.........................................................................................................................................................24 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT).......................................................................................................28 4.1.Transistori ehitus.................................................................................................................................................... 28 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus......................................................................................................................... 28 4.3. Transistori tööpõhimõte..........................................................................................................................................29 4.4. Transistori kolm lülitust. ........................................................................................................................................
........................................................................................................................................... 35 ........................................................................................................................................... 38 ................................................................................................................................................ 80 Mitmeastmelise võimendi korral...................................................................83 1. POOLJUHTIDE OMADUSI 1.1.Üldist Pooljuhtseadised ja nende kasutamine oli eelmise sajandi tehnilise revolutsiooni peasüüdlaseks. Nendeta ei oleks personaalarvuteid, mobiiltelefone ega palju muud sellist, mis tundub meile igapäevasena. Võime julgesti öelda , et ilma pooljuhtseadisteta ei oleks praegust infoühiskonda. Samal ajal tuleb meeles pidada , et pooljuhttehnika on poole sajandi jooksul läbinud
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites.
1.1.3. Ribavõimendi ............................................................................................... 4 1.1.4. Lairiba võimendi ........................................................................................... 4 1.3
Rakenduselektroonika 1.1 Võimendid Võimenditeks nim seadmeid, mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine, nii, et võimalikult säiluks signaali kuju. Joonis 1.1.1 Igal võimendil on alati 2 sisend klemmi millega ühendatakse signaali allikas ja 2 väljund klemmi millega ühendatakse see objekt millele antakse võimendatud signaal. Peale selle vajab võimendi ka toiteallikat, mille energia arvel toimub võimendus protsess. Võime vaadelda ka nii, et võimendi on regulator mis juhib toiteallika energiat tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Sõltuvalt sellest milliseid võimendus elemente kasutatakse on olemas erinevaid võimendeid. Elektriliste signaalide võimendamiseks kasutatakse: transistor võimendeid, elektronlamp võimendeid, magnet võimendeid ja eletrimasin võimendeid.
Jaan Reigo, Kristjan Ööpik EA06 Rakenduselektroonika Uudo Usai Võimendid 10.02.09 Võimendi on seade, mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine sel määral, et signaalist piisaks võimendi väljundisse ühendatud tarbijale. See juures võimendamise käigus ei tohi signaal moonutuda. Võimendusprotsess toimub alati toiteallikate energia arvel, nii et võime vaadelda võimendit kui reguraatorit, mis juhib toiteallikate energijat tarbijatesse kooskõlas sisendsignaali muutustega. Võimendi sisendsignaaliks võib olla ükskõik milline elektriline signaal, milline on kasutamiseks liiga väikse amplituudiga. Näiteks mikrofon (1-
3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused....................................................................................................... 60 5.1. Elektrisignaali võimendamine. Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement.............. 60 5.2. Võimendusastmed bipolaartransistori baasil.......................................................................... 62 5.3. Võimendusastmed väljatransistoride baasil............................................................................ 73 5.4. Tagasiside võimendites.......................................................
korral punakaskollasest kollakasroheliseni. Valgusdioode valmistatakse peamiselt galliumarseniid-fosfiidist. Valguse lainepikkuse ala on küllaltki piiratud ning sõltub materjalist. Suurima valgusliku kasuteguriga on infrapuna-valgusdiood. Valguse paremaks suunamiseks on dioodil enamasti sfääriline või paraboolne polümeermaterjalist lääts ning vahel ka nõgus valgust peegeldav pind. Valgustugevus kasvab alates voolust 1...2mA enam-vähem võrdeliselt pärivooluga. 2. Võimendi põhiparameetid Võimendi on elektroonikalülitus või seadis, mis teostab võimendamist. -Diferentssignaali võimendustegur: väljundpinge ja selle esile kutsunud diferentsiaalpinge suhe. Antakse 0-sagedusel ja nimitingimustel. Diferentssignaali võimendus kD vastab OV võimendusele ilma tagasisideta. OV väljundpinge on praktiliselt kogu alas lineaarselt sõltuv diferenspingest. -Ühissignaali nõrgendustegur- võimendusteguri ja ühispinge ülekandeteguri suhe.
