n,l,m ja s oleksid samad. Kiip: pooljuhtplaadike, millesse on tehtud palju väikseid transistoreid koos takistite, kondesaatorite jm. Transistor: pooljuhtseadis elektrisignaalide võimendamiseks, muundamiseks ja genereerimiseks. Selle abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali. Kui valgusdioodi läbib pärivool, hakkavad need valgust kiirgama: siirdealas kohtuvad elektronid ja augud taasühinevad rekombineeruvad. Pooljuhtdioodid: alaldid, ventiilfotoelemendid nt. päikesepatareid. Päripinge: elektrivoolu pinge elektronide liikumise vastassuunas. Takistuse ülekanne tähendab: ühele siirdele rakendatud signaalpingega saab reguleerida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget.
Dioodid Diood Diood on elektroonikas kasutatav komponent, mille eesmärk on tagada vaid ühesuunaline elektrilaengute liikumine. Põhimõtteliselt lubab diood elektrivoolul liikuda ühes suunas, aga takistab selle liikumist teises suunas. Dioodi võib seega ette kujutada tagasilöögiklapi elektroonilise analoogina. Ajalugu Elektronlamp ja pooljuhtdioodid arenesid paraleelselt. Elektronlamp dioodi põhimõtte avastas Frederick Guthrie 1873. aastal ning aasta hiljem avastas Saksa teadlane Karl Ferdinand Braun pooljuhtdioodide tööpõhimõtte. Thomas Edison taasavastas 1880. aastal elektronlamp dioodi tööpõhimõtte ning patenteeris selle 1883 aastal , kuid ei arendanud ideed edasi. Braun patenteeris pooljuhtalaldi 1899 aastal. Sir Jagdish Bose jätkas Brauni avastatud dioodi uurimist
Õppeaine SKK0121 ”Elektroonika alused” Eksamiküsimused 1. Elektroonika passiivelemendid 2. Elektrolüütkondensaatorid 3. Transformaatorid 4. Alaldav pn-siire (tekkimise tingimus) 5. Bipolaartransistorid (tööpõhimõte) 6. Darlington´i lülitus (liittransistor) 7. Formeerkanaliga MOP väljatransistor 8. Indutseerkanaliga (n-tüüpi) MOP-transistor 9. Indutseerkanaliga väljatransistor 10. Pooljuhtdioodid 11. Stabilitron 12. Türistor (ehitusskeem, pinge-voolu karakteristikud) 13. Väljatransistoride liigitus (koos tingmärkidega) 14. Elektronkiiretoru 15. Optronid 16. Optronid. Kõige kiiretoimelisem optron 17. Valgusdioodid 18. Vedelkristallpaneel. Eelised, puudused. 19. Resistiivne pingejagur 20. Bipolaartransistori töö lüliti režiimis 21. Bipolaartransistori väljundkarakteristikud ÜE-lülituse jaoks 22. Emitterijärgija. (skeem, pingevõimendustegur) 23
Tallinna Tehnikaülikool Elektriajamite ja Jõuelektroonika instituut Üliõpilane: Rait Rääk Teostatud: 21.02.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 1 OT Pooljuhtdiood Töö eesmärk: Töövahendid: Pooljuhtdioodi pinge-voolu Diood, toiteallikas, potentsiomeeter, tunnusjoone määramine ja selle ampermeeter, voltmeeter. kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Pooljuhtdioodid on kahe väljastusega ühe pn- siirdega elektronseadised. Nende valmistamisel kasutatakse lähtematerjalina räni germaaniumi või galliumarseniidi monokristalli, kus lisandite kontsentratsioon ei tohi ületada 10-8 %. Dioode liigitatakse siirde kuju ja mõõtmete järgi punkt- ja pinddioodideks. Punktdioodidel on avaldava kontakti mõõtmed samas suurusjärgus siirde paksusega, pinddioodidel on aga s...
