Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 2. Kirjeldage lühidalt kahe erineva transistoriliigi tüürimise põhimõttelist vahet Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 3. Loetlege transistori kolm tööreziimi 4. Loetlege bipolaartransistori kolm lülitust ning kirjeldage lühidalt nende lülituste põhiomadusi Ühise baasiga-, emitteri- ja kollektoriga. 5. Nimetage unipolaartransistoride (väljatransistoride) kuus eri liiki Ühise emitteriga-, lättega-, baasiga-, paisuga-, kollektoriga ja neeluga.. 6. Milleks on vajalik bipolaartransistori tööpunkti fikseerimine? Joonistage tööpunkti fikseerimise kaks võimalikku skeemi (baasivoolu määramisega ja baasi-emitteripinge määramisega) Töötades võimendina on oluline, et väljundsignaal oleks võrdeline
Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada. Väljatransistorid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt
PNP transi puhul on kõik täpselt vastupidi. Pinge tuleb anda muidugi mitte otse,sest siis põleb trans heleda leegiga, vaid eeltakisti kaudu. See tähendabki juhtimist VOOLUGA. Mida suurem on baasivool, seda rohkem trans avaneb, järelikult suureneb ka koormuse vool. Väike baasivoolu muutus põhjustab suurt kollektorvoolu muutust -> transistor VÕIMENDAB. Bipolaartransistore annab skeemi ühendada 3-l eri moel: - ühise baasiga lülitus, - ühise emitteriga lülitus, - ühise kollektoriga lülitus. Ühise baasiga lülitus. Omadused: - väike sisendtakistus (30..150), - suur väljundtakistus (0,5M..2M), - vooluvõimendus < 1, - pingevõimendus mõnisada, - sisend ja väljund liiguvad samas taktis (e. faasis). Märkus: saab kasutada näiteks erinevate signaaliallika alalispinge nivoo sobitamiseks järgneva skeemiga, ntx. RS-232-lt üleminek TTL loogikale. Analoogskeemides kasutatakse ntx. kõrg-, ja ülikõrgsagedusvõimendites. Ühise emitteriga lülitus. Omadused:
ELEKTRIAJAMID väikelaevas Alalisvooluajameid käitavad mitmesugused alalisvoolu mootorid Alalisvoolu mootorid · Jagunevad ergutuse järgi: 1. Sõltumatu ergutusega (independent excitation motor) 2. Paralleelergutusega (shunt motor) 3. Jadaergutusega (series motor) 4. Segaergutusega (compound motor) · Kommutaatori olemasolu järgi: 1. Kollektoriga mootorid (NB! on olemas nii alalis- kui ka vahelduvvoolu kollektormootorid) 2. Kontaktivabad alalisvoolu mootorid (püsimagnetiga rootor, staatorimähistele antavat pinget kontrollib keerukas kaasaegne jõuelektroonika) Alalisvoolu mootori osad Alalisvoolu mootori ehitus Sisepõlemismootori tüüpiline starter jadaergutusega alalisvoolumootor Stardiaku laadimisgeneraator ei ole olemuselt tavaline alalisvoolugeneraator alalispinge saadakse regulaatoriga alaldis
ELEKTRIAJAMID väikelaevas Jaotuvad: 1.Alalisvoolu ajamid (meie kursuses enamasti jaht- ja purjelaevadel) 2.Vahelduvvoolu ajamid (väikelaevadel, pikkus alla 24m) Alalisvoolu mootorid · Jagunevad ergutuse järgi: 1. Sõltumatu ergutusega (independent excitation motor) 2. Paralleelergutusega (shunt motor) 3. Jadaergutusega (series motor) 4. Segaergutusega (compound motor) · Kommutaatori olemasolu järgi: 1. Kollektoriga mootorid (NB! on olemas nii alalis- kui ka vahelduvvoolu kollektormootorid) 2. Kontaktivabad alalisvoolu mootorid (püsimagnetiga rootor, staatorimähistele antavat pinget kontrollib keerukas kaasaegne jõuelektroonika) Alalisvoolu mootori tööpõhimõte Lihtne alalisvoolu mootor lahtivõetult Alalisvoolu mootori osad Alalisvoolu mootori poolused otsavaates Võimsa alalisvoolu mootori välisilme Alalisvoolu mootori mähiste skeem Traditsiooniline paralleelergutusega
