nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks (drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Bipolaartransistoridel vastavad neile emitter, baas ja kollektor. Neljas elektrood on alus (body, base; puudub pn-siirdega väljatransistoridel), mis enamasti lätte külge ühendatakse. Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just
After primary breakdown, the transistor can operate, but the secondary breakdown destroys the transistor completely.As a result, a narrow safe operating area is the remarkable disadvantage of the transistor. If Pin = Pout, the efficiency is approx. equal to: 25% 50% 75% 100% How many electrons a silicon atom has? 8 14 24 32 Ticket No4 1,2)A:Junction Field-Effect Transistor (JFET) output characteristic.B:Input curve of a JFET.C:Transconductance curve of Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor(Depletion mode-MOSFET).D:Input curve of enhancement-mode MOSFET. 3)JFET:MOSFET:Enh-modeMOSFET: 4)JFET:Lower lead is called source, and the upper lead is the drain.To produce a JFET,two areas of a p-type semiconductor into the n-type semiconductor have been diffused.Each of these p regions is called a gate.Most JFETs have the two gates joined internally to achieve a
koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (TRANSfer resISTOR). 26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused
................................ 4 1.8.Stabilitron ja selle kasutamine..............................................................................5 1.9.Varikap.................................................................................................................5 1.10.Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid...........................5 1.11.Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid................................6 1.12.Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor)..........................................................6 1.13.Mis on türistor?.................................................................................................. 7 1.14.Fotoresistor.........................................................................................................7 1.15.Fotodiood........................................................................................................... 7 1.16.Päikeseelement......
........................................................................................................43 5. VÄLJATRANSISTORID...............................................................................................................................................44 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid ........................................................................................................................ 44 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48 5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ..................................................
1.18 transistori korral peab seega emitter olema baasi suhtes pingestatud negatiivselt ja kollektor positiivselt. Selleks, etläbi saada ühe pingeallikaga, anname emitterile nullpotentsiaali ühendades ta läbi takistuse RE maaga ja anname baasile pingejaguri R1-R2 abil positiivse pinge. Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R2 kondensaator (joon.1.18). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse transistori sisendtunnusjoonelt. JFET (pn-nsiirdega) väljatransistor töötab teatavasti vaesustusreziimis ja ka formeeritud kanaliga F-MOS transistoril on enamkasutatav reziim vaesustusreziim. Sellise reziimi saamiseks tuleb n-kanaliga transistori paisul anda lätte suhtes negatiivne pinge. Paisu muutmiseks vajalikul määral lätte suhtes negatiivsemaks võiksime kasutada täiendavat alalispinge allikat, kuid see muudaks lülituse keerukaks. Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1
väljundsignaalis kordsete sagedustega harmoonikud, millel wn = n * w, kus n = 2, 3, ... . Harmoonikute amlituudide A2, A3, ..., A n kaudu saab mittelineaarmoonutusteguri esitada kujul sqrt(A22 + A32 + ... + A n2) M= A1 kus A1 on signaali w amplituuud. [vaata | 14. pn-siirdega tüüritav väljatrans (JFET). muuda] Ehitus ja tööpõhimõte. Kanali ahendamine paisupinge abil. Pingestamiseks vajalikud vooluallikad, nende polaarsus. Kanali voolu sõltuvus paisupingest. Tõusu definitsioon ja ühikud. Väljundtunnusjooned. Ühise lättega võimenduastme skeem. Väljatransistor on transistori tüüp, kus läbivat voolu tüüritakse sisendpingega. JFET-s (Junction Field Effect Transistor) ehk pn-siirdega väljatransistoris
Alaldava siirde tekkimise tingimus Alaldava siirde tekkimise tingimus Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. Väljatransistoride liigitus Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). MOSFET: paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO 2 kiht. MOSFET transistorid jagunevad formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas n- või p-kanaliga. 3. 2xT sild (ASK ja FSK) ASK-amplituudi sag. Karak. – süsteemi väljund sisendpinge amplituudide suhte sõltuvus sagedusest f (nurksagedusest ω). FSK- faasi sag
tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruktsiooni skeemi st Metal- Oxide-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu
väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks {gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid P-N siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga väljatransistirideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruksiooni-skeemist Metal-Oxid-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist)
JBE Jump if Below or Equal JC Jump if Carry set JCA Java Cryptography Architecture JCE Java Cryptography Extension JCL Job Control Language JDBC Java Database Connectivity JDF Job Description format JDK Java Development Kit JDSL Java Data Structures Library JE Jump if Equal JEDEC Joint Electronic Devices Engineering Council JEIDA Japanese Electronics Industry Development Association JEPI Joint Electronic Payment Initiative JES Job Entry System JFC Java Foundation Classes JFET Junction Field Effect Transistor JFIF JPEG File Interchange Format JFS Journaled File System [IBM] JG Jump if Greater JGE Jump if Greater or Equal JHUAPL Johns Hopkins University Applied Physics Laboratory JIPS JANET Internet Protocol Service JIT Just-In-Time (compiler) JL Jump if Less JLE Jump if Less than or Equal to JLIP Joint Level Interface Protocol JMAPI Java Management Application Program Interface J2ME Java 2 Platform Micro Edition
FET väljatransistor SO sümmeetriline optimum FOC väljaorienteeritud juhtimine SVM vektorjuhtimine G giga = 109 (eesliide) V volt GTO suletav türistor VDC alalisvoolu volt H henri VFC pinge-sageduse juhtimine Hz herts VSI pingevaheldi IGBT isoleeritud paisuga bip. transistor W vatt JFET pn-väljatransistor ZCS nullvoolulüliti k kilo = 103 (eesliide) ZVS nullpingelüliti LPF madalpääsfilter mikro = 10-6 (eesliide) m milli = 10-3 (eesliide) oom 7 Sissejuhatus
annaabi.ee 
