......................................................................................................................................................24 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT).......................................................................................................28 4.1.Transistori ehitus.................................................................................................................................................... 28 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus......................................................................................................................... 28 4.3. Transistori tööpõhimõte..........................................................................................................................................29 4.4. Transistori kolm lülitust. .........................................................................................................................................30 4
Võimenduselemendiks saab olla element, mille väljundvool sõltud lineaarselt sisendpingest või sisendvoolust. Sellisteks elementideks on eelkõige transistorid. Sellest lähtudes on: transistorvõimendid, integraalvõimendid, elektronlampvõimendid, magnetvõimendid jne. Töörezhiimist ja konstruktsioonist sõltuvalt jagatakse võimendeid eel- ja K lõppvõimenditeks. Eelvõimendite väljund on ühendatud järgneva astme sisendiga, lõppvõimendite väljund on aga ühendatud koormustakistusega. K 0,7K 0 0,7K0 0 20kHz f 20Hz
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites.
1) Termistori kasutatakse temperatuuriandurina, kusjuures ta soojeneb ainult ümbritseva keskkonna toimel (seda läbiv vool on väike). 2) Kasutatakse termistori soojenemist teda läbiva voolu toimel, kus teatud voolu väärtusest tekkib suhteliselt suur takistuse vähenemine (vt. termistori pinge-voolu tunnusjoon joon. 1.8.), mis on sobiv liigpinge kaitsmetes. 3) Kasutatakse termistori soojuslikku tasakaalu, kus ta soojeneb nii keskkonna kui ka läbiva voolu toimel. See reziim leiab käsutust tuletõrjeautomaatikas. JOONIS 1.8. Termistoride põhiparameetrid on sarnased takistite parameetritega, nimitakistus (rida E6 või El2). hajuvõimsus. TTK ja lisaks veel soojuslik ajakonstant, mis on oluline automaatikaalastes rakendustes. 1.6. Fototakistid Fototakisti on pooljuhttakisti, mille takistus muutub sõltuvalt tema valgustamise tugevusest. Viinud fototakisti pimedast valguse kätte, muutub takistus tuhandeid kordi.
Võimendi väljundisse ühendatav tarbija võib olla kas valjuhääldi (3-30V), mingi mootori juhtme, mingi relee mähis. Võimendeid liigitatakse mitme tunnuse alusel: 1. Signaali olemus vaadeldava kursuse raames käsitletakse elektriliste signaalide võimendeid, kuid on ka olemas hüdrovõimendid (auto pidurivõimendi, roolivõimendi, neomovõimendid[lenukitelik, veoauto pidurid]) 2. Sõltuvalt selleks milliseid võimenduselemente kasutatakse (lampvõimendid, transistor võimendid, integraalvõimendi) 3. Signaali iseloomujärgi · madalsegedusvõimendid helivõimendid helisageduslike sageduste võimendamiseks, iseloomulik et nad toimivad helisageduste piirkonnas (20 Hz-20KHz) · alalispingevõimendi ( 0-3..5KHz) põhiline kasutamis ala on automaatikas, andurite puhul mille väljund on alalispinge (termopaar,
see protsess peab toimuma võimalikult ilma signaali moonutusteta. Võimendamise protsess toimub toiteallika energia arvel ja sellest tulenevalt me võime vaadelda võimendit kui regulaatorit või ventiili, mis juhib toiteallika võimsust tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Võimendeid liigitatakse mitmesuguste tunnuste alusel. Nii võib liigitada võimendeid sõltuvalt sellest millist võimendus elementi kasutatakse vastavalt sellele on olemas lampvõimendid, transistor võimendid ja intergraal võimendid. Sõltuvalt sellest kas põhiliseks võimendatavaks parameetriks on pinge, vool või võimsus eristatakse pinge, voolu ja võimsus võimendeid. Väga levinud on liigitada võimendeid eel ja lõppvõimenditeks. Eelvõimendi ülesandeks on suurendada signaali pinget või voolu sel määral, et sellest piisaks lõppvõimendi tüürimiseks ehk võib ka öelda et eelvõimendi väljund ühendatakse lõppvõimendi sisendiga.
