...........................................................................................................................................................22 3.4. Stabilisaatorid ..........................................................................................................................................................24 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT).......................................................................................................28 4.1.Transistori ehitus.................................................................................................................................................... 28 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus......................................................................................................................... 28 4.3. Transistori tööpõhimõte.........................................................................................................................................
Juhendaja: Töö tehtud: Aruanne esitatud: Toivo Leola 03. detsember detsember Töö nr: 7&8 BIPOLAARTRANSISTORI UURIMINE Katseobjekt: Kasutatud seadmed: Õppida tundma bipolaartransistori omadusi. Juhtmed Tutvuda bipolaartransistori tööga ühisbaas- (ÜB-) ja ühisemitter- (ÜE-) ühenduses. Reostaat x2 Võtta üles transistori sisend- ja väljund- Bipolaartransistor (KT361E) tunnusjoonte sarjad, määrata nõrga signaali Toiteallikas x2 (PS613) režiimi parameetrid (h-parameetrid) ÜB- ja ÜE-ühenduses, võrrelda erinevate ühen- Milliampermeeter x2 (M104) duste puhul transistorastme olulisemaid Voltmeeter x2 (PSY) parameetreid. KT361E Pc =150 mW (t a=35 C) U CER 35V I C 50mA f T 250 MHz h21E 50..
- Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid. Käesoleva teksti sisujaotus: 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid 6.2 Võimendusastmed bipolaartransistori baasil 6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija 6.2.3 ÜB-lülituses transistor 6.2.4 Transistori tööpunkt ja koormussirge 6.3 Võimendusastmete vaheline sidestus 6.3.1 RC-sidestus e. takistus-mahtuvuslik sidestus 6.3.2 Trafosidestus 6.3.3 Otsesidestus 6.4 Võimendusastmed väljatransistoride baasil 6.4.1 Ühise lättega lülitus 6.4.2 Ühise neeluga lülitus 6.4.3 Välja- ja bipolaartransistoride ühislülitused 6.5 Tagasiside võimendites 6.5.1 Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele 6.5.2 Vastuside mõju võimendi parameetritele 6.5
I 22 + I 32 +...+ I n2 = * 100% , I1 kus I1 põhiharmoonilise (1.harmoonilise) amplituud; I2 teise harmoonilise amplituud jne. Kvaliteetse heliülekande puhul ei lubata mittelineaarmoonutusi üle 1%, vähemkvaliteetsemal 3-5%. Kõne ülekandel võidakse lubada moonutusi kuni 8%. Üle 10% moonutuste korral muutub ka kõne halvasti arusaadavaks. 1.3. Transistori kolm reziimi Transistori kui võimendi ülesandeks on anda võimendatud signaal tarbijale ja see tarbija lülitatakse reeglina kollektorahelasse kus ta kujutab endast koormustakistust. Sellist tööolukorda nimetatakse dünaamiliseks reziimiks kuna toimub kõikide voolude ja pingete üheaegne muutumine ja see rezhiim lahendatakse grafoanalüütiliselt kandes transistori väljundtunnusjoontele koormussirge mille asend sõltub koormustakisti väärtusest ja toitepingest
Tallinna Tehnikaülikool Elektriajamite ja Jõuelektroonika instituut Üliõpilane: Rait Rääk Teostatud: 14.03.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 3 OT Bipolaartransistor ühisemitteriga lülituses Töö eesmärk: Töövahendid: Ühisemitteriga lülituses transistori Transistor, toiteallikas, potentsiomeetrid, tunnusjoonte määramine ja ampermeetrid, voltmeetrid. nende kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Transistor on kolme väljastusega täielikult tüüritav pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar ehk väljatransistorideks (jutivuses osalevad elektronid või augud). Järgnevalt vaatleme
tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel 3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK 3.4.3 Bipolaartransistoride põhiparameetrid ja liigitus 3.4.4 Isoleeritud paisuga bipolaartransistor 3.4.5 Liittransistor 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid 3.5.1 pn-väljatransistor 3.5.2 MOP-transistorid 3.5.3 Väljatransistoriga võimendusastmed 3.6 Türistorid 3.6.1 Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor) 3.6.2 Dioodtüristor
reguleerimisel muutub nii ,et väljundpinge keskväärtus jääb muutumatuks. Taolise stabilisaatori väljundis peab aga olema silufilter, mis silub impulsspinget. Kuna 38 reguleerelemendi lülitumissagedus on suur (20kHz...100 kHz), siis ei ole sellise impulsspinge silumine tehniliselt raske. Impulss-stabilisaatorite väljundpinge pulsatsioon on siiski suurem kui analoogstabilisaatoritel. 39 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT) 4.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist. mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. Ta on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks P-N-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega
...................................... Töö eesmärk: Tutvumine bipolaartransistoriga. Bipolaartransistori lihtsustatud mudel, transistor võimendina. Skeemi tööreziim, selle arvutamine. Skeemi montaaz makettplaadil, parameetrid ja nende mõõtmine. Töö käik: 1. Koostasime transistorvõimendi (vt joonis 1) skeemi. Joonis 1. Alalisvooluvastusidega transistorvõomendusaste 2. Võimendi toitepingeks E valisime 9 V. 3. Transistori kollektorpinge UK0 valisime 6 V. 4. Transistori kollektorvool IK0 valisime 0,5mA 5. Emitteri pinge maa suhtes UE0 valisime 1,5V 6. Võimendi töösageduseks valida f valisime 70kHz 7. Koormustakistuseks Rk valisime 15 k 8. kasutatava transistori BC547B parameetrid Tabel 1. kasutatava transistori BC547B parameetrid UKEmax ICmax h21E UBE0 45V 100 mA 200...450 0,7 V 9
elektronid ja augud) ja unipolaar- ehk väljatransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid või augud). Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 2. Kirjeldage lühidalt kahe erineva transistoriliigi tüürimise põhimõttelist vahet Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 3. Loetlege transistori kolm tööreziimi 4. Loetlege bipolaartransistori kolm lülitust ning kirjeldage lühidalt nende lülituste põhiomadusi Ühise baasiga-, emitteri- ja kollektoriga. 5. Nimetage unipolaartransistoride (väljatransistoride) kuus eri liiki Ühise emitteriga-, lättega-, baasiga-, paisuga-, kollektoriga ja neeluga.. 6. Milleks on vajalik bipolaartransistori tööpunkti fikseerimine? Joonistage
4. Dioodi läbib vool kui tema anood on katoodi suhtes-Järjestikult Anood Katood 6. Dioodi pärisuunaline U/I tunnusjoon on 7.Toiteseadme väljundparameetrid on-Väljundpinge stabiilsus,suurim lubatud vool 8. Silufiltri põhiline ülesanne on-vähendada alaldist saadava pinge pulsatsiooni ehk lainelisust tarbija iseloomuga määratud tasemeni. 9. Trafo ülesanne toiteseadmes on-muuta vahelduvvooluvõrgust saadavat pinget sel määral,et väljundis saada nõutava suurusega alalispinget 10. Transistori 3 tööreziimi on-avatud,suletud ja küllastusreziim 11.Mitu siiret on transistoril-2 12.Suurima võimsusvõimenduse annab-ühise emitteriga lülitus 13.NPN tüüpi transistori kollektor ühendatakse toiteallika-vastu pinges 14. PNP tüüpi transistori baas on emitteri suhtes pingestatud-Vastupidise polaarsusega pingeallika suhtes kui NPN tüüpi transistoril. 15.väljatransistori elektrood, mille kaudu laengukandjad sisenevad on-Läte 16
seepärast kasutatakse tähistamist värvikoodiga. Dioodide värvikoodid võib leida käsiraamatust L1. Dioodidel kasutatakse standardiseeritud korpusi, nende tähised kujud ja mõõdud on toodud joonisel 5.6. ELEKTROONIKA KOMPONENDID lk. 33 6. TRANSISTORID Bipolar Junction Transistor(BJT) 6.1.Transistori ehitus. Transistoriks ehk täpsemalt bipolaartransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mida kasutatakse elektriliste pingete ja voolude võimendamiseks ja genereerimiseks ning ka kontaktivaba lülitina nii nõrk- kui tugevvooluahelates. See on praegu kõige enam kasutatavaks pooljuhtseadiseks. Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega
kõikumisi siluda, eriti lüliti avamise ja sulgumise üleminekutel [2]. Joonis 3. Pingeregulaatori plokkskeem [3] Joonisel on impulss-stabilisaatori plokkskeem. Koormusel olev pinge läheb läbi tagasiside ahela mikroskeemi ja läbi operatsioonivõimendi komparaatorisse. Kui 52 kHz ostsillatori pinge langeb alla mitte-inverteeriva sisendi pinge, siis lastakse läbi kõrgeim läbilastav positiivne pinge, mis läbib ja-ei elemendi kontrollerisse, mis juhib transistori lülitust [3]. 3. Toiteploki koostamine ja komponentide arvutused Toiteplokk koostati joonisel 2.1 toodud elektriskeemi alusel. Toiteplokk koosneb kahe sekundaarmähisega transformaatorist T1; kahest täisperioodalaldist D1 ja D4 ning aladile järgnevatest silukondensaatoritest C1 ja C3; Impulss-stabilisaatori moodustavad integraalskeemid U1, U2 ja paispoolid L1, L2 ning silukondensaatorid C2, C5; paispoolide
Reeglina nõuavad erineva põlvkonna protsessorid ka erinevat emaplaati. INTEL Esimese laiatarbeprotsessorite tootjana on Intel kindlustanud endale suurima PC protsessorite turuosa. Inteli uuendused on arvuteid arendanud XT aegadest alates. 4004 -oli Inteli ja üldse maailma esimene mikroprotsessor, mis anti seeriatootmisse XI 1971 aastal ja töötas taktsagedusega 0,108 MHz ning milles oli 2300 transistori. Protsessor võimaldab töödelda ainult numbrilist informatsiooni. 8008 -oli esimene nii numbrilise kui ka tekstinformatsiooni töötlemist võimaldav mikroprotsessor. Anti seeriatootmisesse IV 1972.a. Töötas taktsagedusel 0,2 MHz ja sisaldas 3500 transistori. 8080 -esimene laiemat kasutamist leidnud mikroprotsessor. Anti seeriatootmisesse IV 1972.a. Töötas taktsagedusel 2 MHz ja sisaldas 6000 transistori. 8086 -Arvutustehnika arengut enim mõjutanud (mõjutav) mikroprotsessor
kuid ka sellel on omad vead. Mikroprotsessor on väike programmeeritav elektroonikaseadis, mis täidab protsessori ülesandeid ning on ehitatud ühe pooljuhtintegraallülitusena. Koosneb paljudest transitoritest. Välja otsitud andmebaasist "http://et.wikipedia.org/wiki/Protsessor" Transistor (ingl transfer üle kandma + resistor takisti) on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Aastal 1947 kolm teadlast Bell Telephone-i tehases tegid esimese transistori.(parem pilt) Kõige esimene mikroprotsessor oli INTEL 4004, mis tehti aastal 1971. (alumine pilt) Sellel oli juba 2300 transistorit, mõõtmed olid 10 mm ja takksagedus 108 kHz.
