peale intensiivuste veel ju informatsiooni difrageerunud valguskiirte faaside kohta. Faasierinevused aga etendavad interferentspildi moodustumisel niisama tähtsat osa kui intensiivsuse erinevused. Hologramm võimaldab rekonstrueerida objekti ruumilist kujutist. Holograafiat rakendatakse väikestest detailidest kujutiste tegemisel, võnkuvate plaatide uurimisel. Ardo Laur Pööratud jaotus Aatom koosneb tuumast ja selle ümber statsionaarsetel orbiitidel ringlevatest elektronidest, ilma et elektronid seejuures energiat kiirgaksid. Tavalises, ergastamata aatomis ringleb välimine elektron oma madalaimal statsionaarsel orbiidil. Kui aatomile energiat juurde anda (soojusliikumisest tingitud põrke tagajärjel või kokkupõrkel elektriliselt laetud osakestega või ehk valguskiirguse arvel), läheb välimine
siseelektronkatted ja selle tagajärjel tekib stimuleeritud röntgenkiirgus. Resonaatoripeegleina võivad toimida näiteks kristallvõred. Röntgenkiirte võimalikke rakendusi on näiteks mikroobjektide holograafia ja laserrelv. Rubiinlaser, selle töö ja ehitus Pööratud jaotuse põhimõte realiseeriti esmakordselt rubiinlaseris (praegu kõige levinumad laserid), sünteetilisest rubiinist kristallvardas, millele on valmistamise ajal lisatud tühine hulk kroomi. Rubiin on alumiiniumoksiidi kristall teatud lisandiga, mis tingib tema suurepärase värvuse. Safiir on sama kristall, ainult teise lisandiga. Neid kristalle osatakse nüüd tehislikult valmistada pikkade varraste kujul, mille kristallivõre on väga hea kvaliteediga. Puhas, lisanditeta alumiiniumoksiidi kristall on värvitu ja läbipaistev. Kui kasvatamise ajal lisada talle veidi titaani, omandab kristall helesinise tooni ning tulemuseks on kalliskivi safiir.
võivad vabalt liikuda ning elektrivälja rakendamisel alustavad suunatud liikumist EV suunas. See on p-pooljuht. Mõlemas pooljuhis saavad seotud (seega liikumisvõimetud) lisandaatomitest ioonid, sest n-pooljuhis lahkus üks elektron oma aatomi juurest (positiivne ioon - katioon) ja p-pooljuhis aukude liikumise tõttu võib mõne lisandaatomi juures olla elektrone rohkem, kui tema tuumas prootoneid (negatiivne ioon - anioon). Siiski on kristall kokkuvõttes neutraalne, sest liikuvate laengukandjate (elektronid ja augud) arv on täpselt sama suur, kui ioonide arv. Seetõttu öeldakse, et need ioonid on kaetud (igaühe jaoks leidub kirstallis vastandmärgiline liikuv laengukandja). Kui pannakse omavahel kokku kaks erineva juhtivusega pooljuhti, siis nende ühinemiskohas hakkavad elektronid ja augud difusiooni tõttu liikuma vastupidise juhtivusega pooljuhti. Kui elektron ja auk kohtuvad, siis elektron "kukub auku"
türistorid, transistorid, integraalskeemid jm elektroonikakomponendid. Pooljuhid on ained, mille erijuhtivus on väiksem kui elektrijuhtidel (metallidel) ja suurem kui dielektrikutel. Joonis 3.1. Mõnede materjalide paiknemine eritakistuste skaalal [6]. Kui valmistada kolmest erinevast materjalist - vask Cu (metall ja elektrijuht), puhas räni Si i (pooljuht; indeks i tähistab omajuhtivusega puhast pooljuhtmaterjali) ja polüvinüülkloriid (PVC, dielektrik) - igaühest varras pikkusega 1 m ja ristlõikega 1 mm2, siis oleksid nende varraste takistused järgmised (tabel 3.1): Tabel 3.1. Kolmest erinevast materjalist valmistatud varraste võrdlus [6]. 1 m pikkuse ja 1 mm2 ristlõikega varda takistus (vasakul oomides kui põhiühikutes, paremal kordsetes ühikutes) Cu 17,5 * 10-3 W 17,5 mW Si i (20°C) 2,1 * 10 W 9
