osa signaale pääseb läbi filtri, osa mitte. 4. Millised filtrite tüübid on näidatud juhendi esimesel joonisel? Madalpääsfilter ja kõrgpääsfilter 5. Milleks ja kuidas vältida kasutatavate kaablite ja üleminekute sumbuvusest tingitud vigu uuritava seadme mõõtmistel? 6. Leida lainepikkus sagedustel 440 ja 500 MHz =c/f 1) 0,68m 2) 0,6 m 7. Järgmiste ühikute teisendamine: dBmmW 10log(mW) ja 10(dBm/10) dBP1/ P2 ,U1/ U2 2 ANTENNI SISENDTAKISTUSE MÄÄRAMINE 1 Mis on antenni sisendtakistus? Milleks on vaja seda määrata? Antenni sisendtakistus Z on takistus, mida antenn avaldab oma sisendahelale. See on kompleksne suurus, sest koosneb nii aktiiv- kui ka reaktiivosast ning sõltub sagedusest. 2 Kuidas mõõta koormuse komplekstakistust liini abil? 3 Seisulaine mõiste. Kui suur on seisulaine naabermiinimumide (maksimumide) vaheline kaugus? Veerand lainepikkust 4 Milleks on vaja liini koormusega sobitada?
Väljatransistori puhul seda ohtu ei ole. Bipolaartransil on tavaliselt 3 otsa: - baas ehk juhtelektrood, - emmitter, - kollektor. On ka eritransistore, milledel mõni jalg puudub (ma mõtlen ikka terveid eksemlare ;) või on mõni mitmekordselt. Ntx. nn ühesiirdetransid, milledel on 2 baasi ja kollektor puudub. Väljatranside ja bipolaartranside head omadused on kokku võetud nn IGBT (injected gate bipolar transistor) transides. Nad on juhitavad kui väljatransid (hea: suur sisendtakistus), koormuse poolelt aga käituvad kui bipolaartransid. Rakendatakse ntx. fotoaparaatides välgu lülitamise juures. Kõik bipolaartransid on kas NPN või PNP tüüpi. Skeemitingmärgil on NPN transi emitteri nool transist väljapoole, PNP puhul aga vastupidi. Tehnoloogilstel põhjustel on NPN transid rohkem levinud (eriti mikroskeemide sees). Tüüp PNP või NPN määrab, mis pidi peavad pinged transistorile minema. NPN transistor tahab emmitterile miinust ja kollektorile plussi
27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada: IE + IE = Ic + IC + IB + IB. Siit järeldub, et
detekteerimiseks. · Leiutati 24.12.1947 Belli laboris: Shockley, Bardeen, Brattain. Lilienfeldtil oli juba 1925 prototüüp · Tööpõhimõtte järgi: bipolaar- ja väljatransistorid. Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 25 Aseskeem ·Bipolaartransi elektroodid: emitter, baas, kollektor ·Sisuliselt nagu 2 otsapidi kokku ühendatud dioodi (vt. aseskeemi) ·Baas-emittersiire alati päripingestatud. Pingelang seega 0,6V => väike sisendtakistus · B-K siire vastupingestatud ·Tüüritakse vooluga ·2 erinevat juhtivusetüüpi NPN ja PNP Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 26 Transistori olulised parameetrid ·Ucemax ehk maksimaalne tööpinge ·Ic max ehk maksimaalne töövool ·Kanali takistus (väljatransistoridel) ·Beeta (h21e) ehk vooluvõimendus (sisend- ja väljundvoolude suhe) dünaamiline · B (h21E) sama alalisreziimis ·Piirsagedus kui vooluvõimendus=1 (ÜE lülitus) ·Sügis 2010
keskväärtus efektiivväärtus Kõiki neid suurusi saab ka mõõta ja kasu-tada vahelduvsignaali iseloomustamiseks Tippväärtuse detektor Vahelduvsignaali tippväärtuse saab lihtsalt leida alaldusskeemiga Sellise tippväärtuse detektori saab paigaldada mõõtepeasse Mõõtepea ja mõõteriista ühenduskaabel annab edasi vaid alaliskomponenti ja seega ei oma olulist tähtsust kaabli ega mõõte-riista sisendastme mahtuvused Eeliseks on suur sisendtakistus Sellise tippväärtuse detektori puuduseks on ülekandeteguri ebalineaarsus väikeste sisendsignaalide korral, mis tuleneb dioodi volt-amperkarakteristikust Seetõttu ei saa sellist detektorit kasutada väikeste pingete (kuni 1V) mõõtmisel Ka siis kui sisendsignaal sisaldab alalis-komponenti võib mõõtetulemus olla vale Alaliskomponendi mõju kõrvaldamiseks saab kasutada tippväärtuse detektori veidi keerulisemat lülitust 2
kaaskompleksed - reaalosad võrdsed ja imaginaarosad vastasmärgiga. Üldjuhul ei lülitata generaatorit vahetult koormusega vaid ülekanne toimub ülekandeliini abil. Sellepärast tuleb sobitada liin ja koormus. 5. Seisulainetegur. Kui suur on seisulaine tegur täieliku sobituse korral? Kuidas näeb välja pinge (voolu) jaotuse graafik? Liinis tekkinud pinge amplituudi maximumi ja miinimumi suhe. SWR=1. Joonis vihikus? 6. Näidata Smithi diagrammil sisendtakistus sobitatud liini korral. Määrata antenni sisendtakistus Smithi diagrammilt. Selleks leida lühisega ja koormusega miinimumide vaheline kaugus liinis, teisendada vahekauguse väärtus lainepikkustesse ning sooritada Smithi diagrammil vastav nihe, jälgides nihke suuna vastavust nihke suunale liinis. Nihke algus Smithi diagrammil asub seisulaineteguri ringi minimaalse aktiivtakistusega punktis. Nihke lõpppunkti koordinaadid vastavad antenni normeeritud sisendtakistusele. 7
