02544 j0.66982 S8(7) = 1.12818 - j0.0837275 6. Spektrikomponentide moodul ja faasispekter |Sn(k)| = ReSn(k)2 + ImSn(k)2 n(k) = arctan(ImSn(k) / ReSn(k)) |S8(0)| = 5.225 0 = 0 |S8(1)| = 1.1313 1 = 4.2444 |S8(2)| = 0.6801 2 = -53.9726 = 306.0274 |S8(3)| = 0.6587 3 = -89,7234 = 90,2766 |S8(4)| = 0.5 4 = 0 |S8(5)| = 0.6587 5 = 89,7234 = 269,7234 |S8(6)| = 0.6801 6 = 53.9726 |S8(7)| = 1.1313 7 = -4.2444 = 355.7556 7. Lõpliku siirdega filtri (FIR) struktuurskeem. Filtri väljundsignaal. Koostada lõpliku siirdega filtri (FIR) struktuurskeem kui impulsskaja väärtused h(i) on järgnevad h(i) = [0.5 0.2 0.5 0.2 0.5 0.2 0.2 0.4] Kasutades filtri sisendis matrikli numbrite alusel valitud kvanteeritud signaali, leida filtri väljundsignaal S(n) = [7.8 7.4 5.1 2.0 3.3 6.3 2.8 7.3] Joonis 4 FIR struktuurskeem n = -1 y(-1) = 0 n=0 y(0) = h(0)*x(0) n=1 y(1) = h(0)*x(1) + h(1)*x(0)
Treipink – Lathe 02 Small. Võimsus 11 kW, maksimaalne pöörlemissagedus 6000 1/min. Tooriku valik Toorikuks valiti võll, läbimõõduga ØDtoor = 31 mm ja pikkusega Ltoor = 40 mm. Tooriku materjaliks on madalsüsinikteras C10E (0,1-0,25% C). Toorik kinnitatakse ühelt poolt padruni külge. 1. Koorivtreimine Treida välispind mõõtu välistreiteraga ØD1=26 mm ja pikkusmõõduni L1=10 mm. Töötlemispikkus koorivtreimised L1kooriv = 30 mm, viia lõppmõõtmeteni 1 siirdega, lõikesügavus 2,5 mm. 2. Koorivtreimine Treida välispind mõõtu välistreiteraga ØD2=21 mm ja pikkusmõõduni L2=20 mm. Töötlemispikkus koorivtreimised L2kooriv = 20 mm, viia lõppmõõtmeteni 1 siirdega, lõikesügavus 2,5 mm. 3 3. Koorivtreimine Treida välispind mõõtu välistreiteraga ØD3=16 mm ja pikkusmõõduni L3=30 mm. Töötlemispikkus koorivtreimised L3kooriv = 10 mm, viia lõppmõõtmeteni 1 siirdega,
Transistorid Mis on Transistor Transistor on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistorite Erinevus Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist ...
Geenitehnoloogia valitud Geenitehnoloogia valitud DNA DNA lõikude eraldamine, lõikude eraldamine, töötlemine in töötlemine in vitro ja vitro ja siirdamine sama või muu siirdamine sama või muu liigi liigi isendi geneetilisse struktuuri- isendi geneetilisse struktuuri kromosoomi, plasmiidi või kromosoomi, plasmiidi või viirusesse(geenide ülekanne). viirusesse(geenide ülekanne). Rekombinantne DNA DNA Rekombinantne DNA DNA molekul, milles on ühendatud molekul, milles on ühendatud eri eri liikidelt pärit DNA osad. liikidelt pärit DNA osad. Rakkudesse viiakse võõraid Rakkudesse viiakse võõraid geene viirusvektori abil, plasmiidse geenivektoriga, geene viirusvektori abil, Agrob...
mikroosakesed saavad omandada teatud kindlaid energiatasemeid. Tavahõive Tavaolukorras moodustavad alati lõviosa energiavaesemad, footoneid neelavad aatomid. Spontaanne kiirgus Vabakiirgus ehk kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Simuleeritud kiirgus Sundkiirgus ehk välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. Luminestsents Heledus, mille põhjuseks ei ole kega hõõgvele kuumutamine, vaid teised mõjutused.
Joonspekter: spekter, milles esinevad kas üksikud värvilised jooned tumedal taustal või üksikud tumedad jooned pidevspektri taustal. Spektrianalüüs: aine keemilise koostise määramine selle joonspektrite alusel. Aatomifüüsika energiaühik: üks elektronvolt on võrde tööga, mis tehakse elektroni ümberpaigutamiseks elektrivälja ühest punktist teise, kui nende punktide potentsiaalide vahe on üks volt. Spontaanne kiirgus: kirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Stimuleeritud kiirgus: välise elekromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. Laser: stimuleeritud kiirgusel põhinev valgusallikas. Light amplification of stimulated emission of radiation.