3. TABEL 1.3 Omadus Piirkond Nimitakistus 12...22M Tolerants ±5%...±20% Võimsus Kuni 2W Töötemperatuur -25...+100°C Takistuse +500 ppm/°C temperatuurikaitsetegur (TKR) Omamüra Väga suur Kile- ehk kihttakisti põhiosaks on portselantoru või varras, millele on kantud suure takistusega materjali kile, milleks võib olla grafiit, mingi metall või selle sulam, või metalli oksiid. Takistuskile on enamasti spiraalikujuline ja takistuse väärtus sõltuv keerdude arvust, kile paksusest ja kasutatava materjali eritakistusest. Kiletakisti ehitus on toodud joonisel 1.3. Film resistor ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk. 6
Tarbimine 50W 10pdf 3. stab voolu genekas. =mitteinv Rts=Rt, It=Usis/R. URt=RtIt 8.pdf 4. Kõik loend-d on 2ndloendurid, 10ndloend on modif 2nd, trig baasil; *summ *lahut *reversiivsed | asünc-trig järjestik ja lülitavad info muutusel ja sünc-lülitavad korraga; Loendavad ipulsse. Liigitus 2nd-mitte2nd käib täissaamise kohta(6nd loendur) 5. JA, EI, VÕI, NAND, NOR, XOR Pilet 15. 1. Elektronkiiretoru 2. Optron ja kõige kiirem optron 3. XOR 4. Transistor lülitirezhiimis 1. Täna on elektronkiiretoru: katood – võre e. modulaator, mis kokku moodustab elektronkahuri, elektronid suunatakse luminestseerivale ekraanile, mis on tehtud RGB kiirgavate triipude või punktidena. Et kiirendada on peale võret anood. Elektronkiirt peab saama suunata, selleks on olemas kallutussüsteem N: I plaadid kallutab elektriväljaga s.o. elektrostaatiline kallutamine (esineb ostsillograafis). II elektromagnetiline, 2 mähist,
4.6 Transistoride omaduste sõltuvus sagedusest ............................................................................................................35 4.7 Transistoride omaduste sõltuvus temperatuurist ....................................................................................................35 4.8. Transistori kolm reziimi .........................................................................................................................................36 4.9. Transistor lüliti reziimis......................................................................................................................................... 37 4.10. Transistori tööpunkti fikseerimine ........................................................................................................................39 4.11. Transistori tööpunkti stabiliseerimine ..................................................................................................................40 4.12