Liittransistorid: bipolaarne+bipolaarne=Darlington Väljatransistor+bipolaarne=IGBT Väljatransistor+väljatransistor=CMOS Väljundis on alati vool, mis sageli on vaja muuta pingeks. Transistorid toimivad aktiivse skeemielemendina ja võivad signaali toiteallika arvel mõjutada. Ühendamise võimalusi on kolm: 1.Ühise baasiga/paisuga(Uv>Us, faas ei muutu) 2.Ühise emitteriga/lättega (uv>us, iv>is, faasipööre) 3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool
Pnp-tüüpi bipolaartransistoril on 2 aukjuhtivuse ja 1 elektronjuhtivusega kihti. Keskmist ala nimetatakse alati baasiks, antud juhul on see elektronjuhtivusega. Emitter ja kollektor on alati baasi otstel, antud juhul aukjuhtivusega. Emitterit läbib kogu kasutatav vool; osa sellest läheb välja baasi kaudu (mis on üldjuhul tüüriv vool) ning osa kollektori kaudu (mis on üldjuhul tüüritav vool). Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada. Bipolaartransistor on vooluga tüüritav seadis. 37. Mida kujutavad endast bipolaartransistori sisend- ja väljundtunnusjooned? See on staatiline pinge-voolu tunnusjoon. Väljund tunnusjooneks on sõltuvus Ik=f(Uke) ja
Omi seadus Uus osa... Transistori kolm lülitust JOONISED 1,2,3 ja See alumine jublakas N-P-N E K B Realsed joonised 1. Küsi Dan-ilt. Selle all olevad Isis= IE Usis = UEB Uvälj = UCB Ivälj = IC Küsi Danilt pilt # Suur pinge võimendus #Väikes mittelineaar moonutus #Suur sisendtakistus #Väike välkjundtakistus Ühise emitteriga lülitus Omadused ¤ Suur astme sisendtakistus. Ideaalne võimsus võimendamiseks Väljund takistus oluliselt väiksem Ühise kollektoriga lülitus n-p-n baasil vaatame seda. ISIS= IB IVÄLJ = IE UVÄLJ = UCE USIS = UBE Omadused¤ · Ühise kollektoriga ühendus on emitter järgur · Omab suurt vooluvõimenuds tegurit · Sisend takistus on väga suur ja väljund takistus väga väike · Sobitus astmed Teine konspektis on olemas Transistori staatilised tunnusjooned Transistori piirparameetrid. Suurim lubatav kollektorpinge Kollektori ja vaasi vaheline suurim lubatav vastupinge UCB0
3.4.2. Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK Et transistoril on kolm väljastust (väljaviiku), siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks väljastus olema ühine nii sisendile kui väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on see ühine väljastus, on kasutusel ühise baasiga (ÜB, ingl. k. CB - Common Base), ühise emitteriga (ÜE, ingl.k. CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (ÜK, ingl.k. CC - Common Collector) lülitused. Kuna ühine juhe kannab sageli maandatud juhtme nimetust (sõltumata sellest kas see füüsiliselt on maandusega ühendatud e. maandatud), siis nimetatakse neid mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Joonis 3.14. Bipolaartransistoride kolm lülitusviisi [3]. Tabel 3.2. Bipolaartransistoride kolm lülitusviisi [8]. Elektroonika alused
Nisakannude allaasetamine - Nisakannud tuleb alla panna 1 minuti jooksul alates ettevalmistusest. - Lehm tuleb tühjaks lüpsta sõõrdumist mõjutava hormooni oksütotsiini toime ajal. Oksütotsiini toime avaldub 30..60 sekundi jooksul alates puhastamise algusest ja selle mõju kestab 5-8 minutit. - Vasaku käega hoitakse kollektorist ja paremaga asetatakse nisakannud alla. - Nisakann tuleb haarata kummimansetist, mitte hülsist ja vältimaks õhu sissetõmbamist nisakannu, tuleb nisakannu kollektoriga ühendavad lühikesed voolikud volti murda - susinaga sissetõmmatav õhk tekitab vaakumi kõikumise ning mõjutab halvasti nii udara tervisele kui piima kvaliteedile - nisakannude allaasetamise järjestus peab olema loogiline- alustada tuleks kaugemal asuvatest nisadest - voolikud ei tohi jääda keerdu. Piimavoolu jälgimine ja nisakannude eemaldamine - kui puudub automaatne nisakannude altvõtmine, siis tuleb nisakannud käsitsi eemaldada. Selleks lastaks
