E.V. 000 VÕIMENDI DISAIN Au = 110 Rs = 5300R = 100 = 100 s-1 RS = hie= 5300R Ib = 25mV/hie =0,025/5300 = 0,0047mA Ik = Ib = 0,0047*100 = 0,47mA UCC = Au/20 = 110/20 = 5,5V Uk = Ucc/2 = 2,75V Rk = Uk/Ik =2,75/0,47mA = 5851 = 5,9k Ue = Uk/10 = 2,27/10 = 0,23V Re = Ue/Ik = 0,23/0,47mA = 489 = 490R Ub = Ue + Ube = 0,23 + 0,7 = 0,93V RT = (*Re*hie)1/2 = (100*490*5300)1/2 = 16115 = 16k UT = Ib*RT + Ube + Ik*Re = 0,0047mA*16k + 0,7 + 0,47mA*490 = 0,0752 + 0,7 + 0,2303 = 1V R1 = Ucc/UT*RT = 5,5/1*16k = 88k R2 = RT/(1-UT/Ucc) = 16k/(1-1/5,5) = 19555 = 20k Ce = 10/(*Re) = 10/(100*490) = 204 = 200uF Cs = 1/(*hie) = 1/(100*5300) = 1,89u = 2uF Cv = 1/(*Rk) = 1/(100*5,9k) = 1,69u = 2uF
Transistorid Mis on Transistor Transistor on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistorite Erinevus Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid
o Ambient temperature max70 °C o Power30 VAl o Secondary voltage 9(2x) VAC o Output current 1.67 (2x) a · 4x Diood DO-41 50 V 1 A, 1N4001G o Conducting-state current 1 A o Off-state current 50 µA o Housing type DO-41 o Conducting-state voltage 1.1 V o Peak off-state voltage 50 V · Takisti (2,2 kohm, +/- 5% (punane, punane, punane, kuldne) · Alumiinium elektrolüüt bipolaar kondensaator o Pitch 5 mm o Temperature range -40...+85 °C o Capacitance tolerance ±20% o ø d 0.6 mm o Nominal voltage 16 VDC o ø D 10 mm o Length 16 mm o Capacity 100 µF o Equivalent series resistance 2.26 · Integraal sild W04M 6
) valguse mõjul * Kepikesed (rods): ~100-120 miljonit. Väga tundlikud, must-valge nägemine (ainult 1 liik, reageerivad valgusele vs valguse puudumisele) * Kolvikesed (cones): ~5-7 miljonit. Vähem tundlikud, värvide nägemine. Kolvikesi on 3 liiki, mis reageerivad erinevale valguse lainepikkusele (nähtava valguse lühike, keskmine ja pikk lainepikkus) Bipolaarsed rakud: Saavad info paljudelt fotoretseptoritelt ja annavad selle edasi ganglionirakkudele Ganglionirakud: Saavad info paljudelt bipolaar-rakkudelt ja saadavad selle ajusse (nägemisnärvis ~1 miljon kiudu) Horisontaalsed rakud: Ühendavad paljusid fotoretseptoreid ja võimaldavad ühel retseptorite grupil mõjutada teist Amakriinrakud: Ühendavad paljusid bipolaarrakke ja võimaldavad ühel bipolaarrakkude grupil mõjutada teist Fovea (macula piirkonnas, ~5mm) on teravaima nägemise ala, milles ainult kolvikesed; foveas on reetina õhem– ganglioni-rakud on paigutatud külgede suunas.