nulltemperatuuri juures (-273 °C). Säärases olukorras on kõik pooljuhid isolaatorid. Väliste tegurite mõjul võivad aga väliskihi elektronid saada juurde energiat ja saadud lisaenergia arvel lahkuda oma kohalt struktuuris, kuna selleks vajalik lisaenergia on küllaltki väike (ränil 1,1 eV, germaaniumil 0,67 eV). Põhiliseks väliseks teguriks, mis soodustab juhtivuselektronide tekkimist, on temperatuur. Struktuurist lahkunud elektroni kohale jääb vaba koht. Seetõttu omandab aatom positiivse laengu, mille väärtus võrdub elektroni laenguga. Taolist vaba kohta nimetatakse auguks ja me võime teda vaadelda positiivse ühiklaenguna. Kuna auk omab positiivset laengut, võib ta tõmmata oma kohale struktuuris mõne kõrvalaatomi elektroni. Selle protsessi kordumisel auk nagu liiguks, kusjuures see liikumine on elektroni liikumisega vastassuunaline. Rakendades pooljuhile elektrivälja, hakkavad vabanenud elektronid liikuma elektrivälja
laengukandjate rekombinatsiooni tõttu. Vooluläbimisel pn- siiret, osa elektrone muudavad 1. JOONIS123 Neljakihiline struktuur, energiat, vahetavad orbiite, vabaneb energiat ning vabanev energia kiiratakse valgusena. n: kolm siiret, (nagu 2 transsi pnp ja npn, infrapunane. Algul vaid peen valgus praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V. kus pnp kollektor =npn baas ja npn valmistatakse (gallium arseeniid fosfiid). Kasutatakse optronites (valgusallik+valguse vastuvõtja). kol=pnp baas), sisemine pos tagasiside, Dioodoptron kiireim 10-8s. Inertsivaba ja saab ise valida spektri. neg pinge puhul blokeerub. K-|p|n|p|n|-A. 2. Võimendus astme põhiparameetrid: Ku=Uvalj/Usis, Ki=Ivalj/Isis, KP=Pvalj/Psis=Ku*Ki. Vahend voolu sisse-välja lülitamiseks,
endise oleku ja väljundsignaal „Q“ väljundil on endine. Kui mõlemil sisendil on signaal „1“, muutuvad mõlemad trigeri väljundid määramatuks. Aga selline signaalide kombinatsioon ei ole lubatud! 2)Sünkroonne RS-triger: sarnane asünkroonse ühetaktilise RS-trigeriga. Aga tema olek muutub ainult siis, kui sünkroniseerimissisendile C (Clock) on antud vastav sünkroniseerimissignaal. Pilet 2 1. Bipolaarne transistor Bipolaartransistor on vooluga juhitav transistor, mis koosneb kolmest erineva juhitavusega (auk – ja elektronjuhitavusega) kihist ja kahest nendevahelisest pn- siirdest. Transistori seda siiret, millele antakse päripinge, nimetatakse emittersiirdeks, ja sellega külgnevat ala emitteriks. Vastupingestavat siiret nimetatakse kollektorsiirdeks ja sellega külgnevat ala kollektoriks. Keskmine ala – baas – võib olla p- või n-juhtivusega, millele vastavalt on npn- ja pnp- struktuuriga transistore. Npn
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites.
Nendest materjalist valmistatud elektroonika seadised ehk pooljuht seadised. Pooljuhtide omapära on selles, et need on poolikud juhid. Pool juhtide eritakistus jääb dielektrikute ja täisjuhtide eritakistuse vahelee. Germaanium (temperatuuri kartlik , pinge kartlik ja suht kallis) ja räni(paremate näitajatega) on pooljuhtide ,,emad". Räni maakoores on 27% räni, sulamise temp. 1415kraadi. Kõik ained mille väliskihis on 4 elektroni on pooljuhid. Ioon on laenguga aatom, st, et ta on oma elektronide väliskihist loovutanud ühe elektroni ja tegemist on positiivse iooniga, kui juhtub, et tuleb 1 elektron juurde sii on tegemist negatiivse iooniga. Energeetiline keelutsoon erinev ainete lõikes, annab energiat elektronide liikumiseks mujale Ge 0,73eV Si 1,1 eV eV elektron volt Juhtivus elektronid temperatuuri tõusmisel teatud piirini saavad elektronid juurde energiat ja elektronid pääsevad vabalt liikuma.