Diood on PN siire millel on 2 elektroni Lisanditeta pooljuht apsoluutse nulli -273kraadi Kelvini on selle temperatuuri juures dielektrikud, ehk ei juhi elektrit Lisanditega omavad juhtivust. Pooljuht ehk PN siire madalatel temperatuuridel säilitab omadused. Koos temperatuuri tõusuga omandavad elektronid suurema energia ning omajuhtivus suureneb. Lisandjuhtivus sõltub samuti temperatuurist. Pooljuht diood Diood on elektroonika seadis mis juhib voolu ainult ühes suunas Pooljuhtdiood on kaheväljastusega ja ühe PN siirdega pooljuht seadis. Nende valmistamisel kasutatakse räni, germaaniumi või galium arseniid. Alaldusdioodid Kõrgsagedusdioodid Schotkydioodid ülikõrgsagedus dioodid Zeneri dioodid stabilnitorid Varikapid e. mahtuvus dioodid Gunnidioodid e. generaatordioodid Varaktorid e. sagedus kordistid Valgus- , foto- ja laserdioodid Üldine dioodi märk
Sageduskordistusdioodid (varaktorid). 8. Generaatordioodid (Gunni dioodid). 9. Tunneldioodid. 10. Optoelektroonika valdkonda kuuluvad dioodid: valgusdioodid, laserdioodid, fotodioodid. Valik erinevat tüüpi dioodide tingmärke on toodud joonisel 3.5. Joonis 3.5. Dioodide tingmärgid [2]. Dioodi pn-siirde p-juhtivusega piirkonnaga ühendatud väljaviiku nimetatakse anoodiks ning n-juhtivusega piirkonnaga ühendatud väljaviiku nimetatakse katoodiks. Diood on päripingestatud, kui tema anoodiga on ühendatud välise pingeallika positiivne poolus ja katoodiga negatiivne poolus. Pooljuhtdioodide elektrilisi omadusi iseloomustab pinge-voolu tunnusjoon IA = (UAK). Dioodile tüüpilised pinge-voolu tunnusjooned on toodud joonistel 3.6 ja 3.7. Päripingestatud dioodi läbib pärivool, mille suurus oleneb peamiselt välise pingeallika pingest ja välisahela takistusest. Sealjuures tekib pärivoolustatud dioodil pingelang, mille
Pilet 1. 1. Valgusdioodid Valgusdiood on pn-siirdega diood, mis muudab elektrienergiat optiliseks kiirguseks tavaliselt spektri nähtavas või infrapunases osas. Teatud ainete kristallis moodustatud pn-siirde päripingestamisel (pluss p-kihil) injekteeruvad augud n-kihti ning elektronid vastassuunas. Need injekteerunud augud ja elektronid rekombineeruvad pn-siirdes ja selle läheduses vastasmärgiliste laengukandjatega ning osa vabanevast energiast eraldub kiirgusena. Kuna p-kiht on kõigest mõne mikromeetri paksune, siis väljub kiirgus kristallist
Rakenduselektroonika 1.1 Võimendid Võimenditeks nim seadmeid, mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine, nii, et võimalikult säiluks signaali kuju. Joonis 1.1.1 Igal võimendil on alati 2 sisend klemmi millega ühendatakse signaali allikas ja 2 väljund klemmi millega ühendatakse see objekt millele antakse võimendatud signaal. Peale selle vajab võimendi ka toiteallikat, mille energia arvel toimub võimendus protsess. Võime vaadelda ka nii, et võimendi on regulator mis juhib toiteallika energiat tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Sõltuvalt sellest milliseid võimendus elemente kasutatakse on olemas erinevaid võimendeid. Elektriliste signaalide võimendamiseks kasutatakse: transistor
3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused....................................................................................................... 60 5.1. Elektrisignaali võimendamine. Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement.............. 60 5.2. Võimendusastmed bipolaartransistori baasil.......................................................................... 62 5.3. Võimendusastmed väljatransistoride baasil............................................................................ 73 5.4. Tagasiside võimendites.......................................................
sagedus võib olla 20 KHz kuni 100 KHz. Alaldusdioodid on suure võimsuselised dioodid. Nende lubatavad pärivoolud on poolest amprist kuni tuhande amprini, lubatavad vastupinged kuni 3 KV. Dioode valmistatakse nii üksikelementidena kui ka komplektidena, mingiks kindlaks kasutuseks. Nii näiteks on levinud: a. Dioodsillad, kus ühises korpuses paikneb neli dioodi (joonis 1) b. Diood sambad, kus suurema vastupinge saamiseks on järjestikku ühte kesta ühendatud terve rida dioode (joonis 2) Alaldusdioodide omadusi iseloomustatakse järgmiste parameetritega (joonis 3): 1.) Suurim lubatav pärivool, see on pärivool kesk väärtus, mis võib dioodi läbida, ilma tema riknemiseta 2.) Suurim lubatav vastupinge, see on lubatava vastupinge hetk väärtus. Selle ületamisel võib tekkida dioodis läbilöök. 3
B andur R takistus kondensaator r raadius D digitaalseade S lipistus G generaator s operaator L reaktor, drossel T periood, ajakonstant M mootor t aeg R takisti U pinge S lüliti v kiirus T trafo X reaktiivtakistus VD diood x,y tasandi teljed VS türistor z vahemuutuja VT transistor Z näivtakistus Z koormus W energia A pindala W(s) ülekandefunktsioon a kiirendus w keerdude arv B induktsioon tüürnurk C mahtuvus , staatori teljed cos võimsustegur eelnemisnurk
Mis on alfa? 29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta? 30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused. 31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga 32. Vaakum-fotoelement. Ehitus ja tööpõhimõte 33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid. 37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus. 38.Arvutada Zener-dioodiga pingestabilisaator. 39.Ühise emitteriga pingevõimenduastme lihtsustatud arvutus. 40. Kuidas saaks transistorastme tööpunkti fikseerida? Kaks skeemi, nende omadused. 41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused. 42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^ 43
Impulss tehnika alused Impulss tehnikaks nimetatakse seda elektroonika osa, mis tegeleb impulsiliste saame 0tasemelise piiramise ülalt. Kui aga meil on dioodiga järjestiku pingeallikas, siis ei avane diood signaalide genereerimise, formeerimise ja võimendamisega. Impulsilisi signalle kasutatakse digitaal mitte väikeselisel positiivsel pingel vaid alles siis kui sisend pinge saab pingeallika pingest tehnikas, ning ka signaalide edastamisel, kui sinuselist signaali iseloomustatakse kolme parameetriga, positiivsemaks. Seega määrab kasutatav pingeallikas piiramis nivoo. Täpsemalt tuleb arvestada ka need on :Amplituud, Sagedus, Algfaas. Siis impulsiliste signaalide korral on vajalikke parameetreid dioodi päripinge langu, sest diood ei avane mitte 0sel pingel, vaid siis kui pinge on ületanud 0,5V. märksa rohkem
Raadio leiutasid Popov, Marconi. Marconi hakkas raadiot ka edasi arendama, läks Itaaliast Londonisse, kus hakati tootma. Esimeses raadios oli saatjaks säde. Vastuvõtjad olid metallipuru ja nim. Kohereer. Sellega anti morsetehnikat. Diood leiutati 1904 aastal ja selleks oli elektronvaakumdiood. Triood leiutati 1907-1910 aastatel. Triood oli juba dioodi edasiarendus ehk siis triood juba ka võimendas. Elektronlampe kasutati kuni 1960ndateni. Peale seda hakkas transistori võidukäik. Transistor leiutati küll 1949, kuid õiged transistorid tekkisid alles 1960ndatel. Elektroonika oli lampelektroonika 1910-1960 Transistorelektroonika1960 kuni tänaseni, kuid 1960 1970 diskreetsed transistorid 1970 kuni tänaseni integraallülitused, mikroskeemid (IC)(1970l oli 10 transi, kuid 2000 10 miljonit transistori) 1
· vastutakistuse taastumiskestus trr, on ajavahemik päripingelt vastupingele lülitamise hetkest kuni hetkeni, mil ümberlülitumisel kujunev vooluimpulss kahaneb etteantud väärtuseni. 26. Milleks kasutatakse stabilitroni? lk 66, lk 100 Stabilitron on gaaslahendus- või pooljuhtdiood, mille tunnusjoonel on vooluteljega peaaegu paralleelne lõik, kus pinge sõltub voolust vähe. Stabilitron ehk Zeneri diood on ränidiood, mis töötab läbilöögireziimil ja mis hoiab temaga paralleelselt ühendatud koormusele rakendatud toitepinge või koormusvoolu muutumisel sellele mõjuva pinge peaaegu muutumatuna. Stabilitroni töö põhineb p-n-siirde teatud kindla vastupinge väärtuse Uz ületamisele järgneval järsul dioodi takistuse vähenemisel ja seda läbiva voolu tugevnemisel. Kui p-n-siirdes hajuv võimsus seejuures ei ületa lubatavat väärtust, on selline tööreziim stabiilne ja kasutatav. 27
Kordamisküsimused 1. Mis on Ohmi seadus? U=R*I 2. Mis on pingejagur? Etteantud parameetritega pingejaguri arvutamine. Pingejagur – alalis- või vahelduvpinget osadeks jagav elektriseade. 3. Elektriahela võimsus. U2 2 P=U∗I = =I ∗R R 4. Edissoni efekti olemus? 5. Elektronlambid (diood, triood, tetrood …) ja nende tööpõhimõte? diood ‒ kahe elektroodiga (katood, anood); triood ‒ kolme elektroodiga (katood, võre, anood); pentood ‒ viie elektroodiga (katood, tüürvõre, varivõre, sulgvõre, anood). Tetrood – nelja kanaliga Dioodi tööpõhimõte Töötamisel lastakse vool läbi nikroomist hõõgniidi, mis kuumutab katoodi 800...1000 °C kraadini. Kuum katood eraldab elektrone vaakumisse, protsess, mida nimetatakse termoemissiooniks. Katood on kaetud
ti t U t 0,05 diferentseeriv lüli ti t *Dif. ahela sisend ja väljund dia- grammid *RC-ahela väljundpinge kujud ajakonstandi RC ja impulsi kestuse ti erinevate suhete korral. 5 Skeemitehnika. SS-98. Diferentseeriv lüli – lüli, mille sisendisse antud ristkülikulistest impulssidest
4V 45. Mitu iooni on dipoolis? 2 46. Kuidas nimetatakse kristalli piirkonda p-tüüpi ja n-tüüpi osade vahel? pn-siire 47. Millist nähtust nimetatakse laviiniefektiks? Reversivne ülepinge 48. Kuidas nimetatakse pinget, mille juures tekib laviiniefekt? Läbilöögipinge 49. Millist nähtust nimetatakse Zeneri efektiks? Reversivne ülepinge 50. Kuidas nimetatakse pinget, mille juures tekib Zeneri efekt? Zeneri pingeks 5.2.1. Küsimused dioodidest ja türistoridest 1. Mis liiki seadis on diood? Mitte linearne 2. Kuidas on mittejuhtiv diood eelpingestatud? Vastu pingestatud 3. Mis liiki takistus on dioodil? Põhitakistus 4. Kas on see hea, kui dioodi pingelang on väike? Jah 5. Kuidas on diood eelpingestatud, kui dioodi vool on suur? Otse pigestatud 6. Millist pinget nimetatakse dioodi põlvepingeks? 7. Milline on dioodi lekkevool võrreldes pärivooluga? Lekkevool väiksem pärivooluga 8. Milline näeb välja dioodi karakteristik ülalpool põlve? Peaaegu vertikalne 9
temperatuuriga. Dioodi voltamperkarakteristik: Jooniselt on näha, et päripinge korral on sõltuvus lineaarne (alates lävipingest - ca 0.6 V) ning vastupinge võib minna väga suureks, ilma, et vastuvool tõuseks märgatavalt. Graafikult on välja jäänud vastupinge läbilöögi punkt, kus dioodis tekkiv vastuvool hakkab väga kiiresti kasvama. Seda tööpunkti kasutatakse mõningates elektroonika komponentides. (aga siin kontekstis pole oluline) Fotodiood on diood, mis töötab vastupingestatud reøiimis. Sellises olukorras on vooluringis kulgev vool üldjuhul väga väike. Kui aga dioodile langeb valgus, mille sagedus on sobiv, siis need footonid neelatakse siirdealas elektronide poolt ning (elektron hüppab juhtivustsooni) tekib e-a paar, mis EV tulemusena tekitab ringluses voolu. Selle voolu suurus on otseses sõltuvuses peale langesva valgusega ning võimaldab seetõttu valgussignaali elektriliseks signaaliks muundada.
Karak: (i-u) neg OV: *Võimendustegur: KUD, K. Sõltub differentspinge sagedused, toiteping, temp. Antakse pool natu alla nulli, pos pool aeglane kasv kuni näiteks 1000V ja siis hüppab 0,7..0,8V-ni ja püsti nullsagedusel ja nimiting-stel K=500..500k üles vool. Triood-türistor=trinistor:väljaviik teise trans baasist. tähis: diood, mille kriipsul krõnks *Ühissignaali nõrgendustegur. Reegline ÜSNT=20logK/Ksf (-70..100dB) *nihkepinge otsas. saab juhtida sisselülitamise pinget. Un, U0-differentspinge, mis tuleb anda OV sisendite vahele, et väljundis oleks 0. 2. OV Kuna võimendustegur lõpmatu, U0=3..30mV siis võib väike ebasümmeetria esimeses
emitteriga trans baasi ahelas asendab DTL-s dioode, kui kas või üks em maas, siis baasi vool maha 3NAND. TTL aeglane: 10ns ümberlülitus. TTLS-kiirem. T1 asemel mitu BT-i mis võivad küllastuda, so hakata aeglaselt ümber lülituma 12pdf 3. kiireim ja lihtne, kallis sest head komparaatorid kallid ja vaja palju, 3 järgu jaoks vaja 7-t. 2kordse integreerimisega. 14pdf 4. suured voolud madalad pinged. Mähkida sekundaarmähis kahe traadiga korraga. Sekund- mähisel keskelt väljavõte. Diood üleval/all, alumine ühendatud ülemise ette. Tarbija ülemise mähise peal. Ud=0.9U2. q1=0.67=1/m2-1, m-pulsatsioonide arv alaldatava pinge perioodide peal. 10pdf 5. ÜK-lülitus. Trans üles, lin. elem. alla. Takisti pingelang=väljund Usis>~Uvalj. Pinge järgi võimendust pole, voolu järgi küll. Tänu suurele sisendtakile kas puhvrina. Sign arvutusel Emitterist läbi RE maha. Rsis on suur=h11e+(1+h21e)RE~ 5pdf Pilet 11. 1. alaldava siirde tekkimise tingimus 2
Milline on sobiv jadamisi ühendatava takisti väärtus, kui toitepinge on 24 V? Milline vool läbib Zener dioodi, kui koormustakisti väärtus on 5 k? (IZmax =6,67 mA; R = 1,35 kR mA; IZ = 3,67 mA Transistorid 7. Bipolaarse npn või pnp transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage emitter, baas ja kollektor, siirded nende vahel, voolud emitterisse, baasi ja kollektorisse). Pingestamine ja voolud ühise emitteriga lülituse korral koos sisend, ülekande ja väljundkarakteristikutega (piisab kõige lihtsamast kollektortakistiga ja baasitakistiga lülitusest). 8. Formeeritud kanaliga n-tüüpi MOSFET transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage läte, neel, kanal, paisuoksiid ja pais, siirded nende vahel lätte ja neelu vool ning pinged lätte ja neelu vahel ning paisule rakendatud pinge). Pingestamine ja voolud ühise lättega lülituse korral koos sisend ja väljundkarakteristikutega. Operatsioonivõimendid.
sagedusega f tekitab selle ahela väljundil samuti siinuselise pinge sagedusega f. Samuti on siinuseline pinge selle ahela mistahes punktide vahel, aga ka vool, mis läbib selle ahela mistahes elementi. Lineaarset ahelat võib defineerida veel kui ahelat mis allub superpositsiooni printsiibile. Viimane tähendab, et juhul kui sisendile on rakendatud üheaegselt signaalid x1(t) ja x2(t), on nende signaalide poolt tekitatud väljund F1+2(t) võrdne väljundite F1(t) ja F2(t) summaga, juhul kui signaale x1(t) ja x2(t) rakendatakse sisendile eraldi. Lineaarseteks komponentideks saame nimetada ideaalseid takisteid, ideaalseid kondensaatoreid, ideaalseid võimendeid jne. Reaalseid takisteid, kondensaatoreid, induktiivsusi võime esimeses lähenduses käsitleda samuti lineaarsetena. Ent näiteks küllastatud ferromagnetilise südamikuga pool või trafo ei ole enam lineaarsed elemendid.