Vastupingega 34. Millest koosneb diiak? 2 st dioodist 35. Mida eeldab triiaki tööpõhimõte? kahesuunalise 36. Mida nimetatakse kaheoperatsiooniliseks türistoriks? 37. Miks pakuvad GTO-d suurt huvi? 38. Kus kasutatakse GTO-sid laialdaselt? 5.2.2. Küsimused transistoridest 1. Kes on esimese siirdetransistori leiutaja? Bardeen 2. Mille eest autasustati leidureid Nobeli preemiaga? Bj transistor 3. Mitu legeeritud piirkonda on transistoril? 3 4. Mis on transistori oluline operatsioon? võimendus 5. Mis on enamuslaengukandjad npn-transistori baasis? aukud 6. Kuidas tekitab npn-bipolaartransistor võimenduse? IC>IB 7. Milline on tavaliselt emitteri dioodi eelpinge? Päripinge 8. Millisel alusel on tehtud bipolaartransistor? . . 9. Millisel klemmilt algab npn-transistori elektronide vool? kollektor 10. Milline on elektronide peamine toime npn-transistori baasis? npn , , - () . (). , - , , , . 11
43. Milleks on vaja valgusdioodi ühendamisel vooluringi kasutada takistit? Sest valgusdioodi PN-siire ei kannata kõrget pinget. 44. Bipolaartransistor, tööpõhimõte, siirete nimetused, juhtivustüübid. Bipolaartransistor – aktiivne pooljuhtseadis, mis koosneb kolmest P- ja Njuhtivusega kihist ning kahest nendevahelisest PN-siirdest. Võimendusprotsessist võtavad osa nii augud kui ka elektronid. Transistoril on kolm terminali, millega on ühendatud transistori kolm kihti Emitter Baas Kollektor Sõltuvalt transistori osade juhtivusest eristatakse PNP ja NPN juhtivusega transistore. 45. Transistori tähtsamad parameetrid. Transistori tähtsamad parameetrid Vooluvõimendustegur – transistori kui võimenduselemendi väljundelektroodi voolu muutuse ja seda põhjustanud sisendelektroodi voolu muutuse suhe; baaslülituses transistori vooluvõimendustegur α, emitterlülituses β;
4. Ühendus ja montaazijuhtmed 5. Tööriistad 2. Koostatud võimendi skeem koos elementide väärtustega. Joonis 1. Transistor võimendi mudel LT Spice'iga. RB1=160k RB2=56k RK=3,3k RE=1,5k CB=750nF CE=220nF CK=2,4nF · Arvutuste lähteandmed E=10V Uk0=6,08V UE0=1,786V Ik0=0,001A 3. Skeemi tööpõhimõtte lühikirjeldus Joonis 2. Mudeli skeem pingejaguriga. Takistid Rb1 ja Rb2 tagavad baasile emitterpingest kõrgema pinge transistori aktiivreziimi tagamiseks. Takistiga Re pannakse paika emitteri pinge maa suhtes. Re põhjustab aga tugevat vahelduvvoolu tagasisidet, mis vähendab võimendust. Et võimenduskadusid vältida ühendatakse sellega rööbiti sildav Ce. Väljundisse alaliskomponendi mitte jõudmiseks kasutatakse sidestuskondensaatorit Ck. Sisendisse on ühendatud pingejagur sõltuvalt signaaliallika omadustest. Sisendisse antakse vahelduvsignaal, mida tüüritakse baasivooluga.
ei olnud elektrooniline. Raadio leiutasid Popov, Marconi. Marconi hakkas raadiot ka edasi arendama, läks Itaaliast Londonisse, kus hakati tootma. Esimeses raadios oli saatjaks säde. Vastuvõtjad olid metallipuru ja nim. Kohereer. Sellega anti morsetehnikat. Diood leiutati 1904 aastal ja selleks oli elektronvaakumdiood. Triood leiutati 1907-1910 aastatel. Triood oli juba dioodi edasiarendus ehk siis triood juba ka võimendas. Elektronlampe kasutati kuni 1960ndateni. Peale seda hakkas transistori võidukäik. Transistor leiutati küll 1949, kuid õiged transistorid tekkisid alles 1960ndatel. Elektroonika oli lampelektroonika 1910-1960 Transistorelektroonika1960 kuni tänaseni, kuid 1960 1970 diskreetsed transistorid 1970 kuni tänaseni integraallülitused, mikroskeemid (IC)(1970l oli 10 transi, kuid 2000 10 miljonit transistori) 1
Sellegipoolest ei saa neid eriti laialt kasutada, kuna nad kipuvad digitaalset signaali kiiresti ära rikkuma. Lisaks sellele, dioodloogika abil ei saa realiseerida NOT funktsiooni, nii et nende kasutusala on küllaltki piiratud. 11.TTL-loogika. Integraallülituste kiire arendamisega tekkis uusi probleeme ja neile proleemidele leiti ka pidevalt uusi lahendusi. Üks probleem DTL-I lülitustega oli, et integraallülituste kiibil võtab dioodi konstruktsioon sama palju ruumi kui transistori oma. Seetõttu oli eesmärgiks leida moodus, kuidas vältida vajadust suure hulga sisenddioodide järgi, leida midagi, mis asendaks korraga palju dioode. Kui kõik sisenddioodid asendati transistoridega, siis muutus integraallülituste füüsikaline konstruktsioon märksa efektiivsemaks. Erinevuseks DTL-ist on see, et sisendis kasutatakse mitme emitterilist transistori. 12.n-MOP-loogika. 13.CMOS (KMOP)-loogika