avastamist 1911.a. Tuuma avastamine põhineb Rutherfordi katsel, mille käigus kiiritati õhukest kullalehte -osakestega. Katse käigus avastati, et osad -osakesed põrkusid plaadilt tagasi. Põrkumine oleks mõeldamatu, kui aatomi positiivne laeng jaguneks ühtlaselt üle terve ruumi. Aatomi ehitus ja kvantfüüsika1 Ainuke seletus on, et positiivne laeng on koondunud elektronidest tuhandeid kordi massiivsemasse kompaktsesse tuuma Planetaarmudeli järgi kujutab aatom endast ~1023 korda vähendatud Päikesesüsteemi laadset moodustist. Seejuures on keskseks kehaks tuum, mille ümber tiirlevad elektronid. Kaudsetest eksperimentidest on teada saadud aatomi mõõtme suurusjärk ~10-8cm Tuuma mõõtme suurusjärk on aga veelgi väiksem ~10-13 cm. Elektroni vaadeldakse punktmassina. Tuumade koostisse kuuluvad positiivse laenguga prootonid ja laenguta neutronitest. Ainukesena on lihtsaima elemendi vesiniku aatomi tuumas ainult 1 prooton
ajavahemiku vältel ergastatud olekus rohkem elektrone kui põhiolekus, see tähendab seda et kõrgema energia tasemel olevate elektronide arv ületab madalamal energiatasemel olevate elektronide arvu. Säärast lühiajaliselt püsivat olukorda nimetataksegi pööratud jaotuseks. Kui mingi kahe energiataseme vahel esineb elektronide pööratud jaotus ja sel hetkel siirdub üks elektron tagasi oma põhiolekusse , kiirates nagu tavaliselt fotooni, siis see footon möödub teel läbi aine paljudest teda ümbritsevatest ergastatud aatomitest ning võib neist ühe kiirgama stimuleerida. Niisugusel juhul leiab esialgse, protsessi algatanud fotooni ja hilisema, vallapäästetud footoni vahel aset interaktsioon, mille tulemusena asuvad mõlemad teele 3 TOLANSKY, S., Revolutsioon optikas, 1975, lk 178 7
Aine kristallilise ehituse korral on iga aine aatomil oma kindel asukoht st. nad moodustavad kristallvõre. Igale ainele on omane mingi kindel ja teistest erinev kristallvõre st. aatomite paiknemine. Kui soovitakse ühtlast kristallvõret, siis ei tohi lubada aines lisandeid, sest lisandid tekitavad oma kristallvõret ja struktuur muutub. Kristallilisest ehitusest tulenevalt võime oletada aine elektronid võivad olla seotud kristall võrega. Täpselt võib see olla seotud sellega, et pooljuhtidega on kovalentsed sidemed. Teatavasti on stabiilse struktuuri jaoks on vaja väliskihti 8 elektroni. Pooljuhtidel on neid 4. Kovalentse sideme korral, aga laenatakse vastastiku elektrone nii, et tekivad 8-le elektroonilised orbiidid. (1. joonis. 8-elektroniline orbiit) Kristallstruktuuris paiknevad elektronid võnguvad, kus juures võnkumiste amplituud sõltub temperatuurist
Kuigi esimene laseri nime kandev optiline seade ehitati alles 1960. aastal ameeriklase Maimani poolt, on tänaseks trükis ilmunud juba tuhandeid artikleid, mis käsitlevad selle seadme teooriat, tehnilist teostust, rakendusi ja tõenäolisi tulevikutäiustusi ning rakendusi. Laser on üpris eriliste omadustega uut liiki valgusallikas. Tema poolt kiiratud valgus võib olla erakordselt intensiivne, äärmiselt kõrge koherentsuse astmega ning koondunud väga kitsasse lainepikkuste vahemikku, pealegi võib valgus allikast väljuda kitsa paralleelkiirtekimbuna. Laseri väga intensiivne, rangelt koherentne ja kitsa paralleelkiirtekimbuna leviv kiirgus on toonud talle väga palju kasutusalasid. Laser ei ole mitte üksnes energiarikas ja suure intensiivsusega, vaid ühendab lisaks sellele mõningaid valguslainete jooned raadiolainete mõningate omadustega. Laser on abreviatuur. Sõna laser on lühend inglisekeelseist sõnadest "Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation" (va
3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused....................................................................................................... 60 5.1. Elektrisignaali võimendamine. Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement.............. 60 5.2. Võimendusastmed bipolaartransistori baasil.......................................................................... 62 5.3. Võimendusastmed väljatransistoride baasil............................................................................ 73 5.4. Tagasiside võimendites.......................................................