IC suuruseks. Ic=25...250A. Suurema takistuslike mikrofonide korral tuleb valida väiksem Ic suurus. Autonoomse toitega võimendus aste 6.2A ABO lk 302 on mõeldud mikrofonide tundlikuse suurendamiseks ja ühendatakse väikese plekk varje sisse paigutatuna mikrofonijuhtme ja selle pistiku vahele. Madala mürataseme saavutamiseks tuleb eelnimetatud skeemil takisti R1 abil seada transistori toitevooluks 0,15-0,25mA. Müravaese transistori võimendusastme (6.2B joonisel) sisend transistoril VT1, Ic kollektorivool on ainult 2,5A mistõttu mürategur ühevoldilise väljundsignaali suhtes on vähemalt -78dB. Võimendi sisendtakistus on 200k mistõttu mikrofoni takistus võib olla kuni 50k ja talitlus sagedusala 20Hz-20kHz, vajalik võimendustegur Ku=R4/R3 le.Takisti R4 skeemis muudab tagasisidet. Pingejagur moodustab R4 jast ja R3 est. Mikroskeemiga K548YH1. Selle mikroskeemi eelised üldotstarbeliste OP võimendite sees on väiksem omamüra ja väike modulatsiooni
Tallinna Tehnikaülikool Elektriajamite ja Jõuelektroonika instituut Üliõpilane: Rait Rääk Teostatud: 14.03.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 3 OT Bipolaartransistor ühisemitteriga lülituses Töö eesmärk: Töövahendid: Ühisemitteriga lülituses transistori Transistor, toiteallikas, potentsiomeetrid, tunnusjoonte määramine ja ampermeetrid, voltmeetrid. nende kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Transistor on kolme väljastusega täielikult tüüritav pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar ehk väljatransistorideks (jutivuses osalevad elektronid või augud). Järgnevalt vaatleme
antennist kanduks sisendile võimalikult suur osa soovitava sagedusega KS- energiast. Samal ajal peab sisendlülitus............ 3. Detektor ehk demodulaator Eraldab moduleeritud või manipuleeritud raadiosageduslikust kandevsagedusest ülekantav infot sisaldav kasulik signaal. Nt: raadioringhäälinguks helisignaal, TV-signaali puhul nii pildi. Kui ka helisignaal, milleks kasutatakse kahte eraldi detektorit. Detektori tööpõhimõtte lülitus sõltub moduleerimise liigist (AM, FM, SSB, IM). *Ainult antennist ja detektorist koosnev vastuvõtja toimib täielikult antennist saadava KS-energia arvel, mistõttu tundlikkus ja tarbijale ülekantav väljundvõimsus on väga väikesed, sõltudes oluliselt: 1) antenni efektiivsusest 2) vastuvõetava jaama poolttekitatud väljatugevusest 3) VV antenni asukohast 4. KS-võimendi ehk raadiosagedusvõimedi [RF- Radio Frequency]
Operatsioon võimendid: Operatsioon võimendid on integraalselt teostatud universaalsed võimendi väljundtakistus ongi reaalselt mõne ringis, seega 100 korda väiksem kui Op võimendi võimenduselemendid, mida võib kasutada väga mitmeti, sõltuvalt lisatud elementidest. Operatsioon takistus. Väljundtakistuse vähenemine on seda tugevam, mida tugevam on kasutatav tagasiside. võimendil on kaks väljundit, üks väljund ja teda toidetakse kahe polaarse sümeetrilise pingega (+, - maa Inventeerivvõimendi: suhtes). Plussiga tähistatud sisendit loetakse mitte inventeerivaks sisendiks ja sinna antav signaal tekkitab väljundis samafaasilise signaali. tähistatud sisendit loetakse inventeerivaks sisendiks ja sinna antud signaal tekitab väljundis vastasfaasilise signaali. Op võimendi on alalispinge võimendi, seetähendab tema võimendus sageduse alumine piir on 0
7.Bipolaartransistor kui lüliti. Bipolaartransistoride germaaniumist või ränist pooljuhtstruktuur koosneb kolmest p- ja n-juhtivustüübiga kihist (pnp- või npn-struktuur) ning kahest nendevahelisest pn-siirdest. Ühe pn-siirde (näit emittersiirde) voolu muutumine põhjustab teise siirde (kollektorsiirde) takistuse muutumise. Bipolaartransistori tööks on vajalik erimärgiliste laengukandjate (neg elektronide ja pos aukude) olemasolu pooljuhis. 8.MOP-transistor. Metall-Oksiid-Pooljuht transistor. n ja p-kanaliga. 9.Pooljuhtdiood. Harilikult ühe pn-siirde või metall-pooljuhtkontaktiga ja kahe väljaviiguga pooljuhtseadis elektriliste suuruste muundamiseks. On töökindlad, kiiretoimelised, väikesed ja kerged ning tarbivad vähe võimsust. Kasut. Vahelduvvoolu alandamiseks, sageduse muundamiseks jne. 10.Dioodloogika. Võimendust teha ei saa, suuri pingeid sisse lasta pole ka mõtet. Dioodloogika realiseerib fakti, et
TTÜ KURESSAARE KOLLEDZ IMPULSS STABILISAATORIGA TOITEPLOKK Aruanne õppeaines SKK0122 Elektroonika alused projekt Õppejõud: Argo Kasemaa Kuressaare 2012 1.TÖÖ EESMÄRK JA ÜLESANNE Tutvuda impulss-stabilisaatorite tööpõhimõttega. Valmistada impulssreziimis pingestabilisaatoriga kahepolaarse reguleeritava väljundiga toiteplokk, teostada vajalikud mõõtmised ja kirjutada tehtu kohta aruanne. Iseseisev vajaminevate komponentide arvutus National Semiconductors mikroskeemi LM2575 andmelehtede ja veebipõhise simulaatori WEBENCH põhjal. 2. PINGET ALANDAVATE (BUCK) IMPULSS-STABILISAATORITE TÖÖPÕHIMÕTE Impulss-stabilisaator koosneb mikroskeemist LM2575, paispoolist, Schottky dioodist ning kondensaatoritest. Esmalt, kui mikroskeemis olev transistorlüliti sulgub, siis vool läbi induktiivpooli kasvab vastavalt pooli induktiivsusele ja koormustakistusele ( = L/R), mist�
valemiga: 2 E2 Ua ≅ cos α . (4.6) π Ühefaasiline keskväljavõttega alaldi (M2). kujutab endast põhimõtteliselt kahe poolperioodalaldi M1 rööpühendust (joonis 4.19), kusjuures nende sisendpinged on vastufaasis. Alaldi väljundpinge pulseerib toitepinge kahekordse sagedusega. Tüüritav M2C tüüpi lülitus võib töötada nii reguleeritava alaldina kui ka võrguga sünkroniseeritud vaheldina. Alaldatud pinge ud keskväärtus aktiivkoormusel sõltub tüürnurgast α vastavalt avaldisele 2 E2 Ua = (1 + cosα ) (4.7) π I21 α I1
Stabilitron on pooljuhtdiood, mille tunnusjoonel on vooluteljega peaaegu paraleelne lõik, kus pinge sõltub voolust vähe 45. Bipolaartransitorid. ÜE-ühenduses transistori tunnusjooned ja parameetrid Bipolaartransistor on enamasti germaaniumist või ränist pooljuhtseadis, mis koodneb kolmest p- ja n-juhtivusega kihist ning kahest nendevahelisest pn-siirdest, kusjuures võimendusprotsessidest võtavad osa nii elektronid kui ka augud. ÜE(ühisemitriga)-ühenduses transistor on levinuim, kuna ta annab suure pinge- ja vooluvõimenduse ning sisend ja väljundtakistused ei ole teineteisest väga erinevad, see võimaldab astemid hõlbsalt sisendada. Välistunnusjooned saadakse kollektorvoolu Ik sõltuvusena kollektori ja emitteri vahelisest pingest Uce püsiva baasivoolu korral. 46. Võimendi struktuur. Signaali moonutused. Võimendutegur Tehnikas on sageli vaja suurendada signaalide võimsust. Selleks ettenähtud elektronlülitusi nim võimenditeks.
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
