Vastus leiad õppematerjalist: Elektroonika alused Konspekt

Elektroonika alused Konspekt (0)

Kutsekool - Elektroonika - Elektroonika alused

1 Hindamata

Esitatud küsimused

Mis toimub baasis ?

Kondensaator

C = Q/P ; [F] klemm
U
metallplaat
d
klemm
Dielektrik
1 - dielektrik
2 - metall plaat
S –
U – Pinge
d -

Film Capacitor (Kile kondendsaator)

Isolatsiooni kile paksus 2-20 mikromeetrit,
Parameeter
Polüester
Polükarbonaat
Polüstüeer
Mahtuvus
100pF - 22nF
100pF - 68µF
10pF – 0,5µF
Sagedus
≤1MHz
≤1MHz
≤10MHz
Tolerants
±5-20%
±5-10%
±1-5%
C pinge
1600V
400V
500V

Elektrolüüt kondensaator

Märjad ehk klassikalised elektrolüüt kondesaatorid

Kuivad ehk tandaal elektrolüüt kondensaator

Kuivad elektrolüüt kondensaatorid

Ta2O C=25

Induktiiv poolid

Mahtuvuslik reaktiivtakistus
Alalisvool ei lähe läbi. Takistus lõpmatu.
Induktivsus – [H] Henri

Pooljuht seadised (semi-conducktor)

Pooljuht kui materjal, üks liik materjali millel on mingid omadused
Nendest materjalist valmistatud elektroonika seadised ehk pooljuht seadised.
Pooljuhtide omapära on selles, et need on poolikud juhid.
Pool juhtide eritakistus jääb dielektrikute ja täisjuhtide eritakistuse vahelee.
Germaanium (temperatuuri kartlik , pinge kartlik ja suht kallis) ja räni(paremate näitajatega) on pooljuhtide „emad“.
Räni – maakoores on 27% räni, sulamise temp. 1415kraadi.
Kõik ained mille väliskihis on 4 elektroni on pooljuhid .
Ioon – on laenguga aatom , st, et ta on oma elektronide väliskihist loovutanud ühe elektroni ja tegemist on positiivse iooniga , kui juhtub, et tuleb 1 elektron juurde sii on tegemist negatiivse iooniga.
Energeetiline keelutsoon – erinev ainete lõikes, annab energiat elektronide liikumiseks mujale
Ge – 0,73eV
Si – 1,1 eV
eV – elektron volt
Juhtivus elektronid – temperatuuri tõusmisel teatud piirini saavad elektronid juurde energiat ja elektronid pääsevad vabalt liikuma.

Koht kus elektron lahkub tahavad teised elektronid tulla.
www. hkhk .edu.ee/alaldamine
P juhtivus ehk aukjuhtivus – negatiivne lisandjuhtivus
N juhtivusega pooljuhtivus –
Doonorid - ained mille väliskihis on rohkem elektrone
Aktseptorid – (3 midagi…)
Pooljuhi omajuhtivus –
P N siire – vahelduvvoolust saab alalisvoolu teha
Diood – on PN siire millel on 2 elektroni
Lisanditeta pooljuht – apsoluutse nulli -273kraadi Kelvini on selle temperatuuri juures dielektrikud, ehk ei juhi elektrit
Lisanditega omavad juhtivust.
Pooljuht ehk PN siire madalatel temperatuuridel säilitab omadused.
Koos temperatuuri tõusuga omandavad elektronid suurema energia ning omajuhtivus suureneb.
Lisandjuhtivus sõltub samuti temperatuurist.

Pooljuht diood

Diood on elektroonika seadis mis juhib voolu ainult ühes suunas
Pooljuhtdiood on kaheväljastusega ja ühe PN siirdega pooljuht seadis. Nende valmistamisel kasutatakse räni, germaaniumi või galium arseniid.
Alaldusdioodid
Kõrgsagedusdioodid
Schotkydioodid – ülikõrgsagedus dioodid
Zeneri dioodid – stabilnitorid
Varikapid e. mahtuvus dioodid
Gunnidioodid e. generaatordioodid
Varaktorid e. sagedus kordistid
Valgus- , foto- ja laserdioodid
Üldine dioodi märk

Dioodi üldised rakendused

Pärispingestusel juhib elektrit ning vastupingestusel ei juhi.
Täisperiood alaldi
Suureneb dioodide arv.
Tekib vajadus erilise mähisega sekundaar trafo järele.
Mida suurem on pulsatsioon seda suurem on tema efektiivväärtus.