n-alas palju vabu elektrone Dioodi volt-amper karakteristik: u i = I S * (e - 1) u > 0 päripinge u < 0 vastupinge T T temperatuuri potentsiaal (u. 25mV toatemperatuuril) u u IS küllastusvool, praktiliselt vastuvool i = I e T - I I e T - hea tuletiste S S S võtmiseks. T toatemperatuuril on umbes 25V Schottky diood on diood siirdega metall-pooljuht Juhib ühes suunas hästi. Kasutatakse kiirete TTL lülituste saamiseks Dioode kasutatakse: 4 1. Vahelduvvoolu alaldamiseks, kus tekib pulseeriv vool, mida võib hiljem siluda 2. Alalispinge stabiliseerimiseks. Hästi sobib selleks stabilitron, mis töötab läbilöögireziimis 1.8
Füüsika Keemiline side - seob aatomeid molekulideks ja kristallideks Keemilise sideme liigid: · Kovalentne side ühtlustunud elektronpaaride vahendusel · Iooniline side positiivsete ja negatiivsete ioonide vahel Keemiliste sidemete tekkimine tekib aatomite ,,annetamise" või ,,ühistamise" teel Kristallvõre aatomid/ioonid on paigutatud korrapäraselt ruumvõresse Võredefekt: · Üksikud aatomid või ioonid paiknevad vales kohas · Mõned võresõlmed on vakantsed (tühjad) · Kristalli on lisatud teisi keemilisi elemente · Terasele lisati Cr ja Ni - roostevaba teras Keelutsoon on energiatsoon, millele vastav energiavahemik on elektronidele laineomaduste tõttu keelatud Lubatud tsoon- on kristallis valentselektronide energiatasemete jagunemisel tekkinud alatasemete kogum, millele vastavad energiad on elektronidele lubatud Valentstsoon - on viimane elektronidega täielikult täidetud lubatud tsoon Juhtivustsoon valentst...
segunenud põhi- ja lisametallist; 4 sulamisjoon 5 termomõju tsoon (HAZ) põhimetalli sulamata osa, kus esinesid mikrostruktuuri muutused; 6 termomõju ala 7 keevitustsoon keevisõmblusest ja termomõju tsoonist moodustunud ala. Keevituse kaasnähtused Keevitus on paljude üheaegselt toimuvate protsesside kooslus: põhi- ja lisametalli sulatamine ja omavaheline segunemine e. legeerimine, sula lisametalli siirdega ja keevisvanniga seotud keerulised füüsikalis-keemilised protsessid, kristalliseerumine koos sellega kaasnevate mikrostruktuuride moodustumisega ja detailide kujumuutustega e. termodeformatiivsete protsessidega. Keevitusmetallurgia Sulakeevituse metallurgiaprotsessid on sarnased metallurgiliste protsessidega, kuid märksa keerukamad järgmistel põhjustel: a) keevituse soojusallika (elektroodi) ja sulametalli kõrge temperatuur (terastel kuni 1800 ºC),
1 eV=1,6 1019 J 6. Pauli keeluprintsiip aatomis ei saa olla mitut elektroni,mille olekon määratud nelja kvantarvu ühesuguse kombinatsiooniga 7.Energia miinimumi printsiip elektronidega täitumine algab sealt, kus energia kõige madalam. 8.erinevate elektronkihtide ja alakihtide täitumine toimub vastavuses Pauli keeluprintsiibiga ja energia miinimumi printsiibiga 9. Spontaanne kiirgus on kiirgus mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale.Kiirgub mitte koherentne valgus. E4 E3 E2 f E1 10.Stimuleeritud kiirgus on välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus.Tekib koherentne valgus. f 2f
1. Kirjelda elektrivoolu metallides. Metallides on vabadeks laengukandjateks vabbad- ehk valentselektronid Elektrivälja sattudes hakkavad vabad elektronid liikuma elektrivälja jõujoonetele vastupidises suunas. Voolu toimel metallides keemilisi muutusi ei toimu. Elektrivoolu suunaks metallides loetakse elektronide liikumisele vastupidist suunda ehk negatiivselt positiivsele. 2. Kirjelda elektrivoolu elektrolüütides. Elektrivälja sattudes hakkavad positiivsed ioonid liikuma elektrivälja jõujoonte suunas, negatiivsed ioonid aga jõujoonte vastupidises suunas. Voolu suunaks elektrolüütides loetakse positiivsete ioonide liikumissuunda. 3. Kirjelda elektrivoolu gaasides. Gaasid on üldjuhul dielektrikus st neis ei leidu vabu laengukandjaid. Selleks, et gaasis saaks tekkida elektrivool, tuleb sinna vabad lanegukandjad tekitada - gaas tuleb ioniseerida 4. Mida nimetatakse sõltuvaks gaaslahenduseks? Mida sõltumatuks gaaslahenduseks? Sõltuvaks g...
dielektrikud, ehk ei juhi elektrit Lisanditega omavad juhtivust. Pooljuht ehk PN siire madalatel temperatuuridel säilitab omadused. Koos temperatuuri tõusuga omandavad elektronid suurema energia ning omajuhtivus suureneb. Lisandjuhtivus sõltub samuti temperatuurist. Pooljuht diood Diood on elektroonika seadis mis juhib voolu ainult ühes suunas Pooljuhtdiood on kaheväljastusega ja ühe PN siirdega pooljuht seadis. Nende valmistamisel kasutatakse räni, germaaniumi või galium arseniid. Alaldusdioodid Kõrgsagedusdioodid Schotkydioodid ülikõrgsagedus dioodid Zeneri dioodid stabilnitorid Varikapid e. mahtuvus dioodid Gunnidioodid e. generaatordioodid Varaktorid e. sagedus kordistid Valgus- , foto- ja laserdioodid Üldine dioodi märk Dioodi üldised rakendused Pärispingestusel juhib elektrit ning vastupingestusel ei juhi. Täisperiood alaldi
12. Mis on metastabiilne energia tase ? Seisund, kus aatomite üleminek ergastatud seisundist põhiseisundisse on blokeeritud mingi valikureegli tõttu. 13. Millest ja kuidas sõltub spektrijoone intensiivsus ? Intensiivsuse jaotus spektrijoonte vahel sõltub aga tugevasti füüsikalistest tingimustest keskkonnas, kus toimub aine ergastamine. 14. Mis on spontaanne kiirgus? on kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. 15. Mis on laser ? Mille poolest erineb tavavalgusest ? On seade valguse saamiseks, kus kasutatakse optilist võimendust footonite stimuleeritud kiirgumise läbi. Laseri kiirgust eristab muudest valgusallikatest tugev ajaline ja ruumiline koherentsus. 16. Mis on luminesenss ja luminofoor ? Luminestsentsiks nimetatakse sellist aine poolt emiteeritud valgust, mis ületab
