liiguks, kusjuures see liikumine on elektroni liikumisega vastassuunaline.
Rakendades pooljuhile elektrivälja, hakkavad vabanenud elektronid liikuma elektrivälja suunale vastu ja tekkinud augud elektrivälja suunas, nii nagu käituks positiivne ühiklaeng. Kirjeldatud nähtust aitab selgitada joonisel 1.2 toodud skeem. Joonisel tähtedega tähistatud ridades on aine struktuur erinevatel ajahetkedel. Võime jälgida, kuidas toimub augu liikumine esimesest aatomist viiendani.

JOONIS 1 2
Nagu joonisel toodud skeemil selgub , esineb üheaegselt nii elektronide kui aukude liikumine. Kui keemiliselt puhtas aines tekkib üheaegselt sama arv elektrone ja auke , nagu praegu kirjeldasime, siis on meil tegemist materjali omajuhtivusega Laengukandjaid on siin kahesuguseid ja eristatakse ka kahesugust juhtivust. Elektronide liikumisest tingitud juhtivust nimetatakse elektronjuhtivuseks ehk N-juhtivuseks (sõnast " negative "), aukude liikumisest tingitud juhtivust aga aukjuhtivuseks ehk P-juhtivuseks(sõnast " positive ").
Peale omajuhtivuse on sobivate lisandite lisamisega materjalile võimalik kunstlikult tekitada täiendavat - lisandjuhtivust. Lisanditest tingitud juhtivus on alati üheliigiline, s.t. kas elektron - või aukjuhtivus. Lisandjuhtivuse tekitamiseks lisatakse pooljuhtmaterjalile kas kolme- või viievalentseid lisandeid, mis peavad ise olema võimalikult puhtad ja lisandite hulk peab olema selline, et säiliks ainele tüüpiline kristallstruktuur.
Vaatleme esmalt olukorda, kus põhiainele on lisatud viievalentset lisandit, milleks võib olla antimon (Sb), arseen (As) või fosfor (P) Viievalentse lisandi aatom võtab aine struktuuris endale koha analoogiliselt põhiaine aatomile, kuid tema ühele elektronile ei leidu struktuuris kindlat kohta (vt. joonis 1.3). Esialgu see elektron püsib aatomi mõjupiirkonnas, kuid väga väikesegi lisaenergia saamisel ta lahkub oma aatomi juurest ja muutub juhtivuselektroniks, alludes mõjuva elektrivälja toimele.
Vaadeldud juhul tekkis aines lisandi mõjul N-juhtivus. Aine juhtivus on nüüd suurem ja vool tekib aines elektronide liikumisena. Lisandina kasutatavaid N-juhtivust tekitavaid aineid nimetatakse

N-type semiconductor
JOONIS 1.3.
doonoriteks. Pooljuhti, kus lisanditega on tekitatud N-juhtivus, nimetatakse N-pooljuhiks
Vastupidine pilt tekib siis, kui lisanditena kasutada kolmevalentseid aineid, nagu boori (B), galliumi (Ga) või indiumi (In). Sel juhul jääb struktuuris üks elektron puudu. See koht võib aga täituda kõrvalaatomi elektroniga ja tekibki struktuuri auk (vt. joonis 1.4). Vool sellises pooljuhis tekib aukude liikumisena Seega tekitas kolmevalentne lisand aukjuhtivuse. Aukjuhtivust tekitavaid lisandeid nimetatakse aktseptoriteks
P–type semiconduktor