Alaldid ja stabilisaatorid

Alaldamine on protsess, mille käigus muundatakse vahelduvvool alalisvooluks.
Vastavaid elektronseadmeid nimetatakse alalditeks.
Alaldamise protsess põhineb p-n siirde omadusel juhtida voolu ainult ühes suunas st. päripingestuse korral (vastav elektronseadis on pooljuhtdiood.
Alaldeid saab liigitada :

Alaldava elemendi liigi järgi
Voolu liigi järgi
Skeemilise lahenduse järgi

Omadused:

Saadud alalisvool (alaldatud vool) on suure pulsatsiooniga
Dioodile mõjub suur pinge
Muudab trafo tööreziimi väheefektiivseks ning suurenevad trafo mõõtmed
Väike pooljuhtdioodide arv
Väike maksumus

Ühefaasiline täisperiood alaldi
Omadused:

Trafo sekundaarmähis peab olema keskväljavõttega
Dioodidele langeb suur vastupinge
Suurem dioodide arv
Trafo töötab paremas reziimis
Alaldatud voolu kuju on parem, väiksem pulsatsioon.

Ühefaasiline täisperiood pooljuhtalaldi sildlülituses
Suur pluss on see, et trafo ei vaja keskväljavõtet.
Vt. Joonis ühefaasiline täisperiood pooljuhtalaldi sildlülituses
Omadused:

Dioode kasutatakse ainult ühe poolperioodi ajal
Koormusega jääb alati jadamisi kaks dioodi, mis oluliselt suurendab koormusahela takistust

Sekundaarmähis on täielikult kasutuses, ei ole vaja erilist keskväljavõttega mähist
Dioodidele langev vastupinge on väiksem

Stabiliseerimine

Stabiliseerimine on teatud suuruse stabiilsena ehk muutumatuna hoidmine.
Stabilisaator on seade mis teostab stabiliseerimist.
Liigitus:

Stabiliseeritavast suurusest lähtuvalt (pinge- või voolustabilisaator)
Voolu või pinge liigist lähtuvalt ( alalispinge või vahelduvpinge )
Väljundsuuruse suhtelise stabiilsuse järgi
Tööpõhimõtte järgi

Liigitus väljundsuuruse suhtelise stabiilsuse järgi:

Madala stabiilsusega stabilisaator

Keskmise stabiilsusea stabilisaatorid
Kõrge stabiilsusega stabilisaatorid
Täppisstabilisaatorid

Liigutus tööpõhimõtte järgi

Parameetrilised stabilisaatorid
Kompensatsioonsabilisaatorid

Pingestabilisaatorid. Üldist. Põhiparameetrid.
Vt.joonist pingestabilisaatorid.
Parameetrid

Pinge stabiliseerimistegur – tingimusel, et koormusvool on muutumatu e. konstantne
Sisetakistus e. väljundtakistus – sisendpinge peab olema muutumatu
Silutegur – iseloomustab muutusi kiiretele muutustele.
Stabiliseerimistegur – iseloomustab stabilisaatori reaktsiooni aeglastele muutustele

Parameetriline pinge stabilisaator

Vt. joonis parameetriline pinge stabilisaator.

Kasutatud on stablitroni (Zeneri diood) omadusi p-n siirde läbilöögi piirkonnas st vastupingestatult.

Nominaalne stabiliseerimispinge on vahemikus 2,4 – 200/400 V +/- 20%

Selline stabilisaator tagab väljundpinge stabiilse oleku sisendpinge (toitepinge) ja koormusvoolu muutumise korral.

Tegemist on paralleelstabilisaatoriga, kuna stabilitron on ühendatud koormusega rööbiti
Tööpõhimõte:

Kui muutumatu koormuse korral ( Ik = const.) sisendpinge e.toitepinge (Usis) väheneb siis selle tulemusena väheneb vool (Is) takistus Rb mille tulemusena omakorda väheneb vool stabilitronis Iz

Selle käigus muutub (suureneb) aga stabilitroni takistuse alalisvoolule, mille tulemusena väheneb pingelangu väärtus takistile Rb ning väljundpinge püsib muutumatuna.