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid. Käesoleva teksti sisujaotus: 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid 6.2 Võimendusastmed bipolaartransistori baasil 6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2
Suurim väljundpinge +Uv ja Uv on suurim võimalik positiivne ja negatiivne väljundpinge etteantud koormustakistuse korral. 8. Ühikvõimendus sagedus F1 on sagedus, mille korral võimendusteguri moodul on võrdne ühega 9. Talitluskiirus Vu on väljundpinge suurim muutumise kiirus diferentspinge hüppelisel muutumisel Reaalse OV olulised omadused 1. Sisendi ja väljundi nihkepinge peab olema null 2. Stabiilne nullpunkt 3. Suur sisendtakistus 4. Väike väljundtakistus 5. Suur pingevõimedus 6. Defineeritud sageduskarakteristik Operatsioonvõimendite tagasisidestamine Joonisel: Tagasiside Vastuside ja päriside Kui osa väljundpingest Uv antakse läbi tagasiside ahela sisendisse tagasi ja: 1) Kui see pinge sisendpingest lahutatakse, siis on tegemist vastusidega 2) Kui see pinge aga liidetakse sisendpingele , siis on tegemist pärissidega Tagasiside olemus 1
Seadme signaali ja müra suhe dB-des on absoluutväärtuselt sama suur kui suhteline müratase, kuid positiivse märgiga. Sisend- ja väljundparameetrid Signaaliallikaid ja võimendeid toodetakse enamasti omaette üksustena, et erinevate firmade poolt toodetud aparaate oleks võimalik normaalselt, see tähendab moonutusvabalt ja kaovabalt, omavahel ühendada on rahvusvahelise standardiga kindlaks määratud nende sisend- ja väljundtakistused ning vastavad pinged. Helisagedusvõimendi sisendtakistus k-des järgmiste signaaliallikate ühendamiseks: · Gramofoni magnethelipea (47k +/- 10%) · Biesoelektriline helipea (470 k) · Tuner, raadiodetektor, magnetofoni pingeväljund (220 k) Tuneri, detektori ja magnetofoni pingeväljundi väljundtakistus ei tohi olla üle 22 k. Järgmise aparaadi sisendtakistus peab olema 10 korda suurem eelmisest aparaadist. Signaaliallikate väljundpinged voltides on vähimate lubatud suurustena järgmised:
sagedussõltuvust. 4. Töö käik Võtsin enda matriklinumbrite viimaste numbrite geomeetrilise keskmise ning koostasin vastavalt LISA1-st saadud andmetega *.s1p laiendiga faili. Seejärel koostasin nõutud skeemi, mis koosnes koormusest ja 1-pordist, millele andsin parameetrid eelnevalt loodud failist. Sobitamiseks sisestasin 3 mikroribaliini. 1-pordi töösageduse valisin 5,0 GHz. Koormuse poolt esimese ribaliini lainetakistuseks on 50 Ω, sest koorumse sisendtakistus Z L = 50 Ω. Kolmanda mikroribaliini lainetakistuseks on allika väljundtakistus Z 0. Konstrueerisin skeemi nagu tööjuhendis nõutud (joonis 1). Koormuse poolt esimese liini lainetakistuseks arvutasime ZL= 33 Ω ning sünteesisime selle järgi mikroribaliini, sageduse 5,0 GHz jaoks. Keskmise liini sünteesisime arvutatud lainetakistuse Z L=40,62 Ω järgi, veerandlaine pikkusega. Allikapoolse liini sünteesisime allika väljundtakistusega ZL=50 järgi. Joonis 1
on signaalisageduslik võimsus mida võimendi arendab tarbijal. Väljundvõimsus võib olla antud kas kesk- või impulssvõimsusena. Väljundparameetriteks võib olla ka väljundpinge või väljundvool. d) Nominaal ehk nimisisendsignaal Usis; Psis. on signaali pinge või võimsus mille juures võimendi on võimeline arendama tarbijal nõutavat pinget või võimsust. Tavaliselt on see signaali amplituudväärtus millele võimendi on arvutatud. e) Sisendtakistus Rsis on takistus, millega võimendi koormab signaaliallikat (joon.1.6). On soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur, sest mida suurem on sisendtakistus seda vähem koormab võimendi sisendsignaali allikat. Sisendtakistus moodustub mitmete tegurite koosmõjuna, millest määrav on kasutatava võimenduselemendi sisendtakistus s.t. kasutatav võimenduselemendi liik. h) Väljundtakistus Rvälj on võimendi väljundi kujuteldav sisetakistus (joon
LISA1-st saadud andmetega *.s1p laiendiga faili. Seejärel koostasime nõutud skeemi, mis koosnes koormusest ja 1-pordist, millele andsime parameetrid eelnevalt loodud failist. Joonis 1. takistused 5GHz-i juures Sobitamiseks sisestasime 3 mikroribaliini. 1-pordi töösageduse valisime Raini nimetähtede järgi, seega 5.0 GHz. Koormuse poolt esimese ribaliini lainetakistuseks on 50 , sest koorumse sisendtakistus Z L = 50 . Kasutades TRL-i saime selle liini laiuseks 1,4363 mm. Kolmanda mikroribaliini lainetakistuseks on allika väljundtakistus Z0. Kasutades algset Smithi diagrammi teame, et see on 1,449 korda suurem koormuse takistusest. Konstrueerisime skeemi nagu tööjuhendis nõutud (joonis 2). Koormuse poolt esimese liini lainetakistuseks arvutasime ZL= 0,539 50 = 26,95 ning sünteesisime selle järgi mikroribaliini, sageduse 5GHz jaoks.