Transistorit võib vaadelda ka nagu kahte omavahel kokku ühendatud dioodi ning seal toimuvad protsessid on võrreldavad dioodides toimuvatega. Emittersiire omab tunduvalt suuremat juhtivust kui kollektorsiire . See on tingitud oluliselt suuremas hulgast laengukandjatest. See on tahtlikult tekitatud. ***PILT*** TÖÖPÕHIMÕTE 1. Transistor lülitatakse alati tööle nii, et emittersiire pingestatakse päripingega ja kollektorsiire vastupingega. 2. See reegel kehtib transistori tüübist sõltumata, kui vaja on jälgida transistori tüüpi. N-P-N transistori tööpõhimõte 1. Emittersiire on pingestatud päripidiselt st.avasuunas. 2. Selle tulemusena läbib teda tugev pärivool 3. Kuna emittersiirde päritakistus on väga väike, siis väiksemgi päripinge muutus põhjustab suurt voolu muutust. 4. Kollektorsiire on pingestatud vastupidiselt st. vastupingestatult. 5. Sellises olukorras läbib kollektorsiiret väga väike vool. 6
Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku 3->Rts/Ro2. 4. TTL-Schottky loogika elemendid TTL – nii lülituse sisendis kui väljundis on transistorid. TTL-Schottky barjääriga transistorides on baasi ja kollektori vahel Schottky barjäär, mis vähendab siirde avamise lävipinget (0,7 voldilt 0,2...0,3 voldini) hoider ära transistori küllastumise. Seetõttu tõuseb loogikaelemendi töösagedus ja suureneb pingelang emittersiirdel, mille tõttu väheneb kollektorivool püsitalitluses. 5. RS-triger Igal trigeril on 2 olekut. Triger on primitiivsem jadaloogika lülitus. Ehituse aluseks on 2 eitusega (Ning/Või) elementi. RS-trigeril on seadesisendid S (set) ja R (reset). 1)Asünkroonne RS-triger: trigeri seadmiseks olekusse „1“ on vaja anda tema „S“ (Set) sisendile loogiline „1“
transistorpingereleed või mikroskeemiga elektronreleed. Erinevus on pingerelee vooluringis paiknemises. Osadel generaatoritel paikneb pingerelee vooluringis jadamisi enne ergutusmähist ja osadel peale ergutusmähist. Pingerelee tööd saab jälgida signaallambi abil, mis paikneb masinate armatuurlaual. Enne korras mootori käivitumist signaallamp sütib ja peale käivitumist kustub. Pingerelee töö põhineb Zenerdioodil. Vool pääseb ergutusmähisesse läbi pingerelee transistori T1. Juhul , kui pinge Zenerdioodis tõuseb üle 14V tekib läbilöök ja vool pääseb transistori T2 baasile. Transistor T2 hakkab voolu juhtima. Vool pääseb transistori T1 baasile ja transistor T1 katkestab ergutusvooluringi. Pinge generaatori klemmidel seejärel natuke väheneb ja pingerelees taastub endine vooluring. Pingerelee võib olla kokku ehitatud generaatori harjahoidikuga. Pingerelee ja harjahoidik Rootori osad: 1- kontaktrõngad,
0.05 eelvõimendite toiteks sõltuvalt signaali allikast 0.001 kuni 0.0001. Silufiltrid jagunevad kahte gruppi: 1. Passiivfiltrid - nendes kasutatakse energiat salvestavaid elemente, milleks on kondensaatorid ja induktiivpoolid. Alaldatud pinge suurenemisel salvestatakse energia nendesse elementidesse, pinge vähenemisel juhitakse energia tarbijasse. 2. Aktiivfiltrid - neid nimetatakse ka transistorfiltriteks, toimub alaldatud pinge silumine transistori kui reguleeriva takistuse toimega. Passiivfiltrid jagunevad omakorda kahte rühma RC- ja LC-filtrid. RC-filter koosneb ühest takistusest ja kondensaatorist(RC skeem). RC-filtri toime on sarnane alalditöötamisega mahtuvuslikule koormusele selle erinevusega, et kondensaatori laadimisega ei toimu mitte läbi alaldisisetakistuse vaid läbi filtri takistuse. Seetõttu toimub kondensaatori laadimine aeglasemalt ning pingemuutus laadimisel on väiksem.