Sisendpinge suurenemine aga kutsub esile analoogilise suuruste muutused ning jällegi tagatakse väljundpinge stabiilsus : suureneb stabilitroni läbiv vool Iz, väheneb tema takistus alalisvoolule, kutsudes eisile takistuse Rb tekkiva pingelangudu suurenemise.

Vaatleme varianti - toitepinge ei muutu, kuid muutub koormus- väheneb koormusvool Ik.
Kuna sisendpinge on muutumatu ja järelikult ka vool takistis Rb on muutumat, kuid suureneb stabilitroni läbiv vool Iz kuna väheneb tema takistus alalisvoolule. See aga tagab takistil Rb oleva pingelangu muutumatuse.
Oluline:

Koormusvoolu suurenedes hakkab stabilitroni voolu Iz väärtus vähenema ning võib kergesti ületada stabiliseerimise reziimi tagamiseks lubatud väärtuse piiri

Koormusvoolu vähenedes aga võib stabilitroni vool suureneda ning ületada maksimaalse lubatud väärtuse ning viia stabilitroni riknemiseni

Mitte kasutada ilma koormuseta!!!
Parameetrilise pinge stabilisaatori arvutus

Määrame kindlaks keskmise stabiliseerimise voolu väärtuse, kasutades kataloogi andmeid (Iz min ja Iz max kohta):
Iz kesk = ( Iz max + Iz min) /2

Vastavalt vajalikule stabiliseerimis pingele Uz ja leitus keskmisele stabiliseerimise voolule Iz kesk, valime stabilitrone.

Arvutame takisti Rb väärtuse nii, et stabilitronile jääks pingelang, mis on võrdne stabiliseerimise pingega Uz ning takistit Rb läbiks siis vool, mis on võrdne keskmise stabiliseerimise vooluga Iz kesk:
Rb = (Us – Uz) / Iz

Leitus keskmise stabiliseerimise voolu Iz kesk väärtus peab kokku langema tarbija poolt tavaolukorras tarbitava voolu tugevusega Ik

Tuleks kontrollida ka stabilitronil tekkiva hajuvõimsuse väärtust:
P = Uz mac * Iz max
Tähtis teada

Pingemuutus mitteinverteerival sisendil põhjustab väljundpinge samamärgilise muutuse
Pingemuutus inverteerival sisendil põhjustab aga väljundpinge vastasmärgilise muutuse.

Operatsioonvõimendi e. OV

Suure võimendusteguriga alalisvoolu võimendi.
Ettenähtud sisendsignaali võimendamiseks
Töö parameetrid on määratavad väliste ahelate ja tagasisidega
Omab kahte sisendit (inverteeriv ’-’ ja mitteinverteeriv’+’). Nimetatakse ka diferentsiaal sisendiks.
On ettenähtud tööks ka kahepoolse toitega (-E ja +E)
Suhteliselt lihtne kasutada ja asendab edukalt transistor
lülitusi, tagades ka võimenduse parema kvaliteedi.
Kasutatakse põhiliselt võimenditena, generaatorites, aktiivfiltrites, pinge- ja voolustabilisaatorites jne.
Sisendvool,võimendustegur,talitluskiirus

Joonisel: Pingestamine kahepoolse toiteallikaga
OV Diferentspinge ja ühispinge
Ud = U1 – U2
Uü = (U1 – U2 ) /2
OV tunnussuurused

Võimendustegur e. diferentsiaali võimendus Kd on väljundpinge ja seda esilekutsunud diferentsiaalpinge suhe. Andtakse null sagedusel nimitingimustel

Ühissignaali võimendustegur Xü (CMRR- common mode rejection ratio ) on võimendusteguri ja ühispinge ülekandeteguri suhe. Ühispinge ja ülekandetegur on väljundpinge ja selle esilekutsunud ühispinge suhe

Nihkepinge (Un) on diferentsiaalpinge, mis tuleb rakendada OV sisendite vahele, et väljundpinge oleks null. Selle muutumisest nim. nihkepinge triiviks.