·Ic max ehk maksimaalne töövool ·Kanali takistus (väljatransistoridel) ·Beeta (h21e) ehk vooluvõimendus (sisend- ja väljundvoolude suhe) dünaamiline · B (h21E) sama alalisreziimis ·Piirsagedus kui vooluvõimendus=1 (ÜE lülitus) ·Sügis 2010 korpuse Praktilise elektroonika loeng ja ehituse iseärasused 27 Standardlülitused · Ühise emitteriga (tavaline lülitus) · Ühise baasiga · Ühise kollektoriga (emitterjärgur) Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 28 ÜE lülitus · pinge ja vooluvõimendus hea · väljund vastandfaasis sisendiga Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 29 ÜB-lülitus · rohkem kõrgsagedusskeemides · MS siis kui vaja eriti madalat sisendtakistust (helipea) · KS skeemides kuna sagedusriba ei sõltu eriti sagedusest ·voolupuhver (võimendus =1)
Päikesepatareid vs Soojuskollektorid Kollektorid toodavad soojusenergiat otsese soojusülekande teel vedelikule. Võib öelda, et hetkel olemasolevate tehnoloogiatega on elektri tootmisel kasutegur märgatavalt madalam kui soojuskollektoritega süsteemidel. Näiteks ei ole mõistlik kasutada elektrit tootvat paneeli vee soojendamiseks, kuna päikesenergia ärakasutamise efektiivsus võrreldes soojustehnilise kollektoriga langeb sel juhul vähemalt 3 korda! Sama suure pindalaga soojuskollektori tippvõimsus on umbes 6 korda suurem elektrikollektori vastavast näitajast. Ka eeldatav eluiga on patareidel lühem ja efektiivsuse langus aastatega kordades suurem kui soojuskollektoritel. Samuti on elektrisüsteemi hoolduskulud tõenäoliselt suuremad, kuna kasutatavaid akusid on vaja vahetada oluliselt sagedamini kui küttevee või tarbevee salvestit.
Vooluvõimendustegur Ki = Ivälj / Isis = h21e kuni 100 Sisendtakistus Rsis = Usis / Isis = h11e 500...2500 W Väljundtakistus Rvälj = Uvälj / Ivälj = 1 / h22e 20...100 kW Väljundpinge 180° faasinurk sisendpinge suhtes 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija Emitterjärgijat (emitterjärgurit) e. ühise kollektoriga (ÜK-) lülitust iseloomustavad väike väljundtakistus ja suur sisendtakistus, suur vooluvõimendustegur ja väike pingevõimendustegur (pisut väiksem kui 1) ning hea temperatuuristabiilsus. Teda kasutatakse siis, kui on vaja võimendusastme suurt sisendtakistust (suurusjärgus ligikaudu b korda suurem kui emitteriahela takistus RE) ja/või väikest väljundtakistust. Sisendsignaal antakse transistori baasile ja väljundsignaal võetakse emitterilt. Transistori
elektronide asemel augud, p-n-p transistoriga lülitus on toodud joonisel 6.4. JOONIS 6.4. 6.3. Transistori kolm lülitust. Kuna transistoril on kolm elektroodi, siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks elektrood olema ühine sisendile ja väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on ühine elektrood, on olemas ühise baasiga (CB - Common Base), ühise emitteriga (CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (CC - Common Colkctor) lülitused.. Kuna enamasti ühine elektrood maandatakse, siis nimetatakse neid lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad, vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispingeallikad on signaalile s.o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks).