Nihkepinge UN on diferentspinge, mis tuleb anda diferentsvõimendi sisendite vahele, et muuta väljundpinge nulliks. Põhjuseks on võimendi komponentide mitteidentsus. UN = (1...20) mV Nihkepinge muutumist, mida põhjustab temperatuuri muutumine, toitepinge muutus ja komponentide omaduste ajaline ebastabiilsus, nimetatakse nihkepinge triiviks. Sisendvooluks Is nimetatakse sisendite voolude aritmeetilist keskmist sisendpingete puudumisel. Is = (0,01...200) nA Ka sisendvoolu puhul esineb triiv. Sisendtakistus diferentssignaalile Rds on takistus võimendi kahe sisendi vahel. Rds = (1...1000) M ja rohkem Sisendtakistus ühissignaalile Rüs on takistus kahe kokkuühendatud sisendi ja üldjuhtme vahel. Rüs = (1...10) M Väljundtakistus Rv iseloomustab võimendi väljundpinge muutust koormustakistuse muutumisel püsiva sisendpinge korral. Rv = (10...150) Piirsagedus fH on sisendsignaali sagedus, mille puhul võimendi võimendustegur on vähenenud 3 dB, võrreldes võimendusteguriga madalal sagedusel.
ANALOOGMULTIMEETER: Analoogmultimeeter koosneb pöördpool mõõtemehhanismist, lisatakistite komplektist pinge mõõtmiseks ja suntide komplektist voolu mõõtmiseks. KASUTAMINE : Erinevalt harilikest osutmõõteriistadest on multimeetri kasutamisel tähtis alati jälgida nn. maaklemmi asukohta. Nimelt ei ole multimeetri sisendklemmid võrdväärsed nagu osutmõõteriistadel. Üks multimeetri klemmidest on harilikult ühendatud multimeetri korpusega ja selle klemmi jaoks on sisendtakistus maa suhtes tunduvalt väiksem kui teise klemmi jaoks. Seetõttu on soovitatav maaklemm alati ühendada mõõteskeemi punktiga, mille pinge maa suhtes ei muutu. Teine multimeetri sisendklemm on konstrueeritud harilikult suure (pinge mõõtmiseks) sisendtakistusega klemmina ja seetõttu mõõtmistulemusi kuigi palju ei mõjuta. Juhul kui tegemist on võrgutoitega multimeetriga, tuleb maaklemmi asukohta tingimata jälgida, kuna vastasel juhul võib kannatada mõõtmiste ohutustehniline pool
Algselt oli kanalis S/N=4000. (+ 10%) C=3,986Mbit/s * RS232 liidese kaudu kantakse STARTSTOP reziimis parameetritega 7,E,1 üle ASCII sõnumit pikkusega 1250 sümbolit. Valida RS liidesega ühendatava modemi bitikiirus lähtudes vajadusest edastada sõnum vähemalt 1 sekundi jooksul. Reziim 7 andmebitti+Epaarsus+1stopp+1start=10bitti symboli jaoks. V:1250*10/1=12,5kb/s * Sateliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 100 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida pinge vastuvõtja sisendil. 100dB on 1010korda ehk maa peal on signaali v6imsus 1pW. P=U2/R=> U=3,16*10 V 4 * Satelliit saatja väljundvõimsus on 1 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 60 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 60dB=106 korda. P=I2R => I=0,1mA * Satelliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 110 dB
ja kollektor. Neljas elektrood on alus (body, base; puudub pn-siirdega väljatransistoridel), mis enamasti lätte külge ühendatakse. Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Väljatransistoridel puudub soojuslik läbilöök. Väljatransistorite Puudused Võrreldes bipolaartransistoridega on väljatransistoride tüüriv elektrood väga tundlik
Lõppvõimendi tagab Op võimendile väikese väljund takistuse ja nõutava väljund voolu kuhu antakse see muutuv pinge mida me soovime etteantud tugipingega võrrelda. väärtuse. Reeglina sisaldab lõpp võimendi ka kaitselülitust, mis väldib võimendi Pingete võrdsuse saavutamisel tekkib väljund signaalis hüppe või formeeritakse väljund riknemist väljundi lühise korral. Selleks et Op võimendi sisendtakistus oleks võimalikult impulss. Kuna Op võimendil on kaks vastand toimega sisendit, siis saab teda väga suur kasutatakse sisend astmetes kas välja transistore, või emitteri järgureid Triivi-all lihtsalt panna toimima komparaatorina. Kui tugi pinge on sisend pingest suurem ja ta on mõistetakse väljundsignaali muutust,mille põhjuseks ei ole mitte sisend sign muutus vaid ühendatud mitte inventeerivasse sisendisse, siis pääseb maksvusele mitte inventeeriva mingi muu põhjus
Väljatransistor+bipolaarne=IGBT Väljatransistor+väljatransistor=CMOS Väljundis on alati vool, mis sageli on vaja muuta pingeks. Transistorid toimivad aktiivse skeemielemendina ja võivad signaali toiteallika arvel mõjutada. Ühendamise võimalusi on kolm: 1.Ühise baasiga/paisuga(Uv>Us, faas ei muutu) 2.Ühise emitteriga/lättega (uv>us, iv>is, faasipööre) 3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool. Elektriväli p-n siirdel baasi ja kollektori vahel tõmbab elektronid kollektorisse
Ühissignaali nõrgendustegur väljendatakse reeglina detsibellides. -Nihkepinge UN – diferentsiaalpinge, mis tuleb rakendada OV sisendite vahele, et väljundpinge oleks 0. Nihkepinge muutumist, mida põhjustab temperatuuri muutumine, toitepinge muutus ja komponentide omaduste ajaline ebastabiilsus, nimetatakse nihkepinge triiviks. -Sisendvool Isis – sisendite voolude aritmeetiline keskmine sisendpinge puudumisel. -Sisendtakistus diferentssignaalile Rd sis - ekvivalentne sisendite vaheline takistus nõrga signaali korral. Bipolaar-sisendtransistoridega OV-de R d sis on mõni MΩ. Sisendvool läbi sisendtakistuse on ainult mõni nA. -Sisendtakistus ühissignaalile Rü sis on ekvivalentne takistus sisendi ja 0-klemmi vahel. -Suurimad väljundpinged U+v , U-v – suurim võimalik positiivne ja negatiivne väljundpinge etteantud koormustaktistuse korral.