...................................... 13 2.2. Aatomi ehitus. ......................................................................................................... 13 2.2.1. Aatomnumbrid. ............................................................................................... 13 2.2.2. Aatommassid. .................................................................................................. 13 2.3. Aatomite elektronstruktuur. Vesiniku aatom. ........................................................ 14 2.3.1. Kõrvalepõige kvantmehhaanikasse. Kvantarvud............................................. 15 2.4. Keerulisemate (multielektroonsete) aatomite elektronstruktuur. ......................... 16 2.4.1. Aatomi suurus.................................................................................................. 16 2.4.2. Elektron-konfiguratsioon elementides. .......................
Füüsika II eksami kordamisküsimused 1. Elektrilaeng ja väli · Elektrilaeng (+ elementaarlaeng, omadused) ja laengu jäävuse seadus (+valem, näide, selgitamine) Elektrilaeng on mikroosakese fundamentaalne omadus (nii nagu masski), mis iseloomustab osakeste võimet avaldada erilist (elektrilist) mõju ja ka ise alluda sellele mõjule. Elektrilaeng põhjustab teda ümbritsevas ruumis elektrivälja tekke, mida on võimalik avastada teise elektrilaenguga. Elektrilaenguid on kaks tüüpi: § Positiivne (prooton) § Negatiivne (elektron) Eksisteerib vähim positiivne ja negatiivne laeng, mis on absoluutväärtuselt täpselt võrdsed Elementaarlaeng |q|=1,6 × 10-19 C Erimärgiliste laengute vahel mõjub tõmbejõud, samamärgiliste vahel aga tõukejõud Elektrilaeng ei eksisteeri ilma laengukandjata ja see ei sõltu taustsüsteemist Laengu jäävuse seadus: Elektriliselt isoleeritud süsteemis (s.o. süsteemis, kuhu ei tule elektrilaenguid juurde ja kust neid
Ventiilfotoefekt on sisefotoefekt pn-siirde tõkkekihis, mis avaldub foto- elektromotoorjõu tekkimisena kahe pooljuhi kokkupuutepinna või pooljuhi ja metalli kokkupuutepinna valgustamisel. Ventiilfotoefektil põhineb fotodioodide ja päikesepatareide töö. Välisfotoefekt e. fotoelektroniemissioon on elektronide väljumine ainest elektromagnetkiirguse toimel. Välisfotoefekt on kvantnähtus: selleks et fotoelektron ainest väljuks, peab temas neelduma footon e. valguskvant e. elektromagnetvälja kvant. Välisfotoefekti rakendatakse vaakuumfotoelementides ja ioonfotoelementides ning fotokordistites. 4.2.2 Sisefotoefektil põhinevad seadised 4.2.2.1 Fototakisti Fototakistid põhinevad sisefotoefektil, mis avaldub pooljuhi elektrijuhtivuse muutumisel valguse toimel ergastuvate elektronide ja aukude tõttu. Fototakisti on kahe elektroodiga pooljuhtfotoelement, mille elektrijuhtivus sõltub
2 väljund klemmi millega ühendatakse see objekt millele antakse võimendatud signaal. Peale selle vajab võimendi ka toiteallikat, mille energia arvel toimub võimendus protsess. Võime vaadelda ka nii, et võimendi on regulator mis juhib toiteallika energiat tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Sõltuvalt sellest milliseid võimendus elemente kasutatakse on olemas erinevaid võimendeid. Elektriliste signaalide võimendamiseks kasutatakse: transistor võimendeid, elektronlamp võimendeid, magnet võimendeid ja eletrimasin võimendeid. Väga levinud on võimendite liigitus kasutus otstarbel ja sagedus omaduste järgi sest kasutusvaldkond sõltub suuresti võimendi sageduslikest omadustest. Üks levinumaid võimendi liike on helisagedusvõimendi. Helisagedusvõimendi on kujuntatud kasutamiseks heliseadmetes. See tähendab ta peab suutma võimendada helisagedusega signaale. Joonis 1.1.2
