, kus L = 0,0098 7) Inertgaasi kulu: 8) NH3 moolosa desorberist väljuvas gaasis: 5 9) Tasakaalukonstant: 10) Ühikuta tasakaalukonstant: 11) Vees lahustunud NH3 kontsentratsioonile X vastav tasakaaluline kontsentratsioon gaasifaasis: 12) Liikumapanev jõud: 13) Kui , siis keskmine liikumapanev jõud gaasifaasi poolt on: 6 mool NH3/mool õhku 14) Katseline massiläbikandetegur gaasifaasi poolt: 15) Arvutuslik massiülekandetegur gaasifaasis arvestatuna taldriku tööpinnale: Tabel 2 kySkats kySarv Jrk. nr. wõ, m/s H0, m
Y2 = Y2* - Y2 = 0,0005520 - 0 = 0,0005520 moolõhku 12. Kui , Y2 0,0005520 = = 0,832 < 2 Y1 0,0006636 siis keskmine liikumapanev jõud gaasifaasi poolt , Y2 + Y1 0,0005520 + 0,0006636 moolNH3 Yk = = = 0,00061 2 2 moolõhku 13. Katseline massiläbikandetegur gaasifaasi poolt WNH 3 0,00005609 moolNH 3 K ykats kats
kus , kus L = 0,001325 7) Inertgaasi kulu: 8) NH3 moolosa desorberist väljuvas gaasis: 9) Tasakaalukonstant: 10) Ühikuta tasakaalukonstant: 7 11) Vees lahustunud NH3 kontsentratsioonile X vastav tasakaaluline kontsentratsioon gaasifaasis: 12) Liikumapanev jõud: 13) Kui , siis keskmine liikumapanev jõud gaasifaasi poolt on: mool NH3/mool õhku 14) Katseline massiläbikandetegur gaasifaasi poolt: 8 15) Arvutuslik massiülekandetegur gaasifaasis arvestatuna taldriku tööpinnale: Tabel 3 kySkats kySarv Jrk. nr. wõ, m/s H0, m mool NH3/m2s
0,0017482 Y2*= Y1*+ ((X- X1)*( Y2*- Y1*))/( X2 - X1) = 0 + ((0,0017356 0)*(0,0045 0))/(0,005 0) = = 0,00156205 kus X võtame vastavalt varem arvestatud suhtelise moolkontsentratsioonidele. Selle andmete põhjal saame leida tasakaalukonstanti m: m = Y*/X m1= Y1*/ X1 = 0,0017482/ 0,0019424= 0,9 m2 = Y2*/ X2 = 0,00156205/ 0,0017356= 0,9 Tabelist 2 on näha, et tasakaalukonstandi m väärtused on lähedased ühele, s.t. et põhiline massiläbikandetakistus on koondunud gaasifaasi. Arvestades seda, võib vedelfaasi poolse takistuse jätta arvestamata ning järelikult Ky ky. 1. Arvutame desorbeerunud ammoniaagi kulu W NH : 3 (2) W = G0Y = L0 (X 1 - X 2 ) L0 = (L* (H2O))/M(H2O) = (0,00515 l/s*1 kg/l)/ 18 kg/kmol = 0,000286 kmol/s W1 = L0*( X1 X2 ) = 0,000286 kmol/s* (0,0019424 0,0017356) = 5,9178*10-8 kmol/s seejärel leiame kontsentratsioon kolonnist väljuvas õhus Y1:
Segu komponendid liiguvad läbi kolonni erineva kiirusega. Tulemusena komponendid eralduvad üksteisest, moodustades tsoone, mis on eraldatud puhta kandegaasi tsoonidega. 15. Milliseid aineid saab analüüsida gaasikromatograafiaga? Saab analüüsida - lenduvad aineid, väikseid polaarseid ja mittepolaarseid ühendeid, termiliselt stabiilseid aineid ja aineid mille konts on kuni 1 ppg. 16. Lahutamise mehhanism GK-s Adsorbent-gaas süsteem: analüüt adsorbeerub ja desorbeerub tahke faasi ja gaasifaasi vahel. Vedelik-gaas süsteem: analüüt jaotub viskoosse vedela faasi ja gaasifaasi vahel. 17. Gaasikromatograafi ehitus (koos lühikirjeldusega) Proov sisestatakse süstides aurutisse, kus see aurustub ja seejärel juhitakse teatud osa kandegaasi abil (mobiilne faas) läbi lahutuskolonni. Proovi erinevad komponendid lahutuvad vastavalt nende jaotuskoefitsentidele statsionaarse ja mobiilse faasi vahel.