See on takistus millega võimendi mõjutab sisendsignaali allikat. Teine on väljundtakistus so. kujutletav takistus mis on väljundpinge sisendgeneraatori takistus. Sisendtakisti määrab põhiliselt võimendus element, kuid seda mõjutavad ka tööpunkti fikseerimise takistused. On soovitav et sisendtakistus oleks võimalikult suur, sest mida suurem on sisendtakistus, seda vähem koormab ta signaali allikat. Väljundtakistuse väärtus sõltub lõppastmes kasutatavatest võimenduselementidest. Selleks et tarbijale antav signaali võimsus oleks maksimaalne, peab väljundtakistus võrduma tarbija takistusega. 1.3. Võimendamisel tekkivad moonutused
3. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad: IC = f (UCB) IC = f (IE) Katseandmed märkisime tabelisse 7.1. Joonestasime sõltuvuste graafikud (joonis 7.3 ja 7.4) Joonis 7.3 Tunnusjooned IC = f (UCB) Joonis 7.4 Tunnusjooned IC = f (IE) 4. Transistori tunnusjoonte alusel määrasime nõrga signaali parameetrid: sisendtakistus h11b pingetagasisidetegur h12b ΔU BE 0,72−0,65 0,07 V h11b = = = =0,875 ΔI E 0,1−0,02 0,08 A ΔU BE 0,72−0,65 0,07 h12 b= = = =0,006 V ΔU CE 12−1 11 6. Koostasime lülituse ÜE-ühenduses transistori uurimiseks (joonis 7.2). VT – + Joonis 7.2 Transistori lülitussskeem ÜE-ühenduses 7
Emitteri ja baasi vahelist siiret nimetatakse emitter-siirdeks, baasi ja kollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon on skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad. Erinevus on selles, et emitteri juhtivus peab olema tunduvalt suurem kui kollektoril. See saavutatakse lisandite erineva määraga (hulgaga) transistori eri osades transistori valmistamisel 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus Sisendtakistus R on takistus, millega võimendi koormab signaaliallikat (joon.4.2). On sis soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur, sest mida suurem on sisendtakistus seda vähem koormab võimendi sisendsignaali allikat. Väljundtakistus R on võimendi väljundi kujuteldav sisetakistus (joon.4.2), sest välj kujuteldavalt on võimendi väljundis signaali sagedusega generaator, milline tekitab
Emitteri ja baasi vahelist siiret nimetatakse emitter-siirdeks, baasi ja kollektori vahelist siiret aga kollektorsiirdeks. Kuigi transistori konstruktsioon on skemaatiliselt sümmeetriline, ei ole ta seda elektriliselt, st. kollektor ja emitter ei ole vahetatavad. Erinevus on selles, et emitteri juhtivus peab olema tunduvalt suurem kui kollektoril. See saavutatakse lisandite erineva määraga (hulgaga) transistori eri osades transistori valmistamisel 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus Sisendtakistus Rsis on takistus, millega võimendi koormab signaaliallikat (joon.4.2). On soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur, sest mida suurem on sisendtakistus seda vähem koormab võimendi sisendsignaali allikat. Väljundtakistus Rvälj on võimendi väljundi kujuteldav sisetakistus (joon.4.2), sest kujuteldavalt on võimendi väljundis signaali sagedusega generaator, milline tekitab signaali sagedusega väljundsignaali ja väljundtakistus on selle generaatori sisetakistus
Diferentsiaal lülitus on lülitus, mis võimaldab eri sisendite erinevat toimet, seetähendab, on võimalik mitte inventeeriv sisend ja inventeeriv sisend. Vahevõimendi on see element, mis tagab Op võimendile suure võimendus teguri. Lõppvõimendi tagab Op võimendile väikese väljund takistuse ja nõutava väljund voolu väärtuse. Reeglina sisaldab lõpp võimendi ka kaitselülitust, mis väldib võimendi riknemist väljundi lühise korral. Selleks et Op võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur kasutatakse sisend astmetes kas välja transistore, või emitteri järgureid. Dif. võimendi skeem on Kui kasutada elementaarset võimendit siis võib tekkida järgmine: tema toimes sisend vooludest toime viga, sest sisend voolud -I kulgeb sisendisse läbi takistuse +I aga
Algselt oli kanalis S/N=4000. (+- 10%) C=3,986Mbit/s RS-232 liidese kaudu kantakse START-STOP reziimis parameetritega 7,E,1 üle ASCII sõnumit pikkusega 1250 sümbolit. Valida RS liidesega ühendatava modemi bitikiirus lähtudes vajadusest edastada sõnum vähemalt 1 sekundi jooksul. Reziim 7 andmebitti+E-paarsus+1-stopp+1start=10bitti symboli jaoks. V:1250*11/1=13,8kb/sSateliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 100 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida pinge vastuvõtja sisendil. 100dB on 1010korda ehk maa peal on signaali v6imsus 1nW. P=U2/R=> U=3,16*10-4V Satelliit saatja väljundvõimsus on 1 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 60 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 60dB=106 korda. P=I2R => I=0,1mASatelliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 110 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis
Impulsivõimsus on võimendi väljundi võimsus lühiagses reziimis (bassi tümps) võimendid on reeglina on võimendid projekteeritud maksimum ehk lühiaegsel võimsusel. Keskmine on tavaliselt 10 korda väiksem. 4. Nimisisendsignaal Usis n see on sisendsignaali amplituut, millel on võimendi arvestatud. Helivõimenditel võib olla mitu erineva tundlikusega sisendit näiteks mikrofoni sisendil on 1-3mV, maki ehk helipeasisendil 50 mV 5. Sisendtakistus - kujutletav takistus, millega võimendi koormab signaaliallikat tema väärtus sõltub kasutatavatest võimenduselementitest: transistorvõimendi on 300-3, lampvõimendil ja ka väljatransistorvõimentitel on ta 1M Joonis2 6. Väljundtakistus on võimendi kui signaali sisetakistus. Ta on oluline koormustakistuse valikul sest selleks et väljundis saada max võimsust peab väljuntakistus võrduma koormustakistusega Rvälj = RL. Sageli väljundtakistuse väärtust
(+- 10%) C=3,986Mbit/s 47. RS-232 liidese kaudu kantakse START-STOP reziimis parameetritega 7,E,1 üle ASCII sõnumit pikkusega 1250 sümbolit. Valida RS liidesega ühendatava modemi bitikiirus lähtudes vajadusest edastada sõnum vähemalt 1 sekundi jooksul. Reziim 7 andmebitti+E- paarsus+1-stopp+1start=10bitti symboli jaoks. V:1250*10/1=12,5kb/s 48. Sateliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 100 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida pinge vastuvõtja sisendil. 100dB on 1010korda ehk maa peal on signaali v6imsus 1pW. P=U2/R=> U=3,16*10-4V 49. Satelliit saatja väljundvõimsus on 1 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 60 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 60dB=106 korda. P=I2R => I=0,1mA 50. Satelliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 110 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi
maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Joonis 3.14. Bipolaartransistoride kolm lülitusviisi [3]. Tabel 3.2. Bipolaartransistoride kolm lülitusviisi [8]. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 18 Ühise baasiga (ÜB) ühendusviisi puhul saadakse lülitusastmelt pingevõimendus (vooluvõimendus KI < 1). Võimsusvõimendus on suhteliselt väike. Sisendtakistus on väiksem kui teiste lülitusviiside puhul (mõnest mõnekümne oomini), väljundtakistus aga on suurem kui teiste lülitusviiside puhul, mis tekitab probleeme seda tüüpi astmete omavahelisel ühendamisel. Lülituse mittelineaarmoonutus ei ületa mõnd protsenti. Ühise emitteriga (ÜE) ühendusviisi puhul saadakse nii pinge- kui ka vooluvõimendus. Võmsusvõimendus on lülitusviisidest suurim, kuid kaldub muutuma temperatuuri v. talitlusreziimi muutumisel, samuti transistori asendamisel
40Hz. Sageli kasutatakse vajalikku sagedusriba eraldamiseks võnkeringe, sel juhul on võimendi sageduskarakteristika resonants kõvera kujuline, ning taolisi võimendeid nimetatakse resonants võimenditeks. Joonis 1.3.2 2.1 Võimendi iseloomustavad parameetrid Joonis 2.1.1 Parameetrid on arvväärtused, millega iseloomustatakse mingi tehnilise seadme omadusi. Võimendite iseloomustamiseks on vajalikke parameetreid üsna mitu: 1. Sisendtakistus on võimendi sisend klemmide vahel kujuldetav takistus mis koormab signaali allikat. On ilmne, et on soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur sest sellisel juhul on signaal allika koormus väike ja ei teki signaali kadu. Sisendtakistuse väärtus sõltub kasutatavadest võimendus elemenditest. Transistor võimendi on ta mõne kilooomi ringis, lamp ja väljatransistor võimendidel aga megaoomides. 2
Impulsstrafod lühikeste impusside muundamiseks ja kujundamiseks; Autotrafod kui pinget on vaja transformeerida väikeses ulatuses ja sekundaarahel ei pea olema primaarsest galvaaniliselt eraldatud. Tunnussuurused: Toitetrafol primaarpinge U1, sekundaarpinged U2.1, U2.2..., sekundaarvoolud I2.1, I2.2..., primaarvõimsus S1 = U1I1 (I1 on võrgust tarbiv vool), sekundaarvõimsus e nimivõimsus S2 = U2.1I2.1 + U2.2I2.2..., kasutegur = S2/S1. Sobitustrafol sisendtakistus rsis, väljundtakistus rvälj, sagedusriba fmin...fmax (alumise piiri määrab primaarmähise induktiivsus L1 ja ülemise piiri trafo omamahtuvus C0. Impulsstrafol transformeeritava impulsi ning selle esi- ja tagakülje kestus. 21 Trafode südamikud enamasti elektrotehnilisest terasest, millel on suur magnetiline läbitavus ja väike teraseskadu. Väikese võimsusega sobitus- ja impulsitrafode südamikud tehakse permalloist (nikli ja raua sulam).
