02544 j0.66982 S8(7) = 1.12818 - j0.0837275 6. Spektrikomponentide moodul ja faasispekter |Sn(k)| = ReSn(k)2 + ImSn(k)2 n(k) = arctan(ImSn(k) / ReSn(k)) |S8(0)| = 5.225 0 = 0 |S8(1)| = 1.1313 1 = 4.2444 |S8(2)| = 0.6801 2 = -53.9726 = 306.0274 |S8(3)| = 0.6587 3 = -89,7234 = 90,2766 |S8(4)| = 0.5 4 = 0 |S8(5)| = 0.6587 5 = 89,7234 = 269,7234 |S8(6)| = 0.6801 6 = 53.9726 |S8(7)| = 1.1313 7 = -4.2444 = 355.7556 7. Lõpliku siirdega filtri (FIR) struktuurskeem. Filtri väljundsignaal. Koostada lõpliku siirdega filtri (FIR) struktuurskeem kui impulsskaja väärtused h(i) on järgnevad h(i) = [0.5 0.2 0.5 0.2 0.5 0.2 0.2 0.4] Kasutades filtri sisendis matrikli numbrite alusel valitud kvanteeritud signaali, leida filtri väljundsignaal S(n) = [7.8 7.4 5.1 2.0 3.3 6.3 2.8 7.3] Joonis 4 FIR struktuurskeem n = -1 y(-1) = 0 n=0 y(0) = h(0)*x(0) n=1 y(1) = h(0)*x(1) + h(1)*x(0)
Treipink – Lathe 02 Small. Võimsus 11 kW, maksimaalne pöörlemissagedus 6000 1/min. Tooriku valik Toorikuks valiti võll, läbimõõduga ØDtoor = 31 mm ja pikkusega Ltoor = 40 mm. Tooriku materjaliks on madalsüsinikteras C10E (0,1-0,25% C). Toorik kinnitatakse ühelt poolt padruni külge. 1. Koorivtreimine Treida välispind mõõtu välistreiteraga ØD1=26 mm ja pikkusmõõduni L1=10 mm. Töötlemispikkus koorivtreimised L1kooriv = 30 mm, viia lõppmõõtmeteni 1 siirdega, lõikesügavus 2,5 mm. 2. Koorivtreimine Treida välispind mõõtu välistreiteraga ØD2=21 mm ja pikkusmõõduni L2=20 mm. Töötlemispikkus koorivtreimised L2kooriv = 20 mm, viia lõppmõõtmeteni 1 siirdega, lõikesügavus 2,5 mm. 3 3. Koorivtreimine Treida välispind mõõtu välistreiteraga ØD3=16 mm ja pikkusmõõduni L3=30 mm. Töötlemispikkus koorivtreimised L3kooriv = 10 mm, viia lõppmõõtmeteni 1 siirdega,
elektronide või aukude) liikumisena. Konstruktsioon Väljatransistoril on tavaliselt kolm või neli elektroodi. Üht, voolu juhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks (drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Bipolaartransistoridel vastavad neile emitter, baas ja kollektor. Neljas elektrood on alus (body, base; puudub pn-siirdega väljatransistoridel), mis enamasti lätte külge ühendatakse. Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike),
rakkudesse.//Luuüdist rakud rakukultuuri>neisse saaklihtsam kasvatadavähem sisestatakse normaalgeen keskkonnamürke. Kahjulikkus : retroviiruse abil>siirdega raku geenid võivad kanduda üle klooniakse ja paljundatakse umbrohuleeri org geenide ning siiratakse haigesse. (struktuuri siiratav geen koostoime ettearvamatu, sisestada sobiva kahjurid immuunseks. koespetsiifilise promootoriga Geeniteraapia puudest või
mikroosakesed saavad omandada teatud kindlaid energiatasemeid. Tavahõive Tavaolukorras moodustavad alati lõviosa energiavaesemad, footoneid neelavad aatomid. Spontaanne kiirgus Vabakiirgus ehk kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Simuleeritud kiirgus Sundkiirgus ehk välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. Luminestsents Heledus, mille põhjuseks ei ole kega hõõgvele kuumutamine, vaid teised mõjutused.
Joonspekter: spekter, milles esinevad kas üksikud värvilised jooned tumedal taustal või üksikud tumedad jooned pidevspektri taustal. Spektrianalüüs: aine keemilise koostise määramine selle joonspektrite alusel. Aatomifüüsika energiaühik: üks elektronvolt on võrde tööga, mis tehakse elektroni ümberpaigutamiseks elektrivälja ühest punktist teise, kui nende punktide potentsiaalide vahe on üks volt. Spontaanne kiirgus: kirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Stimuleeritud kiirgus: välise elekromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. Laser: stimuleeritud kiirgusel põhinev valgusallikas. Light amplification of stimulated emission of radiation.