= - ;V1 = V1 0 ; 1 =A:destillatsioon:1-lahus ; =hakkab - keema ja komponentid a H 2O dx1 x 1 1 V x x 1 T , P ´-koostised eralduvad dx gaasifaasi. x V 1´-aurufaasikoostis 0 on rohkem). 2 ja 2 (x2 K H 2O = 1,8 10 -16 ; a H + aOH - = 1 10 -14 ( mol / 1 temp tõustes.
komponendid läbi kolonnis oleva sorbendi erinevate kiirustega. Tulemusena komponendid eralduvad üksteisest, moodustades tsoonid, mis on eraldatud puhta kandva gaasi tsoonidega. Gaasi-vedelikkromatograafia puhul kasutatakse sorbendina kõrgeltkeevaid vedelikke, mis suurema kontaktipinna loomiseks kantakse tahkele kandjale (täidiskolonnid) või peene kapillaari siseseintele (kapillaarkolonnid). Komponentide eraldamine põhineb nende jaotuskoefitsientide erinevusel vedela ja gaasifaasi vahel. Siin mängib rolli nii komponentide erinev lenduvus kui erinev lahustuvus vedelfaasis. Vedelfaasis hästilahustuvad komponendid hoitakse kolonnis kauem kinni, halvemini lahustuvad väljuvad kiiremini. GVK abil saab analüüsida orgaaniliste ainete segusid, kusjuures segu komponendid peavad olema temperatuuridel, mille juures analüüsi teostatakse termiliselt stabiilsed, ka ei tohi nende keemistemperatuur olla liiga kõrge ( <400°C).
log m pc = 4 ,705 - T mpc= 10^(4,705-1922/293)=0,014 Siit ühikuta tasakaalu kontant: m = m pc pM m=0,014*1000/1,01325/18=0,766 7.Tasakaalu kontsentratsioonid: Y1*=X1*m=0,001875*0,766=0,00143 moolNH3/moolõhk Y2*=0,001229 moolNH3/moolõhk Siis: Y1= Y1*-Y1=0,00143-0,00043=0,001003 moolNH3/moolõhk Y2= Y2*-Y2= Y2* (Y2=0)= 0,001229 moolNH3/moolõhk Y1/Y2=0,816 Siis Yk=(Y1+Y2)/2=0,001116 moolNH3 8. Massiläbikande võrrandist arvutatame gaasifaasi poolne massiläbikandetegur Ky: W = K x Axk = K y Ayk Ky(katseline)=W(NH3)/ Yk/A=7,22*10^-5/0,001116 /0,007543=8,58 mool NH3/(m^2*s) Ky(kats)~By(kats) Arvutuslik By: rs P y = 3600 RT Kus rs = 950w 0 ,72 h00 ,5 Siis yarv=950*u^0,72*h0^0,5*P/3600/R/T=950*0,53^0,72*0,03^0,5*1,01325/3600/0,0000831/293 yarv~1,2 nr x2 x1 WNH3 Wohk Y1 Y1* Y2* Y1 Y2
hajutatud ja kiirgunud elektromagnetilise kiirguse põhjal. AAS- on aatomispektromeetria meetod, mis põhineb aatomite elektronide ergastumisel valguse neeldumise toimel. Analüüdi tuvastamiseks kasutatakse ära nähtust, kus gaasifaasis olevad elemendi aatomid absorbeerivad valguskiirgust (valguskvante ehk footoneid) vaid teatud lainepikkustel. Teades, mis lainepikkustel mis element valguskiirgust neelab, on võimalik proovis olevaid elemente tuvastada. Gaasifaasi viidud aatomeid kiiritatakse kvantidega, mille tulemusel võivad nad sobiva lainepikkuse korral minna ergastatud olekusse. Neelduva kvandi energia on seotud elektronide üleminekuga aatomite energianivoodel. Mida keerulisem on elektronorbitaalide ülesehitus (suuremad elektronorbitaalid), seda rohkem on võimalusi elektronide ergastamiseks ja seega lainepikkusi, mida aatom saab elektronergastusel kasutada.