p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n Tööpõhimõte : väikese takistusega emitterringis sisendpinge poolt tekitatud voolumuutused kanduvad peaaegu samasuurtena üle suure takistusega kollektorringi ning kollektorringi lülitatud koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (TRANSfer resISTOR). 26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga:
William Bradford Shockley William Bradford Shockley (13. veebruar 1910 London 12. august 1989 Palo Alto) oli Inglismaal sündinud USA füüsik ja leiutaja. Ta leiutas koos John Bardeeni ja Walter Houser Brattainiga transistori, mille eest nad said 1956. aastal ka Nobeli füüsikaauhinna. Shockley püüe 1950. ja 1960. aastatel turustada uut transistorit aitas kaasa ka teiste uute elektrooniliste seadmete leiutamisele. Shockley nimele on registreeritud üle 90 patendi. Shockley oli hiljem professor Stanfordis. Ta toetas eugeenilisi põhimõtteid. Shockley sündis Londonis, kuid kasvas üles Californias. 1932 omandas ta bakalaureusekraadi California Tehnoloogiainstituudis. 1933
kahekordistub iga ... kuuga. 18 (või 24) Milline nendest firmadest tõi kasutusele esimesena aknad, ikoonid ja hiire? Xerox Milline oli esimene tabelarvutusprogramm? VisiCalc Kes nendest on Inteli asutajad? Robert Noyce ja Gordon Moore (mõnes kohas Andy Grove) Milli(ne/sed) arvuti(d) aitas(id) briti valitsusel II maailmasõja ajal murda koode? Colossus Kes lõi(d) C programmeerimiskeele? Dennis Ritchie Mille eest said Shockley, Brittain ja Bardeen 1956. aastal Nobeli preemia? Transistori leiutamise eest Milline nendest firmadest valmistas esimese 32 bitise protsessori? National Semiconductor Milline nendest firmadest tootis esimese kõvaketta? IBM Milline nendest firmadest tõi esimesena turule IBM-PC tüüpi kaasaskantava arvuti? Compaq Milliste sõnade lühend on ENIAC? Electronic Numerical Integrator and Computer Kes on nende kuulsate sõnade autor(id)? – „640K mälu peaks olema piisav kõikidele.“ Bill Gates Milline firma lõi XENIX operatsioonisüsteemi
Analoogelektroonika 1.Transistori kasutamine võimenduselemendina. 2.Analoog- ja digitaalelektroonika erinevus. 3.RC-sidestus transistori reziimvoolude isoleerimiseks sisendsignaali allikast ja tarbija ahelast. 4.Trafosidestus samaks otstarbeks. 5.Balansslülitus (galvaaniline sidestus) samaks otstarbeks. 6.Bipolaartransistori ja MOP-transistori põhierinevused. 7.Operatsioonvõimendi ja selle parameetrid. Automaatikaseadmetes pidevsignaalidega sooritatavateks arvutusteheteks kasutatav suure võimendusteguriga alalispingevõimendi. Parameetrid: võimendustegur 8.Milleks on vajalikud operatsioonivõimendi balansseerimine ja korrigeerimine? 9.Võimendi sageduskarakteristik. Alumiste, keskmiste ja ülemiste sageduste mõisted. 10.OV mitteinverteeriv lülitus. 11.OV järgurina. 12.OV inverteeriv lülitus. 13
FÜÜSIKA ARVESTUSTÖÖ (eelviimane) 5. KURSUS – 12. klass 1.Mis on elektrivool ja kuidas on määratud selle suund?- Elektrivool on vabade laengukandjate suunatud liikumine. Elektrivoolu suund on kokkuleppeliselt positiivsete laengute liikumise suund 2.Millest ja kuidas sõltub voolutugevus?-Voolutugevus sõltub juhi ristlõike pikkusest, lisaks veel ühe üksiku laengukandja laengust ning kiirusest. VALEM: I= qnSv 3.Mida näitab voolu tugevus?- Voolutugevus I näitab, kui suur laeng q läbib ajaühikus juhi q ristlõikepinda. VALEM: I= t 4.Mida näitab takistus ja kuidas sõltub juhi mõõtmetest ja temperatuurist?ül- Takistus näitab, kui suurt takistatavat mõju avaldab antud keha elektrivoolule. Mõõdetakse oomides, tähistatakse suure R-iga. Takistus on võrdeline juhi pikkusega ning pöördvõrdeline pindalaga, samuti sõltub eritakistustest. Temperatuurist sõltub takistus tänu temperatuuritegurile. Positiivse temperatuuritegur...
andmed asuvad. Tänapäeval leiame me RAM-i mikrokiipide kujul. Tegemist on hävimäluga, mis tähendab, et hoiustatud andmed kaovad mälust, kui kaob voolutoide. Vastandiks on näiteks ROM, Read Only Memory, milles säilivad andmed ka peale voolu kadumist. Kaks RAMi tüüpi: RAMi jaotatakse tänapäeval kaheks. Nendeks on SRAM ja DRAM. Esimene on neist Staatiline teine dünaamiline. SRAM-de puhul salvestatakse 1 bit kasutades kuute transistori. Sellist tüüpi RAM-i on kallim toota kuid ta on kiirem ja tarbib vähem voolu kui DRAM. Teda kasutatakse põhiliselt vahemäludes protsessorites oma kiiruse tõttu. DRAM mälude puhul salvestatakse üks bit kasutades transistori ja kondensaatori paari. Kondensaator hoiab kas madalat või kõrget pinget, mis vastavad siis kas olekule 0 või 1. Transistor käitub lülitina, mis lubab kondensaatori olekut muuta. Kuna tegemist on odavama variandiga, kasutatakse seda laialdaselt arvutites.
samm-mootor hoidemomendi, mis väldib rootori iseeneslikku liikumahakkamist väliste jõudude toimel. Samm-mootor on numbriliselt juhitav, mistõttu sobib see ideaalselt kokku diskreetsete juhtimis- süsteemidega, näiteks mikroprotsessoriga. Igale impulsile vastab teatud pöördenurk , n impulsile aga pöördenurk = n·. ULN2003 on kõrgpingeline ja kõrge vooluga darlingtontransistor, mis koosneb seitsmest emitteriga dar- lingtoni paarist. Transistori nimivoolu tugevus on 500 mA, kuid see suudab taluda kaa 600 mA voolu. Darlingtontransistor koosneb kahest bipolaarsest transistorist, mis on ühendatud sedasi, et esimesest tran- sistorist tulev vool võimendatakse veelgi enam teise transistori poolt. Kasutatavad komponendid · Samm-mootor M35SP5 Mitsumi · ULN2003APG · Nupp 1 Samm-mootor (stepper) ja ULN2003APG
INFOEDASTUSSEADMED test 2 Vimendid 1. Vnkering. Q=100, L=10mH, C=100uF. Leida 0,7-e nivool sagedusriba laius hertzides. OK 2. Transistori A, A tiustatud, B ja F klassi treziimid. Seletus graafiliselt. OK 3.Koormusahel. Eesmrk. he vnkeringiline koormusahel. 4. Skeemitehnika. Joonistada resonantsvimendi aseskeem, signaalisagedusel selle vljundahela raliseerimine koos toiteahelaga. Seletada kuidas signaali ja toiteahelad on ksteisest lahtisidestatud. OK 5. Sageduskordistid. Skeem varaktorite kasutamisega 100 MHz sageduse neljakordistamiseks, seletus. 6. Vljundvimsuse tstmismeetodid. Skeemid, seletus (v.a. sillad) OK 7
näidatud joonisel 1.9, a. Vaheldi koosneb kolmest õlast (üks igas faasis). Lülituse kõik õlad on võrdsed, st iga õla väljundpinge sõltub ainult alalis-toitepingest ja lülitite seisundist. Väljundpinge ei sõltu koormusvoolu suurusest. Antud lülituses võib kasutada erinevaid transistoride avamis-ja sulgemiskombinatsioone, näiteks üks võimalik transistoride lülitusjärjekord on järgmine: VT1VT6VT2VT4VT3VT5 VT1... Sel juhul on kaks transistori samas ajavahemikus ühes olekus ning väljundpinge on nelinurkse kujuga, nagu on näidatud joonisel 1.9, b. Vaheldi kolme õla tüürnurgad on üksteise suhtes 120° võrra nihutatud. Kui VT1 on avatud, siis faas L1 on ühendatud alalispinge toiteallika positiivse klemmiga ning UL1 = 0,5Ud. Kui VT4 on avatud, siis faas L1 on ühendatud alalispinge toiteallika negatiivse klemmiga ja UL1 = 0,5Ud. Faaside L2 ja L3 pingete kujud on täpselt
positiivne. Tekib vool- läbi kollektori. Tekkiv vool on palju suurem kui läbi baasi. Kui baasi pinge panna võnkuma, siis samas taktis hakkab võnkuma ka kollektori vool. Selles seisneb transistori võimendusefekt 1.Sädelahendus – see tekib siis, kui vooluallika 1.Huumlahendus on kõrge pinge all toimuv võimsus pole piisav, et tekitada huumlahendust või ionisatsioon, mille käigus eraldub valgust. Looduslik eletrikaart. Looduslik näide on äike näide on virmalised. 3.p-n siire – p-tüüpi pooljuhtides on laengukandjateks 3.Transistorit saab kasutada elektrisignaali
R/W = 1, (read/write) määrab ära lugemisreziimi; R/W = 0, määrab ära kirjutusreziimi; CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel.
Kuna arvutid olid suhteliselt aeglased, siis ei sobinud need keerukamate ülesannete lahendamiseks. Arvuteid programmeeriti valdavalt masinakeeles. Sel ajal olid arvutid aukartustäratavate garbiitide ja kaaluga. Nende töökindlus jättis veel palju soovida. Arvutite teenindamisel vajati suurearvulist põhjaliku eriväljaõppega personali. Teise põlvkonna arvutid ilmusid ajavahemikus 1954-1965. 1947. aastal leiutasid William Shockley, John Bardeen ja William Brattain transistori. Kuna esimese põlvkonna arvutites kasutatav elektronlamp vajas sama palju ruumi kui umbes 200 transistori, olles samas transistorist kuni 40 korda aeglasem, oluliselt kallim ja eraldades talitlusel palju soojust, siis on mõistetav, miks transistoride ilmumisel tõrjuti elektronlambid arvuteist õige kiiresti välja. Arvutite jõuldlus jäi aga vahemikku 6000 kuni 3 000 000 operatsiooni sekundis. Arvutite programmeerimisel kasutati spetsiaalseid programmeerimiskeeli, kus
Transistor Reili Koplimets Silver Palm Liisi Lehtsaar Mõiste Kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadeldis Sellega saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali Jagunevad kaheks: Bipolaartransistor-juhitakse vooluga Väljatransistor- juhitakse pingega Eelkäijad Relee-signaali sisse-ja väljalülitamiseks Elektronlamp ehk raadiolamp- selleks eraldi väljundkarakteristik Ajalugu Esimene transistori patent füüsik Julius Edgar Lilienfeldile 1925. aastal. 1942.aastal eksperimenteeris sakslane Herbert Matare topeltdioodidega. Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat , kuid väga lähestikku asuvat metallkontakti. Sellest algeline idee bipolaartransistori loomiseks. 1947.aastal avastasid USA teadlased John Bardeen ja Walter Brattain, et kui panna germaaniumkristalli külge elektrilised kontaktid, siis sellest väljuva
MHX0065 Mehhatroonikasüsteemide komponendid Praktikum Alalisvoolu mootor aruanne Kuupäev: 6.12.12 Meeskonnaliikmed: 1. Ove Hillep 2. Joosep Andrespuk 3. Ragnar Jaanov Aruande täitis ja esitas: Ove Hillep Labori eeltöö ULN2003 on kõrgpingeline ja kõrge vooluga darlingtontransistor, mis koosneb seitsmest emitteriga darling- toni paarist. Transistori nimivoolu tugevus on 500 mA, kuid see suudab taluda kaa 600 mA voolu. Darlingtontransistor koosneb kahest bipolaarsest transistorist, mis on ühendatud sedasi, et esimesest tran- sistorist tulev vool võimendatakse veelgi enam teise transistori poolt. Püsimagnetiga alalisvoolumootorid on laialt levinud erinevates rakendustes, kus olulised on väikesed mõõt- med, suur võimsus ja madal hind. Nende suhteliselt suure pöörlemiskiiruse tõttu kasutatakse neid tihti koos
12. Mida nimetatakse pooljuhi omajuhtivuseks,e. i-juhtivuseks? Lk 88 Kui pooljuhis on vabade elektronide arv võrdne aukude arvuga. 13. Mida nimetatakse n-juhtivuseks?lk 91 n-tüüpi pooljuhis on vabade elektronide arv (kontsentratsioon) suurem kui aukude arv ja seepärast on vabad elektronid põhilisteks voolukandjateks. n-pooljuhi pinnale on kasvatatud 0,1m paksune dielektriku kiht ja sellele kantud metallikiht, mis toimib paisuna. Kui rakendada n-kanaliga transistori paisule näiteks negatiivne pinge siis tõukab selle tekitatud elektriväli laengukandjaid - elektrone - kanalist välja seda enam, mida negatiivsem on paisule rakendatud pinge. Vastavalt laengukandjate vähenemisele nõrgeneb kanalit neelu ja lätte vahele rakendatava pinge mõjul ka läbiv vool. Niisuguses reziimis töötavat transistorit nimetatakse laengukandjavaeses e. vaesestusreziimis (inglise depletion-mode-transistor) töötavaks transistoriks. 14. Mida nimetatakse p-juhtivuseks
tsooni juhtivustsooni, jättes valentstsooni auke. Kuna metallides on kõrgeim hõivatud energiatsoon ainult osaliselt elektronidega asustatud, on nad head soojusjuhid. 4. Miks pooljuhtide juhtivus temperatuuri tõstmisel muutub? Vabad elektronid tekivad temperatuuri tõustes, juhtivustsoonis elektronide arv suureneb. 5. Transistorid Kollektor hakkab koguma elektrone, emitter saadab auke välja kollektorisse. Transistori omadus transistor võimendab emitteri ja baasi vahelist pinget. Väikesed pingemuutused emitteri ja baasi vahel tekitavad suuri pingemuutusi baasi ja kollektori vahel. St et transistor on pinge võimendaja. Baasi potentsiaalid npn pos, pnp neg Transistor on pinge võimendaja. 6. Pooljuhtdioodi tööpõhimõte Elektrivoolu läbib pn siirde tekitavad põhilised laengukandjad. Nii n-pooljuhid kui p-pooljuhid. Voolutugevus on suur ja pn-siirde takistus on väike. 7
Kes tahab, võib ruutkeskmise signaali leida ka lihtsustatud dioodide jaoks aga siis peaks kasutama integreerimist.) 6. 15 V Zener dioodi maksimaalne lubatud võimsus on 100 mW. Milline on sobiv jadamisi ühendatava takisti väärtus, kui toitepinge on 24 V? Milline vool läbib Zener dioodi, kui koormustakisti väärtus on 5 k? (IZmax =6,67 mA; R = 1,35 kR mA; IZ = 3,67 mA Transistorid 7. Bipolaarse npn või pnp transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage emitter, baas ja kollektor, siirded nende vahel, voolud emitterisse, baasi ja kollektorisse). Pingestamine ja voolud ühise emitteriga lülituse korral koos sisend, ülekande ja väljundkarakteristikutega (piisab kõige lihtsamast kollektortakistiga ja baasitakistiga lülitusest). 8. Formeeritud kanaliga n-tüüpi MOSFET transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage läte,
valmistamisel. 11. Kirjelda pooljuhtdioodi voltamper-kõverat ehk pinge–voolu tunnusjoont. Kui dioodile rakendada päripinge, hakkab vool pinge tõustes kasvama. Vastupinge korral kahaneb vool nullilähedale. 12. Millal on tegemist päri- ja millal vastusiirdega? Pärisiire toimub siis, kui vooluallika positiivne poolus on ühendatud p-poolmega. Vastusiirde puhul on poolused vahetatud. 13. Milline on transistori ehitus ja tööpõhimõte? ( tee skemaatiline joonis) Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n. Transistori tööpõhimõte seisneb selles, et ühele siirdele rakendatud oluliselt nõrgema
· Praktikumi käigus tutvusime ostsillaatori ehituse ja tööpõhimõttega. Harmoonilise võnkumise generaatori sageduse määrab LC selektiivahel. Kasutusel on sagedusvahemik 50 kHz kuni 300 MHz. Generaatori koosseisu peab kuuluma aktiivne neli- või kaksklemm, et hoida alal passiivelementide võnkumisi. Selles praktikumis vaatlesime kolmpunktlülituse ostsillatorit. Võib õelda, antud kolmpunktlülituse ostsillaator (Coltpitts'i) on suhteliselt stabiilne skeem tänu transistori viikude vahelise mahtuvusega paralleelsetele kondensaatoritele. Ostsillaatori sagedust mõjutavad kõik välistegurid ka mehaanilised välismõjud. ·
Elektrotehnika Kondensaator Kondensaator on koostis osa, mis kogub endasse elektrienergiat ja tühjeneb siis lambi või takisti kaudu. Kondensaatori omadust koguda elektrienergiat, nimetatakse elektrimahtuvuseks. Mahtuvuse ühik on Farad F. Diood Diood on koostisosa, mis juhib elektrivoolu ainult ühes suunas. Vastupidises suunas diood elektrivoolu ei juhi. Transistor Transistor on koostis osa mille abil saab võimendada elektrisignaale. Kui transistori baasile anda väike voolutugevus, siis kollektorilt pääseb emitterile suur voolutugevus. Keemilised vooluallikad Keemiline vooluallikas elektrienergia allikas, mis muudab aktiivainete keemislise energia vahetult elektrienergiaks. Vooluallikaid liigitatakse Galvaanielemendid ühekordselt kasutatavad Akud korduv kasutatav Nimipinge uue elemendi klemmipinge teatud kindla koormusvoolu korral sisetakistus elemendi takistus, mida on avaldatud elemendi elektroodi ja elektrolüüt teda
lähedale (0,1 - 1 nm), hakkab ta kiirgama elektrone, tekib külmemissioon e. autoemissioon Diood- on kahe elektroodiga (katood, anood) elektronseadis, millel on ühesuunaline elektrijuhtivus. Eristatakse elektrovaakumdioode ja pooljuhtdioode. Dioodide põhiline kasutusala on vahelduvvoolu alaldamine, kuid kasutusel on ka mitut liiki eriotstarbelisi pooljuhtdioode. Transistor- on kolme väljaviiguga pooljuhtseadis elektriahelate lülitamiseks ja elektrisignaalide võimendamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistor on elektroonikalülituste tähtsaim koostisosa info- ja sidetehnikas ning samuti jõuelektroonikas. Kiip- Tänapäeval monteeritakse elektroonikaseadised. Kiip on pooljuhiplaadike, millesse on tehtud suur hulk imepisikesi, mõnemikromeetriste mõõtmetega transistoreid koos lülitusse kuuluvate takistite, kondensaatorite jm. vajalikuga. Laser- stimuleeritud kiirgusel põhinev valgusallikas
Arvutiriistvara testid 1.test Arvutustehnika ajalugu 1)Milline nendest firmadest tõi kasutusele esimesena aknad,ikoonid ja hiired? V: Xerox 2)Mille eest said Shockley,Brattain ja Berdeen 1956.aastal Nobeli preemia? V:Transistori leiutamise eest 3)Milline organisatsioon lõi WWW esialgse spetsifikatsiooni? V: CERN 4)Milliste sõnade lühend on ENIAC? V:Electronic Numerical Integrator and Computer 5)Milline oli kõige esimene kommertsmikroprotsessor? V: 4004 6)Kes on nende kuulsate sõnade autor(id)?-,,640K mälu peaks olema piisav kõikidele" V:Bill Gates 7)Milline nendest firmadest tõi esimesena turule IBM-PC tüüpi kaasaskantava arvuti? v:Compaq 2.test Arvuti, mis see on?
(Joonis 5.). Analoogskeemi koostamine Joonestati operatsioonivõimendi skeemist (joonis 8.), layout (joonis 9.), mille simulatsioonist (joonis 10.) otsiti võimendust (tabel 1.) ja saadud tulemustest joonistati graafik (graafik 1.). Võimendi koosnes üheksast transistorist, millest neli olid pMOS ja viis nMOS. Mängides sagedusega, selgus, mida suurem sagedus seda väiksem võimendus. Et saada suhteliselt muutumatut voolu kasutati voolupeeglit, milleks kasutati kahte transistori. Joonised 1.Loogikalülituste koostamine Joonis 1. CMOS-invertori elektriskeem Joonis 2. CMOS-invertori simulatsioon Joonis 3. CMOS-invertori generatsoon 2.LIHTLOOGIKA 4. NAND2 skeem Joonis 5. NAND2 kristallil Joonis 6. NAND2 simulatsioon Joonis7. NAND2 ühenduskontaktidega, väljaviikude külgejootmiseks 3. Analoogskeemi koostamine Joonis 8
1. Test Millal loodi esimene elektronarvuti? 1945 Mille leiutamisele järgnes elektronarvutite teine põlvkond? Transistori Millises firmas loodi esimene mikroarvuti? MITS Millal jõudis turule firma IBM esimene personaalarvuti? 1981 Millises firmas valmistati esimene mikroprotsessor? Intel Tahvelarvuti on inglise keeles: Tablet computer Neumanni arvuti koosneb järgmistest seadmetest: aritmeetika-loogikaseade, mäluseade, juhtseade ja sisend-väljundseadmed 1 kilobait on 1024 baiti A Programmifailid sisaldavad: korraldusi ehk käske arvutile
! 1948.a. USA Pooljuhttrioodi leiutamine. Ge transistor D.Bardin, W.Brattain, W.Schokly Nobeli preemia laureaadid. 1949.a. transistorid NSV Liidus. 1960.a. kuni tänaseni transistorelektroonika. 1960.a. 1970.a. diskreetsed transistorid. 1958.a. USA esimesed integraalskeemid (IC), D.Kilby R.Noice. 1962.a. algab integraallülituste seeriatootmine. 1970.a. kuni tänaseni integraalelektroonika. 1970.a. 10 transistori ühele kristallile. 1987.a. 1,5 2,0 miljonit tr. 2000.a. 10 miljonit! 11 Mis on elektronlülituse element? Elektronlamp, kondensaator, induktiivsus, takisti, transistor, diood. ELEMENDI BAAS: I tase ............... diskreetsed elemendid transistor, diood, L, C, R II tase ............... võimendid kui tervikud, loogikaelemendid NING, VÕI, EI III tase .............
Arvutid jagunevad nelja põlvkonda: Esimese põlvkonna arvutid olid väga suured, kuid arvutasid kõvasti kiiremini kui inimene. Näiteks teadlased leiutasid arvuti, mis oli 30x50 jala suurune ja kaalus ligi 30 tonni.Sellel masinal oli 18000 vaakumlampi ning see masin oli arvutamiseks ning suutis teha ligi 5000 tehet sekundis, mis on kõlab küll, et väga palju, kui tänapäeva arvutitega võrreldes on see aeglane. Teise põlvkonna alguseks oli transistori leiutamine Belli labarotooriumi poolt 1947. Aastal. Kuid seda hakati alles laialdaselt kasutama 50ndate lõpus. Transistor oli silikonkiibis pisike tükike, mida hakati kasutama peale 1954 aastat, kuna enne seda kasutati germaaniumi, kuid see ei kannatanud nii hästi temperatuuri, kui silikon. Transistor oli vaakumlambi sarnane, kuid sellest tehtud arvutid olid mõõtudelt palju 4
Transistorid Mis on Transistor Transistor on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistorite Erinevus Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest.
annaabi.ee 