....................... 4 1.8.Stabilitron ja selle kasutamine..............................................................................5 1.9.Varikap.................................................................................................................5 1.10.Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid...........................5 1.11.Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid................................6 1.12.Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor)..........................................................6 1.13.Mis on türistor?.................................................................................................. 7 1.14.Fotoresistor.........................................................................................................7 1.15.Fotodiood........................................................................................................... 7 1.16.Päikeseelement...................
juhtivustsoonis liikuvad elektronid p-pooljuht - akseptorlisanidga pooljuht - enamuslaengukandjateks on välise elektrivälja mõjul valentstsoonis liikuvad augud pooljuhtide kasutamine dioodid, raadiod, televiisorid, kiip pn-siire ühinemiskiht n-pooljuhi ja p-pooljuhi vahel päripinge vooluallika positiivne poolus ühendada p-poolmega vastupinge vooluallika negatiivne poolus ühendada p-poolmega diood ühe pn-siirdega pooljuhtseadis, kus kasutatakse pn-siirde ühesuunalist elektrijuhtivust alaldi - seadeldis raadio teel antavate signaalide desifitseerimiseks. Alaldamine tekib siis kui diood lülitada vahelduvvooluringi Transistor on kahte pn-siiret sisaldav pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektronmagnetvõnkumiste generaatoris, võimendis jne Kiip pooljuhtplaadike, millesse on tehtud suur hulk imepisikesi, mõnemikromeetriste
segunenud põhi- ja lisametallist; 4 sulamisjoon 5 termomõju tsoon (HAZ) põhimetalli sulamata osa, kus esinesid mikrostruktuuri muutused; 6 termomõju ala 7 keevitustsoon keevisõmblusest ja termomõju tsoonist moodustunud ala. Keevituse kaasnähtused Keevitus on paljude üheaegselt toimuvate protsesside kooslus: põhi- ja lisametalli sulatamine ja omavaheline segunemine e. legeerimine, sula lisametalli siirdega ja keevisvanniga seotud keerulised füüsikalis-keemilised protsessid, kristalliseerumine koos sellega kaasnevate mikrostruktuuride moodustumisega ja detailide kujumuutustega e. termodeformatiivsete protsessidega. Keevitusmetallurgia Sulakeevituse metallurgiaprotsessid on sarnased metallurgiliste protsessidega, kuid märksa keerukamad järgmistel põhjustel: a) keevituse soojusallika (elektroodi) ja sulametalli kõrge temperatuur (terastel kuni 1800 ºC),
1 eV=1,6 1019 J 6. Pauli keeluprintsiip aatomis ei saa olla mitut elektroni,mille olekon määratud nelja kvantarvu ühesuguse kombinatsiooniga 7.Energia miinimumi printsiip elektronidega täitumine algab sealt, kus energia kõige madalam. 8.erinevate elektronkihtide ja alakihtide täitumine toimub vastavuses Pauli keeluprintsiibiga ja energia miinimumi printsiibiga 9. Spontaanne kiirgus on kiirgus mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale.Kiirgub mitte koherentne valgus. E4 E3 E2 f E1 10.Stimuleeritud kiirgus on välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus.Tekib koherentne valgus. f 2f
9. Millist materjali nimetatakse pn-siirdeks? Mis teeb selle materjali eriliseks? Mis ülesanne on dioodil? Kahekihiline pooljuht, mis tekib n- pooljuhi ja p- pooljuhi kokkupuutel. Ta laseb elektrivoolu ainult ühes suunas ja kui ühendada juhtmed vastupidi, siis ta ei lase elektrit läbi. Dioodide põhiline kasutusala on vahelduvvoolu alaldamine. 10. Mis on valgusdiood? Mida peab valgusdioodi ühendamisel jälgima? Valgusdiood on pn-siirdega pooljuhtdiood, mis muundab elektrienergiat nähtavaks valguseks, samuti optiliseks kiirguseks spektri infrapunases või ultravioletses osas. Valgusdioodi nimetatakse ka lühivormiga LED (inglise keelest Light-Emitting Diode valgust kiirgav diood). Ühendamisel tuleb jälgida et anood ühendatakse positiivse laenguga ja katood negatiivse laneguga. 11. Mis on fotodiood? Kus neid kasutatakse? Fotodiood (ka ventiil-fotoelement või fotorakk) on pooljuhtdiood, mille elektrilised omadused
dielektrikud, ehk ei juhi elektrit Lisanditega omavad juhtivust. Pooljuht ehk PN siire madalatel temperatuuridel säilitab omadused. Koos temperatuuri tõusuga omandavad elektronid suurema energia ning omajuhtivus suureneb. Lisandjuhtivus sõltub samuti temperatuurist. Pooljuht diood Diood on elektroonika seadis mis juhib voolu ainult ühes suunas Pooljuhtdiood on kaheväljastusega ja ühe PN siirdega pooljuht seadis. Nende valmistamisel kasutatakse räni, germaaniumi või galium arseniid. Alaldusdioodid Kõrgsagedusdioodid Schotkydioodid ülikõrgsagedus dioodid Zeneri dioodid stabilnitorid Varikapid e. mahtuvus dioodid Gunnidioodid e. generaatordioodid Varaktorid e. sagedus kordistid Valgus- , foto- ja laserdioodid Üldine dioodi märk Dioodi üldised rakendused Pärispingestusel juhib elektrit ning vastupingestusel ei juhi. Täisperiood alaldi