02.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 1 OT Pooljuhtdiood Töö eesmärk: Töövahendid: Pooljuhtdioodi pinge-voolu Diood, toiteallikas, potentsiomeeter, tunnusjoone määramine ja selle ampermeeter, voltmeeter. kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Pooljuhtdioodid on kahe väljastusega ühe pn- siirdega elektronseadised. Nende valmistamisel kasutatakse lähtematerjalina räni germaaniumi või galliumarseniidi monokristalli, kus lisandite kontsentratsioon ei tohi ületada 10-8 %. Dioode liigitatakse siirde kuju ja mõõtmete järgi punkt- ja pinddioodideks. Punktdioodidel on avaldava kontakti mõõtmed samas suurusjärgus siirde paksusega, pinddioodidel on aga siirde pindala tõkkekihi paksusest palju suurem. Otstarbe ja kasutusala järgi jaotatakse dioodid järgmiselt: 1. Alaldusdioodid
koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (TRANSfer resISTOR). 26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused
murdarvulised) Metastabiilne seisund pikaajaline seisund, kus elektron ja aatom on ergastatud olekus (10-3 sekundit) Luminestsents valguse toimel tekkinud kiirgus Luminofoor aine, mis kiirgab valgust Fluoroestsents aatomi ergastamise lõppemisel, lõppeb kohe ka kiirgus Fosforestsents ergastamise lõpetamisel ei lõppe luminestsents kohe, vaid tekib järelhelendus Vabakiirgus - kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Stimuleeritud kiirgus välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus (kui footon taba ergastatud aatomit või elektroni, siis ta sunnib seda üle minema madalamale energiatasemele ja sealjuures peab ta kiirgama täpselt samasugust footonit) Tavahõive -olukord, kus aines on ülekaalus madala energiatasemega aatomid Pöördhõive olek, kus enamik aatomeid on ergastatud olekus
Diskreetaja puhul oli Umax=-11. Häiringute suunamisel mudelisse suutis mudel taastada soovitud olekud. Maximum pingehäired on pidevaaja korral ±1 ja diskreetaja korral ±0,87. Pidevaja häiringu ±7,85 ja diskreetaja häiringu ±7 korral jäi olek lubatud piiridesse. Suurimaks diskreetimissammuks oli 0,2, kuid siis muutus häiringu mõju ±0,05 asemel ±0,06-ks. Järgmiseks tegin 2 katset väiksema, 1katse vastassuunalise ja 2 katset suurema siirdega. Vastassuunalise katse korral ei muutunud jälgitavate parameetrite absoluutväärtused. Siirde vähendamisel kahanesid pinge ja aeg ning suurendamisel kasvasid.
TRANSGEENSED MIKROORGANISMID - transgeensete organismide loomine põhineb rekombinantse DNA tehnoloogial. Siiratav geen tuleb ühendada niisugusesse DNA- või RNA-kompleksi, mis saab siseneda rakku või integreeruda sele genoomi. Selliseid DNA- konstrukte nim. geenivektoriteks ehk -siirdajates. Eesimesed rekombinantsed viirused ja plasmiidid loodu 1973. aasta. BAKTERITEL ei ole tuuma; seda asendab tumapirkond, milles paikenb üks rõngasjas kromosoom. Lisaks leidub bakterirakus väiksemaid DNA rõngaid- plasmiide, mida kasutatase geenivektorite loomisel. Rakendusbioloogilises suunas hakati otsima võimalusi kasutada transgeenseid baktereid meditsiiniliselt oluliste inimese valkude tootmiseks. Inimese rakkudest eraldatakse huvipakkuva geeni mRNA ja pöördtranskribteeritakse selle järgi vastav komplementaarne DNA(cDNA). See ühendatatkse plasmiidiga ning saadud geenivektor lülitub bakteriraku koosseisu(peamiseks bakteriks on inimese soolekepike). S...
Tänu suurele sisendtakile kas puhvrina. Sign arvutusel Emitterist läbi RE maha. Rsis on suur=h11e+(1+h21e)RE~ 5pdf Pilet 11. 1. alaldava siirde tekkimise tingimus 2. väljatransistoride liigitus 3. 2xT sild (ASK ja FSK) 4. välistav või (tähistus ja tõeväärtustabel) 5. ROM 1. Alaldava siirde tekkimise ting Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal 2.induts kanal) (tähistus Gate,Source,Drain üleval) n-kanaliga nool paisust sisse, p-vastupidi. 3pdf 3. Selekt RC-ahel-kahekorden T kujuline sild->kõrge selektiivsus. Ülekandetegur |punktiga| =0. kvasiresonantssageduse fo puhul fo=1/2*1/RC. Madalatel ülekanne 1, kõrgetel 1. Sild on lülitatud tagasisidesse takkide pealt paralleelselt Rts-ga. Sagedustel, mis ple fo, TS=100%, muidu 0
02.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 4 OT Türistor Töö eesmärk: Töövahendid: Türistori pinge-voolu tunnusjoone Türistor, toiteallikas, potentsiomeeter, määramine ja selle kasutamise ampermeeter, voltmeeter. oskuste arendamine. Skeem Teooria Lihttüristor (üheperatsiooniline türistor) on mitme pn - siirdega pooljuhtseadis, mis päripinge olemasolul pärast tüürvoolu impulssi juhib voolu anoodilt katoodile. Türistori aluseks on ränikristallist plaat või ketas, millel asetsevad vaheldumisi p- ja n- juhtivusega kihid. Anood- ja katoodväljastuseks on välimised pooljuhtkihid. Jõuelektroonika seadmetes (juhitavad alaldid, vaheldid jm) kasutatavatel türistoridel ehk jõutüristoridel on neljakihiline pooljuhtkristall, kusjuures väliskihid on legeeritud tugevalt sisemised aga nõrgalt.
