Transistorid Mis on Transistor Transistor on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistorite Erinevus Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist ...
How many electrons a silicon atom has? 8 14 24 32 Ticket No4 1,2)A:Junction Field-Effect Transistor (JFET) output characteristic.B:Input curve of a JFET.C:Transconductance curve of Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor(Depletion mode-MOSFET).D:Input curve of enhancement-mode MOSFET. 3)JFET:MOSFET:Enh-modeMOSFET: 4)JFET:Lower lead is called source, and the upper lead is the drain.To produce a JFET,two areas of a p-type semiconductor into the n-type semiconductor have been diffused.Each of these p regions is called a gate.Most JFETs have the two gates joined internally to achieve a single external gate lead, tuhus the device acts, as though it has only a single gate.In JFET the gate-source diode is always reverse biased.Because of this, only a very small reverse current can exist in the gate lead. Depletion-modeMOSFET: Figure shows a structure and a way to bias an n-channel
25. Transistori töötamise põhimõte ja liigid. Selgitav joonis. Skeemitähised 26. Väljatransistori töötamise põhimõte ja liigid.SAMA TEEMA^^^. 27. Eri liiki võimendusastmete skeeme. 28. ühise baasiga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on alfa? 29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta? 30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused. 31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga 32. Vaakum-fotoelement. Ehitus ja tööpõhimõte 33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid. 37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus. 38.Arvutada Zener-dioodiga pingestabilisaator. 39.Ühise emitteriga pingevõim...
................................. 4 1.8.Stabilitron ja selle kasutamine..............................................................................5 1.9.Varikap.................................................................................................................5 1.10.Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid...........................5 1.11.Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid................................6 1.12.Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor)..........................................................6 1.13.Mis on türistor?.................................................................................................. 7 1.14.Fotoresistor.........................................................................................................7 1.15.Fotodiood........................................................................................................... 7 1.16.Päikeseelement.......
Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1.19), ühendades ta läbi takistuse maaga, ja seejärel muudame pingelangu abil takistusel RS lätte vajalikul määral positiivsemaks. JOONIS 5.9 Vältimaks takistusel RS pingelangu signaalisagedusel, lülitatakse takistusega paralleelselt kondensaator CS, mille kaudu hakkab kulgema vahelduvvooluline signaal. Takistus RG ühendab Paisu G maaga., JFET RD U A D G A S
1.18 transistori korral peab seega emitter olema baasi suhtes pingestatud negatiivselt ja kollektor positiivselt. Selleks, etläbi saada ühe pingeallikaga, anname emitterile nullpotentsiaali ühendades ta läbi takistuse RE maaga ja anname baasile pingejaguri R1-R2 abil positiivse pinge. Vältimaks baasi pinge muutsi baasi voolu muutustest, ühendatakse paralleelselt takistusega R2 kondensaator (joon.1.18). Lähtetööpunktiks vajalik pinge leitakse transistori sisendtunnusjoonelt. JFET (pn-nsiirdega) väljatransistor töötab teatavasti vaesustusreziimis ja ka formeeritud kanaliga F-MOS transistoril on enamkasutatav reziim vaesustusreziim. Sellise reziimi saamiseks tuleb n-kanaliga transistori paisul anda lätte suhtes negatiivne pinge. Paisu muutmiseks vajalikul määral lätte suhtes negatiivsemaks võiksime kasutada täiendavat alalispinge allikat, kuid see muudaks lülituse keerukaks. Enamlevinud on võte, kus paisule antakse null pinge (joon.1
[vaata | 1. Füüsikaliste suuruste mõisted, definitsioonid ja ühikud muuda] Voolu töö ja võimsus. Joule-Lenzi seadus. Potentsiaal ja pinge. Elektriväli, suund ja tugevus. Voolu tugevus ja tihedus. Takistus, selle sõltuvus juhi mõõtmetest. Eritakistus. Laeng ja mahtuvus. Induktiivsus. Vooliuallika elektromotoorjõud, lühisvool ja sisetakistus. Voolu töö ja võimsus. Voolu töö on võrdeline voolutugevusega I, pingega U juhi otstel ja ajaga t. [ J ] Võimsus on ajaühikus tehtud töö. [ W ] A p= t Joule-Lenzi seadus. Joule-Lenzi seadus : elektrivoolu toimel juhis eralduv soojushulk Q on võrdeline voolutugevuse I ruuduga, juhi takistusega R ja voolu kestusega t ning ku...