Alaldusdioodid Kõrgsagedusdioodid Schotkydioodid ülikõrgsagedus dioodid Zeneri dioodid stabilnitorid Varikapid e. mahtuvus dioodid Gunnidioodid e. generaatordioodid Varaktorid e. sagedus kordistid Valgus- , foto- ja laserdioodid Üldine dioodi märk Dioodi üldised rakendused Pärispingestusel juhib elektrit ning vastupingestusel ei juhi. Täisperiood alaldi Suureneb dioodide arv. Tekib vajadus erilise mähisega sekundaar trafo järele. Mida suurem on pulsatsioon seda suurem on tema efektiivväärtus. Alaldid ja stabilisaatorid Alaldamine on protsess, mille käigus muundatakse vahelduvvool alalisvooluks. Vastavaid elektronseadmeid nimetatakse alalditeks. Alaldamise protsess põhineb p-n siirde omadusel juhtida voolu ainult ühes suunas st. päripingestuse korral (vastav elektronseadis on pooljuhtdiood. Alaldeid saab liigitada : · Alaldava elemendi liigi järgi · Voolu liigi järgi
8 6,31 2,51 70 10000000 3162,3 9 7,94 2,82 80 100000000 10000 90 109 31623 100 1010 100000 Ül: Võimsusvõimendi võimendus KP = 33dB. Sisendvõimsus PS = 20mW. Arvuta võimsusvõimendi väljundvõimsus PV. P P K PdB 10 lg V 33 10 lg V : 10 PS 20 PV P 3,3 lg 103,3 V PV 20 103,3 40W 20 20 Ajakonstant. U C E UC C IL
Impulss tehnika alused Impulss tehnikaks nimetatakse seda elektroonika osa, mis tegeleb impulsiliste saame 0tasemelise piiramise ülalt. Kui aga meil on dioodiga järjestiku pingeallikas, siis ei avane diood signaalide genereerimise, formeerimise ja võimendamisega. Impulsilisi signalle kasutatakse digitaal mitte väikeselisel positiivsel pingel vaid alles siis kui sisend pinge saab pingeallika pingest tehnikas, ning ka signaalide edastamisel, kui sinuselist signaali iseloomustatakse kolme parameetriga, positiivsemaks. Seega määrab kasutatav pingeallikas piiramis nivoo. Täpsemalt tuleb arvestada ka need on :Amplituud, Sagedus, Algfaas. Siis impulsiliste signaalide korral on vajalikke parameetreid dioodi päripinge langu, sest diood ei avane mitte 0sel pingel, vaid siis kui pinge on ületanud 0,5V. märksa rohkem
1) Termistori kasutatakse temperatuuriandurina, kusjuures ta soojeneb ainult ümbritseva keskkonna toimel (seda läbiv vool on väike). 2) Kasutatakse termistori soojenemist teda läbiva voolu toimel, kus teatud voolu väärtusest tekkib suhteliselt suur takistuse vähenemine (vt. termistori pinge-voolu tunnusjoon joon. 1.8.), mis on sobiv liigpinge kaitsmetes. 3) Kasutatakse termistori soojuslikku tasakaalu, kus ta soojeneb nii keskkonna kui ka läbiva voolu toimel. See reziim leiab käsutust tuletõrjeautomaatikas. JOONIS 1.8. Termistoride põhiparameetrid on sarnased takistite parameetritega, nimitakistus (rida E6 või El2). hajuvõimsus. TTK ja lisaks veel soojuslik ajakonstant, mis on oluline automaatikaalastes rakendustes. 1.6. Fototakistid Fototakisti on pooljuhttakisti, mille takistus muutub sõltuvalt tema valgustamise tugevusest. Viinud fototakisti pimedast valguse kätte, muutub takistus tuhandeid kordi.