12. Mis on metastabiilne energia tase ? Seisund, kus aatomite üleminek ergastatud seisundist põhiseisundisse on blokeeritud mingi valikureegli tõttu. 13. Millest ja kuidas sõltub spektrijoone intensiivsus ? Intensiivsuse jaotus spektrijoonte vahel sõltub aga tugevasti füüsikalistest tingimustest keskkonnas, kus toimub aine ergastamine. 14. Mis on spontaanne kiirgus? on kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. 15. Mis on laser ? Mille poolest erineb tavavalgusest ? On seade valguse saamiseks, kus kasutatakse optilist võimendust footonite stimuleeritud kiirgumise läbi. Laseri kiirgust eristab muudest valgusallikatest tugev ajaline ja ruumiline koherentsus. 16. Mis on luminesenss ja luminofoor ? Luminestsentsiks nimetatakse sellist aine poolt emiteeritud valgust, mis ületab
02.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 1 OT Pooljuhtdiood Töö eesmärk: Töövahendid: Pooljuhtdioodi pinge-voolu Diood, toiteallikas, potentsiomeeter, tunnusjoone määramine ja selle ampermeeter, voltmeeter. kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Pooljuhtdioodid on kahe väljastusega ühe pn- siirdega elektronseadised. Nende valmistamisel kasutatakse lähtematerjalina räni germaaniumi või galliumarseniidi monokristalli, kus lisandite kontsentratsioon ei tohi ületada 10-8 %. Dioode liigitatakse siirde kuju ja mõõtmete järgi punkt- ja pinddioodideks. Punktdioodidel on avaldava kontakti mõõtmed samas suurusjärgus siirde paksusega, pinddioodidel on aga siirde pindala tõkkekihi paksusest palju suurem. Otstarbe ja kasutusala järgi jaotatakse dioodid järgmiselt: 1
koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (TRANSfer resISTOR). 26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused
murdarvulised) Metastabiilne seisund pikaajaline seisund, kus elektron ja aatom on ergastatud olekus (10-3 sekundit) Luminestsents valguse toimel tekkinud kiirgus Luminofoor aine, mis kiirgab valgust Fluoroestsents aatomi ergastamise lõppemisel, lõppeb kohe ka kiirgus Fosforestsents ergastamise lõpetamisel ei lõppe luminestsents kohe, vaid tekib järelhelendus Vabakiirgus - kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Stimuleeritud kiirgus välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus (kui footon taba ergastatud aatomit või elektroni, siis ta sunnib seda üle minema madalamale energiatasemele ja sealjuures peab ta kiirgama täpselt samasugust footonit) Tavahõive -olukord, kus aines on ülekaalus madala energiatasemega aatomid Pöördhõive olek, kus enamik aatomeid on ergastatud olekus
Diskreetaja puhul oli Umax=-11. Häiringute suunamisel mudelisse suutis mudel taastada soovitud olekud. Maximum pingehäired on pidevaaja korral ±1 ja diskreetaja korral ±0,87. Pidevaja häiringu ±7,85 ja diskreetaja häiringu ±7 korral jäi olek lubatud piiridesse. Suurimaks diskreetimissammuks oli 0,2, kuid siis muutus häiringu mõju ±0,05 asemel ±0,06-ks. Järgmiseks tegin 2 katset väiksema, 1katse vastassuunalise ja 2 katset suurema siirdega. Vastassuunalise katse korral ei muutunud jälgitavate parameetrite absoluutväärtused. Siirde vähendamisel kahanesid pinge ja aeg ning suurendamisel kasvasid.
Osal juhtudel seisneb ravi ka mutantse geeni avaldumise vaigistamises. Siiratakse sama liigi geene, neid geene siiratakse üksnes somaatilistesse rakkudesse ega pärandata järglastele. Geeniteraapia võimalused sõltuvad geneetilise puude olemusest. Kui see on seutud vererakkudega, siis puudega lapse luuüdist eraldatud rakud viiakse rakukultuuri, neisse sisestatakse normaalgeen sobiva genivektori, enamasti retroviiruse a bil, kinnistunud siirdega rakud kloonitakse ja paljundatakse ning siirdatakse tagasi haigesse indiviidi. Esimene edukas geenravi op. tehti 1990.a USA-s kaasasündinud immuunpuudulikkusega lapsele. RESTRIKAAS- omapärane ensüüm, mis lõikab DNA kaksikahelat kindlate järjestuste kohalt. Bakterid sünteesivad neid, et end kaitsta end erinevate viiruste sissetungi eest, need lõikavad viiruse dna tükkideks enne kui see jõuab rakku kahjustada.(Restrikaas lõikab DNA lahti kindla järjestuse kohalt
Pilet 1. 1. Valgusdioodid 2. Võimendi põhiparameetid 3. RC-generaator (Wien i sild + OV) 4. TTL-Schottky loogika elemendid 5. RS-triger 1.Valgusdiood on päripingestatud pn-siirdega pooljuhtseadis, milles siire kiirgab valgus laengukandjate rekombinatsiooni tõttu. Vooluläbimisel pn- siiret, osa elektrone muudavad energiat, vahetavad orbiite, vabaneb energiat ning vabanev energia kiiratakse valgusena. n: infrapunane. Algul vaid peen valgus praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V. valmistatakse (gallium arseeniid fosfiid). Kasutatakse optronites (valgusallik+valguse vastuvõtja). Dioodoptron kiireim 10 -8s. Inertsivaba ja saab ise valida spektri. 2
02.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 4 OT Türistor Töö eesmärk: Töövahendid: Türistori pinge-voolu tunnusjoone Türistor, toiteallikas, potentsiomeeter, määramine ja selle kasutamise ampermeeter, voltmeeter. oskuste arendamine. Skeem Teooria Lihttüristor (üheperatsiooniline türistor) on mitme pn - siirdega pooljuhtseadis, mis päripinge olemasolul pärast tüürvoolu impulssi juhib voolu anoodilt katoodile. Türistori aluseks on ränikristallist plaat või ketas, millel asetsevad vaheldumisi p- ja n- juhtivusega kihid. Anood- ja katoodväljastuseks on välimised pooljuhtkihid. Jõuelektroonika seadmetes (juhitavad alaldid, vaheldid jm) kasutatavatel türistoridel ehk jõutüristoridel on neljakihiline pooljuhtkristall, kusjuures väliskihid on legeeritud tugevalt sisemised aga nõrgalt.