Pilet 1. 1. Valgusdioodid Valgusdiood on pn-siirdega diood, mis muudab elektrienergiat optiliseks kiirguseks tavaliselt spektri nähtavas või infrapunases osas. Teatud ainete kristallis moodustatud pn-siirde päripingestamisel (pluss p-kihil) injekteeruvad augud n-kihti ning elektronid vastassuunas. Need injekteerunud augud ja elektronid rekombineeruvad pn-siirdes ja selle läheduses vastasmärgiliste laengukandjatega ning osa vabanevast energiast eraldub kiirgusena. Kuna p-kiht on kõigest mõne mikromeetri paksune, siis väljub kiirgus kristallist. Kiirguse värvuse määrab pooljuhtmaterjali koostis. Toodetakse ka kahevärvilise kiirgusega valgusdioode. Nendel on tavaliselt kaks eri materjalist siiret ja kolm viiku. Siirdeid läbivate voolude muutmise teel saab siis valida mitmeid värvivarjundeid, näiteks punase ja rohelise korral punakaskollasest kollakasroheliseni. Valgusdioode valmistatakse peamiselt galliumarseniid-fosfiidist. Valguse lainep...
Uudo Usai ELEKTROONIKA KOMPONENDID Elektroonika alused TPT 1998 ELEKTROONIKAKOMPONEND1D lk.1 SISSEJUHATUS Kaasaegsed elektroonikaseadmed koosnevad väga suurest hulgast elementidest, millest on koostatud vajaliku toimega lülitused. Otstarbe tähtsuselt jagatakse neid elemente põhi-ja abielementideks. Põhielementideks on need, milleta pole lülituste töö võimalik. Abielementideta on lülituste töö küll võimalik, kuid nendest sõltuvad suuresti seadme tarbimisomadused. Põhielemendid jagunevad omakorda passiiv- ja aktiivelementideks. Passiv- elementideks on takistid, kondensaatorid ja induktiivpoolid, aktiivelementideks dioodid, transistorid ja integraallülitused. Abielementideks on pistikud, ümberlülitid, klemmliistud, mitmesugused konstruktsioonelemendid jne. Käeso...
ELEKTROONIKA ALUSED Elektroonikaseadmete koostaja erialale 2007 SISUKORD ........................................................................................................................................... 24 I...................................................................................................................................... 25 U2.................................................................................................................................. 25 ........................................................................................................................................... 25 VD2................................................................................................................................ 25 ...
A... AA Auto Answer AAA Authentication, Authorization and Accounting AAB All-to-All Broadcast AAC Advanced Audio Coding AACS Advanced Access Control System AAL Asynchronous Transfer Mode Adaption Layer AAM Automatic Acoustic Management AAP Applications Access Point [DEC] AARP AppleTalk Address Resolution Protocol AAS All-to-All Scatter AASP ASCII Asynchronous Support Package AAT Average Access Time AATP Authorized Academic Training Program [Microsoft] .ABA Address Book Archive (file name extension) [Palm] ABAP Advanced Business Application Programming [SAP] ABC * Atanasoff-Berry Computer (First digital calculating machine that used vacuum tubes) ABEND Abnormal End ABI Application Binary Interface ABIOS Advanced BIOS ABIST Automatic Built-In Self-Test [IBM] ABLE Adaptive Battery Life Extender + Agent Building and Learning Environment [IBM] ABM Asynchronous Balanc...
3 ELEKTRIAJAMITE ELEKTROONSED SÜSTEEMID 4 Valery Vodovozov, Dmitri Vinnikov, Raik Jansikene Toimetanud Evi-Õie Pless Kaane kujundanud Ann Gornischeff Käesoleva raamatu koostamist ja kirjastamist on toetanud SA Innove Tallinna Tehnikaülikool Elektriajamite ja jõuelektroonika instituut Ehitajate tee 5, Tallinn 19086 Telefon 620 3700 Faks 620 3701 http://www.ene.ttu.ee/elektriajamid/ Autoriõigus: Valery Vodovozov, Dmitri Vinnikov, Raik Jansikene TTÜ elektriajamite ja jõuelektroonika instituut, 2008 ISBN ............................ Kirjastaja: TTÜ elektriajamite ja jõuelektroonika instituut 3 Sisukord Tähised............................................................................................................................
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