ülekandmisel tekkiv hilistumine, mis suureneb koos loenduri astmete arvuga. Asünkroonse jadaloenduri kõik astmed ei lülitu ümber samal ajahetkel ja selle tõttu võib ümberlülitumise protsessi ajal olla loenduri väljundis vale kood. 2)Rööpülekandega (sünkroonne) loendur: Toimub trigeritevaheline signaali ülekandmine kõigi astmete jaoks üheaegselt, ei teki hilistumist. Pilet 7 1. Pooljuhtdiood Pooljuhtdiood on ühe p-n siirdega elektronseadis, millel on kaks väljaviiku. Pooljuhtdiood valmistatakse p-n siirde kuju ja mõõtmete järgi kas punktdioodidena või pinddioodidena. Punktdioodidel on kontakti mõõtmed samas suurusjärgus p-n siirde paksusega. Pinddioodidel aga on p-n siirde pindala tõkkekihi paksusest palju suurem. Pooljuhtdioodi tunnusjooneks loetakse dioodi läbiva voolu sõltuvust temale rakendatud pingest. Tihti nimetatakse seda tunnusjoont ka dioodi volt-amper karakteristikuks. 2
(http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk. 23...41): - Pooljuhtdiood, tema ehitus. Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4
Orbitaal seisulaine kindlaviisiline paigutus (s,p,d,f alakihid), lähis l, täisarvulised väärtused, iseloomustav elektroni liikumishulga momendi absoluutväärtust 18. Mille poolest erineb laelambi valgus laseri valgusest? - laseri valgu son kokku koondatud ja on joonvalgus. Laelambi valgus ons eevastu aga hajuv. 19. Mille poolest erineb spontaanne ja stimuleeritud kiirgus? - spontaannes kiirgus kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. - Stimuleeritud kiirgus välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. 20. Kuidas töötab laser? - Laseri toimimise aluseks on stimuleeritud kiirgus - Kiirgaine sunnitakse kiirgama nii, et elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel ja kui elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel, siis kiirgaine kiirgab ainult ühte kiirgust ehk värvi. Elektronid võivad aatomis liikuda ainult kindlatel statsionaarsetel orbiitidel
Orbitaal – seisulaine kindlaviisiline paigutus (s,p,d,f – alakihid), lähis l, täisarvulised väärtused, iseloomustav elektroni liikumishulga momendi absoluutväärtust 18. Mille poolest erineb laelambi valgus laseri valgusest? - laseri valgu son kokku koondatud ja on joonvalgus. Laelambi valgus ons eevastu aga hajuv. 19. Mille poolest erineb spontaanne ja stimuleeritud kiirgus? - spontaannes kiirgus kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. - Stimuleeritud kiirgus välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus. 20. Kuidas töötab laser? - Laseri toimimise aluseks on stimuleeritud kiirgus - Kiirgaine sunnitakse kiirgama nii, et elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel ja kui elektron liigub ainult kindlate orbiitide vahel, siis kiirgaine kiirgab ainult ühte kiirgust ehk värvi. Elektronid võivad aatomis liikuda ainult kindlatel statsionaarsetel orbiitidel
sideme moodustamiseks kaheelektronilise orbitaali. Aktseptor-aatom, mis annab sideme moodustamiseks tühja orbitaali. Puuduolev elektron võetakse ühelt pooljuhi aatomilt.katkend side tähendab augu tekkimist.Nüüd tekib keelutsooni tühi enegitase- aktseptornivoo .19.Ruumlaengu tekitatud elektriväli pidurdab enamuslaengukandjate edasist difundeerumist.Teatud väljatugevuse saavutamisel see praktiliselt lakkab. Vabakiirgus ehk spontaanne kiirgus on kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. Stimuleeritud kiirgus - on välise elektromagnetvälja mõjul toimuv kiirgus .Tekib koherentne valgus. Metastabiilne seisund-aine olek ühes faasis selliste p ja T väärtuste juures, kus ta peaks olema teises faasis. Näiteks vesi üle 100*C normaalrõhul (ülekuumenenud vesi) või vesi alla 0*C normaalrõhul (allajahtunud vesi). Metastabiilne seisund ei säili lõpmata kaua. Tavahõive-Tavaolukorras moodustavad alati
Heledaid jooni andvad siirded lähtuvad lühiealistest seisunditest, tumedamaid jooni annavad pikaealisemad seisundid. 21. Mida nimetatakse luminestsentsiks? Too näiteid, kuidas see tekkida võib? Luminestsentsiks nimetatakse sellist aine poolt emiteeritud valgust, mis ületab samale temperatuurile vastavat soojuskiirguse taset. See tekib luminofooride kiirgamisel. 22. Kuidas tekib spontaanne ehk vabakiirgus? Spontaanne ehk vabakiirgus tekib aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. 23. Kuidas tekib stimuleeritud ehk sundkiirgus? Stimuleeritud ehk sundkiirgus tekib siis, kui aatom on juba kõrgemal energiatasemel. Sel juhul sunnitakse elektron võnkuma madalama ja kõrgema seisundi vahel, seejuures kiiratakse teine footon sama energiaga. Nii kulgeb aatomist edasi 2 ühesugust footonit. 24. Millal tekib tava-, millal pöördhõive?