Sisendvool Isis on sisendite voolude aritmeetiline keskmine sisendpinge puudumisel

Sisendatakistuse diferentsiaalsignaalile Rdsis on ekvivalentne sisendite vaheline takistus nõrga signaali korral. (M’Ω).

Sisendtakistuse ühissignaalile Rüsis on ekvivalentne takistus sisendi ja 0 klemmi vahel

Suurim väljundpinge +Uv ja –Uv on suurim võimalik positiivne ja negatiivne väljundpinge etteantud koormustakistuse korral.

Ühikvõimendus sagedus F1 on sagedus, mille korral võimendusteguri moodul on võrdne ühega

Talitluskiirus Vu on väljundpinge suurim muutumise kiirus diferentspinge hüppelisel muutumisel
Reaalse OV olulised omadused

Sisendi ja väljundi nihkepinge peab olema null

Stabiilne nullpunkt

Suur sisendtakistus

Väike väljundtakistus

Suur pingevõimedus

Defineeritud sageduskarakteristik
Operatsioonvõimendite tagasisidestamine
Joonisel: Tagasiside
Vastuside ja päriside
Kui osa väljundpingest Uv antakse läbi tagasiside ahela sisendisse tagasi ja:

Kui see pinge sisendpingest lahutatakse, siis on tegemist vastusidega

Kui see pinge aga liidetakse sisendpingele , siis on tegemist pärissidega
Tagasiside olemus

Sisendpinge hüppelise kasvamise tulemusena kuni pingeni Us ja, et esimesel hetkel on Uv ja kxUv võrdsed nulliga, ss alghetkel Ud = Us

See pinge (Us) võimendub nüüd kd korda ja väljundpinge Uv kasvab kiiresti positiivseks

Selle tulemusena kasvab nüüd ka kxUv ning vähenedes OV sisendpinge Ud

See on vastusidele tüüpiline. Siit saab järeldada, et lõpuks kujuneb välja stabiilne lõppolukord ning Uv saavutab kindla väärtuse:
Uv = kd * Ud = Kd ( Us – kxUv) ,
k –tagasiside tegur
kd – võimendustegur
Mitteinverteeriv võimendi
Parameetrid

Tagasiside tegur k :

K= R1 / (R1+RN)

Võimendustegur A:

A = Uv / Us = 1/k = 1 + ( RN/R1)
Pingejärgur
Joonisel: pingejärgur
Parameetrid

Omavad suurt sisendtakistust ja väikest väljundtakistust, on sobitusskeemideks. Sisendtakistus Rd = 100 M’Ω

Pingejärguri võimendustegur A=1

Lisavad ahelasse väga vähe moonutusi ning on heaks vahendiks erinevate signaalimürade vähendamiseks.
Inverteeriv võimendi
Joonisel: inverteeriv võimendi
Parameetrid

Sammuti omab suurt sisendtakistust ja väike väljundtakistus

Lisaks signaali võimendamisele teostab ka selle inverteerimist st. Väljundsignaal muutub vastupidises suunas sisendpingele

Võimendustegur: A= -RN / R1
Transistorid
Bipolaartransistorid. Tööpõhimõte ja liigitus, Tunnusjooned, põhiparameetrid, põhilülitused.
*BIPOLAARTRANSISTOR
Bipolaar transistor on 2 p-n siirdega pooljuhseadis (diood on 1 p-n siirdega), mida kasutatakse põhiliselt elektriliste pingete voolude võimendamiseks ja signaalide genereerimiseks.
Nimetus tuleneb sellest, et tööprotsessist võtavad osa kahte liiki laengukandjad : elektronid ja augud.
*BIPOLAARTRANSISTOR ehitus
Transistor on pooljuhtseadis millel on ( 2p-n siiret) ( emittersiire ja kollektorsiire).
Transistor koosneb kolmest osast, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega ja kolmas osa on aga erineva juhtivusega.
Vastavalt sellele, milline on kolmanda osa juhtivus valmistatakse kahte liiki bipolaartransistore : p-n-p ja n-p-n tüüpi. ( PnP nool sisse ¤ nool välja, NpN)
***PILT***
Ehitusest veel
Transistorit võib vaadelda ka nagu kahte omavahel kokku ühendatud dioodi ning seal toimuvad protsessid on võrreldavad dioodides toimuvatega.
Emittersiire – omab tunduvalt suuremat juhtivust kui kollektorsiire . See on tingitud oluliselt suuremas hulgast laengukandjatest. See on tahtlikult tekitatud.
***PILT***
TÖÖPÕHIMÕTE

Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega.

