2 Dioodtüristor 3.6.3 Sümistor e. sümmeetriline türistor 3.6.4 Suletav türistor 3.6.5 Türistoride kasutamine jõuelektroonikas Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 1 3.1. Pooljuhtmaterjalid Pooljuhtseadised on elektroonikas kasutatavad seadised, mille töö põhineb pooljuhtide omaduste ärakasutamisel. Pooljuhtseadiste hulka kuuluvad näiteks pooljuhtdioodid, türistorid, transistorid, integraalskeemid jm elektroonikakomponendid. Pooljuhid on ained, mille erijuhtivus on väiksem kui elektrijuhtidel (metallidel) ja suurem kui dielektrikutel. Joonis 3.1. Mõnede materjalide paiknemine eritakistuste skaalal [6]. Kui valmistada kolmest erinevast materjalist - vask Cu (metall ja elektrijuht), puhas räni Si i (pooljuht; indeks i tähistab omajuhtivusega puhast pooljuhtmaterjali) ja
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites.
ELEKTROONIKA ALUSED Elektroonikaseadmete koostaja erialale 2007 SISUKORD ........................................................................................................................................... 24 I...................................................................................................................................... 25 U2.................................................................................................................................. 25 ........................................................................................................................................... 25 VD2................................................................................................................................ 25 ...............................................
...............................................................................................................17 3.3. Silufiltrid .................................................................................................................................................................22 3.4. Stabilisaatorid ..........................................................................................................................................................24 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT).......................................................................................................28 4.1.Transistori ehitus.................................................................................................................................................... 28 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus......................................................................................................................... 28 4.3
aseskeemide abil, kus alalispingelist toiteallikat isegi ei näidata, küll kajastuvad seal aga kõik muud elemendid, kaasaarvatud ka parasiitelemendid, mis mõjutavad signaali võimendust. Võimendeid liigitatakse mitme tunnuse alusel. Nii liigitatakse sõltuvalt kasutatavast võimendus- elemendist. Võimenduselemendiks saab olla element, mille väljundvool sõltud lineaarselt sisendpingest või sisendvoolust. Sellisteks elementideks on eelkõige transistorid. Sellest lähtudes on: transistorvõimendid, integraalvõimendid, elektronlampvõimendid, magnetvõimendid jne. Töörezhiimist ja konstruktsioonist sõltuvalt jagatakse võimendeid eel- ja K lõppvõimenditeks. Eelvõimendite väljund on ühendatud järgneva astme sisendiga, lõppvõimendite väljund on aga ühendatud koormustakistusega. K 0,7K 0
millest on koostatud vajaliku toimega lülitused. Otstarbe tähtsuselt jagatakse neid elemente põhi-ja abielementideks. Põhielementideks on need, milleta pole lülituste töö võimalik. Abielementideta on lülituste töö küll võimalik, kuid nendest sõltuvad suuresti seadme tarbimisomadused. Põhielemendid jagunevad omakorda passiiv- ja aktiivelementideks. Passiv- elementideks on takistid, kondensaatorid ja induktiivpoolid, aktiivelementideks dioodid, transistorid ja integraallülitused. Abielementideks on pistikud, ümberlülitid, klemmliistud, mitmesugused konstruktsioonelemendid jne. Käesolevas õppematerjalis käsitletakse passiivelemente ja aktiivelemente (v.a. integraallülitused), milledel põhineb enamike elektroonikalülituste töö. Välja on jäetud mõnede kitsamat huvi pakkuvate seadiste, nagu pöörddioodid, tunneldioodid ja ühesiirdetransistorid, kirjeldused.
muutuse. Operatsioonvõimendi e. OV · Suure võimendusteguriga alalisvoolu võimendi. · Ettenähtud sisendsignaali võimendamiseks · Töö parameetrid on määratavad väliste ahelate ja tagasisidega · Omab kahte sisendit (inverteeriv '-' ja mitteinverteeriv'+'). Nimetatakse ka diferentsiaal sisendiks. · On ettenähtud tööks ka kahepoolse toitega (-E ja +E) · Suhteliselt lihtne kasutada ja asendab edukalt transistor · lülitusi, tagades ka võimenduse parema kvaliteedi. · Kasutatakse põhiliselt võimenditena, generaatorites, aktiivfiltrites, pinge- ja voolustabilisaatorites jne. · Sisendvool,võimendustegur,talitluskiirus Joonisel: Pingestamine kahepoolse toiteallikaga OV Diferentspinge ja ühispinge Ud = U1 U2 Uü = (U1 U2 ) /2 OV tunnussuurused 1. Võimendustegur e. diferentsiaali võimendus Kd on väljundpinge ja seda
Madalsagedustel (alla 15 ... 20kHz) kasutatakse enamasti RC-generaatoreid. Põhimõtteliselt võib võnkeringi asendada RC-ribafiltriga või nn Wieni-Robinsoni sillaga. faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku 3->Rts/Ro2. 4. TTL-Schottky loogika elemendid TTL – nii lülituse sisendis kui väljundis on transistorid. TTL-Schottky barjääriga transistorides on baasi ja kollektori vahel Schottky barjäär, mis vähendab siirde avamise lävipinget (0,7 voldilt 0,2...0,3 voldini) hoider ära transistori küllastumise. Seetõttu tõuseb loogikaelemendi töösagedus ja suureneb pingelang emittersiirdel, mille tõttu väheneb kollektorivool püsitalitluses. 5. RS-triger Igal trigeril on 2 olekut. Triger on primitiivsem jadaloogika lülitus. Ehituse aluseks on 2 eitusega (Ning/Või) elementi.
Kõik kommentaarid