12.12.2012 TTK Uus GTI on oma eelkäijast kallim. Seda põhjendati tehniliste ja välimuse muutustega. "Automobile Magazine" nimetas Golf 5 GTI 2007. aasta autoks. 5.4. Golf 5 R32 2005. a. septembri lõpus tuli müügile Golf 5 R32. See oli saadaval täiustatud 3,2-liitrise VR6 mootoriga, mida kasutati Golf 4-l, 10 lisahobujõuga, mis saavutati uuendatud sisselaske- kollektoriga. Mootori võimsus on nüüd 250 hj (184 kW / 6300 p/min), moment jäi samale tasemele 320 Nm. Tippkiirus on elektroonselt piiratud 250 km/h. Kiirendus 0-100 km/h on 6,5 s ja 6,2 s (DSG). Võrreldes Golf 4 R32-ga on see 0,1 s kiirem, seejuures on auto umbes 40 kg raskem. Ülekandeks kasutatakse Haldex süsteemiga 4motion nelikvedu, 18" 20 kodaraga valuvelgesid. Pidurikettad on siniseks värvitud supportitega ning 345 mm esi- ja 310 mm tagumiste piduriketastega
Neliklemmil on kaks sisend ja kaks väljund klemmi. Ühendades kolme elektroodiga transistori neliklemmina (või selle sisse) peab jääma üks transistori elektrood ühiseks nii sisendile kui ka väljnudile. Selleks on kolm võimalust ja vastavalt sellele on ka kasutusel kolm erinevat transistori lülitust: ühise baasiga, ühise emitteriga ja ühise kollektoriga. Nende lülitusete omadused on erinevad, kuid need kõik kolm lülitust on kasutusel. Nimetatud ühine klemm reegline maandatakse (ühendatakse korpusega) ja ühist klemmi vaadeldakse signaali seisukohalt vahelduvvooluliselt. Praktiliselt tähendab see seda, et ühiselektroodi ahelas võib olla toiteallikas, mis on signaalile praktiliselt lühiseks. Ühise baasiga lülitus leiab piiratudkasutamist eelkõige seetõttu, et tema sisend ja väljund takistused on
2. Passiiv-mahtuvus. C=*S/l, -diel.läbit. Uc=1/C*int(0-t)idt. Kasut. el.energia salvest-ks.
Spiraal sees. Pingeallikas. Polariseeritud. VEAD:*ei talu ülepinget, kuumutamist, tähtis
polaarsus, max vahelduv komponent tähtis (85C parim). 0,1uF->10F. Salvestatav energia
Wc=CU2/2. reakt.tak. Xc=1/2fC=1/C, f-sagedus[Hz], -nurksagedus[rad/s]
3. HiZ olekuga seadmed-üks seade CS(inv) sisse lülit=y Elem-d vahetult kokku 2)väljundtran
avatud kollektoriga/lahtise suudmega-väljundid kokku ühise takisti R abil toitesse 60..300V, R
vastavalt tehase juhendile JA tehe 3)VÕI 12 pdf
4. NTS-vähendab võimendustegurit, toob stabiilsust. NTS suurendab Rsists=Rsis*K/Kts,
vähendab Rvaljts=Rvalj*Kts/K. K<0=>NTS KNts=K/1+K
81. Lahuse ioontugevuse mõju soolade lahustuvusele. Mida suurem ioontugevus, seda paremini sool lahustub 82. Temperatuuri ja lahusti mõju lahustuvusele. Kõrgem temperatuur=suurem lahustuvus 83. Lahuse happesuse mõju lahustuvusele. Nõrgad happed lahustuvad hästi aluselises keskkonnas ja vastupidi 84. Raua määramise kaalanalüütiline meetod. teostame reaktsiooni Fe2(SO4)3 + 3BaCl2 2FeCl2 + 3BaSO4 Sadestamismeetod on sama, mis eraldusmeetod. Võib sadestada kollektoriga. 85. Kaalanalüüsi eelised ja puudused. Meetodid enamuse katioonide ja anioonide määramiseks, aeglasem meetod, efektiivne kui on analüüsiks vähe proove; pole vaja kalibreerida ja standardiseerida; saab kasutada kui määratava komponendi kontsentratsioon on üle 0,1%. 86. Kaalanalüüsi rakendusi. · niiskuse määramine (nt ravimid) veesisalduse määramine. · paljude metallide määramine (mineraalsetes ravimitaolistes ainetes) Mn, Cu, Zn, Co, Fe.