juhtimine VV sisendlülitusse. 2. VV sisendlülitused ehk sisendvooluringid Nende ülesanne on sidestada VV antenn VV esimese astmega nii, et antennist kanduks sisendile võimalikult suur osa soovitava sagedusega KS- energiast. Samal ajal peab sisendlülitus............ 3. Detektor ehk demodulaator Eraldab moduleeritud või manipuleeritud raadiosageduslikust kandevsagedusest ülekantav infot sisaldav kasulik signaal. Nt: raadioringhäälinguks helisignaal, TV-signaali puhul nii pildi. Kui ka helisignaal, milleks kasutatakse kahte eraldi detektorit. Detektori tööpõhimõtte lülitus sõltub moduleerimise liigist (AM, FM, SSB, IM). *Ainult antennist ja detektorist koosnev vastuvõtja toimib täielikult antennist saadava KS-energia arvel, mistõttu tundlikkus ja tarbijale ülekantav väljundvõimsus on väga väikesed, sõltudes oluliselt:
pinget stabiliseerida. Nendega järjestikku ?hendatakse, aga stabiliseerimis takistus. Kui sisendpinge on väike, kuni pingeni U1, kulgeb vool läbi stabiliseerimis takisti ja tarbija. Väljundpingel muutub koos sisend pingega, kuid pinge stabilitronil on jõudnud stabiliseerimis pingeni, siis tekkib läbi stabilitroni vool, mis hakkab kõige väiksematelgi pinge muutustel järsult suurenema. Sellega koos hakkab suurenema ka pinge lang stabiliseerimis takistusel ning väljund pinge muutub vähe (valem 2). Stabilitrone valmistatakse väga paljudele erinevatele pingetele vahemikus 3-200V. Erinevatel stabiliseeritud pingete saamiseks tuleb valida sobiva Zener pingega stabilitron. Stabilitrone valmistatakse ka erinevatele vooludele. Väikevõimsusliste vool on kuni 50mA keskmise võimsuselistel kuni 200mA ja suure võimsuselisel kuni 5A. 1.9 Valgusdioodid e. LED
........... 237 Jõupooljuhtmuundurite ja elektriajamite tootjad ....................................................................237 Komponentide tootjad ...........................................................................................................237 Aineregister................................................................................................................. 238 5 Tähised Sümbolid A võimendi q töötsükkel B andur R takistus kondensaator r raadius D digitaalseade S lipistus G generaator s operaator L reaktor, drossel T periood, ajakonstant M mootor t aeg R takisti U pinge S lüliti v kiirus
Operatsioon võimendid: Operatsioon võimendid on integraalselt teostatud universaalsed võimendi väljundtakistus ongi reaalselt mõne ringis, seega 100 korda väiksem kui Op võimendi võimenduselemendid, mida võib kasutada väga mitmeti, sõltuvalt lisatud elementidest. Operatsioon takistus. Väljundtakistuse vähenemine on seda tugevam, mida tugevam on kasutatav tagasiside. võimendil on kaks väljundit, üks väljund ja teda toidetakse kahe polaarse sümeetrilise pingega (+, - maa Inventeerivvõimendi: suhtes). Plussiga tähistatud sisendit loetakse mitte inventeerivaks sisendiks ja sinna antav signaal tekkitab väljundis samafaasilise signaali. tähistatud sisendit loetakse inventeerivaks sisendiks ja sinna antud signaal tekitab väljundis vastasfaasilise signaali. Op võimendi on alalispinge võimendi, seetähendab tema võimendus sageduse alumine piir on 0
(ühise baasiga lülituse staatilist vooluülekandetegurit) ning väiketähega a vahelduvvoolu ülekandetegurit. Kuna A » a, siis tihti ei tehta tekstides nende vahel vahet. Transistori võimendusefekt põhineb asjaolul, et tänu baasi üliväikesele paksusmõõtmele põhjustab juba väike vool baasi ja emitteri vahel märksa suurema voolu emitterilt kollektorile. Mida vähem laengukandjaid baasikihis rekombineerub (hävib), seda suurem on transistori võimendus. Sellepärast ei saa transistori koostada kahest dioodist, sest kahe katoodi või anoodi vahel oleks elektronide jaoks liiga pikk tee, kus kõik laengukandjad rekombineeruksid, jõudmata läbida kollektorsiiret. Joonisel on näidatud emitteri- ja kollektorivoolude füüsikaline voolusuund (elektronide liikumise
Mis on alfa? 29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta? 30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused. 31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga 32. Vaakum-fotoelement. Ehitus ja tööpõhimõte 33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid. 37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus. 38.Arvutada Zener-dioodiga pingestabilisaator. 39.Ühise emitteriga pingevõimenduastme lihtsustatud arvutus. 40. Kuidas saaks transistorastme tööpunkti fikseerida? Kaks skeemi, nende omadused. 41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused. 42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^ 43
Seade väljalülitamine 33. Kuidas saab peatada juhtivat türistori? Vastupingega 34. Millest koosneb diiak? 2 st dioodist 35. Mida eeldab triiaki tööpõhimõte? kahesuunalise 36. Mida nimetatakse kaheoperatsiooniliseks türistoriks? 37. Miks pakuvad GTO-d suurt huvi? 38. Kus kasutatakse GTO-sid laialdaselt? 5.2.2. Küsimused transistoridest 1. Kes on esimese siirdetransistori leiutaja? Bardeen 2. Mille eest autasustati leidureid Nobeli preemiaga? Bj transistor 3. Mitu legeeritud piirkonda on transistoril? 3 4. Mis on transistori oluline operatsioon? võimendus 5. Mis on enamuslaengukandjad npn-transistori baasis? aukud 6. Kuidas tekitab npn-bipolaartransistor võimenduse? IC>IB 7. Milline on tavaliselt emitteri dioodi eelpinge? Päripinge 8. Millisel alusel on tehtud bipolaartransistor? . . 9. Millisel klemmilt algab npn-transistori elektronide vool? kollektor 10. Milline on elektronide peamine toime npn-transistori baasis?