3. Väljatransistor Väljatransistor on pooljuhtseadis, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhitavust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate liikumisena. Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1)Elektriväljaga muudetava voolukanali ristlõike muutmise teel nagu see toimub pn- siirdega väljatransistoris 2)Laengukandjate kontsentratsiooni kanalis nagu see toimub MOP-transistorides. Väljatransistoril on tavaliselt kolm või neli elektroodi. Üht, voolu juhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad nimetatakse neeluks (drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi nimetatakse paisuks (gate). 4. PROM PROM on programmeeritav ROM
(http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk. 23...41): - Pooljuhtdiood, tema ehitus. Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4
Orbitaal seisulaine kindlaviisiline paigutus (s,p,d,f alakihid), lähis l, täisarvulised väärtused, iseloomustav elektroni liikumishulga momendi absoluutväärtust 18. Mille poolest erineb laelambi valgus laseri valgusest? - laseri valgu son kokku koondatud ja on joonvalgus. Laelambi valgus ons eevastu aga hajuv. 19. Mille poolest erineb spontaanne ja stimuleeritud kiirgus? - spontaannes kiirgus kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. - Stimuleeritud kiirgus välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. 20. Kuidas töötab laser? - Laseri toimimise aluseks on stimuleeritud kiirgus - Kiirgaine sunnitakse kiirgama nii, et elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel ja kui elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel, siis kiirgaine kiirgab ainult ühte kiirgust ehk värvi. Elektronid võivad aatomis liikuda ainult kindlatel statsionaarsetel orbiitidel
Orbitaal – seisulaine kindlaviisiline paigutus (s,p,d,f – alakihid), lähis l, täisarvulised väärtused, iseloomustav elektroni liikumishulga momendi absoluutväärtust 18. Mille poolest erineb laelambi valgus laseri valgusest? - laseri valgu son kokku koondatud ja on joonvalgus. Laelambi valgus ons eevastu aga hajuv. 19. Mille poolest erineb spontaanne ja stimuleeritud kiirgus? - spontaannes kiirgus kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. - Stimuleeritud kiirgus välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. 20. Kuidas töötab laser? - Laseri toimimise aluseks on stimuleeritud kiirgus - Kiirgaine sunnitakse kiirgama nii, et elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel ja kui elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel, siis kiirgaine kiirgab ainult ühte kiirgust ehk värvi. Elektronid võivad aatomis liikuda ainult kindlatel statsionaarsetel orbiitidel
sideme moodustamiseks kaheelektronilise orbitaali. Aktseptor-aatom, mis annab sideme moodustamiseks tühja orbitaali. Puuduolev elektron võetakse ühelt pooljuhi aatomilt.katkend side tähendab augu tekkimist.Nüüd tekib keelutsooni tühi enegitase- aktseptornivoo .19.Ruumlaengu tekitatud elektriväli pidurdab enamuslaengukandjate edasist difundeerumist.Teatud väljatugevuse saavutamisel see praktiliselt lakkab. Vabakiirgus ehk spontaanne kiirgus on kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Stimuleeritud kiirgus - on välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus .Tekib koherentne valgus. Metastabiilne seisund-aine olek ühes faasis selliste p ja T väärtuste juures, kus ta peaks olema teises faasis. Näiteks vesi üle 100*C normaalrõhul (ülekuumenenud vesi) või vesi alla 0*C normaalrõhul (allajahtunud vesi). Metastabiilne seisund ei säili lõpmata kaua. Tavahõive-Tavaolukorras moodustavad alati
Heledaid jooni andvad siirded lähtuvad lühiealistest seisunditest, tumedamaid jooni annavad pikaealisemad seisundid. 21. Mida nimetatakse luminestsentsiks? Too näiteid, kuidas see tekkida võib? Luminestsentsiks nimetatakse sellist aine poolt emiteeritud valgust, mis ületab samale temperatuurile vastavat soojuskiirguse taset. See tekib luminofooride kiirgamisel. 22. Kuidas tekib spontaanne ehk vabakiirgus? Spontaanne ehk vabakiirgus tekib aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. 23. Kuidas tekib stimuleeritud ehk sundkiirgus? Stimuleeritud ehk sundkiirgus tekib siis, kui aatom on juba kõrgemal energiatasemel. Sel juhul sunnitakse elektron võnkuma madalama ja kõrgema seisundi vahel, seejuures kiiratakse teine footon sama energiaga. Nii kulgeb aatomist edasi 2 ühesugust footonit. 24. Millal tekib tava-, millal pöördhõive?
teabeallikad, konkurents võimu nimel, poliitika sõltuvus valija eelistustest, seaduste ülimuslikkus, võimude lahusus, kodanikuvabaduste ja inimõiguste tagamine, tsiviilkontroll relvajõudude üle, vähemustega arvestav enamuse võim, kohtusüsteemi ja teiste kontrollorganite poliitiline sõltumatus. 18. Siirdeühiskond- üleminek ühelt poliitiliselt režiimilt teisele: ajutine suur ebastabiilsus. Siirdega kaasnevad probleemid: 1) revolutsioon- algatavad senise võimu kriitikud; meeleavaldustest kokkupõrgete ja riigipöördeni 2) reform- algatavad võimulolijad; enamasti kavakindel ja rahumeelne 19. Võimude lahususe autor on Charles-Louis de Montesquieu „Seaduste Vaimust“ Võimude lahusus- vajalik selleks, et vabadus ohtu ei satuks ning seda peetakse ka demokraatia nurgakiviks (üks haru kontrollib teist).