JOONIS 1.4.
Üheaegselt lisandjuhtivusega esineb aines alati ka omajuhtivus , mistõttu materjalis leidub nii elektrone kui auke. Vastavalt kasutatud lisanditele on aga üks või teine ülekaalus, N-pooljuhis on ülekaalus elektronid ja nad on seal enamuslaengukandjateks ning seal leiduvad augud on vähemuslaengukandjateks; P-pooljuhis on aga vastupidi, enamuslaengukandjateks on seal augud ja vähemuslaengukandjateks elektronid. Kuna pooljuhtseadiste töös on vähemuslaengukandjad enamasti ebasoovitavaid nähtusi esilekutsuvaks põhjuseks, siis püütakse pooljuhtmaterjalide omajuhtivust võimalikult vähendada.
Kirjeldatust nähtub, et pooljuhtide elektrijuhtivus on oluliselt seotud nende ainete kristallstruktuuriga. Ideaalse kristallstruktuuri saamiseks peavad ained olema aga väga puhtad. Nii näiteks lubatakse enamiku seadiste lähtematerjaliks oleva omajuhtivusega pooljuhile lisandeid vaid üks aatom tuhande miljoni põhiaatomi kohta (1/109). Samuti on piiratud ainesse viidavate lisandite hulk, et säiliks põhiaine struktuur. Lisandite lubatav kontsentratsioon on üks aatom kümne miljoni põhiaatomi kohta (1/107). Seega võime öelda, et pooljuhtseadiste valmistamise keerukas tehnoloogia algab eriti puhaste ainete saamisest.
1.3.P-N-siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction)
Kui ühes pooljuhtkristallis tekitada kaks erineva juhtivusega osa, üks elektronjuhtivusega ja teine aukjuhtivusega, siis nende erinevate juhtivustega osade üleminekupiirkonda nimetatakse P-N-siirdeks. P-N-siirdes tekkivad nähtused ja tema omadused on enamiku pooljuhtseadiste töö aluseks. Praktiliselt saadakse selline olukord pooljuhtkristalli erinevate lisandite sisseviimise teel. Sellises kristallis on N-osas külluses elektrone ja P-osas külluses auke. Difusiooni (aine osakeste soojusliku liikumise) toimel hakkab taolises olukorras toimuma laengukandjate vahetus. Nimelt on N-osas hulk elektrone, milledel puuduvad struktuuris kohad. Need kohad on aga vabad kõrvalolevas P-osas. Sellises olukorras hakkavad elektronid soojusliku (difusioonse) liikumise tulemusena liikuma P-osas olevatele vabadele kohtadele. Laengute liikumise tulemusena saab P-osa laenguid juurde ja omandab negatiivse laengu, N-osa aga kaotab samapalju elektrone ja omandab seega positiivse laengu. Need laengud vahetuvad ainult piirkihis, sest difusiooni teel liikudes ei jõua laengukandjad kaugele ja seda liikumist hakkab takistama ka tekkiv elektriväli.
Joonisel 1.5. on selgitatud seda nähtust ruumilaengu tiheduse ja potentsiaalide erinevuse graafiku abil. Tekkivat potentsiaalide vahet nimetatakse potentsiaalibarjääriks
Kui aga on olemas erinimelised laengud ja potentsiaalide vahe, siis esineb ka elektriväli EPN , mis on suunatud N-osast P- ossa . Tekkinud elektriväli on aga suunatud laengukandjate liikumisele vastu ja laengukandjate liikumine ühest osast teise toimub seni, kuni nende endi poolt tekitatud elektriväli selle katkestab.