REFERAAT Dioodid Tallinn 2009 SISUKORD 1) Ajalugu 2) Diood 3) Dioodi skeemitähis 4) Olulised parameetrid 5) Dioodi sugulased 6) Jaotus AJALUGU Elektronlamp ja pooljuhtdioodid arenesid paraleelselt. Elektronlamp dioodi põhimõtte avastas Frederick Guthrie 1873 aastal ning juba aasta hiljem avastas Saksa teadlane Karl Ferdinand Braun pooljuhtdioodide tööpõhimõtte. Thomas Edison taasavastas 1880 aasta 13. veebruaril elektronlamp dioodi tööpõhimõtte ning patenteeris selle 1883 aastal (U.S. Patent 307,031), kuid ei arendanud ideed edasi. Braun patenteeris pooljuhtalaldi 1899 aastal. Sir Jagdish Bose
- Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel 3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK 3.4.3 Bipolaartransistoride põhiparameetrid ja liigitus 3.4.4 Isoleeritud paisuga bipolaartransistor 3.4.5 Liittransistor 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid 3.5.1 pn-väljatransistor 3.5.2 MOP-transistorid 3.5.3 Väljatransistoriga võimendusastmed 3.6 Türistorid 3
tekib valge joon tähistamaks osakeste teed. Ionisatsioonikamber teatud väljatugevusest hakkavad nad gaasi neutraalsete osakestega nii tugevasti põrkuma, et vabanevad uued laengud. Ei näita küll osakeste täpset teed, vaid registreerib nende läbilennu. Triivkamber ioonid tõmmatakse elektrivälja abil kambri põhja asetatud traatvõrgustikule. Pooljuhtkamber tuhanded pooljuhtdioodid, mille pingestatud siirdes tekib ioniseeriva osakese läbilennul lühike vooluimpulss. 12.Vaadeldud fundamentaalosakeste ja vastastikmõju süsteem kannab standardmudeli nime. Kujunes välja seoses c-kvargi ja leptoni avastamisega, t kvark samuti. Leidmata on veel Higgsi osake. Praegu otsib teadus edasi, et seletada standardmudeli põhiparameetreid: võimalikke uusi osakesi. 1931 ehitati esimene kiirendi.
Ahelas on siis nõrk vool. Fototakisti valgustamisel selle takistus väheneb ja vool suureneb. Fototakisteid kasutatakse signalisatsiooniseadmetes ja fotoreleedes; infrapunase kiirguse tehnikas öise vaatluse seadmetes ja soojuspeilingaatorites. Tensotakistid: Tensotakisti on pooljuhtseadis, mille takistus sõltub deformatsioonist. Tensotakisteid kasutatakse väikeste deformatsioonide mõõtmiseks ja rõhuandurites.. 33. Pooljuhtdioodid. Alaldusdiood: Pooljuhtdiood on ühe pn-siirdega ja kahe metallväljaviiguga pooljuhtseadis. Ühesuunalise elektrijuhtivuse tõttu kasutatakse dioode alaldites ja kõrgsagedusdetektorites. Dioodid valmistatakse põhiliselt ränist või germaaniumist. Ideaalse dioodi pärisuuna takistus on null ja vastusuuna takistus lõpmatult suur ehk päripingelang ja vastuvool on võrdsed nulliga. Diood juhib hästi ühes suunas (pärisuunas) ja halvasti teises suunas (vastusuunas)
ELEKTROSTAATIKA 1)Elektrilaeng ja -väli Elektrileng(+elementaarlaeng) ja laengu jäävuse seadus(+valem, näide) Elektrilaeng on mikroosakese fundamentaalne omadus, mis iseloomustab osakeste võimet avaldada erilist (elektrilist) mõju ja ka ise alluda sellele mõjule. Elementaarlaeng on 1,6*10-19 C Elektriliselt isoleeritud süsteemis (s.o. süsteemis, kuhu ei tule elektrilaenguid juurde ja kust neid ei lahku) on elektrilaengute algebraline summa jääv. q1+q2...+qn=const Elektriväli(välja kujutamine jõujoontega/joonis) Elektriväli-Laengu elektriväli on materiaalne objekt, ta on ruumiliselt pidev ja võib mõjutada teisi elektrilaenguid." Elektrivälja tugevus(valemid ja mõõtühikud) Elektrivälja tugevus = väljapunkti asetatud ühiklaengule (q 0=1C) mõjuv jõud 2)Elektriväli aines-dielektrikud Polaarne ja mittepolaarne dielektrik, dielektrikd välises elektriväljas(joonis) Mittepolaarse dielektriku aatomid (molekulid)...