...................................................................................................................1 1.1.Elektroonika ajaloo põhietapid.............................................................................1 1.2.Mis on elektronlamp.............................................................................................2 1.3.Elektronkiiretoru.................................................................................................. 2 1.4.Mis on võimendi...................................................................................................2 1.5.Analoog ja digitaalelektroonika erinevus..........................................................3 1.6.Elektroonika passiivkomponendid....................................................................... 3 1.7.Dioodi ehitus ja funktsioneerimine...................................................................... 4 1.8.Stabilitron ja selle kasutamine..........................
muuda] pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist. NPN transistoril pingete ja voolude polaarsused täpselt vastupidised.)
Võimendi projekt Helisagedusvõimendi Struktuur Iga võimendi koosneb eelvõimendist ehk pinge- ja reguleervõimendist, ning võimsusvõimendist ehk lõppvõimendist. Eelvõimendi põhilised plokid on struktuurskeemil näidatud. Konkreetses võimendis võivad mõned struktuurskeemil näidatud plokkidest puududa. Üks aste võib täita mitut ülesannet, näiteks töötada korraga tämbri regulaatorina ja pingevõimendina, ka plokkide järjestus võib olla teistsugune, näiteks pingevõimendusaste võib olla tämbriregulaatorist eespool
Pilet 1. Pilet 3. 1. Valgusdioodid 1. türistori volt-amper karakteristik 2. Võimendi põhiparameetid 2. mis asi on nullinihepinge OV baasil? 3. RC-generaator (Wien i sild + OV) 3. T-triger 4. TTL-Schottky loogika elemendid 4. demutlipleksor 5. RS-triger 5
rekombinatsiooni tõttu. Vooluläbimisel pn- siiret, osa elektrone muudavad energiat, vahetavad orbiite, vabaneb energiat ning vabanev energia kiiratakse valgusena. n: infrapunane. Algul vaid peen valgus praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V. valmistatakse (gallium arseeniid fosfiid). Kasutatakse optronites (valgusallik+valguse vastuvõtja). Dioodoptron kiireim 10 -8s. Inertsivaba ja saab ise valida spektri. 2. Võimendus astme põhiparameetrid: Ku=Uvalj/Usis, Ki=Ivalj/Isis, KP=Pvalj/Psis=Ku*Ki. Võimendi puhul KP alati >>1 OV: *Võimendustegur: KUD, K. Sõltub differentspinge sagedused, toiteping, temp. Antakse nullsagedusel ja nimiting-stel K=500..500k *Ühissignaali nõrgendustegur. Reegline ÜSNT=20logK/Ksf (-70..100dB) *nihkepinge Un, U0-differentspinge, mis tuleb anda OV sisendite vahele, et väljundis oleks 0. U0=3..30mV
sagedusega f tekitab selle ahela väljundil samuti siinuselise pinge sagedusega f. Samuti on siinuseline pinge selle ahela mistahes punktide vahel, aga ka vool, mis läbib selle ahela mistahes elementi. Lineaarset ahelat võib defineerida veel kui ahelat mis allub superpositsiooni printsiibile. Viimane tähendab, et juhul kui sisendile on rakendatud üheaegselt signaalid x1(t) ja x2(t), on nende signaalide poolt tekitatud väljund F1+2(t) võrdne väljundite F1(t) ja F2(t) summaga, juhul kui signaale x1(t) ja x2(t) rakendatakse sisendile eraldi. Lineaarseteks komponentideks saame nimetada ideaalseid takisteid, ideaalseid kondensaatoreid, ideaalseid võimendeid jne. Reaalseid takisteid, kondensaatoreid, induktiivsusi võime esimeses lähenduses käsitleda samuti lineaarsetena. Ent näiteks küllastatud ferromagnetilise südamikuga pool või trafo ei ole enam lineaarsed elemendid.