JOONIS 1.5
Olukorda võime vaadelda ka sellisena, nagu tekiks erinevate osade vahel isoleeriv tõkkekiht, sest piirikihis on ruumilaengu tihedus null, s.t. puuduvad voolu tekkimiseks vajalikud laengukandjad.
Kui ühendada P-N-siire pingeallikaga selliselt , et pingeallika plussklemm oleks ühendatud N-osaga ja miinusklemm P-osaga, siis on vooluallika poolt tekitatud elektriväli samasuunaline P-N-siirde elektriväljaga (vt. joonis 1.6). Elektriväljade liitu­ mise tõttu suureneb summaarne potentsiaalibarjäär veelgi. Samal ajal leiab aset ka enamuslaengukandjate liikumine (pingeallika elektrivälja mõjul) pingeallika klemmide poole ja ruumilaengu tihedus suureneb veelgi. Kuna elektriväli on nüüd siirdes eelne­ vaga võrreldes veelgi tugevam, siis ei saa enamuslaengukandjad siiret läbida. . Selliselt pingestatud siirde olukorda nimetatakse vastupingerežiimiks. P-N-siiret läbib vastupinge olukorras siiski ka väga nõrk vool, mida nimetatakse vastuvooluks Vastuvoolu põhjustajaks on vähemuslaengukandjad , mis saavad mõjuva elektrivälja kaasabil siiret läbida Võime kujutleda ka, et siirde tõkkekiht muutub nagu paksemaks.
Reverse Biased Junction
JOONIS 1.6
Tingituna vähemuslaengukandjate piiratud kontsentratsioonist sõltub vastuvool siirdele rakendatud vastupingest väga vähe. Vastuvool sõltub samuti ka materjalist.. Ränil on ta märksa väiksem kui germaaniumil.
Kui ühendada P-N-siire vastupidise polaarsusega pingeallikaga, siis on ka esinevad nähtused vastupidised (vt. joonis 1.7). Sel juhul on välise pingeallika poolt tekitatud elektriväli suunatud vastu P-N-siirde elektriväljale ja siirdes mõjuv elektriväli hakkab vähenema, muutub nulliks ja siis muudab koguni suunda. Samal ajal liiguvad enamuslaengukandjad siirde suunas, kuni laengud siirdes kaovad koos potentsiaali-barjääri kadumisega.
Forward-Biased
Junction
JOONIS.1.7.
Sellises olukorras hakkavad enamuslaengukandjad soodustatult läbima siiret ja kogu vooluringi läbib tugev vool. Selliselt pingestatud siirde olukorda nimetatakse ava- ehk pärisuunarežiimiks
80% sisust ei kuvatud. Kogu dokumendi sisu näed kui laed faili alla
Vasakule Paremale
Elektroonika aluste õppematerjal #1 Elektroonika aluste õppematerjal #2 Elektroonika aluste õppematerjal #3 Elektroonika aluste õppematerjal #4 Elektroonika aluste õppematerjal #5 Elektroonika aluste õppematerjal #6 Elektroonika aluste õppematerjal #7 Elektroonika aluste õppematerjal #8 Elektroonika aluste õppematerjal #9 Elektroonika aluste õppematerjal #10 Elektroonika aluste õppematerjal #11 Elektroonika aluste õppematerjal #12 Elektroonika aluste õppematerjal #13 Elektroonika aluste õppematerjal #14 Elektroonika aluste õppematerjal #15 Elektroonika aluste õppematerjal #16 Elektroonika aluste õppematerjal #17 Elektroonika aluste õppematerjal #18 Elektroonika aluste õppematerjal #19 Elektroonika aluste õppematerjal #20 Elektroonika aluste õppematerjal #21 Elektroonika aluste õppematerjal #22 Elektroonika aluste õppematerjal #23 Elektroonika aluste õppematerjal #24 Elektroonika aluste õppematerjal #25 Elektroonika aluste õppematerjal #26 Elektroonika aluste õppematerjal #27 Elektroonika aluste õppematerjal #28 Elektroonika aluste õppematerjal #29 Elektroonika aluste õppematerjal #30 Elektroonika aluste õppematerjal #31 Elektroonika aluste õppematerjal #32 Elektroonika aluste õppematerjal #33 Elektroonika aluste õppematerjal #34 Elektroonika aluste õppematerjal #35 Elektroonika aluste õppematerjal #36 Elektroonika aluste õppematerjal #37 Elektroonika aluste õppematerjal #38 Elektroonika aluste õppematerjal #39 Elektroonika aluste õppematerjal #40 Elektroonika aluste õppematerjal #41 Elektroonika aluste õppematerjal #42 Elektroonika aluste õppematerjal #43 Elektroonika aluste õppematerjal #44 Elektroonika aluste õppematerjal #45 Elektroonika aluste õppematerjal #46 Elektroonika aluste õppematerjal #47 Elektroonika aluste õppematerjal #48 Elektroonika aluste õppematerjal #49 Elektroonika aluste õppematerjal #50 Elektroonika aluste õppematerjal #51 Elektroonika aluste õppematerjal #52 Elektroonika aluste õppematerjal #53 Elektroonika aluste õppematerjal #54 Elektroonika aluste õppematerjal #55 Elektroonika aluste õppematerjal #56 Elektroonika aluste õppematerjal #57 Elektroonika aluste õppematerjal #58 Elektroonika aluste õppematerjal #59 Elektroonika aluste õppematerjal #60 Elektroonika aluste õppematerjal #61 Elektroonika aluste õppematerjal #62 Elektroonika aluste õppematerjal #63 Elektroonika aluste õppematerjal #64 Elektroonika aluste õppematerjal #65 Elektroonika aluste õppematerjal #66 Elektroonika aluste õppematerjal #67 Elektroonika aluste õppematerjal #68 Elektroonika aluste õppematerjal #69 Elektroonika aluste õppematerjal #70 Elektroonika aluste õppematerjal #71 Elektroonika aluste õppematerjal #72 Elektroonika aluste õppematerjal #73 Elektroonika aluste õppematerjal #74 Elektroonika aluste õppematerjal #75 Elektroonika aluste õppematerjal #76 Elektroonika aluste õppematerjal #77 Elektroonika aluste õppematerjal #78 Elektroonika aluste õppematerjal #79 Elektroonika aluste õppematerjal #80 Elektroonika aluste õppematerjal #81
Punktid 50 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
Leheküljed ~ 81 lehte Lehekülgede arv dokumendis
Aeg2012-10-16 Kuupäev, millal dokument üles laeti
Allalaadimisi 321 laadimist Kokku alla laetud
Kommentaarid 5 arvamust Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Autor renarehrstein14 Õppematerjali autor