sisseehit kanal 2.induts kanal) (tähistus Väljundsignaal Y on määratud sisselülitatud elemendiga. Üks elementidest on Gate,Source,Drain üleval) n-kanaliga nool paisust sisse, p-vastupidi. signaaliga CSvõi En sisselülitatud, kõik teised on aga väljalülitatud. 3. Selekt RC-ahel-kahekorden T kujuline sild->kõrge selektiivsus. Ülekandetegur |punktiga|=0. Elemendid võib vahetult kokku ühendada. 2) Lahtise kollektoriga (BT) või lahtise kvasiresonantssageduse fo puhul fo=1/2*1/RC. Madalatel ülekanne 1, kõrgetel 1. Sild on suudmega (MOP) loogikaelementide kasutamine. Väljundid pannakse vahetult lülitatud tagasisidesse takkide pealt paralleelselt Rts-ga. Sagedustel, mis ple fo, TS=100%, muidu kokku ja ühise takisti R kaudu ühendatakse toiteallikaga. ,,Ning" tehe! 3) Kui pole HiZ, ega lahtist 0
juhitakse sinna pletisse. Penreguleerimine e. lisareguleerimine toimibautomaatselt automaatika abil. ##VAATLEME OSALISE PLEMISHU EELSEGUNEMISEGA INJEKTSIOONPLETIT## Sellistes pletites segatakse gaasktusega pletisees 40-70% teoreetilisest vajalikust hukogusest. Selliste pletite puhul piisab hu injekteerimiseks madalrhugaasi rhuenergiast. Magalrhu injektsitoon pletid. -Pleti suudme ehituse poolest jagunevad nad kahte rhma: 1.Kollektorita pletid 2.Kollektoriga pletid Kollektoril vib olla erinev kuju aga peamiselt kasutatakse torukujulisi kollektoreid. (joonis 16 lk3) IgA AVA kohale ilmub vike leegike- nende pletite kasutamisel on tegemist lhikeste leegiliste pleti. ieti projekteeritud ja reguleeritud pletid tagavad gaasktuse tieliku plemise, primaarhu kogus kigub piirides 40.70%. Tsis kiirus suurenes rhk vhenes. Difuusoris kiirus vhenes rhk suureneb. Lihtne konstruksioon, pletid ttavad stabiilselts ja seejuures neid vib
asemel augud ja pingeallikate polaarsused peavad olema vastupidised. 4.4. Transistori kolm lülitust. Kuna transistoril on kolm elektroodi, siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks elektrood olema ühine sisendile ja väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on ühine elektrood, on olemas ühise baasiga (CB - Common Base), ühise emitteriga (CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (CC - Common Colkctor) lülitused,. Kuna enamasti ühine elektrood maandatakse, siis nimetatakse neid lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad. Vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispinge-allikad on signaalile s.o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks).
peavad olema vastupidised. 4.4. Transistori kolm lülitust. Kuna transistoril on kolm elektroodi, siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks elektrood olema ühine sisendile ja väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on ühine elektrood, on olemas ühise baasiga (CB - Common Base), ühise emitteriga (CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (CC - Common Colkctor) lülitused,. Kuna enamasti ühine elektrood maandatakse, siis nimetatakse neid lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad. Vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispinge-allikad on signaalile s.o. vahelduv-komponendile väga väikeseks takistuseks (praktiliselt lühiseks).