Juhul kui paisul pinge puudub, on struktuuris kaks vastupingestatud dioodi (pn+-siiret). P-aluskristallis on positiivsed laengukandjad – augud – ülekaalus, kuid seal leidub ka negatiivseid laengukandjaid – elektrone. Teatavasti samanimelised laengud tõukuvad ja erinimelised tõmbuvad. Kui paisule pinget ei rakendata või teda negatiivselt pingestatakse, siis tõmbuvad paisu poole just augud kui vastandmärgilised laengud. Seega kasvab kahe n+ala vaheline takistus veelgi. Transistor on täielikult sulgunud. Rakendades paisule positiivse pinge, hakkavad positiivsed laengud alumiiniumelektroodi pinnal p-juhtivusega pooljuhis tõmbama enese poole väheseid negatiivseid laenguid ja kõik augud surutakse paisust võimalikult kaugele. Sellega tekib paisu alla n-juhtivusega pooljuht ehk n-kanal. Kirjeldatud protsess hakkab toimuma, alates kindlast lävipingest UGS(th). Mida suurem positiivne pinge paisule rakendub, seda väiksemaks muutub
Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire. Emitteris on suur difusioonvool. Elektriväli p-n siirdel baasi ja kollektori vahel tõmbab elektronid kollektorisse. Igale konkreetsele baasivoolule vastab kindel võimendatud kollektorvool. Vooluvõimendus on ligikaudne konstant, mis sõltub temperatuurist, sagedusest ja Uk-st. JUGFET võimendi: Transistorid: Filtrid: RC madalpääsfilter RC kõrgpääsfilter RL kõrgpääsfilter LC filter LCR filter Zener diood Zener dioodi kasutatakse vastupingestatult Dioodide lähendused Ideaalne diood: Lihtsustatud diood: Inverteeriv võimendi: Us = I1R1 Uv =- I1R1 Rs=R1 Rv=Rv0 Mitteinverteeriv võimendi: Tagasisidega võimendi Us = I1R1 Uv =Us+I2R2
7.Bipolaartransistor kui lüliti. Bipolaartransistoride germaaniumist või ränist pooljuhtstruktuur koosneb kolmest p- ja n-juhtivustüübiga kihist (pnp- või npn-struktuur) ning kahest nendevahelisest pn-siirdest. Ühe pn-siirde (näit emittersiirde) voolu muutumine põhjustab teise siirde (kollektorsiirde) takistuse muutumise. Bipolaartransistori tööks on vajalik erimärgiliste laengukandjate (neg elektronide ja pos aukude) olemasolu pooljuhis. 8.MOP-transistor. Metall-Oksiid-Pooljuht transistor. n ja p-kanaliga. 9.Pooljuhtdiood. Harilikult ühe pn-siirde või metall-pooljuhtkontaktiga ja kahe väljaviiguga pooljuhtseadis elektriliste suuruste muundamiseks. On töökindlad, kiiretoimelised, väikesed ja kerged ning tarbivad vähe võimsust. Kasut. Vahelduvvoolu alandamiseks, sageduse muundamiseks jne. 10.Dioodloogika. Võimendust teha ei saa, suuri pingeid sisse lasta pole ka mõtet. Dioodloogika realiseerib fakti, et
pidevalt ja kuage maa tagant ja automatiseerida ja kontrollida nende abil tootmisprotsesse. Mitteelektriline suurus tuleb anduri abil muuta elektriliseks ja mõõte seda elektrimõõteriistadega, mille skaala on gradueeritud vastava mitteelektrilise suuruse ühikutes. 34. Trafod: ehitus, tööpõhimõte, olulised parameetrid Trafo on elektromagneetiline aparaat, mis on ette nähtud pinge muutmiseks muutumatul sagedusel. Lihtsaim trafo koosneb kahest mähisest, mis parema omavahelise magnetilise sidestumise tagamiseks on paigutatud ühisele ferromagneetilisele südamikule, mis on harilikult valmistatud elektrotehnilisest lehtterasest. Kui primaarmähes ühendada vahelduvvooluallikaga, mille pinge on U1, tekib südamikus vool I1 ja vahelduv magnetvoog φ, mis sekundaarmähises indutseerib vahelduvpinge U2. Kui sekundaarmähis ühedada tarvitiga, mille takistus on R, tekib neid vool I2.