· külgmises põlvikkehas ja ajukoores on värvusspetsiifilised rakud VÄRVUSNÄGEMISE TEST http://www.silmatervis.ee/?page_id=299 VÕRKKESTA TSENTRAALLOHK · Võrkkesta allosas on kollatähn (macula lutea) · Kollatähni keskel on võrkkesta tsentraallohk (fovea centralis retinae) · Selles on võrkkesta kihid külgedel ning kolvikesed põhjas Kollatähn · Tsentraallohus võib ühel rakul olla nii bipolaar- kui ganglionirakk · See tagab hea detailse nägemise http://www.brookseyecare.com/index.cfm?fuseaction=eyecyclopedia.main&Criteria=Results&ID=13 NÄGEMISTELG Nägemistelg on kollatähnilt algav ja vaadeldavale esemele suunatud mõtteline joon http://spie.org/x32322.xml Väga kaugel asuva objekti vaatamisel on mõlema silma nägemisteljed paralleelsed Pilgu toomisel lähedale teevad silmad konvergentsliigutuse, s
muundamiseks ja lülitamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. 33. Transistoride liigitus tööpõhimõtte järgi. Lk 103 Punkt ja pindtransistorid. Punkttrans. enam ei tehata nende mitteküllaldase töökindluse tõttu. Liigitatakse emitter-baas, kollektor-baas ja dünaamiline takistus. (lk 103) Kasutuse seisukohalt liigitatakse TR lubatava kollektor hajuvõimsuse ja suurima töösageduse järgi. Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistore valmistatakse pooljuhtivast ränist. Kõrgsageduslike mudelite jaoks on kasutusel ka gallium-arseniid ja teised analoogsed materjalid. 34. Mis on kollektori vastuvool ICBO ja millest ta sõltub? Lk 103 Kollektor-baas ehk ühise baasiga lülituse vooluring on pingestatud pingeallika poolt vastusuunas, mistõttu baas-kollektor p-n-siirde pot.barjäär suureneb. Vool sõltub
Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 22 EL-34 võrepinge ja anoodvool Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 23 Valik raadiolampe Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 24 Transistor · Pooljuhtelement signaalide võimendamiseks, genereerimiseks ja isegi detekteerimiseks. · Leiutati 24.12.1947 Belli laboris: Shockley, Bardeen, Brattain. Lilienfeldtil oli juba 1925 prototüüp · Tööpõhimõtte järgi: bipolaar- ja väljatransistorid. Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 25 Aseskeem ·Bipolaartransi elektroodid: emitter, baas, kollektor ·Sisuliselt nagu 2 otsapidi kokku ühendatud dioodi (vt. aseskeemi) ·Baas-emittersiire alati päripingestatud. Pingelang seega 0,6V => väike sisendtakistus · B-K siire vastupingestatud ·Tüüritakse vooluga ·2 erinevat juhtivusetüüpi NPN ja PNP Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 26
signaalimürade vähendamiseks. Inverteeriv võimendi Joonisel: inverteeriv võimendi Parameetrid 1. Sammuti omab suurt sisendtakistust ja väike väljundtakistus 2. Lisaks signaali võimendamisele teostab ka selle inverteerimist st. Väljundsignaal muutub vastupidises suunas sisendpingele 3. Võimendustegur: A= -RN / R1 Transistorid Bipolaartransistorid. Tööpõhimõte ja liigitus, Tunnusjooned, põhiparameetrid, põhilülitused. *BIPOLAARTRANSISTOR Bipolaar transistor on 2 p-n siirdega pooljuhseadis (diood on 1 p-n siirdega), mida kasutatakse põhiliselt elektriliste pingete voolude võimendamiseks ja signaalide genereerimiseks. Nimetus tuleneb sellest, et tööprotsessist võtavad osa kahte liiki laengukandjad: elektronid ja augud. *BIPOLAARTRANSISTOR ehitus Transistor on pooljuhtseadis millel on ( 2p-n siiret) ( emittersiire ja kollektorsiire). Transistor koosneb kolmest osast, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega ja kolmas
* Kepikesed (rods): ~100-120 miljonit. Väga tundlikud, must-valge nägemine (ainult 1 liik, reageerivad valgusele vs valguse puudumisele) * Kolvikesed (cones): ~5-7 miljonit. Vähem tundlikud, värvide nägemine. Kolvikesi on 3 liiki, mis reageerivad erinevale valguse lainepikkusele (nähtava valguse lühike, keskmine ja pikk lainepikkus) Bipolaarsed rakud: Saavad info paljudelt fotoretseptoritelt ja annavad selle edasi ganglionirakkudele Ganglionirakud: Saavad info paljudelt bipolaar-rakkudelt ja saadavad selle ajusse (nägemisnärvis ~1 miljon kiudu) Horisontaalsed rakud: Ühendavad paljusid fotoretseptoreid ja võimaldavad ühel retseptorite grupil mõjutada teist Amakriinrakud: Ühendavad paljusid bipolaarrakke ja võimaldavad ühel bipolaarrakkude grupil mõjutada teist Fovea (macula piirkonnas, ( )~5mm) on teravaima nägemise ala, milles ainult kolvikesed; foveas on reetina õhem ganglioni-rakud on paigutatud külgede suunas.