teabeallikad, konkurents võimu nimel, poliitika sõltuvus valija eelistustest, seaduste ülimuslikkus, võimude lahusus, kodanikuvabaduste ja inimõiguste tagamine, tsiviilkontroll relvajõudude üle, vähemustega arvestav enamuse võim, kohtusüsteemi ja teiste kontrollorganite poliitiline sõltumatus. 18. Siirdeühiskond- üleminek ühelt poliitiliselt režiimilt teisele: ajutine suur ebastabiilsus. Siirdega kaasnevad probleemid: 1) revolutsioon- algatavad senise võimu kriitikud; meeleavaldustest kokkupõrgete ja riigipöördeni 2) reform- algatavad võimulolijad; enamasti kavakindel ja rahumeelne 19. Võimude lahususe autor on Charles-Louis de Montesquieu „Seaduste Vaimust“ Võimude lahusus- vajalik selleks, et vabadus ohtu ei satuks ning seda peetakse ka demokraatia nurgakiviks (üks haru kontrollib teist).
varda paindemomendi epüür m(x); *saadud paindemomentide funktsioonid viiakse Mohri integraali, mille väärtus võrdubki otsitava siirdega (antud sihis): * kui siirde väärtus tuleb negatiivne, on selle suund ühikjõu suunale vastupidine 11.18. Milliseid võimalusi teate Mohr'i integraali väärtuste arvutamiseks?
reageerivad omavahel. Seejärel tekib passiivne molekul nimega oksülutsiferiin. Lutsi-feraas seejärel reageerib ATP-ga, mis leidub kõikides rakkudes, ning moodustub lutsiferiil adenülaat ja pürofosfaat. Lutsiferiin + ATP -> lutsiferiil adenülaat + pürofosfaat Selle reaktsiooni põhiselt helendavad jaanimardikad. 8. Kuidas tekib vabakiirgus ehk spontaanne kiirgus? - Vabakiirgus ehk spontaanne kiirgus on kiirgus, mis kaasneb aatomi iseenesliku siirdega kõrgemalt energiatasemelt madalamale energiatasemele. 9. Kuidas tekib simuleeritud ehk sundkiirgus? Kuna metastabiilses olekus viibivad elektronid kaua, ja ergastamine toimub pidevalt, siis peagi on ergastatud olekus elektrone rohkem kui neid on põhiolekus. Sellist olukorda nimetatakse pöördhõiveks, sest tavaliselt on elektrone põhiolekus rohkem kui ergastatud olekuis. Kui nüüd tuleb kusagilt valguskvant, mille energia vastab metastabiilse oleku ja põhioleku energiate vahele, siis
1) Kaks võrdvastupidist jõudu W=F, 2) Jõupaar W= M 3) Kaks võrdvastupidiste momentidega jõupaari W=M, Mohri integraal On võimalik leida mis tahes punkti siiret meile huvi pakkuvas sihis, kui selles punktis ja sihis rakendada ühikjõud ja leida vastav deformatsioonienergia. Algoritm siirde leidmiseks: 1) leitakse sisejõud, 2) rakendatakse ühikjõud, ja nende sisejõud, 3) arvutatakse Mohri integraal, mis võrdub otsitava üldistatud siirdega Simpsoni valem kui määratud integraali ligukaudse arvutamise eeskiri. Verestsagini võte Saab kasutada siis Mohri integraali arvutamiseks kui vähemalt ühel integrandis sisalduvatest paindemomentidest on sirgjooneline epüür. Sisejõuepüüridel põhinevat Mohri int arvutamist nim. Epüüride korrutamiseks, Üheliikmelise valemiga väljenduva V.võttega on hõlpsam omavahel korrutada lihtsaid epüüre.Keerukamate puhul on eelistatavam Simpsoni valem.
ka determineeritud suurused. Muutuja x() k kasutades suhteliselt lühikest andmerida, kui müra matemaatiline ootus (keskväärtus, keskmine) on saame lõpliku siirdega (FIR) voi mitterekursiivse Segmendi pikkuse mõju toodud seosest on on küllalt vaike. Burg'i meetod annab alati stabiilse susteemi:
juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. n-tüüpi MOSFET Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1. Elektriväljaga muudetava voolukanali ristlõike muutmise teel nagu see toimub pn- siirdega väljatransistoris 2. Laengukandjate kontsentratsiooni kanalis nagu see toimub MOP-transistorides 42. Võrrelge omavahel bipolaar- ja väljatransistori. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. 43. Milline on väljatransistoride põhiline ühendusviis? Isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorid (MOSFET, MOP)
Ideaalselt sobib Schottky diood. Transistoril UBE umb.= 0,7V, UBK = USch.diood umb 0,5V; pole. Tühijooksul Rt=->Ud=U2m=U 22 UKE = UBE UBK umb 0,7 0,5 umb 0,2V 3. unipolaarne, pingega juhitav. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust 5. JOONIS2 Ajal. esimene. R = reset _ panema olekusse 0, S = set -> sättima, panema olekusse 1, muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal Tõesus- ehk funktsioneermise tabeli parem esitus: 2.induts kanal) (tähistus Gate,Source,Drain üleval) n-kanaliga nool paisust sisse, p-vastupidi. Mida R S Q(t + deltat) deltat = aeg trigeri ümberlülitamiseks. kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem vaesunud ala, seda väiksem vool. MOPP-
Päritava haiguse puhul tuleb geeniravi protseduuri korrata iga puudega järglase juures. Geeniteraapia võimalused sõltuvad geneetilise puude olemusest. Kui see on seotud näiteks vererakkudega, on asi lihtsam. Luuüdis on alati mingi hulk tüvirakke eri tüüpi vererakkude tootmiseks. Sellisel juhul oleks geeniravi protseduur järgmine: puudega lapse luuüdist eraldatud rakud viiakse rakukultuuri, neisse sisestatakse normaalgeen sobiva geenivektori, enamasti retroviiruse abil, kinnistunud siirdega rakud kloonitakse ja paljundatakse ning siirdatakse tagasi haigesse indiviidi. Muude puuete korral on asi keerulisem. Tuleb leida või konstrueerida sobiva koespetsiifilise promootoriga ülekandevektor ja sisestada selle struktuuri siiratav geen. Tehnogeneetilisi meetodeid saab kasutada veel paljude muude ülesannete lahendamiseks. Üheks neist on pärilike haiguste molekulaargeneetiline diagnostika. Enamasti põhineb see metoodika mutantsete geenide äratundmisel DNA-proovide abil
Kordamisküsimused 1. Mis on Ohmi seadus? U=R*I 2. Mis on pingejagur? Etteantud parameetritega pingejaguri arvutamine. Pingejagur – alalis- või vahelduvpinget osadeks jagav elektriseade. 3. Elektriahela võimsus. U2 2 P=U∗I = =I ∗R R 4. Edissoni efekti olemus? 5. Elektronlambid (diood, triood, tetrood …) ja nende tööpõhimõte? diood ‒ kahe elektroodiga (katood, anood); triood ‒ kolme elektroodiga (katood, võre, anood); pentood ‒ viie elektroodiga (katood, tüürvõre, varivõre, sulgvõre, anood). Tetrood – nelja kanaliga Dioodi tööpõhimõte Töötamisel lastakse vool läbi nikroomist hõõgniidi, mis kuumutab katoodi 800...1000 °C kraadini. Kuum katood eraldab elektrone vaakumisse, protsess, mida nimetatakse termoemissiooniks. Katood on kaetud leelismuldmetalli (nt.baarium või strontsium) oksiidiga, millest elektronid väljuvad suhteliselt kerg...