See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kui vaja on jälgida transistori tüüpi.
N-P-N transistori tööpõhimõte

Emittersiire on pingestatud päripidiselt st.avasuunas.

Selle tulemusena läbib teda tugev pärivool

Kuna emittersiirde päritakistus on väga väike, siis väiksemgi päripinge muutus põhjustab suurt voolu muutust.

Kollektorsiire on pingestatud vastupidiselt st. vastupingestatult.

Sellises olukorras läbib kollektorsiiret väga väike vool.

Kuna emiteeris on laengukandjaid oluliselt rohkem kui baasis (tehniline teostus ) siis on tagatud, et ei teki küikide laengukandjate rekombineerumist baasis.

Kui kollektoriahel ei ole pingestatud siis liiguvad kõik elektronid baasi ning esineb tugev baasivool. (Ib)
Mis toimub baasis ?
Baas on tehnoloogiliselt kujundatud võimalikult kitsana. ( TÄHTIS )
P-N siirete elektriväljad on aga vahetult siirete laheduses ning mõjutavad osakesi just seal, baasi muus osas el.väli aga puudub
Seetõttu emitterist baasi tulnud elektronid hakkavad seal liikuma difusiooni toimel.
Kuna baas on oma ehituselt väga kitsas siis enamik elektrone, liikudes difusiooni toimel ei jõua baasi elektroodini vaid sisenevad kollektorsiirdesse
Seal aga valitseb el.väli, mis suunab nad kollektorisse
Seega jaguneb emittervool Ie
Baasivooluks IB ja kollektorvooluks Ic
IE = IC + IB
TÖÖ - Aladid , sild alaldid (skeemid ) pinge voolu graafikud , stabilisaatorid, arvutus, operatsioonvõimendid, kasutus, rakendus , parameetridega.
IB on palju väiksem kui iC
Baasivool moodustav kollektorvoolust 1-8%
IC on peaaegu võrdne IE
Vooluülekandetegur
IK = α * IE
kus α = 0,92….0,99
Avasuunareziim
1.Kui emittersiirde päripingestamise olukorras (transistori norm. Tööreziim),
Rakendada emitteri ja baasi vahele lisaks alalispingele ka vahelduv – sisenpinge, siis tekitavad väiksesed sisendpinge muutused suhteliselt suuri emittervoolu muutuseid.
2.Peaegu sama suured voolumuutused kanduvad üle ka kollektorvoolule, kuna vooluülekandetegur α = … 1
3.Kollektorringi takistus on aga suur, kuna kollektorsiire on vastupingestatud .
Lülitades sinna lisatakistuse koormuseks, ei mõjuta see kogu kollektorringi tööd.
4.Seega kanduvad emiteeris põhjustatud voolumuutused, ülekandununa kollektoriahelasse aga suurel kollektori takistusel pingemuutuse mis oleks väljundpingeks.
KOKKUVÕTLIKULT
Uvälj = ( delta ) IC * RK (vaskule poole avatud SUURUS m ) Usis = (delta) IE * r sus
K= Uvälj
KOKKUVÕTTEKS
Väikese takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu samasuurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatud koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge.
TAKISTUSE MUUNDUR – transistor?
TRANSfer-resISTOR
Täis(2)väiksema pulsatsiooniga ja sild(4) on sama pulsatsiooniga, pool(1) kõige suurema ,
Võimendamine. Kuidas miks. Omi seadus
Uus osa…
Transistori kolm lülitust
JOONISED 1,2,3 ja See alumine jublakas
N-P-N
E K
B
Realsed joonised 1. Küsi Dan-ilt.
Selle all olevad
Isis= IE
Usis = UEB
Uvälj = UCB
Ivälj = IC
Küsi Danilt pilt
# Suur pinge võimendus
#Väikes mittelineaar moonutus
#Suur sisendtakistus
#Väike välkjundtakistus
Ühise emitteriga lülitus
Omadused ¤
Suur astme sisendtakistus.
Ideaalne võimsus võimendamiseks
Väljund takistus oluliselt väiksem
Ühise kollektoriga lülitus
n-p-n baasil vaatame seda.
ISIS= IB
IVÄLJ = IE
UVÄLJ = UCE
USIS = UBE
Omadused¤