Lisainfo

1. POOLJUHTIDE OMADUSI31.1.ldist31.2. Elektrijuhtivus pooljuhtides31.3.P-N-siire ja tema alaldav toime (The P-N Junction)61.4. P-N siirde omaduste sltuvus temperatuurist (Temperature Effects)81.5. P-N-siirde omaduste sltuvus sagedusest91.6. P-N-siirde lbilk (Breakdown)92. POOLJUHTDIOODID (Diodes)112.1. Pooljuhtdioodide liigid112.2. Alaldusdioodid (Rectifier Diode)112.3. Llitidioodid (Switching Diode)122.4. Stabilitronid ja stabistorid (Zener Diode)122.5. Mahtuvusdioodid (Capacitance Diode)132.6. Fotodiood132.7. Valgusdiood (Light Emitting Diode)142.8. Valgusdioodindikaatorid (LED-display)152.9. Dioodide thistamine163. TOITESEADMED183.1. Toiteseadme plokkskeem ja parameetrid183.3. Silufiltrid233.4. Stabilisaatorid254. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT)304.1.Transistori ehitus.304.2 Vimendi sisend ja vljundtakistus304.3. Transistori tphimte314.4. Transistori kolm llitust.324.5. Transistori parameetrid364.6 Transistoride omaduste sltuvus sagedusest374.7 Transistoride omaduste sltuvus temperatuurist374.8. Transistori kolm reiimi384.9. Transistor lliti reiimis394.10. Transistori tpunkti fikseerimine414.11. Transistori tpunkti stabiliseerimine434.12.Liittransistor ehk Darlingtoni transistor454.13. Transistoride liigid455. VLJATRANSISTORID475.1.Vljatransistori miste ja philiigid475.2.P-N-siirdega vljatransistorid (Junction FET (JFET))475.3. Isoleeritud paisuga vljatransistorid (MOSFET).495.4. Suurevimsuselised vljatransistorid (Power MOSFET).515.5 Vljatransistor lliti reiimis525.6.Tpunkti fikseerimine vljatransistoridel525.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor).545.8. Vljatransistoride eriliike546. NELJAKIHILISED SEADISED EHK TRISTORTPI ELEMENDID56(Thyristors, Four- Layer)566.1. ldist neljakihiliste seadiste kohta566.2. Dioodtristor ehk dinistor566.3. Smmeetriline dioodtristor ehk DIAC576.4. Trioodtristor ehk SCR tristor586.5. Trioodsmmistor ehk TRIAC596.6. Trvoohiga vljallitatav tristor ehk GTO tristor596.7. Kasutusniteid606.8. Tristoride thistamine617. VIMENDID637.1. Vimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid637.2. Vimendamisel tekkivad moonutused667.3 Mitmeastmelised vimendid677.4. Lppvimendid707.5. Tagasiside vimendites.748. VEDELKRISTALLINDIKAATORID819.MIKROELEKTROONIKA ALUSED839.1. ldist mikroelektroonikast839.2.Ehitus, kasutuse eripra ja liigid839.3. Operatsioonvimendid84
elektroonika , elektrotehnika , diood , võim , transistor , led türistor