Juhul kui paisul pinge puudub, on struktuuris kaks vastupingestatud dioodi (pn+-siiret). P-aluskristallis on positiivsed laengukandjad – augud – ülekaalus, kuid seal leidub ka negatiivseid laengukandjaid – elektrone. Teatavasti samanimelised laengud tõukuvad ja erinimelised tõmbuvad. Kui paisule pinget ei rakendata või teda negatiivselt pingestatakse, siis tõmbuvad paisu poole just augud kui vastandmärgilised laengud. Seega kasvab kahe n+ala vaheline takistus veelgi. Transistor on täielikult sulgunud. Rakendades paisule positiivse pinge, hakkavad positiivsed laengud alumiiniumelektroodi pinnal p-juhtivusega pooljuhis tõmbama enese poole väheseid negatiivseid laenguid ja kõik augud surutakse paisust võimalikult kaugele. Sellega tekib paisu alla n-juhtivusega pooljuht ehk n-kanal. Kirjeldatud protsess hakkab toimuma, alates kindlast lävipingest UGS(th). Mida suurem positiivne pinge paisule rakendub, seda väiksemaks muutub
ni = pi ning = e ni (n + p) kus i tähistab omapooljuhti (intrinsic). Elektronide kontsentratsioon võrdub nivoode tihedus korrutatud nende nivoode elektronidega täitumise tõenäosus. Omapooljuhis sõltub nivoode elektronidega täitumise tõenäosus eksponentsiaalselt pooljuhi keelutsooni laiusest E ja temperatuurist T, seega avaldub n võrrandiga ni = 2Nc e - E/2kT kus: Nc nivoode tihedus (arv ruumalaühiku kohta) juhtivustsoonis; 2 igal nivool võib olla kaks elektroni (vastupidise spinniga) Doonorlisandiga legeeritud (n-tüüpi) pooljuhis toatemperatuuril n Ndp , kus Nd on doonorite kontsentratsioon, ja = n = e * n *n e *Nd *n Aktseptoriga legeeritud (p-tüüpi) pooljuhis p Nan , kus Na on aktseptorite kontsentratsioon ja = p = e * p *p e *Na *p 2.2 p-n siire P-n siire on pooljuhis p-juhtivusega ja n-juhtivusega ala vaheline piir (alad on tekitatud erineva legeerimisega).
Võimendi väljundisse ühendatav tarbija võib olla kas valjuhääldi (3-30V), mingi mootori juhtme, mingi relee mähis. Võimendeid liigitatakse mitme tunnuse alusel: 1. Signaali olemus vaadeldava kursuse raames käsitletakse elektriliste signaalide võimendeid, kuid on ka olemas hüdrovõimendid (auto pidurivõimendi, roolivõimendi, neomovõimendid[lenukitelik, veoauto pidurid]) 2. Sõltuvalt selleks milliseid võimenduselemente kasutatakse (lampvõimendid, transistor võimendid, integraalvõimendi) 3. Signaali iseloomujärgi · madalsegedusvõimendid helivõimendid helisageduslike sageduste võimendamiseks, iseloomulik et nad toimivad helisageduste piirkonnas (20 Hz-20KHz) · alalispingevõimendi ( 0-3..5KHz) põhiline kasutamis ala on automaatikas, andurite puhul mille väljund on alalispinge (termopaar,
kõikide liikumisvormide korral. Anname ülevaate liikumist kirjeldavatest klassikalistest seadustest ning liikumisega seotud füüsikalistest suurustest ja seostest nende vahel. 5.1. Liikumise kirjeldamine Alustame liikumise kirjeldamist kehade liikumisega, jättes väljade liikumise kirjeldamise hilisemaks. Liikumine on keha asukoha või asendi muutus ruumis. Mis on aga keha? Füüsikas nimetatakse kõiki objekte kehadeks. Kehaks on näiteks inimene, kuid ka Maa või aatom. Kui on oluline keha kui terviku liikumise uurimine, siis kasutatakse punktmassi mõistet: keha, millel pole ruumala, kuid mille mass on võrdne keha massiga. Aga kui ikka täpselt tahta teada, missugusele keha punktile vastab punktmassi asukoht, siis tuleb öelda, et see koht on keha massikese (inertsikese, raskuskese). See on niisugune punkt kehas, kuhu toetatult jääb keha tasakaalu. Massikeskme asukohta saab leida riputusmeetodil.