3. Toiteploki koostamine ja komponentide arvutused Toiteplokk koostati joonisel 2.1 toodud elektriskeemi alusel. Toiteplokk koosneb kahe sekundaarmähisega transformaatorist T1; kahest täisperioodalaldist D1 ja D4 ning aladile järgnevatest silukondensaatoritest C1 ja C3; Impulss-stabilisaatori moodustavad integraalskeemid U1, U2 ja paispoolid L1, L2 ning silukondensaatorid C2, C5; paispoolide vool kulgeb peale integraalskeemis lülititransistori sulgumist läbi Schottky siirdega alaldusdioodide D2, D3; tagasisideahela moodutavad kahesektsiooniline lineaarse tunnusjoonega potentsiomeeter P1 ja püsitakistid R1, R2. Kondensaatorid C2, C5 peavad olema madala impedantsiga (Low ESR) elektrolüütkondensaatorid, kuid siiski tuleb nad sillata parasiitsete komponentide mõju vähendamiseks keraamiliste kondensaatoritega C4, C6. Kõrgema taktsagedusega integraalskeemide LM2592HV ja LM2596 kasutamisel on
Kordamisküsimused 1. Siinuskõveraid iseloomustavad suurused 2. Siinusvoolu hetkväärtus, efektiivväärtus ja amplituudväärtus. 3. Võimsustegur ja selle parendamine. Seda, kui suure osa moodustab aktiivvõimsus näivvõimsusest, näitab võimsustegur P cos = . S 4. Resonantsinähtus elektriahelates. Kui induktiiv- ja mahtuvustakistused on võrdsed. 5. Vahelduvvoolu võimsus. Vahelduvvoolu tugevuse efektiivväärtuseks nimetatakse sellise alalisvoolu tugevust, mille korral aktiivtakistusel eraldub vaadeldava vahelduvvooluga võrreldes ühesugune võimsus. Aktiivvõimsuseks nimetatakse vahelduvvooluahelas aktiivtakistusel eralduvat võimsust. 6. Magnetväli. Magnetvaljaga on tegemist pusimagneteid ja vooluga juhet umbritsevas keskkonnas. Magnetvalja kujutatakse magnetvalja joujoontega, mis on alati kinnised. Pusimagnetite ja ka elektromagnetite puhul on magnetvalja joujooned suunatud valjaspool magnetit pohjast lounasse ja sees vastup...
kõikumine jääb alla 1 mm). 2. Otste freesimine ja tsentreerimine Tsentreerimis-freesimispingil freesida toorik pikkusmõõtu L1 = 142 mm, töödeldud otspindadesse puurida tsentriavad ØDts = 7 mm; sügavuseni Lts= 6 mm. Tooriku pikkusmõõdu tolerantsijärk on IT10. Otspindade pinnakaredus Ra 12. 3. Koorivtreimine (pealt) Treida välispind mõõtu ØDvälis = 42 +0-0.5 mm ja pikkusmõõduni L3 = 110 mm. Toorik viia lõppmõõtmeteni kahe siirdega. Töötlemispikkus koorivtreimisel Lkooriv= 110 mm, lõikesügavus t = 2,5 mm. Töödeldava pinna pikkusmõõdu tolerantsijärk on IT10. Pinnakaredus Ra 50. 4. Koorivtreimine (1. aste) Treida 1. aste mõõtu ØD1 = 35 +0,2-0.3 mm ja pik- kusmõõduni L3 = 50 +0-0.5 mm. Toorik viia lõppmõõtmeteni kahe siirdega. Töötlemispikkus koorivtreimisel L3 = 50 mm, lõikesügavus t = 3,5 mm. Töödeldava pinna pikkusmõõdu tolerantsijärk on IT10. Pinnakaredus Ra 50. 5. Koorivtreimine (2
protsentides temperatuuri muutumisel 1 °C võrra (tegur võidakse anda ka pingemuutusena millivoltides). Sõltuvalt läbilöögil esinevatest nähtustest võib see tegur olla kas positiivne või negatiivne. Peale tavaliste stabilitronide valmistatakse veel täppisstabilitrone ja kahe-anoodilisi stabilitrone. Täppisstabilitronide stabiliseerimispinge sõltub väga vähe temperatuurist. Selle saavutamiseks on neis stabiliseeriva siirdega järjestikku kaks päripingestatud siiret, mille pingelang muutub temperatuurist vastupidiselt stabiliseeriva siirdega ja kompenseerib seega esineva stabiliseerimispinge muutuse. Kaheanoodilises stabilitronis on kaks stabilitroni ühendatud nii, et üks on alati pärisuunas ja teine vastusuunas. Sel juhul ei ole vaja pöörata tähelepanu stabilitroni ühendamise polaarsusele ja pärisuunas töötav siire toimib ka temperatuuritoimet kompenseeriva elemendina
26 Transistorid: kaks põhitüüpi: bipolaarsed unipolaarsed (väljatransistorid) Otstarve: reguleerida läbivvoolu sisendpingega Usis või sisendvooluga isis Bipolaartransistor. kasutamisel mõlema märgi laengukandjad (augud ja elektronid) kolmekihiline, 2-ga p-n siirdega seadis 27 Tingimus: PP >> nn Väline elektriväli puudub! Dünaamiline tasakaal P-n siirdeid läbivate diffusioon- ja triivivoolude võrdsus. Jdiff = Jtr 28 Bipolaartransistor elektriahelas Rakendame: UE pärisuunas, UK vastassuunas.