Ühise kollektoriga ühendus on emitter järgur
Omab suurt vooluvõimenuds tegurit
Sisend takistus on väga suur ja väljund takistus väga väike
Sobitus astmed

Teine konspektis on olemas
Transistori staatilised tunnusjooned
Transistori piirparameetrid.
Suurim lubatav kollektorpinge
Kollektori ja vaasi vaheline suurim lubatav vastupinge UCB0
Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge UEB
Suurim lubatav kollektorvool Icmax
VÄLJATRANSISTORID. Lk 70
Tüüritakse pinge abil.
L-lätteks
S-suue ( neel )
P-Pais
Väljatransistor lüliti viisid
ÜL (source)
Optron
4 sorti
Seadised mille abil teostatakse väikeste elektrisignaalide abil, suurte võimsuste juhtimist.
Tagatakse hea galvaaniline lahtisidestus.
Tüüriv element- elektromagnet laine 900 ~ 1200 nano meetrit
Kiirgus allikas (valgus diood) paremal ( fotodiood )
Joonis ------------------------------------------------
valgus diood - Fototülistor.
Joonis --------------------------------------------
Kiirgus element – valgus diood – foto transistor.
Pooljuht takisti
Joonis -------------------------------------------------
Levinuim - Fototakisti
23

.DOCX Laadi alla originaalfail 17 lk · .docx · 63 allalaadimist

100 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 100 punkti.

~ 17 lehte Lehekülgede arv dokumendis

2012-05-29 Kuupäev, millal dokument üles laeti

63 laadimist Kokku alla laetud

0 arvamust Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid

ultion Õppematerjali autor

KondensaatorElektrolüüt kondensaator Induktiiv poolidPooljuht seadisedPooljuht dioodAlaldid ja stabilisaatoridÜhefaasiline täisperiood alaldiOmadusedÜhefaasiline täisperiood pooljuhtalaldi sildlülitusesStabiliseerimine jne.

Elektroonika alused Elektroonika alused Capacitor Elektrolüüt kondensaator Induktiiv poolid Diood

Sarnased õppematerjalid

doc

Elektroonika aluste õppematerjal

......................................................................................................................................................67 7.5. Tagasiside võimendites...........................................................................................................................................71 8. VEDELKRISTALLINDIKAATORID.......................................................................................................................... 77 9.MIKROELEKTROONIKA ALUSED............................................................................................................................79 9.1. Üldist mikroelektroonikast......................................................................................................................................79 9.2.Ehitus, kasutuse eripära ja liigid ..............................................................................................................................79 9.3. Operatsioonvõimendid

Elektroonika alused

114

doc

Elektroonika alused

ELEKTROONIKA ALUSED Elektroonikaseadmete koostaja erialale 2007 SISUKORD ........................................................................................................................................... 24 I...................................................................................................................................... 25 U2.................................................................................................................................. 25 ........................................................................................................................................... 25 VD2................................................................................................................................ 25 ...............................................

Elektriahelad ja elektroonika alused

docx

Elektroonika piletid

Pilet 1. 1. Valgusdioodid Valgusdiood on pn-siirdega diood, mis muudab elektrienergiat optiliseks kiirguseks tavaliselt spektri nähtavas või infrapunases osas. Teatud ainete kristallis moodustatud pn-siirde päripingestamisel (pluss p-kihil) injekteeruvad augud n-kihti ning elektronid vastassuunas. Need injekteerunud augud ja elektronid rekombineeruvad pn-siirdes ja selle läheduses vastasmärgiliste laengukandjatega ning osa vabanevast energiast eraldub kiirgusena. Kuna p-kiht on kõigest mõne mikromeetri paksune, siis väljub kiirgus kristallist. Kiirguse värvuse määrab pooljuhtmaterjali koostis. Toodetakse ka kahevärvilise kiirgusega valgusdioode. Nendel on tavaliselt kaks eri materjalist siiret ja kolm viiku. Siirdeid läbivate voolude muutmise teel saab siis valida mitmeid värvivarjundeid, näiteks punase ja rohelise korral punakaskollasest kollakasroheliseni. Valgusdioode valmistatakse peamiselt galliumarseniid-fosfiidist. Valguse lainepikkuse ala on küllaltki piiratud n