rööpvõnkeringe, kus transistorvõtme abil võnkeringi katkestades tekivad aeglaselt sumbuvad võnkumised. Sellist võnkeringi nim. löökergutusega võnkeringiks. Kui võti on avatud, siis kulgeb läbi pooli L alalisvool (kollektorvool) Võnkeringis võnkumisi pole, kuid pooli magnetväljas on salvestunud energia. Transistori sulgumisel tekivad võnkeringis aeglaselt sumbuvad võnkumised, mille sagedus on määratud võnkeringi LC suurustega. Sisendimpulsi lõppedes transistor avaneb ja võnkumised sumbuvad kiiresti, sest võnkering šunteeritakse transistori väikese sisetakistusega. Selliselt saadud võnkumiste lõigud formeeritakse seejärel ossi ekraanil ajamärkideks. Siirdeprotsessid liinis d Skeemitehnikas kasutatakse laialdaselt pikki liine, mis kujutavad endast hajuparameetritega lülitusi. Nad koosnevad soon
1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (joonis 2- 17). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kritallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev (joonis 2-18). 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (nt. Mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahu kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli tõmbamise skeem sulandist joonis 2-19. Nii saadakse nt suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri. Anisotroopia on nähtus , kus monokristalli omadused eri suundades on erinevad. See on seotud osakeste erineva tihedusega erinevates suundades
b) Osaline polarisatsioon suurem osa valgusest võngub ühes eelistatud tasandis, ülejäänud osa valgusest võngub mujale. Polarisatsiooniaste on valguse polariseeritus, mis näitab voolutugevuse maksimum- ja miinimumväärtuste erinevuse suhet nende summasse. 19. Kiirgusoptika Põhimõisted: hajumine, neeldumine, dispersioon, soojuskiirgus, luminestsents. Tasakaaluline kiirgus: kiirgusvõime, neelamisvõime, must keha, kiirguskvant, footon. Hajumine on valguskiirte levimine erinevatesse suundadesse valgusallikast. Neeldumine on valguskiirte tungimine aine aatomitesse. Dispersioon on murdumisnäitaja sõltuvus sagedusest. Soojuslik ehk tasakaaluline kiirgus e. termodünaamilise tasakaalu tingimus tähendab, et niipalju kui keha annab energiat soojuskadudena ära väliskeskkonda peab ta sealt ka tagasi saama (ainult sel juhul säilib soojuslik tasakaal, muul juhul toimub kehade soojenemine või jahtumine).
b) Osaline polarisatsioon suurem osa valgusest võngub ühes eelistatud tasandis, ülejäänud osa valgusest võngub mujale. Polarisatsiooniaste on valguse polariseeritus, mis näitab voolutugevuse maksimum- ja miinimumväärtuste erinevuse suhet nende summasse. 19. Kiirgusoptika Põhimõisted: hajumine, neeldumine, dispersioon, soojuskiirgus, luminestsents. Tasakaaluline kiirgus: kiirgusvõime, neelamisvõime, must keha, kiirguskvant, footon. Hajumine on valguskiirte levimine erinevatesse suundadesse valgusallikast. Neeldumine on valguskiirte tungimine aine aatomitesse. Dispersioon on murdumisnäitaja sõltuvus sagedusest. Soojuslik ehk tasakaaluline kiirgus e. termodünaamilise tasakaalu tingimus tähendab, et niipalju kui keha annab energiat soojuskadudena ära väliskeskkonda peab ta sealt ka tagasi saama (ainult sel juhul säilib soojuslik tasakaal, muul juhul toimub kehade soojenemine või jahtumine).