Algselt oli kanalis S/N=4000. (+- 10%) C=3,986Mbit/s RS-232 liidese kaudu kantakse START-STOP reziimis parameetritega 7,E,1 üle ASCII sõnumit pikkusega 1250 sümbolit. Valida RS liidesega ühendatava modemi bitikiirus lähtudes vajadusest edastada sõnum vähemalt 1 sekundi jooksul. Reziim 7 andmebitti+E-paarsus+1-stopp+1start=10bitti symboli jaoks. V:1250*11/1=13,8kb/s Sateliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 100 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida pinge vastuvõtja sisendil. 100dB on 1010korda ehk maa peal on signaali v6imsus 1nW. P=U2/R=> U=3,16*10-4V Satelliit saatja väljundvõimsus on 1 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 60 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 60dB=106 korda. P=I2R => I=0,1mA Satelliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 110 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis
P2rast C=3,186Mbit/s RS-232 liidese kaudu kantakse START-STOP reziimis parameetritega 7,E,1 üle ASCII sõnumit pikkusega 1250 sümbolit. Valida RS liidesega ühendatava modemi bitikiirus lähtudes vajadusest edastada sõnum vähemalt 1 sekundi jooksul. Reziim 7 andmebitti+E- paarsus+1-stopp+1start=10bitti symboli jaoks. V:1250*11/1=13,8kb/s Sateliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 100 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida pinge vastuvõtja sisendil. 100dB on 1010korda ehk maa peal on signaali v6imsus 1nW. P=U2/R=> U=3,16*10-4V Satelliit saatja väljundvõimsus on 1 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 60 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 60dB=106 korda. P=I2R => I=0,1mA 10W. 110dB=1011 korda=> I=1uA, 10W 70dB=107 korda => I=0,1mA Sidekanalis on signaali Uef=10 V ja müra pinge 1 V
Tingimuseks on, et üht ja sama tüüpi väärtusi kasutatakse läbivalt, mitte aga läbisegi). æ 2 ö RS = 500ç - 1÷ = 167W è 1,5 ø Joonis 5.18. Illustratsioonid eeltoodud näite juurde: a) võimendi koormamata reziimis; b) võimendi koormatud reziimis. c) Sisendtakistus Sama lähenemisviis sobib ka lülituse sisendtakistuse mõõtmise puhul. Võimendi sisendtakistust võime kujutada ühe üksiku aktiivtakistusena (resistiivse takistusena), vt järgnev joonis (a). Kui me ühendame sellise sisendiga signaaliallika, siis toimib võimendi sisendtakistus allika jaoks koormustakistusena RL , vt joonis joonis (b). Antud olukorras ei saa me varieerida ei RL ega RS väärtusi. See on aktsepteeritav, kui
P2rast C=3,186Mbit/s 26. RS-232 liidese kaudu kantakse START-STOP reziimis parameetritega 7,E,1 üle ASCII sõnumit pikkusega 1250 sümbolit. Valida RS liidesega ühendatava modemi bitikiirus lähtudes vajadusest edastada sõnum vähemalt 1 sekundi jooksul. Reziim 7 andmebitti+E-paarsus+1-stopp+1start=10bitti symboli jaoks. V:1250*11/1=13,8kb/s 27. Sateliit saatja väljundvõimsus on 10 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 100 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida pinge vastuvõtja sisendil. 100dB on 1010korda ehk maa peal on signaali v6imsus 1nW. P=U2/R=> U=3,16*10-4V 28. Satelliit saatja väljundvõimsus on 1 W. Signaali sumbuvus maapealse vastuvõtjani on 60 dB. Vastuvõtja sisendtakistus on 100 oomi. Leida vool vastuvõtja sisendis. 60dB=106 korda. P=I2R => I=0,1mA 29.Sidekanalis on signaali Uef=10 V ja müra pinge 1 V. Milline on minimaalne ribalaius tagamaks bitikiirust 1 Mbit/s? (arvutustäpsus +- 10%)?
fotosensoritest. Dekodeerimisel adresseeritakse mälupesi nii info kirjutamisel mällu kui ka lugemisel sealt; lisaks kasutatakse ka mitmesugustele indikatsioonielementidele sümbolite, tavaliste numbrite kuvamiseks. Kodeerimist kasutatakse klahvistikes ja osades analood - arv muundites Loogikalülituste ehitus Baseeruvad transistoritel (lülitireziimis). Kõige paremini sobivad indutseeritud kanaliga väljatransistorid (MOSFET või MOS). Nende eelis on ülisuur sisendtakistus (sisendid peaaegu ei tarbi energiat staatilises reziimis ning puudub vajadus loogilise 1 puhul sisendvoolu piirata), sisendpinge lävipinge olemasolu avanemisel. PS! Hiljuti kasutati ehitusel ka DTL - trantsistorid kus on kasutatud dioode ehk Diood- Transistor Loogika. Samuti ka TTL ja ECL (emitte coupling Logic) Komplementaarloogikaelementideks (e CMOS) - element, mis koosneb kahest ühesugusest, kuid erineva kanaliga transistoreid nimetatakse komplementaarseks paariks
.. Lainejuhid_ee.pdf 4. Elektrilised lained täisnurkses lainejuhis. Põhilaine. LAINEJUHID lk 95 Pilt/Meigas 5. Magnetilised lained täisnurkses lainejuhis. Põhilaine. 9. Vaskjuhtmete põhiparameetrid. 10. Koaksiaalkaabli põhiparameetrid. 11. Ribaliini põhiparameetrid. 12. Sumbuvus lainejuhtides. 1. ANTENNIDE ÜLDKÜSIMUSED 1. Antennide kasutamise otstarve. 3. Antennide parameetrid (kasutegur, suunategur, võimendus, efektiivne pindala, suunadiagramm, sisendtakistus, sagedusriba Laius, kiire efektiivsus, polarisatsioon) Antennid_suurkonspekt.pdf 3. Antenni suunadiagrammi laius 0 ja 3 dB nivool. 4. Elektromagnetvälja tsoonid. Antennid_suurkonspekt.pdf lk 10, ptk 3 5. Antennide tüübid. 5. Friisi valem. Antennid_suurkonspekt.pdf lk 74, ptk 20 7. Radari valem. Antennid_suurkonspekt.pdf lk 75, ptk 21 2. VÕREANTENNID 1. Elementaarne võreantenn. Suunadiagrammide korrutamine. Võreantenni miinimumid ja maksimumid. Antennid_suurkonspekt
Kuna ühise emitteriga lülitusel sisend ja väljund takistused ei ole väga erinevad, siis on see lülitus enamlevinud kolmest vaadeldavast lülitusest. --algus puudu-- Kui sisendpinge suureneb, siis suureneb emitteri vool, mis on väljundvooluks ja suureneb ka väljundpinge. Seega järgib väljundpinge sisendpinge muutusi ja seda lülitust nimetatakse ka emitter-järguriks. Sisendtakistus on suur üheltpoolt sellepärast, et emitterahelas on nüüd koormustakistus teiseltpoolt, aga sellepärast, et koormustakistusel tekiv pingelang töötab sisendpingele vastu. See tähendab, kui sisendpinge suureneb ja püüab suurendada sisendvoolu, siis suureneb pingelangu tõttu emitteri pinge püüdes vähendada sisendvoolu. Tulemusena jääb sisendvool väiksemaks kui ühise emitteriga lülitusel ja sisendtakistus on küllalt suur ulatudes kuni 50k -ni.