Väga tundlikud, must-valge nägemine (ainult 1 liik, reageerivad valgusele vs valguse puudumisele) * Kolvikesed (cones): ~5-7 miljonit. Vähem tundlikud, värvide nägemine. Kolvikesi on 3 liiki, mis reageerivad erinevale valguse lainepikkusele (nähtava valguse lühike, keskmine ja pikk lainepikkus) Bipolaarsed rakud: Saavad info paljudelt fotoretseptoritelt ja annavad selle edasi ganglionirakkudele Ganglionirakud: Saavad info paljudelt bipolaar-rakkudelt ja saadavad selle ajusse (nägemisnärvis ~1 miljon kiudu) Horisontaalsed rakud: Ühendavad paljusid fotoretseptoreid ja võimaldavad ühel retseptorite grupil mõjutada teist Sissejuhatus psühholoogiasse 10 Amakriinrakud: Ühendavad paljusid bipolaarrakke ja võimaldavad ühel bipolaarrakkude grupil mõjutada teist Sissejuhatus psühholoogiasse 11
Kepikesed (rods): ~100-120 miljonit. Väga tundlikud, must-valge nägemine (ainult 1 liik, reageerivad valgusele vs valguse puudumisele) Kolvikesed (cones): ~5-7 miljonit. Vähem tundlikud, värvide nägemine. Kolvikesi on 3 liiki, mis reageerivad erinevale valguse lainepikkusele (nähtava valguse lühike, keskmine ja pikk lainepikkus) Bipolaarsed rakud: Saavad info paljudelt fotoretseptoritelt ja annavad selle edasi ganglionirakkudele Ganglionirakud: Saavad info paljudelt bipolaar-rakkudelt ja saadavad selle ajusse (nägemisnärvis ~1 miljon kiudu) Horisontaalsed rakud: Ühendavad paljusid fotoretseptoreid ja võimaldavad ühel retseptorite grupil mõjutada teist Amakriinrakud: Ühendavad paljusid bipolaarrakke ja võimaldavad ühel bipolaarrakkude grupil mõjutada teist Fovea (macula piirkonnas, ~5mm) on teravaima nägemise ala, milles ainult kolvikesed; foveas on reetina õhem– ganglioni-rakud on paigutatud külgede suunas.
horisontaalsed rakud, fotoretseptorid(kepikesed ja kolvikesed), pigmentepiteel. Pigmentepiteel: reetina läbinud valguse neelamiseks; fotoretseptorid:valgustundlikud rakud, mis annavad pimedas elektrilisi sinaale (kepikesed-must-valge nägemine, kolvikesed- värviline nägemine); bipolaarsed rakud: saavad info paljudelt fotoretseptoritelt ja annavad selle edasi ganglionirakkudele; ganglionirakud: saavad infot paljudelt bipolaar-rakkudelt ja saadavad selle ajusse; horisontaalsed rakud: ühendavad paljusid retseptoreid ja võimaldavad ühel retseptorite grupil mõjutada teist; amakriinrakud: ühendavad paljusid bipolaarrakke ja võimaldavad ühel bipolaarrakkude grupil mõjutada teist. Valguse kiirgusele on kõige vähem tundlik reetina piirkond timetähn! Kõige rohkem tundlik valguse kiirgusele on ~15-20 kraadi nägemisnurga ala ümber fovea Fovea e macula piirkond inimesel teravaima nägemise piirkond-seal piknevad
Väga tundlikud, must-valge nägemine (ainult 1 liik, reageerivad valgusele vs valguse puudumisele) * Kolvikesed (cones): ~5-7 miljonit. Vähem tundlikud, värvide nägemine. Kolvikesi on 3 liiki, mis reageerivad erinevale valguse lainepikkusele (nähtava valguse lühike, keskmine ja pikk lainepikkus) Bipolaarsed rakud: Saavad info paljudelt fotoretseptoritelt ja annavad selle edasi ganglionirakkudele 37 Ganglionirakud: Saavad info paljudelt bipolaar-rakkudelt ja saadavad selle ajusse (nägemisnärvis ~1 miljon kiudu) Horisontaalsed rakud: Ühendavad paljusid fotoretseptoreid ja võimaldavad ühel retseptorite grupil mõjutada teist Amakriinrakud: Ühendavad paljusid bipolaarrakke ja võimaldavad ühel bipolaarrakkude grupil mõjutada teist 38 Fotoretseptorid jaotuvad reetinal ebaühtlaselt 39 Fovea (macula piirkonnas, ~5mm) on
-Nihkepinge UN – diferentsiaalpinge, mis tuleb rakendada OV sisendite vahele, et väljundpinge oleks 0. Nihkepinge muutumist, mida põhjustab temperatuuri muutumine, toitepinge muutus ja komponentide omaduste ajaline ebastabiilsus, nimetatakse nihkepinge triiviks. -Sisendvool Isis – sisendite voolude aritmeetiline keskmine sisendpinge puudumisel. -Sisendtakistus diferentssignaalile Rd sis - ekvivalentne sisendite vaheline takistus nõrga signaali korral. Bipolaar-sisendtransistoridega OV-de R d sis on mõni MΩ. Sisendvool läbi sisendtakistuse on ainult mõni nA. -Sisendtakistus ühissignaalile Rü sis on ekvivalentne takistus sisendi ja 0-klemmi vahel. -Suurimad väljundpinged U+v , U-v – suurim võimalik positiivne ja negatiivne väljundpinge etteantud koormustaktistuse korral. -Ühikvõimenduste sagedus f1 on sagedus, mille korral võimendusteguri moodul on võrdne ühega.