docstxt/125482860476476.txt
FÜÜSIKA EKSAMI KONSPEKT 1. Elektrivälja olemus ja omadused. Elektriväli ümbritseb laetud kehi. Elektriväli on vektorväli, elektrivälja tugevus on vektoriaalne suurus. Elektrivälja tugevust määratakse positiivse proovilaenguga. 2. Elementaarlaeng. Elektromagnetiline vastasmõju on seotud elektrilaenguga, mida on kahte liiki (+ ja -), mille algebraline summa elektriliselt isoleeritud süsteemis ei muutu ja mis saab olla vaid elementaarlaengu täisarvkordne. 1C (1 kulon) on laeng, mis läbib juhi ristlõiget sekundis, kui voolutugevus on 1 A (amper). 3. Laengute jäävuse seadus. Elektriliselt isoleeritud süsteemis on igasuguse kehadevahelise vastasmõju korral kõigi elektrilaengute algebraline summa jääv. Laengud tekkivad ja kaovad alati paarikaupa s.t. samasuured positiivne ja negatiivne laeng korraga. 4. Coulomb´i seadus. Kaks punktlaengut mõjutavad teineteist jõuga, mill...
fotoreleedes; infrapunase kiirguse tehnikas öise vaatluse seadmetes ja soojuspeilingaatorites. e) Tensotakisti on pooljuhtseadis, mille takistus sõltub deformatsioonist. Tensotakisteid kasutatakse väikeste deformatsioonide mõõtmiseks ja rõhuandurites. Kõiki eelnevalt kirjeldatud takisteid võib kasutada nii alalis- kui ka vahelduvvooluahelates. Igal takistil on lubatud võimsus: P = UI Pmax . 34) Pooljuhtdioodid. 35) Fototakistid, tensotakistid, varistorid vaata pooljuhttakistid 36) Stabilitronid - Stabilitron on eritüüpi ränidiood, mis töötab läbilöögipingega võrdse vastupingega ja hoiab temaga paralleelselt ühendatud koormusele rakendatud toitepinge või koormusvoolu muutumisel sellele mõjuva pinge peaaegu muutumatuna. Stabilitroni läbilöögipinged, mis on stabiliseerimispingeks, on vahemikus 2,4 kuni 91 V. Stabilitroni
...............6 1.4. P-N siirde omaduste sõltuvus temperatuurist (Temperature Effects) ......................................................................8 1.5. P-N-siirde omaduste sõltuvus sagedusest................................................................................................................. 9 1.6. P-N-siirde läbilöök (Breakdown)..............................................................................................................................9 2. POOLJUHTDIOODID (Diodes)....................................................................................................................................11 2.1. Pooljuhtdioodide liigid ............................................................................................................................................11 2.2. Alaldusdioodid (Rectifier Diode)............................................................................................................................11 2.3
tüüpi lisandi kontsentratsioonist. See tähendab, kui ülekaalus on juhtivuselektronid, siis on pooljuht n-tüüpi, kui aga ülekaalus on augud, siis on pooljuht p-tüüpi. Pn-siirde e tõkekiht on spetsiaalse tehnoloogilise protsessiga saadud p-juhtivusega pooljuhi ja n-juhtivusega pooljuhi piirikiht. Pn- siirdel on ventiili omadus-ta laseb hästi läbi voolu ühes suunas, kuid ei tee seda teises suundas. Pn siiret saab difuteerimise alusel. 41. Pooljuhtdioodid. Aladusdioodid: parameetrid, pinge-voolu tunnusjoon Pooljuhtdiood on ühe pn-siirdega ja kahe väljega pooljuhtseadis. Ehitus:kujundatud pn-siire varustatakse kahe väljega ja elektroodidega ning paigutatakse hermeetilisse kesta, mis kaitseb teda niiskuse eest. Alaldusdiood on ettenähtud madalasagedusliku vahelduvvoolu muundamiseks pulseerivaks alalsivooluks. Kasutatakse peamiselt ränipinddioode. Valmistatakse kahest dioodist koosnevaid komplekte, ühesuguste