FLASH muundamine. 2) jämeda FLASH tulemuse töötlemineDAM-ga. 3) Varem fikseeritud sisendsignaali ja DAM-i väljundsignaali vahe allutame järjekordsele FLASH muundamisele. See on täpne, aga kulub umbes 2,5 korda rohkem aega. 4. 1 f. "0" alaldi 5. Emitterijärgija Emitterjärgija ehk ühise kollektoriga transistoril baseeruva võimendusastme korral võetakse signaal välja emitterist. Antud juhul on nii sisendi, kui ka väljundi jaoks ühine kollektor
Transistori sisendtakistus – sisendpinge vahelduvkomponendi ja sisendelektroodi voolu vahelduvkomponendi suhe (sisendsignaali allika koormamist iseloomustav suurus); Transistori väljundtakistus – kollektorpinge vahelduvkomponendi ja kollektorvoolu vahelduvkomponendi suhe lahtise sisendelektroodi korral. 46. Transistoride lülitusviisid. Skeemi visandamine. Ühise baasiga lülitus; Ühise emitteriga lülitus; Ühise kollektoriga lülitus 47. pn- väljatransistor, tööpõhimõte, tunnusjooned. pn-väljatransistori moodustab tavaliselt n-juhtivusega pooljuhist kanal, sest elektronid on märksa suurema liikuvusega kui augud. Toodetakse nii n- kui p-kanaliga pn-väljatransistore. Õhukese kanali mõlemale poolele on difundeerimisega tekitatud p-juhtivusega alad. Kanali laius (risti joonise pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega
siis tekkib laadimise ja tühjenemise reziimides erinevus. See tuleneb sellest, et pausi vältel kondensaator üsna väike. Väljund impulside kuju on esikülje moonutusega see on kumerusega sest igakord kui trans tühjeneb ainult osaliselt, see täjendab järgmise impulsi saabumisel on tal mingi jääk pinge. Ja järgmise sulgub ja toimub kollektor pinge tõus, toimub ka vastava kollektoriga ühendatud kondensaatori laadimise põhjustab nüüd mitte kogu sisend pinge vaid sisend pinge ja jääk pinge vahe. Sama kordub laadimine. (kuna ta eelnevalt tühjenes) laadimis vool kulgeb läbi kollektori takistuse põhjustab seal järgmiste impulside ajal, kuni tekkib tasakaalu reziim, kus laeng mida kondensaator saab impulsi vältel pingelangu ja seetõttu saavutab kollektorpinge maksimaalse väärtuse alles peale kondensaatori
.......................................... 6 emittersidestuses loogika (Emitter-Coupled Logic - ECL)..................................................... 6 integral injektsioon loogika (Interrated Injektion Logic - IIL)................................................6 kolme olekuga väljund ................................................................................................................7 avatud suudmega/kollektoriga loogikaelemendid....................................................................... 7 Enamkasutatavaid kombinatsioonskeeme ....................................................................................... 7 välistav või (eXclusive-OR)........................................................................................................ 7 multiplexor (Multiplexers)...........................................................................................................7
............................................ 6 o emittersidestuses loogika (Emitter-Coupled Logic - ECL) ....................................................... 6 o integral injektsioon loogika (Interrated Injektion Logic - IIL).................................................. 6 kolme olekuga väljund .................................................................................................................. 7 avatud suudmega/kollektoriga loogikaelemendid ......................................................................... 7 Enamkasutatavaid kombinatsioonskeeme ................................................................................................. 7 välistav või (eXclusive-OR) .......................................................................................................... 7 multiplexor (Multiplexers) .........................................................................................