vahelduvkomponendi suhe. (Väärtus üle 1). Seos α ja β vahel 1−α Võimsusvõimendus Kp – transistorastme koormusele antava vahelduvvoolu võimsuse ja sisendisse juhitava signaali võimsuse suhe; Vooluvõimenduse piirsagedus – sagedus mille ületamisel transistori vooluvõimendustegur langeb 71 % oma väärtusest, fα – baaslülituse puhul, fβ – emitterlülitusel. Seos f β ≈ 1,2(1−α )f α Transistori sisendtakistus – sisendpinge vahelduvkomponendi ja sisendelektroodi voolu vahelduvkomponendi suhe (sisendsignaali allika koormamist iseloomustav suurus); Transistori väljundtakistus – kollektorpinge vahelduvkomponendi ja kollektorvoolu vahelduvkomponendi suhe lahtise sisendelektroodi korral. 46. Transistoride lülitusviisid. Skeemi visandamine. Ühise baasiga lülitus; Ühise emitteriga lülitus; Ühise kollektoriga lülitus 47
kvarts. Seignette sool ja mõned keraamilised materjalid: piesoelektrikutena kasutatakse ka kunstlikult polariseeritud baariumtitanaati, plii-tsirkoonium-titanaati jne. Piesoelektrilised andurid on generaatori tüüpi. Elektrilised laengud tekivad välise jõu mõjul. Jõudude mõõtmiseks kasutatava anduri tekitatud laengud ja pinge jäävad samaks ai-nult siis, kui mõõteahelal on lõpmata suur sisendtakistus, mis on praktiliselt võimatu. Piesoandurite minimaalsed talitlussagedused on tavaliselt (1 ... 0,5) Hz. Staatiliste 31 jõudude mõõtmiseks kasutatakse nn piesotrafosid. Magnetoelastsed andurid Magnetelastsed muundurid põhinevad magnetoelastsel efektil, mis avaldub fer-romagnetiliste materjalide magnetilise läbitavuse muutuses välistest jõududest põh-justatud mehaaniliste pingete toimel. On olemas ka vastupidine nähtus, mida nimetatakse magnetostriktiivseks efektiks, mis
Eristatakse reaalset ja maksimaalset tundlikkust. Reaalne on standartse väljundvõimsuse korral, kui signaali ja müra suhe väljundis on AM signaali puhul 20dB ja FM signaali puhul 26dB. Maksimaalset tundlikkust defineeritakse samuti kui signaali ja müra suhe on AM signaali puhul 3dB ja FM signaali puhul 6dB. Tundlikkus detsibellides. Tundlikkust väljendatakse ka detsibellides võimsustaseme 1 hemtovatt suhtes. E[dB]=40dB , sellele vastab tundlikkus V . Sisendtakistus 75 E dB 40 E V 0,273 10 20 0,273 10 20 0,273 10 2 0,273 100 27,3V Sisendtakistus 50 E dB 40 E V 0,55 10 20 0,55 10 20 0,55 10 2 0,55 100 55V
42. Võrrelge omavahel bipolaar- ja väljatransistori. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. 43. Milline on väljatransistoride põhiline ühendusviis? Isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorid (MOSFET, MOP). Lühend tuleneb sõnast metall-oksiid-pooljuht. Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. Mikroelektroonikas on tänapäeval kasutatavaim tehnoloogia CMOS ehk
suhtes nihkes, vool on pärast pinget, 90o; -induktiivtakistusel reaktiivenergiakulu, kusjuures voolu ja pinge vektorid on üksteise suhtes nihkes, vool on enne pinget, 90o Sise(nd)takistus - Mõõtmistel on vaja, et mõõteskeem ei mõjutaks mõõdetavat signaali. Tegelikkuses mõjutab mõõteskeem mõõteriista näitu. Seda saab vähendada, kui mõõtevahendi impedants (komplekstakistus) on mõõteskeemi omast suurem. Mõõtevahendi sisendtakistus rakendab energiat, mis on võetud mõõteskeemist. Võimsuse kadu mõõtevahendis on hinnatav P = E1/Z2, kus Z2 on mõõtevahendi sisendimpedants ja E1 on mõõteskeemi pinge potentsiaal. Kompleksimpedants - Impedants on esitatav komplekssuurusega Z ning omab väärtust ja faasikarakteristikut ning on esitatav Z= Z ej= R+jX, kus Z esitab suhet pinge amplituudi ja voolu amplituudi vahel, E on pinge ja voolu faasi erinevus ja j on imaginaarühik (kasutatud on
ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 36 6.3.1. Ühise baasiga lülitus. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, s t . = Isis IE : Usis = U EB , U VÄLJ = U CB ja I VÄLJ = Ic JOONIS 6.5 Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte-lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme väljundit. Kui sisendpinge muutub Usis võrra, siis emittervool IE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud. Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada:
Taisperioodalaldis on kondensaatori moju veelgi suurem. 44. Operatsioonivõimendid. Toopohimottelt on operatsioonvoimendi sarnane tavalisele voimendile. Operatsioonvoimendi voimendab sisendsignaali pinget voi voimsust nagu tavalinegi voimendi. Kui tavalise voimendi omadused ja parameetrid on maaratud tema skeemiga, siis operatsioonvoimendi omadused ja parameetrid aga tagasisideahela parameetritega. Operatsioonvoimendit iseloomustavad: suur voimendustegur; suur sisendtakistus; vaike valjundtakistus. Operatsioonvoimendi sai oma nime korgekvaliteedilistelt voimenditelt, mida kasutati analoogarvutites uuritava protsessi (nt siirdeprotsessi) modelleerimisel ja matemaatiliste operatsioonide (summeerimine, integreerimine, diferentseerimine jt) sooritamisel. Nuudisaegsed operatsioonvoimendid kujutavad endast integraalseid pooljuhtseadiseid, mis on kasutatavaimad lineaarsed integraallulitused. Oma mootmetelt ja hinnalt ei erine nad palju uksikust transistorist.