Toodeti vaskoksiid, seleen, väävel-tallium- ja väävelhõbe-ventiilfotoelemente. Elektroonika alused. Teema 4 Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed 7 (43) Pikkov lk 44 Pikkov lk 45 Elektroonika alused. Teema 4 Optoelektroonika elemendid ja infoesitusseadmed 8 (43) 4.2.2.3 Fototransistor Fototransistor on bipolaar- või väljatransistori struktuuriga fotoelektriline seadis, mille väljundvool on tüüritav valgusvooga. Bipolaartransistori poolläbipaistva baasikihi kaudu siirde piirkonda langev valgus suurendab kollektorsiirde vastuvoolu. Suurenenud kollektorsiirde vool toimib baasivooluna, mistõttu resulteeriv kollektorivool suureneb vooluülekandeteguri kordselt. Sellest tulenevalt on fototransistor b » 50...200 korda fotodioodist tundlikum (0,1...0,5 A/lm).
35 3.6. Türistorid 3.6.1 Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor) Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor e. trioodtüristor) on kolme pn-siirdega neljakihiline pooljuhtseadis, mis anoodi A ja katoodi K vahelise päripinge olemasolul pärast tüürelektroodile (juhtelektroodile) G antud tüürvoolu impulssi juhib voolu anoodilt katoodile (joonised 3.28 ja 3.29). Trioodtüristori on võimalik esitada kahe komplementaarse struktuuriga bipolaar- transistori omavahelise ühendusena (joonis 3.28): Joonis 3.28. Türistori struktuuri jaotus kaheks bipolaartransistoriks [4]. Türistori aluseks on ränikristallist plaat või ketas, millel asetsevad vaheldumisi p- ja n- juhtivusega kihid. Anood- ja katoodväljastus on võetud välimistelt pooljuhikihidelt. Trioodtüristori struktuur ja tingmärk on toodud joonisel 3.29. Joonis 3.29. Türistori struktuur ja tingmärk [2].
mistõttu jääb ideaalse vooluallikaga ühendatud koormustakistust läbiv vool püsivaks e. konstantseks, hoolimata selle koormustakistuse või välise toitepinge võimalikust muutumisest. Reaalne püsivooluallikas stabiliseerib voolu seda paremini, mida suurem on tema väljundtakistus tema koormustakistusega võrreldes. Püsivooluallikat võib vaadelda ka pinge-vool-muundurina, mis muundab tema sisendpinge väljundvooluks. Püsivooluallikaid saab konstrueerida bipolaar- ja väljatransistoride ning operatsioon- võimendite baasil. Lihtsa püsivooluallikana võib kasutada püsiva baasipingega emitterjärgijat (joon. 6.27 a), kusjuures koormustakistus (tarbija) Rk on püsivooluallika puhul ühendatud transistori kollektoriahelasse. Tarbijaks on üldjuhul mingi elektroonikalülitus. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 52 Joonis 6.27
kui tarbimise seisukohalt on see vähese tähtsusega. ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk.54 7. VÄLJATRANSISTORID FieldEffect Transistor (FET) 7.1. Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar- transistorist pingega tüüritav element. Seda nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kuna tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate).
transistorid jne. Transistoride omadustel ja tehnoloogial on küll olemas seos, kui tarbimise seisukohalt on see vähese tähtsus 61 5. VÄLJATRANSISTORID Field Effect Transistor (FET) 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar-transistorist pingega tüüritav element. Neid nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kuna tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks {gate).
vähese tähtsus 43 5. VÄLJATRANSISTORID Field Effect Transistor (FET) 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar-transistorist pingega tüüritav element. Neid nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kuna tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks {gate).
liigpingevabasti, 81 nurkdiagramm, 185 lisapinge, 173 operator lülitus Laplace, 140 kerge, 30 optimum raske, 30 eksponentsiaalne, EO, 150 lülitustabel, 126 moodul, MO, 150 mähised, 165 sümmeetriline, SO, 151 modulatsioon otseside, 162 bipolaar pulsilaius, 128 pidurdus faasinihkega, 119 alalisvoolu, 83 kuuepulsiline, 123 kompaund, 83 loomulik, 131 takisti, 82 plokkpinge, 119 pidurdusenergia, 11 pulsi faasi, 92 piirik pulsilaius, PWM, 127 sujuv, 79 regulaar, 131 piirikahel, 77
annaabi.ee 