11.1.INERTSIAALNE TAUSTSÜSTEEM EINSTEIN JA MEIE Albert Einstein kui relatiivsusteooria rajaja MART KUURME Liikumise uurimine algab taustkeha valikust leitakse mõni teine keha või koht, mille suhtes liikumist kirjeldada. Nii pole aga alati tehtud. Kaks ja pool tuhat aastat tagasi arvas eleaatidena tuntud kildkond mõtlejaid, et liikumist pole üldse olemas. Neid võib osaliselt mõistagi. Sest kas keegi meist tunnetab, et kihutame koos maakera ja kõige temale kuuluvaga igas sekundis umbes 30 kilomeetrit, et aastaga tiir Päikesele peale teha? Eleaatide järeldused olid muidugi rajatud hoopis teistele alustele. Nende neljast apooriast on köitvalt kirjutanud mullu meie hulgast lahkunud Harri Õiglane oma raamatus "Vestlus relatiivsusteooriast". Elease meeste arutlused on küll väga põnevad, kuid tõestavad ilmekalt, et palja mõtlemisega looduses toimuvat tõepäraselt kirjeldada ei õnnestu. Aeg on näidanud, et ka nn. terve mõistusega ei jõua tõe täide sügavusse. E
D digitaalseade S lipistus G generaator s operaator L reaktor, drossel T periood, ajakonstant M mootor t aeg R takisti U pinge S lüliti v kiirus T trafo X reaktiivtakistus VD diood x,y tasandi teljed VS türistor z vahemuutuja VT transistor Z näivtakistus Z koormus W energia A pindala W(s) ülekandefunktsioon a kiirendus w keerdude arv B induktsioon tüürnurk C mahtuvus , staatori teljed cos võimsustegur eelnemisnurk d,q rootori teljed kommutatsiooninurk F jõud viga
käivitamise vajaduse tõenäosust. 15. Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad. Bipolaarsed tehnoloogiad: dioodloogika: kokku ühendatud n-p pooljuhid lüliti avatud, kui vool kulgeb noole suunas. Väljundvoolu hergnevustegur dioodide arv loogikaskeemis piiratud, kuna vastasel juhul võib ühte dioodi hakata läbima liiga suur vool ... summa eelnenud dioodidest * I ... vana, ei kasutata TTL Transistor-Transistor Loogika: bipolaarne transistor ... npn = emitter-base-collector ja pnp = emitter-base-collector ... viimane on negatiivse loogika näide (invertor) kolme olekuga väljund: Enabled+x1+x2. Kui E=0, f=? väiksema energitarbega & kiirem kui eelmine STTL Shotky TTL ... lisatud Shotky diood, kiire lülitumisega IIL Integrated Injection Logics ... suhteliselt madalam töökiirus, suurim elemenditihedus.. TTL modifikatsioon, milles kahe transistori pnpnp osad kokku ühendet ECL Emitter-Coupled Logic ..
Fotoefekti punapiiri sagedus p on väikseim valguse sagedus, mis antud ainest veel elektroni välja suudab lüüa. Einsteini fotoefekti valem : E = A + K , kus E = h . - footoni energia A = h . p - väljumistöö, s. o. min. energia, mis sellest ainest elektroni välja lööks K = m . v2 / 2 - elektroni kineetiline energia, mille ta välja lennates vôib saada. Einsteini relativistlik energia ja massi seos : E = m0. c2 , kus c = 3 . 108 m/s - valguskiirus Bohri postulaadid : I Aatom viibib kindla energiaga statsionaarsetes ehk kvantolekutes, milles ta energiat ei kiirga. II Aatom kiirgab energiakvandi, kui läheb suurema energiaga statsionaarsest olekust väiksema energiaga statsionaarsesse olekusse. Selle valguskvandi sagedus : = ( E1 _ E2 ) / h Laserid ehk spektri nähtava diapsooni elektromagnetlainete kvantgeneraatorid töötavad indutseeritud kiirgusel, millel on samasugune sagedus, faas ja polarisatsioon nagu aatomites neeldunud kiirgusenergial.