varda paindemomendi epüür m(x); *saadud paindemomentide funktsioonid viiakse Mohri integraali, mille väärtus võrdubki otsitava siirdega (antud sihis): * kui siirde väärtus tuleb negatiivne, on selle suund ühikjõu suunale vastupidine 11.18. Milliseid võimalusi teate Mohr'i integraali väärtuste arvutamiseks?
reageerivad omavahel. Seejärel tekib passiivne molekul nimega oksülutsiferiin. Lutsi-feraas seejärel reageerib ATP-ga, mis leidub kõikides rakkudes, ning moodustub lutsiferiil adenülaat ja pürofosfaat. Lutsiferiin + ATP -> lutsiferiil adenülaat + pürofosfaat Selle reaktsiooni põhiselt helendavad jaanimardikad. 8. Kuidas tekib vabakiirgus ehk spontaanne kiirgus? - Vabakiirgus ehk spontaanne kiirgus on kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. 9. Kuidas tekib simuleeritud ehk sundkiirgus? Kuna metastabiilses olekus viibivad elektronid kaua, ja ergastamine toimub pidevalt, siis peagi on ergastatud olekus elektrone rohkem kui neid on põhiolekus. Sellist olukorda nimetatakse pöördhõiveks, sest tavaliselt on elektrone põhiolekus rohkem kui ergastatud olekuis. Kui nüüd tuleb kusagilt valguskvant, mille energia vastab metastabiilse oleku ja põhioleku energiate vahele, siis
1) Kaks võrdvastupidist jõudu W=F, 2) Jõupaar W= M 3) Kaks võrdvastupidiste momentidega jõupaari W=M, Mohri integraal On võimalik leida mis tahes punkti siiret meile huvi pakkuvas sihis, kui selles punktis ja sihis rakendada ühikjõud ja leida vastav deformatsioonienergia. Algoritm siirde leidmiseks: 1) leitakse sisejõud, 2) rakendatakse ühikjõud, ja nende sisejõud, 3) arvutatakse Mohri integraal, mis võrdub otsitava üldistatud siirdega Simpsoni valem kui määratud integraali ligukaudse arvutamise eeskiri. Verestsagini võte Saab kasutada siis Mohri integraali arvutamiseks kui vähemalt ühel integrandis sisalduvatest paindemomentidest on sirgjooneline epüür. Sisejõuepüüridel põhinevat Mohri int arvutamist nim. Epüüride korrutamiseks, Üheliikmelise valemiga väljenduva V.võttega on hõlpsam omavahel korrutada lihtsaid epüüre.Keerukamate puhul on eelistatavam Simpsoni valem.
ka determineeritud suurused. Muutuja x() k kasutades suhteliselt lühikest andmerida, kui müra matemaatiline ootus (keskväärtus, keskmine) on saame lõpliku siirdega (FIR) voi mitterekursiivse Segmendi pikkuse mõju toodud seosest on on küllalt vaike. Burg'i meetod annab alati stabiilse susteemi:
juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. n-tüüpi MOSFET Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1. Elektriväljaga muudetava voolukanali ristlõike muutmise teel nagu see toimub pn- siirdega väljatransistoris 2. Laengukandjate kontsentratsiooni kanalis nagu see toimub MOP-transistorides 42. Võrrelge omavahel bipolaar- ja väljatransistori. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. 43. Milline on väljatransistoride põhiline ühendusviis? Isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorid (MOSFET, MOP)
mis asi on nullinihepinge OV baasil? 3. RC-generaator (Wien i sild + OV) 3. T-triger 4. TTL-Schottky loogika elemendid 4. demutlipleksor 5. RS-triger 5. inverteeriv võimendaja (skeem, 1.Valgusdiood on päripingestatud pn-siirdega pooljuhtseadis, milles siire kiirgab valgus pingevõimendustegur) laengukandjate rekombinatsiooni tõttu. Vooluläbimisel pn- siiret, osa elektrone muudavad 1. JOONIS123 Neljakihiline struktuur, energiat, vahetavad orbiite, vabaneb energiat ning vabanev energia kiiratakse valgusena. n: kolm siiret, (nagu 2 transsi pnp ja npn, infrapunane. Algul vaid peen valgus praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V
Päritava haiguse puhul tuleb geeniravi protseduuri korrata iga puudega järglase juures. Geeniteraapia võimalused sõltuvad geneetilise puude olemusest. Kui see on seotud näiteks vererakkudega, on asi lihtsam. Luuüdis on alati mingi hulk tüvirakke eri tüüpi vererakkude tootmiseks. Sellisel juhul oleks geeniravi protseduur järgmine: puudega lapse luuüdist eraldatud rakud viiakse rakukultuuri, neisse sisestatakse normaalgeen sobiva geenivektori, enamasti retroviiruse abil, kinnistunud siirdega rakud kloonitakse ja paljundatakse ning siirdatakse tagasi haigesse indiviidi. Muude puuete korral on asi keerulisem. Tuleb leida või konstrueerida sobiva koespetsiifilise promootoriga ülekandevektor ja sisestada selle struktuuri siiratav geen. Tehnogeneetilisi meetodeid saab kasutada veel paljude muude ülesannete lahendamiseks. Üheks neist on pärilike haiguste molekulaargeneetiline diagnostika. Enamasti põhineb see metoodika mutantsete geenide äratundmisel DNA-proovide abil
41. Fotodiood. Fotodiood – valgusele reageeriv pooljuhtelement. Läbi õhukese p-kihi langenud valguskvandid genereerivad pn-siirde alas laengukandjaid – elektronaukpaare. PNsiirdes olevaelektrivälja mõjul kogunevad tekkinud elektronid siirde N-piirkonda ja augud P-piirkonda. Laengud põhjustavad dioodi viikude vahel potentsiaalide vahe, mida nimetatakse fotoelektromotoorjõuks. 42. Valgusdiood. Millest sõltub valgusdioodi värvus? Valgusdiood (LED-Light Emitting Diode) – PN-siirdega pooljuhtelement, mis kiirgab ümbritsevasse ruumi elektromagnetlaineid. Elektromagnetlained võivad paikneda spektri nähtavas osas või infrapunases osas. Valgusdiood kiirgab kitsa spektriga valgust (monokromaatne). 43. Milleks on vaja valgusdioodi ühendamisel vooluringi kasutada takistit? Sest valgusdioodi PN-siire ei kannata kõrget pinget. 44. Bipolaartransistor, tööpõhimõte, siirete nimetused, juhtivustüübid.
3. Toiteploki koostamine ja komponentide arvutused Toiteplokk koostati joonisel 2.1 toodud elektriskeemi alusel. Toiteplokk koosneb kahe sekundaarmähisega transformaatorist T1; kahest täisperioodalaldist D1 ja D4 ning aladile järgnevatest silukondensaatoritest C1 ja C3; Impulss-stabilisaatori moodustavad integraalskeemid U1, U2 ja paispoolid L1, L2 ning silukondensaatorid C2, C5; paispoolide vool kulgeb peale integraalskeemis lülititransistori sulgumist läbi Schottky siirdega alaldusdioodide D2, D3; tagasisideahela moodutavad kahesektsiooniline lineaarse tunnusjoonega potentsiomeeter P1 ja püsitakistid R1, R2. Kondensaatorid C2, C5 peavad olema madala impedantsiga (Low ESR) elektrolüütkondensaatorid, kuid siiski tuleb nad sillata parasiitsete komponentide mõju vähendamiseks keraamiliste kondensaatoritega C4, C6. Kõrgema taktsagedusega integraalskeemide LM2592HV ja LM2596 kasutamisel on
Ahelas on siis nõrk vool. Fototakisti valgustamisel selle takistus väheneb ja vool suureneb. Fototakisteid kasutatakse signalisatsiooniseadmetes ja fotoreleedes; infrapunase kiirguse tehnikas öise vaatluse seadmetes ja soojuspeilingaatorites. Tensotakistid: Tensotakisti on pooljuhtseadis, mille takistus sõltub deformatsioonist. Tensotakisteid kasutatakse väikeste deformatsioonide mõõtmiseks ja rõhuandurites.. 33. Pooljuhtdioodid. Alaldusdiood: Pooljuhtdiood on ühe pn-siirdega ja kahe metallväljaviiguga pooljuhtseadis. Ühesuunalise elektrijuhtivuse tõttu kasutatakse dioode alaldites ja kõrgsagedusdetektorites. Dioodid valmistatakse põhiliselt ränist või germaaniumist. Ideaalse dioodi pärisuuna takistus on null ja vastusuuna takistus lõpmatult suur ehk päripingelang ja vastuvool on võrdsed nulliga. Diood juhib hästi ühes suunas (pärisuunas) ja halvasti teises suunas (vastusuunas). Selleks et diood juhiks, tuleb ta lülitada pärisuunda
kõikumine jääb alla 1 mm). 2. Otste freesimine ja tsentreerimine Tsentreerimis-freesimispingil freesida toorik pikkusmõõtu L1 = 142 mm, töödeldud otspindadesse puurida tsentriavad ØDts = 7 mm; sügavuseni Lts= 6 mm. Tooriku pikkusmõõdu tolerantsijärk on IT10. Otspindade pinnakaredus Ra 12. 3. Koorivtreimine (pealt) Treida välispind mõõtu ØDvälis = 42 +0-0.5 mm ja pikkusmõõduni L3 = 110 mm. Toorik viia lõppmõõtmeteni kahe siirdega. Töötlemispikkus koorivtreimisel Lkooriv= 110 mm, lõikesügavus t = 2,5 mm. Töödeldava pinna pikkusmõõdu tolerantsijärk on IT10. Pinnakaredus Ra 50. 4. Koorivtreimine (1. aste) Treida 1. aste mõõtu ØD1 = 35 +0,2-0.3 mm ja pik- kusmõõduni L3 = 50 +0-0.5 mm. Toorik viia lõppmõõtmeteni kahe siirdega. Töötlemispikkus koorivtreimisel L3 = 50 mm, lõikesügavus t = 3,5 mm. Töödeldava pinna pikkusmõõdu tolerantsijärk on IT10. Pinnakaredus Ra 50. 5. Koorivtreimine (2
elektronidega (tekib nn. n+ kiht). Selle kihi juhtivus on tavalisest suurem ning metalli ja pooljuhi vahel tekib hea kontakt. Teisel juhul liiguvad elektronid pooljuhist metalli, lahkunud elektronide tõttu suureneb aukude kontsentratsioon metalli aluses kihis (nn. p+ tsoon) j - saame jällegi parema juhtivusega kontakti. Kolmandal juhul liiguvad elektronid n-pooljuhist metalli ja nende lahkumise tõttu jäävad sinna augud. Tekib potentsiaalibarjäär ja p-n-siirdega sarnane olukord, mida nimetatakse Schotky siirdeks. Sellenimeline mees kirjeldas vaadeldavaid nähtusi juba 1938. a. Seda olukorda kasutatakse Schotky dioodides, kus metalliks on alumiinium ja pooljuhiks n-pooljuht. Neljandal juhul saame samuti Schotky siirde, kuna metallist liiguvad elektronid pooljuhti ja tekitavad seal n-juhtivusega tsooni sellega kaasneva potentsiaalibarjääriga. Seda olukorda kasutatakse Schotky dioodides, kus metalliks on kuld ja pooljuhiks p-pooljuht.
26 Transistorid: kaks põhitüüpi: bipolaarsed unipolaarsed (väljatransistorid) Otstarve: reguleerida läbivvoolu sisendpingega Usis või sisendvooluga isis Bipolaartransistor. kasutamisel mõlema märgi laengukandjad (augud ja elektronid) kolmekihiline, 2-ga p-n siirdega seadis 27 Tingimus: PP >> nn Väline elektriväli puudub! Dünaamiline tasakaal P-n siirdeid läbivate diffusioon- ja triivivoolude võrdsus. Jdiff = Jtr 28 Bipolaartransistor elektriahelas Rakendame: UE pärisuunas, UK vastassuunas.
Väljatransistori (kui pingega tüüritava seadise) tööpunkti määravad paisupinge UGS ja neelupinge UDS ning neist otseselt sõltuv neeluvool ID. Neeluvoolu sõltuvus temperatuurist on väljatransistoridel palju väiksem kui kollektorivoolu vastav sõltuvus bipolaartransistoride puhul, kusjuures temperatuuritegur on neil mitte positiivne, vaid negatiivne (temperatuuri kasvades neeluvool väheneb). MOS-transistoride alalispinge-reziim on pn-siirdega väljatransistoride omast mõnevõrra temperatuuritundlikum. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 24 Võimendusreziimis peab ka siin lähtetööpunkt paiknema väljundtunnusjoonte sirges osas. Selleks on vaja, et neelupinge UDS >3...5V, kuna siis on neeluvool ID määratud üksnes paisupingega UGS. Lähtetööpunkti eelpingestamise viis oleneb väljatransistori puhul transistori liigist (pn-
...............................................................................................................................................43 5. VÄLJATRANSISTORID...............................................................................................................................................44 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid ........................................................................................................................ 44 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48 5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ...........
sellest tekkivad probleemid. Realistlik põhi, sümbolistlikud sugemed. 22. Ene Mihkelsoni looming („Ahasveeruse uni”, „Katkuhaud” jm). „Nime vaev“, „Ahasveeruse uni“, „Katkuhaud“, „Torn“. Romaanid on autobiograafiliste sugemetega, aga neid ei saa võtta üks-ühese autobiograafiana. Kirjutamisviis ühelt poolt modernistlik, aga samas ei ole sellele korralikku analoogiat. Luules vabavärss, mis liigub rangema ja vabama rütmistatuse piiril. Mängib väga palju siirdega. Luules enesekesksus, luule-mina otsiks nagu kogu aeg pidepunkte. Fragmentariseeritud mõtlemine, palju krüptilist kujundlikkust. Proosas rahvuslikumad teemad, allusiooniline mäng, viitamine teistele tekstidele. Vahetu ühiskondliku ja poliitilise olukorra tõlgendamine, aga on ka isiklikumaid tekste. Loomingu põhiteemaks Eesti ühiskond 40.-tel ja 50.-tel, poliitilise olukorra pained ja selle mõju inimestele. 23. Madis Kõivu näidendid ja proosa.
UZ protsentides temperatuuri muutumisel 1 C° võrra (tegur võidakse anda ka pingemuutusena millivoltides). Sõltuvalt läbilöögil esinevatest nähtustest võib see tegur olla kas positiivne või negatiivne. Peale tavaliste stabilitronide valmistatakse veel täppisstabilitrone ja kahe-anoodilisi stabilitrone. Täppisstabilitronide stabiliseerimispinge sõltub väga vähe temperatuurist. Selle saavutamiseks on neis stabiliseeriva siirdega järjestikku kaks päripingestatud siiret, mille pingelang muutub temperatuurist vastupidiselt stabiliseeriva siirdega ja kompenseerib seega esineva stabiliseerimispinge muutuse. Kaheanoodilises stabilitronis on kaks stabilitroni ühendatud nii, et üks on alati pärisuunas ja teine vastusuunas. Sel juhul ei ole vaja pöörata tähelepanu stabilitroni ühendamise polaarsusele ja pärisuunas töötav siire toimib ka temperatuuritoimet kompenseeriva elemendina.
49.ADM ehitamise idee loenduri ja DAM baasil. 50.Reversiivne loendur. Loendur, mis loendab nii pos kui ka neg suunas. Loendussuuna muutmine sõltub sellest, kas ülekandeks kasutatakse trigeri otsest või inverteeritud signaali. 51.Mis asi on mitte-kahendloendur? 52.ADM-FLASH. 53.Järjestikuse aproksimeerimise printsiip ADM ehitamiseks. 54.TTL-Schottky olemus. Küllastus reziimi vältimisega on võimalik vähendada hilistust. See saavutatakse Schottky dioodide abil. Transistori kollektori siirdega ühendatakse rööbiti Schottky diood. Schottky dioodi päripingelang on väiksem, kui transistori kollektori siirdel. Seetõttu juhitakse üleliigne baasivool läbi Schottky dioodi. See takistab transistori minekut sügavasse küllastusse ja vähendab sulgumisaega. Analoogelektroonika 1.Transistori kasutamine võimenduselemendina. 2.Analoog- ja digitaalelektroonika erinevus. 3.RC-sidestus transistori reziimvoolude isoleerimiseks sisendsignaali allikast ja tarbija ahelast. 4
väike, vastupinge korral aga suur. 28. Kuidas käitub diood, mis on lülitatud vahelduvpingele? Diood, mis on lülitatud vahelduvpingele alandab pinget ning laseb läbi ainult positiivsed impulsid. 29. Miks dioodil on mittelineaarne pinge-voolu tunnusjoon? Diood on mittelineaarne element, mille takistus sõltub temale rakendatud pinge polaarsusest ja suurusest. 30. Miks türistori võib nimetada ka juhitavaks dioodiks? Türistor on kolme pn-siirdega pooljuhtseadis, millel on kolm elektroodi: anood, katood ja tüürelektrood. Selle pingevoolu tunnusjoon on muudetav tüürsignaali toimel, mistõttu saab türistori päripingel avada tüürelektroodi läbiva vooluimpulsiga. (türistorit võib nimetada juhitavaks dioodiks, kuna on võimalik ühe ja sama voolu korral saavutada erinevaid pinge väärtusi) 31. Miks transistor võimendab sisendsignaali?
küllaldane selle taassulatamiseks, siis põhi- ja õmblusmetall ei sula kokku. Defekt on välditav mitme kaarega keevitamisel, kuumutamisega keevitamise ajal, keevituskiiruse ja voolu vähendamisega. Kahanemisrabedus. Räbusti mitme kaarega suure kiirusega keevitamisel tekib omapärane defekt kahanemisrabedus. Defektsed kohad asuvad teineteisest keevitusvanni pikkusega võrduval kaugusel ja on 2 ... 3 mm sügavused. Arvatakse, et selline kohtrabedus on seotud metalli ebaühtlase siirdega vanni tagumisse ossa. Keevitumatus. Kokkusulamatusele analoogne, kuid keevitumatus (joon. 2) , milleks nimetatakse kohatist kokkusulamatust keevitavate elementide vahel, õmblus- ja põhimetalli vahel või mitmekihilise õmbluse üksikute kihtide vahel. Joon. 2 Lõikumine. Lõikumiseks nimetatakse põhimetalli paksuse kohtvähenemist õmbluse serval, mis esineb sagedamini nurkõmbluse ja mitmekihilise õmbluste esimese kihi keevitamisel
taassulatamiseks, siis põhi- ja õmblusmetall ei sula kokku. Defekt on välditav mitme kaarega keevitamisel, kuumutamisega keevitamise ajal, keevituskiiruse ja –voolu vähendamisega. Kahanemisrabedus: Räbusti mitme kaarega suure kiirusega keevitamisel tekib omapärane defekt – kahanemisrabedus. Defektsed kohad asuvad teineteisest keevitusvanni pikkusega võrduval kaugusel ja on 2 … 3 mm sügavused. Arvatakse, et selline kohtrabedus on seotud metalli ebaühtlase siirdega vanni tagumisse ossa. Keevitumatus: Kokkusulamatusele analoogne, kuid keevitumatus (joon. 2) , milleks nimetatakse kohatist kokkusulamatust keevitavate elementide vahel, õmblus- ja põhimetalli vahel või mitmekihilise õmbluse üksikute kihtide vahel. Joon. 2 Lõikumine: Lõikumiseks nimetatakse põhimetalli paksuse kohtvähenemist õmbluse serval, mis esineb sagedamini nurkõmbluse ja mitmekihilise õmbluste esimese kihi keevitamisel
4. Joonis 4.4. Fotodioodi pinge-voolu tunnusjooned [2]. Elektroonika alused. Teema 4 Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed 6 (43) Fotovoolu võimendamiseks tuleb tema väljundisse ühendada võimendi, milleks reeglina kasutatakse operatsioonivõimendit. Sageli on vajalik võimendi selline lülitus, et ta toimiks voolu-pinge muundurina. Lisaks tavalistele pn-siirdega fotodioodidele toodetakse pin-struktuuriga dioode, kus p- ja n-kihi vahel on õhuke väikese omajuhtivusega i-kiht. Sellised fotodioodid on märksa kõrgsageduslikumad, tajudes valguse muutust mõne nanosekundi jooksul. Kiiretoimelised on ka Schottky barjääriga fotodioodid. Väga nõrga valgussignaali korral kasutatakse laviinfotodioode. Nende npip-struktuuris on i-kiht täielikult vaesunud (vastupinge piisavalt tugev) ning seal toimib tugev elektriväli, mis
korda suuremad kui metallidel. Pooljuhte kus on ülekaalus elektronjuhtivus nim n- pooljuhtideks. pooljuhte kus valdavaks on aukjuhtivus nim p- pooljuhtideks. Pooljuht dioodid-Pooljuht dioodid e. pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk pn- siire. Pooljuhtventiil on selgelt ühesunalise juhtivusega. Pooljuhttrioodid e. transistor-Transistor on kahe pn- siirdega kristall. Sõltuvalt juhtivustüübist on kas p-n-p tüüpi või n-p-n tüüpi transistorid. Transistori keskmist osa nim baasiks, äärmisi osasid vastavalt emiteriks ja kollektoniks. Türistorid-Türistoriks nim tüüritavat pooljuhtventiili, kus nelja vaheldumisi oleva p ja n piirkonna vahel asub lolm pn-siiret. Türistoril on kolm elektroodi: -anood A -katood K -juhtelektrood JE Elektrolüüs, Faraday seadused-Ained milles elektrivool põhjustab keemilisi muutusi, nim teist
annaabi.ee 