Elektroonika

pdf

Analoogelektroonika lülitused

5.2 Vastuside mõju võimendi parameetritele 6.5.3 Tagasisidelülituste praktilisi näiteid 6.5.4 Parasiitne tagasiside 6.6 Transistori töö lülitireziimis 6.6.1 Impulsside liigid ja parameetrid 6.6.2 Bipolaartransistori töö lülitireziimis 6.6.3 Väljatransistori töö lülitireziimis 6.7 Stabiilse voolu generaatorid 6.7.1 Bipolaartransistoridega püsivooluallikad 6.7.2 Väljatransistoridega püsivooluallikad 6.7.3 Voolupeegel Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 1 Märkus: bipolaartransistori kollektorit võidakse allpool tähistada nii tähega K kui tähega C. Mõlemad tähistused on võrdväärsed. 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid Pikkov lk 60 Joonisel vasakult paremale: alalisvooluvõimendid, helisagedusvõimendid, kõrgsagedus-võimendid, lairibavõimendid, kitsasribavõimendid. Iga

Elektroonika alused

197

pdf

Elektroonika

Elektroonika Loengute materjalid: skeemid, diagrammid, teesid. 1 Sisukord 1. Elektroonika ajaloost (arengu etapid, elektroonika osad, elektronlambid, elektronkiiretoru, elektronseadmete montaazi tüübid)............................................................................................... 3 2. Elektroonika passiivsed komponendid.......................................................................................... 14 3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused......................

Elektroonika ja it

doc

Elektroonika alused kordamisküsimused

25. Transistori töötamise põhimõte ja liigid. Selgitav joonis. Skeemitähised 26. Väljatransistori töötamise põhimõte ja liigid.SAMA TEEMA^^^. 27. Eri liiki võimendusastmete skeeme. 28. ühise baasiga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on alfa? 29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta? 30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused. 31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga 32. Vaakum-fotoelement. Ehitus ja tööpõhimõte 33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid. 37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus. 38.Arvutada Zener-dioodiga pingestabilisaator. 39.Ühise emitteriga pingev

Elektroonika

doc

Elektroonika alused (konspekt)

3.4 Neliklemmi mõiste Elektriahelate omaduste selgitamiseks, vaadeldakse keerukaid ahelaid väga sageli lihtsustatult. Neliklemmi all mõistetakse mingit seadet või selle osa, millel on kaks sisend ja kaks väljund klemmi. Tema sisemine täpne ehitus ei pruugi olla meil teada ja ei pruugi meid huvitadagi. Me saame otsustada tema omaduste järgi, kui on teada sisend ja väljund parameetrite omavahelised sõltuvused. Elektroonika seisukohalt on tüüpiliseks neliklemmiks võimendi, mille sisemine ehitus sõltuvalt otstarbest võib olla vägagi erinev. Tema omadusi saab, aga küllalt hästi selgitada sisend ja väljund parameetrite vaheliste seostega, mis osalised küllalt hästi füüsiliselt ette kujutatavad. Kõige lihtsamini kujutatav parameeter on sisend takistus, mis on kujuteldav sisend klemmide vahelise takistusena, mis koormab signaali allikat (Rsis=U1/I1)

Elektroonika

108

pdf

Elektroonika alused (õpik,konspekt)

Uudo Usai ELEKTROONIKA KOMPONENDID Elektroonika alused TPT 1998 ELEKTROONIKAKOMPONEND1D lk.1 SISSEJUHATUS Kaasaegsed elektroonikaseadmed koosnevad väga suurest hulgast elementidest, millest on koostatud vajaliku toimega lülitused. Otstarbe tähtsuselt jagatakse neid elemente põhi-ja abielementideks. Põhielementideks on need, milleta pole lülituste töö võimalik

Elektroonika

Rohkem sarnaseid