Loogikalülituste väljundite ühendamine. Signaalid vaja saata edasi mööda ühte juhet. 1) HiZ elementide kasutamine. Väljundsignaal Y on määratud sisselülitatud elemendiga. Üks elementidest on signaaliga CS või En sisselülitatud, kõik teised on aga väljalülitatud. Elemendid võib vahetult kokku ühendada. 2) Lahtise kollektoriga (BT) või lahtise suudmega (MOP) loogikaelementide ka- sutamine. Väljundid pannakse vahetult kokku ja ühise takisti R kaudu ühendatakse toiteallikaga. ,,Ning" tehe!
sulgemises ja avanemises, mille tulemusel kollektorpinged muutuvad ristkülikule lähedaselt. Väljundpingena võib kasutata ükskõik kumba kollektorpinget, erinevus on ainult selles, et kui üks transistor on suletud ja tema kollektorpinge võrdub toitepingega, siis samal ajal teine on küllastatud ja seal on pinge UCEsat, mis on küllastuspinge alla ühe voldi. Väljundimpulsidel on esikülje kumerus, mis on tingitud sellest, et kui transistor suletakse, siis toimub tema kollektoriga ühendatud kondensaatori laadimine ja kollektortakistust läbiv laadimisvool ei lase kolektorpingel järsult tõusta. Transistoride suletud oleku kestvus sõltuvalt kondensaatoride tühjenemise kiirusest, mille ajakonstant on tühj = CRB . Kui eritransistorid suletud oleku kestusel on võrdsed st. C1 RB 2 = C2 RB1 , siis on meil tegemist sümeetrilise multivibraatoriga, mille väljundpinge impulsi kestvused on võrdsed. Kui see nii ei ole,
aslusele SRD võib häälestada ka SHDVV VS-le kasutades teda KoSF järel oleva astme väljundis. 3) emitterdetektor C1 +9V -i võib ühendada vahetult eelmise VS-astme VT1 kollektoriga. VT2 emitterpinget (~0,6V R1 VT 2 madalam VT1 kollektorpingest) võib kasutada C3 AVR-ga toimiva astme transistori tööpunkti VT1 seadmiseks. Sellise detektori mod.moon. on
on transistoride avatud ja suletud olekute kestused sõltuvalt kondensaatorite tühjenmiste kiirustest. See tähendab multivibra töösagedust saab muuta kondensaatorite mahtuvuse või baasi takistuste valikuga. Väljund pinge amplituud on praktiliselt võrdne toitepingega sest pingelang transistoril küllastatud olekus on üsna väike. Väljund impulside kuju on esikülje moonutusega see on kumerusega sest igakord kui trans sulgub ja toimub kollektor pinge tõus, toimub ka vastava kollektoriga ühendatud kondensaatori laadimine. (kuna ta eelnevalt tühjenes) laadimis vool kulgeb läbi kollektortakistuse põhjustab seal pingelangu ja seetõttu saavutab kollektorpinge maksimaalse väärtuse alles peale kondensaatori laadimist. Multivibrad kus transistoride suletud ja küllastus olekute kestused on võrdsed nimetatakse sümmeetriliseks multivibraks. Kollektoridelt saadav väljundpinge on sel juhul samakujuline kui nihutatud poolperioodi võrra. Sümmeetrilisel multrivibral C1Rb2=C2Rb1
Trumliväliste tsüklonseparaatorite tööpõhimõte on sama, mis kolletorisisestel, ent suurema kõrguse tõttu (ca 4 m) on separatsioonivõime parem. VIII – 8 Auruülekuumendi. Auruülekuumendi on katelagregaadi koosseisu kuuluv soojusvaheti, milles auru temperatuur tõstetakse üle küllastunud auru temperatuuri. Auruülekuumendi koosneb tavaliselt paralleelsetest siugtorudest (U-torudest) (Joonis 15.A), mille otsad on ühendatud kollektoritega, mõnikord ka vahetult vee-auru kollektoriga. Auruülekuumendid võivad paikneda katlas erinevatel kohtadel , konvektiivülekuumendid paiknevad gaasikäikudes kiirgusülekuumendid katla kolde laes ja seintel poolkiirgusülekuumendid kolde ja gaasikäigu üleminekuosas. Auru ja põlemisgaaside vastastikkuse liikumise järgi eristatakse pärivoolu-, vastuvoolu-, ja segavooluülekuumendeid. Auru ülekuumendamine suurendab aurujõuseadme kasutegurit. 28
annaabi.ee 
