Elektroonika alused kordamisküsimused (3)

25. Transistori töötamise põhimõte ja liigid. Selgitav joonis. Skeemitähised
26. Väljatransistori töötamise põhimõte ja liigid.SAMA TEEMA^^^.
27. Eri liiki võimendusastmete skeeme .
28. ühise baasiga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on alfa?
29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta?
30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused.
31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga
32. Vaakum- fotoelement . Ehitus ja tööpõhimõte
33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte.
34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus.
35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil.
36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid .
37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus.
38.Arvutada Zener -dioodiga pingestabilisaator.
39.Ühise emitteriga pingevõimenduastme lihtsustatud arvutus.
40. Kuidas saaks transistorastme tööpunkti fikseerida ? Kaks skeemi, nende omadused.
41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused.
42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^
43.Mis on lõikenurk ja võimenduse klassid ? Milliseid võimenduse klasse on?
44. Sobitustrafo ja selle ülesanne . Kuidas arvutatakse sobitustrafo ülekandetegurit?
45. Mis on positiivne ja mis on negatiivne tagasiside? Nende omadused. Tagasisidetegur ja tagasiside sügavus. Tagasisidestatud võimendi võimendusteguri valem.
VASTUSED YO
25. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks
p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine
aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n
Tööpõhimõte : väikese
takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu
samasuurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatud
koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda
ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. ( TRANSfer resISTOR).
26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks ( MOSFET ).
27. Ühise baasiga:
Ühise emitteriga:
Emitterjärgija:
28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st.
Isis = IE :
Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic
Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte-lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde takistus) ja suur väljundtakistus. Mainitud puuduse tõttu on raskusi kirjeldatud lülituses võimendusastmete omavahelise sidestamisega, sest järgneva võimendusastme väikese takistusega sisend koormab tugevalt eelneva võimendusastme
väljundit. Kui sisendpinge muutub ΔUsis võrra, siis emittervool ΔIE võrra ning vastavalt muutvad ka teised voolud . Kooskõlas eelmises punktis toodud valemiga võime kirjutada:
IE + ΔIE = Ic + ΔIC + IB + ΔIB.
Siit järeldub, et
ΔIE = ΔIe + ΔIB
Sisend- ja väljundvoolude muutuste suhet nimetatakse vooluvõimendusteguriks:
29. Ühise emitteriga lülituse korral on sisendvooluks baasi vool, mis on vähemalt sada korda väiksem kui emitteri vool järelikult on sama palju kordi suurem sisend takistus.
Ühise emitteriga lülituses on väljundpinge suhtes järjestikku mõlemad siirded . Nendes kollektorsiire on vastupingestatud ja on seetõttu suure takistusega, emitter-siire on päripingestatud ja väikese takistusega. Seetõttu enamus väljundpingest langeb kollektrosiirdele, kuid väike osa ka emitter-siirdele. See väike osa mõjutab, aga väljundpinge muuutuste korral emitter-voolu ja sealt omakorda kollektorvoolu ja tulemusena on väljundvoolu muutused väljundpinge muutumisel suuremad kui ühise baasiga lülitusel. Järelikult on väiksem ka selle lülituse väljundtakistus. Kuna ühise emitteriga lülitusel sisend- ja väljundtakistused ei ole väga erinevad, siis on see lülitus enamlevinud kolmest vaadeldavast lülitusest.
Kuna sisendvooluks on ühise emitteriga lülituses baasivool, siis muutub ka
vooluvõimendusteguri avaldis :
Avaldame Beeta väärtuse a kaudu.
30. Kui sisendpinge suureneb, siis suureneb emitteri vool, mis on väljundvooluks ja suureneb ka väljundpinge. Seega järgib väljundpinge sisendpinge muutusi ja seda lülitust nimetatakse ka emitterjärgijaks. Sisendtakistus on suur üheltpoolt sellepärast, et emitterahelas on nüüd koormustakistus teiseltpoolt, aga sellepärast, et koormustakistusel tekiv pingelang töötab sisendpingele vastu. See tähendab, kui sisendpinge suureneb ja püüab suurendada sisendvoolu, siis suureneb pingelangu tõttu emitteri pinge püüdes vähendada sisendvoolu. Tulemusena jääb sisendvool väiksemaks kui ühise emitteriga lülitusel ja sisendtakistus on küllalt suur ulatudes kuni 50k-ni. Väljundvool, milleks on emitterivool on märksa suurem sisendvoolust ja see tõttu saadakse nii voolu kui ka võimsuse võimendus. Väljundtakistus on väike suurusjärgus mõnikümmend oomi. Tema vähenemine on seletuv sellega, kollektor on konstantse pinge all ja kõik väljundpinge muutused toimivad emitter-siirdele tuues kaasa tugevaid väljundvoolu muutusi.
3
1. Vaakumdioodi klaaskestas paiknevad kaks elektroodi: katood ja anood . Vaadeldud vaakumdioodi mudelis on anoodiks metallplaat ja katoodiks spiraali keeratud peen traat . Spiraali otsad on ühendatud kahe kandetraadiga, millest kumbki on varustatud väljaviiguga. Kui traatspiraal vooluringi ühendada, hakkab see voolutoimel hõõguma ja kuumeneb kõrge temperatuurini. Elektrivooluga kuumutatavat traatspiraali nimetatakse kütteniidiks. Kui vaakumdiood vooluringi ampermeetriga jadamisi, siis selgub , et vaakumdiood juhib samuti voolu ühes suunas nagu pooljuhtdioodi puhulgi.
32. Läbipaistvast klaasist, mille sisepinna üks osa on kaetud ainega, mis valguse mõjul eraldab elektrone : fotokatood. Analoogne vaakumdioodiga.
33. Fotoelement, milles on lisaks fotokatoodle on lisakatoode, mis emiteerivad sekundaarelektrone. Osavalt valitud pingejaotusel võib iga elektron emiteerida mitu sekundaarelektroni, seega fotovool suureneb.
---------------------
15.Ränidioodi ja germaaniumdioodi elektriliste omaduste võrdlus
Ränidiood kannatab kõrgemat temperatuuri ja tema vastuvool on pea olematu. Puuduseks on suurem päripingelang.
Germaaniumdiood on pehmema karakteristikuga, väiksema päripingelanguga, aga ei talu üle 70 kraadi temp. Temperatuuri tõusmisel niigi märgatav vastuvool suureneb.
21. Mis põhimõttel saaks 1- 3 V pinget stabiliseerida? Kuidas seda dioodi nimetatakse?
Selleks on omad stabilitronid ja võid panna tavadioode pärilülituses järjest. Üks ränidiood annab u. 0,5V.
---------------------