punkt) ilmnevad siis ,kui rakule toimitakse kestvama elektrivooluga, närvi mõjutatakse väikese potentsiaalimuutusega. Kui membraani ainult veidi polariseerida, nii et see ei ulatu läveni ja pingest sõltuvad kanalid veel ei avane, tekib astmeline potentsiaal, mis liigub küll mööda membraani edasi, kuid hakkab kustuma e. kaugemale liikudes väheneb. Iseloomustatakse kolme suurusega : Sisendtakistus- määrab, kui palju potentsiaal muutub. rakusisene aksiaalne takistus- määrab, kui kaugele ja kui kiiresti impulss levib. Tsütoplasma takistuse ja närvi diameetriga määratud. mahtuvus- määrab, kui kiiresti pärast ärritust muutus tekib. Membraanipotentsiaal ja AP levik omavad nii passiivsete kui aktiivsete nähtuste tunnuseid. (NB!!AP puhul Na K liikumised alati päri kontsentratsioonigradienti) 27) Iooni tasakaalupotentsiaal, Nernsti võrrand.
docstxt/125910246486650.txt
koosneda mitte ainult üksikutest elementidest, vaid ka keerukatest lineaarsetest või mittelineaarsetest lülitustest. Pinge võimendi inverteerival sisendil läheneb nullile, sest - lim vv vd = =0 Kd -> &inf; Kd Seetõttu võib inverteerivat sisendit vaadelda näiva nullklemmina. Takistust R1 läbiv vool i1 = vs/ R1 ei sõltu takistusest R2, kuigi läbib seda. Inverteeriva lülituse sisendtakistus on Rs = vs/ i1 = R1. Puudused: 1) tarbib märgatavalt signaaliallika voolu, 2) väljundsignaal vastasfaasis sisendsignaaliga. [vaata | 18. Summeeriv OV. muuda] Lülituse skeem. Sisendvoolude sõltuvus sisendpingetest. Voolude liitumine, tagasisideahela vool. Väljundpinge seos sisendpingetega (tuletuskäik). <
Z 0 A2 1 Z 0 A 1 A 1 2A 2 A 1 Z0 2A Z 0 A 1 Z0 2A R2 A2 1 A 1 A2 1 US A UV Z 0 sisendtakistus Ül: Projekteerida mittebalanseeritud atenuaator, kui A=10 ja Z01=75, Z02=75. Kumb atenuaator annab parema tulemuse? T-kujuline: 75 10 1 75 9 R1 61,36 S tan dard 62 10 1 11 75 2 10 R2 371,25 S tan dard 360 10 2 1 -kujuline: R1
Potentsiaalide vahe mõõtmisel saadi mõõdiste x. u(x)=Sp/n ruutjuur u(K)=ai/3 Dispersioon ja standardmääramatus: u2(U)=u2(x)+u2(K), UU=k*u(U) 114. Voolutugevuse mõõtmine I=U/R Panust andvad dispersioonid u2(I)=c2U*u2(U)+c2R*u2(R) 115. Siseandmete hinnangud ja määramatused Voolutugevuse I mõõtmiseks kasutati takistuspooli, mille takistuse nimiväärtus R=0,01.Pingelangu mõõdeti numbernäiduga voltmeetri abil, mille sisendtakistus on suurem kui 109 , mis omakorda viitab sellele, et voolu kõrvalahelas pole vaja parandile väärtust arvutada, kuna viimane on väga väike (tühine). Kordustingimustel mõõtmine andis järgmised pingelangu U mõõdised (numbernäiduga voltmeetri lugemid), mis on esitatud tabelis. Pinge mõõdiste Ui kogumi keskmine väärtus valemi(2.5) järgi on 1 n 1 U= n i =1 U i = 1200,36mV = 100,03mV = 0,10003V 12
Selliselt piiratakse vältimatu vool allikast UGG+ allikasse UGG- MOSFET-transistori juhtlülituses lülituse kestel. Paisutakisti määrab paisu maksimaalse avamisvoolu IG(on) max ja sulgemisvoolu IG(off) max. Maksimaalse paisuvoolu suurendamine võimaldab lühendada avamis-ja sulgemisaegu ning samuti vähendada lülituskadusid. Paisuvoolu maksimaalväärtus ja paisutakisti minimaalne takistus määratakse sõltuvalt paisupingegeneraatori talitlusest. Juhitava transistori sisendtakistus avaldab täiendavat mõju maksimaalsele paisuvoolule. Maksimaalsed paisuvoolud transistori avamisel ja sulgemisel võib arvutada järgmistest avaldistest UGG+ RG(on) Rin UGE RG(off) UGG-
annaabi.ee 