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid. Käesoleva teksti sisujaotus: 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid 6.2 Võimendusastmed bipolaartransistori baasil 6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2.2 ÜK-lülituses trans...
temperatuuri muutumisel 1 C° võrra (tegur võidakse anda ka pingemuutusena millivoltides). Sõltuvalt läbilöögil esinevatest nähtustest võib see tegur olla kas positiivne või negatiivne. Peale tavaliste stabilitronide valmistatakse veel täppisstabilitrone ja kahe-anoodilisi stabilitrone. Täppisstabilitronide stabiliseerimispinge sõltub väga vähe temperatuurist. Selle saavutamiseks on neis stabiliseeriva siirdega järjestikku kaks päripingestatud siiret, mille pingelang muutub temperatuurist vastupidiselt stabiliseeriva siirdega ja kompenseerib seega esineva stabiliseerimispinge muutuse. Kaheanoodilises stabilitronis on kaks stabilitroni ühendatud nii, et üks on alati pärisuunas ja teine vastusuunas. Sel juhul ei ole vaja pöörata tähelepanu stabilitroni ühendamise polaarsusele ja pärisuunas töötav siire toimib ka temperatuuritoimet kompenseeriva elemendina.
sellest tekkivad probleemid. Realistlik põhi, sümbolistlikud sugemed. 22. Ene Mihkelsoni looming („Ahasveeruse uni”, „Katkuhaud” jm). „Nime vaev“, „Ahasveeruse uni“, „Katkuhaud“, „Torn“. Romaanid on autobiograafiliste sugemetega, aga neid ei saa võtta üks-ühese autobiograafiana. Kirjutamisviis ühelt poolt modernistlik, aga samas ei ole sellele korralikku analoogiat. Luules vabavärss, mis liigub rangema ja vabama rütmistatuse piiril. Mängib väga palju siirdega. Luules enesekesksus, luule-mina otsiks nagu kogu aeg pidepunkte. Fragmentariseeritud mõtlemine, palju krüptilist kujundlikkust. Proosas rahvuslikumad teemad, allusiooniline mäng, viitamine teistele tekstidele. Vahetu ühiskondliku ja poliitilise olukorra tõlgendamine, aga on ka isiklikumaid tekste. Loomingu põhiteemaks Eesti ühiskond 40.-tel ja 50.-tel, poliitilise olukorra pained ja selle mõju inimestele. 23. Madis Kõivu näidendid ja proosa.
UZ protsentides temperatuuri muutumisel 1 C° võrra (tegur võidakse anda ka pingemuutusena millivoltides). Sõltuvalt läbilöögil esinevatest nähtustest võib see tegur olla kas positiivne või negatiivne. Peale tavaliste stabilitronide valmistatakse veel täppisstabilitrone ja kahe-anoodilisi stabilitrone. Täppisstabilitronide stabiliseerimispinge sõltub väga vähe temperatuurist. Selle saavutamiseks on neis stabiliseeriva siirdega järjestikku kaks päripingestatud siiret, mille pingelang muutub temperatuurist vastupidiselt stabiliseeriva siirdega ja kompenseerib seega esineva stabiliseerimispinge muutuse. Kaheanoodilises stabilitronis on kaks stabilitroni ühendatud nii, et üks on alati pärisuunas ja teine vastusuunas. Sel juhul ei ole vaja pöörata tähelepanu stabilitroni ühendamise polaarsusele ja pärisuunas töötav siire toimib ka temperatuuritoimet kompenseeriva elemendina.