Mõisted

liittransistor, pooljuhtideks, kristallstruktuuris, lisandeid, piirikihis, ränil, koos potentsiaali, pooljuht, toodud põhjustel, vastusuuna režiim, pooljuhtdioodid, põhidioodideks, alaldusdioodid, kaheanoodilises stabilitronis, selliseid seadiseid, seal voolukandjate, elektronid n, fotodioodi tunnusjooned, valgusdioodindikaatorid, juhtskeeme, kolmas element, kolmas element, toiteseadmete ülesandeks, toodust tulenevalt, alalduslülituse ülesandeks, sest sagedusmuundit, muundamisega plokkskeem, teiseks võimaluseks, kolmandaks võimaluseks, lihtsaimaks alalduslülituseks, alaldustegur, ühefaasiline poolperioodalaldi, alaldustegur, sildlülituse puhul, järgmisel poolperioodil, halvim olukord, silufiltrite ülesandeks, passiivfiltrid, lihtsaimaks silufiltriks, kasutamise võimalused, passiivfiltrite põhitüüpideks, induktiivsus, stabilisaatori ülesandeks, kvaliteediparameetrid, rohkem koormatav, selliseks reguleerelemendiks, automaat, stabilitron, tarbija zener, pinged, järjestikstabilisaatoris, hajuv võimsus, impulss, transistoriks, nimetatakse emitter, konstruktsioon, sisendtakistus rsis, väljundtakistus rvälj, transistoridel, erinevuseks, väljundpinge, kirjeldatud tunnusjooned, temperatuuriks, l ft, teiseks põhjuseks, elektronide liikumiskiirused, impulss, füüsikast, sulgerežiimis, lineaar, küllastusrežiimis, elektromotoorjõu polaarsus, tööpunkti fikseerimine, emittersiirde takistus, voolud, toodud kompensatsiooni, liittransistor, konstruksiooni, iseärasuseks, neelu vool, pdsmax, udsmax, ugsmax, idmax, vastupinge, vaatleme n, transistori ülekande, väljatransistorid, seadmetes, mos transistoril, sellel transistoril, neljas element, kuues element, neljakihilised seadised, türistorideks, lülituskaod, jooniselt, dioodtüristori vastusuunarežiim, dioodtüristori, trioodtüristor, trioodsümmistor, kihid, siire p2, triac, saame katood, kasutusalaks, regulaatorid, triac, reguleer, elemendi järel, kolmas element, registreerimis, ky210a, tc122, võimendiks, nimetatud objektid, sellisteks elementideks, eelvõimendite väljund, helisagedusvõimendid, alalispingevõimendid, signaaliks, ribavõimendi, elektrotehnikast, tekkivaid moonutusi, elektrotehnikast, eripäraks, teiseks võimaluseks, kusjuures erinevuseks, vt1, tagasisideks, vaadeldav tagasiside, tööpunkti fikseerimiseks, parasiittagasisidest, tekkiv tagasiside, lahtisidestus, vaadeldavale sagedusele, klaasplaatidele, mikroelektroonika, mikrolülitus, kontaktväljad, taoline ehitus, impulsslülitustele, operatsioonvõimendil, nimetusest tulenevalt

Meedia

Kommentaarid (5)

Villu147 profiilipilt
Villu Männik: hea materjal. Soovitan.
15:55 30-05-2017
kristjan771 profiilipilt
kristjan771: väga hea materjal
12:27 27-02-2013
kondaja897 profiilipilt
kondaja897: aitas küll
00:59 09-06-2012


Sarnased materjalid

114
doc
Elektroonika alused
108
pdf
Elektroonika alused-õpik konspekt
23
doc
Elektroonika alused-konspekt
32
docx
Elektroonika aluste eksami küsimused ja vastused
46
doc
Elektroonika Alused
17
docx
Elektroonika alused Konspekt
138
pdf
Elektrotehnika alused
9
docx
Elektroonika vastused



Faili allalaadimiseks, pead sisse logima
Kasutajanimi / Email
Parool

Unustasid parooli?

UUTELE LIITUJATELE KONTO MOBIILIGA AKTIVEERIMISEL +50 PUNKTI !
Pole kasutajat?

Tee tasuta konto

Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun