Bipolaartransistori uurimine (0)

EESTI MAAÜLIKOOL
TEHNIKAINSTITUUT
Energiakasutuse eriala
Üliõpilased:
A. Puis M.Pabusk R.Feldman
Õppeaasta:
2014/2015
Rühm:
EK 1
ELEKTROONIKA ALUSED
Juhendaja :
Toivo Leola
Töö tehtud:
03. detsember
Aruanne esitatud:
detsember
Töö nr:
7 & 8
BIPOLAARTRANSISTORI UURIMINE
Katseobjekt:
Õppida tun­dma bipolaartransistori oma­dusi. Tutvuda bipolaartransistori tööga ühisbaas- (ÜB-) ja ühisemitter- (ÜE-) ühenduses. Võtta üles transistori sisend - ja väljund ­tunnusjoonte sarjad , määrata nõrga signaali režiimi parameetrid (h- parameetrid ) ÜB- ja ÜE-ühenduses, võrrelda erinevate ühen­duste puhul transistorastme olulisemaid para­­meetreid.
Kasutatud seadmed :
Juhtmed
Reostaat x2
Bipolaartransistor (KT361E)
Toiteallikas x2 (PS613)
Milliampermeeter x2 (M104)
Voltmeeter x2 (PSY)
KT361E
Joonis 7.1 Transistori lülitusskeem ÜB-ühenduses
3. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad:
IC = f (UCB)
IC = f (IE)
Katseandmed märkisime tabelisse 7.1. Joonestasime sõltuvuste graafikud (joonis 7.3 ja 7.4)
Joonis 7.3 Tunnusjooned IC = f (UCB)
Joonis 7.4 Tunnusjooned IC = f (IE)
4. Transistori tunnusjoonte alusel määrasime nõrga signaali parameetrid:

• sisendtakistus h11b
  
• pingetagasisidetegur h12b
  

6. Koostasime lülituse ÜE-ühenduses transistori uurimiseks (joonis 7.2).
Joonis 7.2 Transistori lülitussskeem ÜE-ühenduses
7. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad:
UBE = f (IB)
IC = f (UCE)
Katseandmed märkisime tabelisse 7.2. Joonestasime sõltuvuse graafikud (joonised 7.5 ja 7.6).
Joonis 7.5 Tunnusjooned UBE = f (IB)
Joonis 7.6 Tunnusjooned IC = f (UCE)
8. Tunnusjoonte alusel määrasime:
10. Võrdlesime omavahel ÜB- ja ÜE-lülituses transistori parameetreid.
Võrreldes bipolaartransistori ühisbaas- ja ühisemitterühendust, selgub , et ÜB-ühenduse korral on sisendvool ja väljundvool peaaegu samad, kuid ÜE-ühenduse korral on sisend- ja väljundvoolude vahe oluliselt suurem. Tundmatutel mõjudel ei olnud võimalik rohkem mõõtmisi teha ning saime ÜB-ühenduse korral mõõta väljundvoolu ainult väljundpinge väärtuse 1V juures.
Emitter on transistori üks välimistest kihtidest ning see toimib voolu tekitajana transistoris. See on osa, milles tekitatakse ja vastavalt ka emiteeritakse enamuslaengukandjaid. Transistorit läbiva voolu tugevust aga tüürib keskmine kiht transistoris, mida nimetatakse baasiks . Voolu baasiahelas moodustavad põhiliselt transistori emitterist tulnud augud (n-p-n transistori puhul aga emitterist tulnud elektronid) – see tähendab, et ühendusviis omab väga palju tähtsust.
Leidsime ka transistori tunnusjoonte parameetrid ning saadud tulemused ühtisid passiandmetega.
Tabel 7.1 Transistori ÜB-ühendus
UC = 1 V
UC = 3 V
UC = 7 V
UC = 10 V
UC = 12 V
IE
mA
2
4
6
8
10
2
4
6
8
10
2
4
6
8
10
2
4
6
8
10
2
4
6
8
10
UE
V
0,5
0,42
0,57
0,67
0,57
IC
mA
1,9
4
5,9
7,9
9,9
2
4
5,8
7,7
9,8
2
4
5,8
7,9
9,8
2
4
6
7,8
9,9
2
4
5,9
7,9
9,8
Tabel 7.2 Transistori ÜE-ühendus
UC = 1 V
UC = 3 V
UC = 7 V
UC = 10 V
UC = 12 V
IB
A
20
40
60
80
100
20
40
60
80
100
20
40
60
80
100
20
40
60
80
100
20
40
60
80
100
UB
V
0,68
0,69
0,7
0,71
0,72
0,66
0,69
0,7
0,7
0,7
0,66
0,68
0,69
0,69
0,69
0,66
0,67
0,69
0,69
0,69
0,65
0,65
0,66
0,66
0,66
IC
mA
1,28
2,68
4,08
5,5
6,4
1,19
2,6
4,04
5,56
7
1,24
2,84
4,7
6,2
7,7
1,32
3,12
4,76
6,8
8,5
1,52
3
5
7
11,1