49.ADM ehitamise idee loenduri ja DAM baasil. 50.Reversiivne loendur. Loendur, mis loendab nii pos kui ka neg suunas. Loendussuuna muutmine sõltub sellest, kas ülekandeks kasutatakse trigeri otsest või inverteeritud signaali. 51.Mis asi on mitte-kahendloendur? 52.ADM-FLASH. 53.Järjestikuse aproksimeerimise printsiip ADM ehitamiseks. 54.TTL-Schottky olemus. Küllastus reziimi vältimisega on võimalik vähendada hilistust. See saavutatakse Schottky dioodide abil. Transistori kollektori siirdega ühendatakse rööbiti Schottky diood. Schottky dioodi päripingelang on väiksem, kui transistori kollektori siirdel. Seetõttu juhitakse üleliigne baasivool läbi Schottky dioodi. See takistab transistori minekut sügavasse küllastusse ja vähendab sulgumisaega. Analoogelektroonika 1.Transistori kasutamine võimenduselemendina. 2.Analoog- ja digitaalelektroonika erinevus. 3.RC-sidestus transistori reziimvoolude isoleerimiseks sisendsignaali allikast ja tarbija ahelast. 4
Elektri küssad 1. Milliseid eeliseid annab elektrotehnika tundmine insenerile? Hea spetsialist peaks oma kitsa ala kõrvalt tundma ka teiste teaduste põhiolemust. Kuna tänapäeval ei saa elektrita hakkama ühelgi elualal, siis peaksid insenerid kindlasti tundma elektrotehnika põhimõisteid, terminoloogiat ja elektrienergia ning elektriseadmete rakendamise võimalusi, et siis neid teadmisi kasutades oma erialal edukam olla. 2. Milliseid eeliseid annab elektroonika tundmine insenerile? Mehaanikainsenerid puutuvad palju kokku igasuguste masinatega, mis kasutavad elektrienergiat. Tootmises ja masinaehituses oleks ilma elektrotehnikaalaste teadmisteta üsna raske midagi ära teha. Tihti võimaldab elektrotehnika põhimõtete tundmine näiteks tootmises teha optimaalsemaid valikuid ja raha kokku hoida. 3. Kes peaks olema õppimisprotsessis aktiivsem pool õppija või õpetaja? Mõlemad peaksid olema aktiivsed. Õpp...
küllaldane selle taassulatamiseks, siis põhi- ja õmblusmetall ei sula kokku. Defekt on välditav mitme kaarega keevitamisel, kuumutamisega keevitamise ajal, keevituskiiruse ja voolu vähendamisega. Kahanemisrabedus. Räbusti mitme kaarega suure kiirusega keevitamisel tekib omapärane defekt kahanemisrabedus. Defektsed kohad asuvad teineteisest keevitusvanni pikkusega võrduval kaugusel ja on 2 ... 3 mm sügavused. Arvatakse, et selline kohtrabedus on seotud metalli ebaühtlase siirdega vanni tagumisse ossa. Keevitumatus. Kokkusulamatusele analoogne, kuid keevitumatus (joon. 2) , milleks nimetatakse kohatist kokkusulamatust keevitavate elementide vahel, õmblus- ja põhimetalli vahel või mitmekihilise õmbluse üksikute kihtide vahel. Joon. 2 Lõikumine. Lõikumiseks nimetatakse põhimetalli paksuse kohtvähenemist õmbluse serval, mis esineb sagedamini nurkõmbluse ja mitmekihilise õmbluste esimese kihi keevitamisel
OTMK referaat Co2 ehk traatkeevitus Koostaja: Juhendaja:Heino Kannel 2014 aasta. Sisukord: 1.üldiselt keevitamisest 2.üldiselt keevitamisest 3.elektroodkeevitus 4.traatkeevitus inertgaasi keskkonnas 5.traatkeevitus aktiivgaasi keskkonnas 6. Keevitus sulamatu elektroodiga inertgaasi keskkonnas 7.gaaskeevitus 8.teraste keevitatavus 9.keevitusasendite markeering ja tüübid 10.MIG keevituse tööpõhimõte 11.käpa ettevalmistamine 12.keevitusaparaadi ettevalmistamine keevitamiseks 13.traadi etteandmine 14.kaitsegaasi valik 15.keevitamine 16.keevitusdefektid 17. Keevituse ettevalmistuses on oluline 18. Keevituse töövõtetes tuleks silmas pidada 19.ohutus keevitamisel Üldiselt keevitamisest: Keevisliide on kahest või enamast detailist koosnev keevitamise abil koostatud ...
Teema 4. Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed Käesolev tekst on osa abistavast j a täiendavast loengumaterj alist dots. Mihhail Pikkovi loengukonspekti j uurde õppeaines "Elektroonika alused". M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf; lk. 8...10 ja 42...51): - Valgusdiood - Fotodiood - Fototakisti - Fototransistor - Fototüristor - Optronid - Infoesitusseadmed: elektronkiiretoru, vedelkristallpaneel, plasmapaneel, elektroluminestsentspaneel Käesoleva teksti sisujaotus: 4.1 Optoelektroonika mõiste ja sinna kuuluvate seadiste liigitus 4.2 Valgustundlikud seadised 4.2.1 Fotoefekti liigid 4.2.2 Sisefotoefektil põhinevad seadised 4.2.2.1 Fototakisti 4.2.2.2 Fotodiood 4.2.2.3 Fototransistor 4.2.2.4 Fototüristor 4.2.3 Välisfotoefektil põhinevad seadised 4.2.3.1 Vaakuumfotoelement e. fotorakk 4.2.3.2 Fotokordisti 4...
korda suuremad kui metallidel. Pooljuhte kus on ülekaalus elektronjuhtivus nim n- pooljuhtideks. pooljuhte kus valdavaks on aukjuhtivus nim p- pooljuhtideks. Pooljuht dioodid-Pooljuht dioodid e. pooljuhtventiiliks on pooljuhtkristall, kus on loodud auk-ja elektronjuhtivusega piirkonnad ning nende puutepinnal asuv tõkkekiht ehk pn- siire. Pooljuhtventiil on selgelt ühesunalise juhtivusega. Pooljuhttrioodid e. transistor-Transistor on kahe pn- siirdega kristall. Sõltuvalt juhtivustüübist on kas p-n-p tüüpi või n-p-n tüüpi transistorid. Transistori keskmist osa nim baasiks, äärmisi osasid vastavalt emiteriks ja kollektoniks. Türistorid-Türistoriks nim tüüritavat pooljuhtventiili, kus nelja vaheldumisi oleva p ja n piirkonna vahel asub lolm pn-siiret. Türistoril on kolm elektroodi: -anood A -katood K -juhtelektrood JE Elektrolüüs, Faraday seadused-Ained milles elektrivool põhjustab keemilisi muutusi, nim teist
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