Schotky siiret kasutatakse kaasajal laialdaselt mitmeks otstarbeks nn. Schottky dioodides. Võrreldes teiste siiretega on tema eripäraks väiksem avanemispinge nii, et pärisuuna pingelanguks kujuneb 0,2...0,7 V. Samuti on väike siirde mahtuvus ja vastusuunatakistuse taastumiskestus. Lubatavad vastupinged on väiksemad ja vastuvool suurem kui p-n-siirdel. ELEKTROONIKAKOMPONEND1D lk.27 JOONIS 4.15 5. POOLJUHTDIOODID 5.1. Pooljuhtdioodide liigid Poojuhtdioodid on pooljuhtseadised, mille põhiosaks on pooljuhtkristalli tekitatud p-n-siire, mis on varustatud eri osadega ühendatud viikudega ja paigutatud standardsesse kesta. Kest võib olla kas klaasist, plastist või metallist. Metallkesti kasutatakse reeglina suurevoolulistel dioodidel ja tavaliselt on see parema jahutuse võimaldamiseks ühendatud dioodi katoodiga. Kasutusel on olnud erinevaid dioodide liigitusi, praegu on enamlevinud dioodide
6 pingete juures enamasti üheaegselt põrkeionisatsiooniga. JOONIS 1.12 Kuna temperatuuri tõustes suureneb vastuvool, siis suureneb ka põrkeionisatsiooni tõenäosus ja selle tulemusena temperatuuri tõusuga läbilöögipinge väheneb. Kuna läbilöögi puhul esinevad voolud võivad olla küllaltki suured, siis kaasneb läbilöögiga ka enamasti siirde hävimine. 12 2. POOLJUHTDIOODID (Diodes) 2.1. Pooljuhtdioodide liigid Pooljuhtdioodid on pooljuhtseadised, mille põhiosaks on pooljuhtkristalli tekitatud P-N- siire, mis on varustatud eri osadega ühendatud viikudega ja paigutatud standardsesse hermeetilisse kesta. Kest võib olla kas klaasist, plastist või metallist. Metallkesti kasutatakse reeglina suurevoolulistel dioodidel ja tavaliselt on see parema jahutuse võimaldamiseks ühendatud dioodi katoodiga.
Impulsstrafol transformeeritava impulsi ning selle esi- ja tagakülje kestus. 21 Trafode südamikud enamasti elektrotehnilisest terasest, millel on suur magnetiline läbitavus ja väike teraseskadu. Väikese võimsusega sobitus- ja impulsitrafode südamikud tehakse permalloist (nikli ja raua sulam). Kõrgsagedus-sidestustrafode ja impulsitrafode südamikud valmistatakse ferriidist. 22 3. Pooljuhtseadised Pooljuhtdioodid. Elektron negatiivse laengu kandja. Auk positiivse laengu kandja. IV Ge, Si; V As, P; III Al, Bo .............................................. Pooljuhtdiood 23 Protsessid pooljuhtdioodis, kui välispinge puudub: PP>>nn l0 siirde laius nnPn = Ppnp = Pini
27 CMOS ja- ja või-elemendid – CMOS-i tehnoloogias on lihtsaim ei-element, järgnevad ja-ei ning või-ei-element. Ja- ning või-elemendi valmistamiseks tuleb ja-ei ja või-ei-elemendi väljundisse lisada täiendav ei-element. Bipolaarsed tehnoloogiad – kasutatakse bipolaarseid dioode ja transistoreid, kus voolujuhtiva kanali moodustavad nii pMOS kui ja nMOS pooljuhid. Dioodloogika – passiivsed pooljuhtdioodid. Väikeste pingete ja vooludega ei saa juhtida suuri pingeid ja voole, mis omakorda raskendab loogika nivoode korrigeerimist, kui madal/kõrge nivoo läheb liiga kõrgeks/madalaks. Piiratud on ühe elemendi väljundisse ühendatavate järgmiste loogikaelementide arv Diood-transistor-loogika – eelmise tehnoloogia edasiarendus, kus pooljuhtdioodidele on lisatud bipolaarsed transistorid eelnevate puuduste kaotamiseks.
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