Kõigil juhtudel peaksite eksamil teadma ka tööpõhimõtet ja vastavaid skeeme (dioodil, Zener dioodil, RC,RL ja RCL ahelatel). Signaali käigu skitseerimise all on mõeldud seda, et peaks joonistama signaali kuju (näiteks siinuselise signaali mõne perioodiga) ja juurde kirjutama sageduse või perioodi ning amplituudi. 1. Skitseerige signaali käik RC madalpääsfiltris 16,7 kΩ takistiga ja 120 nF kondensaatoriga, kui siinuseline signaal on 10 V amplituudiga ja sagedus on 7,96 Hz, 137,8 Hz või 967 Hz. Milline on 7,96 Hz ja 796 Hz signaali korral ahelat läbiva voolu amplituud? (ω0 = 500 s-1 e. 79,6 Hz ja signaal väljundis on vastavalt Uv = 0,995Us, 0,5Us ja 0,0995Us ehk ligikaudu sama, 2 korda väiksem või 0,1 esialgsest signaalist. Voolu amplituud on 0,06 ja 0,6 mA) 2. Skitseerige antud skeemi korral Thevenini ja Nortoni ekvivalentskeemid ja tuletage neid iseloomustavad parameetrid
jne. Bipolaartranse juhitakse VOOLUGA, väljatranse aga PINGEGA. Siit tuleb suur erinevus kasutamise seisukohast - nõrka (vähe koormust kannatav allikas, mitte väikese pingega!), ntx. manetofoni või grammofoni helipea signaali on sellise transiga paha võimendada sest ta koormab signaaliallika ära. Väljatransistori puhul seda ohtu ei ole. Bipolaartransil on tavaliselt 3 otsa: - baas ehk juhtelektrood, - emmitter, - kollektor. On ka eritransistore, milledel mõni jalg puudub (ma mõtlen ikka terveid eksemlare ;) või on mõni mitmekordselt. Ntx. nn ühesiirdetransid, milledel on 2 baasi ja kollektor puudub. Väljatranside ja bipolaartranside head omadused on kokku võetud nn IGBT (injected gate bipolar transistor) transides. Nad on juhitavad kui väljatransid (hea: suur sisendtakistus), koormuse poolelt aga käituvad kui bipolaartransid. Rakendatakse ntx. fotoaparaatides välgu lülitamise juures.
Operatsioon võimendid: Operatsioon võimendid on integraalselt teostatud ahela muutmisega võimendus tegurit, siis nihkub võimendi ülemine sagedus piir universaalsed võimenduselemendid, mida võib kasutada väga mitmeti, sõltuvalt lisatud madalamatele sagedustele. Juhul kui saadud ülemisest sagedus piirist ei piisa tuleb võtta elementidest. Operatsioon võimendil on kaks sisendit,üksväljund ja teda toidetakse kahe kasutusele suurema transiitsagedusega Op võimendi. Op võimendite rakendusi: Oma polaarse sümeetrilise pingega (+,-maa suhtes)
2. Erinevate pidevatoimeliste väärtuste vastuvõtt (signaali parameetrite hindamine); 3.Võnkumiste vastuvõtt (filtreerimine). Olulisteks lähteandmeteks optimaalsete vastuvõtjate sünteesil see, et eeldatakse teada olevaks kodeerimise viis, modulatsioon, kasutatavate signaalide klass. Loetakse ka teadaolevaks osa või kõik signaali parameetrid (amplituud, sagedus, faas, impulsi kestvus, aprioorsed tõenäosused ühe või teise sündmuse esinemiseks). Signaal loetakse täpselt teadaolevaks, kui ainsaks tundmatuks võnkumise parameetriks on teade signaali olemasolust. Optimaalse vastuvõtja sünteesil eeldatakse muidugi ka aprioorset teavet vastuvõtule kaasnevate mürade, häirete iseloomu kohta. Tundmatute parameetritega signaaliks loetakse signaali, kus lisaks tema teadaolemisele on tundmatud veel mõned signaali parameetrid (sagedus näiteks)
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