Atomaarne hapnik kombineerub kiiresti teise hapniku Aerosoolne hajumine- taeva värvus hele. Tegelikkuses mõlemad hajumised. Alumistes kihtides (4-5 km) tähtsam aerosoolne ja ülevalpool molekulaarne hajumine. Aerosoolne hajumine- toimub suurtel osakestel seepärast on pilved valged. Mida hõredam õhk molekuliga ja tekib osoon. Stratosfääris lagundavad osooni peamiselt katalüütilised reaktsioonid, mis haaravad endasse homogeenseid gaasifaasi seda tumedam taevas. Bougueri seadus- Neeldumiskoenfitsent näitab suhtelist valguse kiirgusvoo vähenemist kihi ühikulise reaktsioone aktiivse vaba radikaali perekondadest. Kloori ja broomiühendid atmosfääris põhjustavad osooni lagunemise. Atmosfääri vertikaalne paksuse korra. I = I0 e- l kus I on valguse intensiivsus kaugusel l pinnast
Soojusvahetus nende vahel toimub kõrge intensiivsusega tänu soojuskandja väikeste osakeste ja kuiva põlevkivi väga arenenud pinnale, mille tõttu vajalik aeg põlevkivi kuumutamiseks lenduvate maksimaalseks eralda-miseks on 5 väike. Põlevkivi termilise lagunemise saadused: auru-gaasisegu, poolkoks, aga samuti soojuskandja suunduvad reaktorist tolmukambrisse, kus toimub gaasifaasi ja tahke materjali esmane lahutamine gravitatsiooni teel. Poolkoks segus tuhaga tolmukambri all-osast antakse põletamisele. Koldes toimub utmise põlevjäägi põletamine õhu vajaku puhul, mille tõttu soojuskandja mass kuumeneb vajaliku temperatuurini. Etapp 3. Tahke jäägi eemaldamine. Elektrifiltris püütud põlevkivituha tolm heidetakse hüd- raulilise tuhaärastussüsteemi kaudu pulbipaaki, kus segatakse tuhatsüklonites eraldatud liig-
Kromatograafiat kasutatakse lipiidi, süsivesikute, valgude, aminohappete jt biomolekulide lahutamiseks.Kromatograafiat võib teha kas kinnises süsteemis kolonnis(kolonnkromatograafia), või lahtises süsteemis paberil või kromatograafilisel plaadil(nt. planaarkromatograafia). Pole vaja siin korrata juhendit! Jaotuskromatograafia aluseks on lahutuvate ainete jaotumine kahe mitteseguneva vedelikule vedelfaasil või statsionaarsel vedelfaasi ja gaasifaasi, tänu sellele, et neil on erinev lahustuvus neis faasides. Statsionaarset faasi pestakse järjest uute mobiilse faasi kogustega, kuni lahutatavad ained jagunevad lahusti erinevatesse portsjonitesse. Tänu segu komponentide jaotuskoefitsientide erinevusele leiabki aset nende eraldumine üksteisest. Segu komponendi A üleminek statsionaarsest faasist mobiilsesse faasi kirjeldub tasakaaluvrrandiga: CA stats CA mob, kus
Metallide emissioonijooned jäävada rohkem spektri nähtavasse ossa. Mittemetallidele iseloomulikud jooned jäävad spektri jäigemasse ossa või isegi alla 180 nm. Igale elemendile on omane oma komplekt spektrijooni. See on justkui sõrmejälg. Lora Sulg, Proviisor II, sügis 2010 Ajalooliselt vanem on aatomemissioonspektromeetria, kus kõrge temperatuuri mõjul elementide aatomid lähevad gaasifaasi ja ergastuvad. Kuna temperatuur mõjutab suhteliselt rohkem ergastatud aatomite hulka, on leegi temperatuuri stabiilsus eriti kriitiline antud meetodi korral. Näiteks Na puhul suureneb leegi temperatuuri muutumisel 10K võrra (2600K -> 2610K) ergastatud aatomite arv proovis 4% võrra, samal ajal on ergastatud aatomeid vaid 0,02% aatomite koguarvust. Klassikalisel meetodil kasutatakse proovi atomiseerimiseks gaasilise kütuse põletamisel saadavad energiat, enamlevinud on segud.
reaktsioonil lubjapiimaga) neutraliseerimise tahke jääk on veerohke muda. Puhastusefekt ~90%. keemiline reaktsioon lahuses kiirendab gaasilise komponendi lahustumist - Olenevalt konkreetsest olukorrast absorberid: täidiskolonn, taldrikkolonn, pihustustorn, Venturi pesur, mehaaniline segur jt - Desorptsioon – neeldunud aine siirdumine gaasifaasi Absorptsioon on homogeensest gaasisegust lisandite eemaldamine vedelikus neeldumisel. Absorptsioon on füüsikaline või keemiline. Füüsikaline absorptsioon on aeglane protsess, mida saab kiirendada intensiivse segamise või rõhu tõstmisega. Absorbentidena kasutatakse vastavalt vajadusele vett või näiteks lubjapiima, ammoniaakvett või viskoosseid õlisid. Orgaaniliste ühendite absorbeerimiseks kasutatakse orgaanilisi lahusteid, mida saab pärast puhastamist uuesti kasutada
Madala pindkontsentratsiooni korral takistab soojusliikumine molekulide korrapärast paigutust. Süsivesinikradikaalid asetsevad peaaegu horisontaalselt lahuse pinnal nagu "kahemõõtmeline gaas". Kontsentratsiooni tõustes pindpinevus langeb lineaarselt. Pindaktiivne aine lagundab pinnakihti. Pindaktiivse aine kontsentratsiooni tõustes asetuvad molekulid lamavast asendist seisvasse asendisse ja tekivad pindaktiivse aine saarekesed. Süsivesinikradikaal surutakse gaasifaasi. Pindkontsentratsiooni edasine kasv viib nende saarekeste liitumisele ja vertikaalselt orienteeritud pindaktiivse aine molekulidest koosneva monomolekulaarse kihi moodustumisele. Pindpinevus muutub vähe. Pind on kaetud pindaktiivse ainega. pindaktiivsus kasvab 3 3,5 korda süsivesinikradikaali pikenemisel ühe CH2 - rühma võrra. Langmuiri teooria. Ta lähtus eeldustest: 1. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele
Nt rasvaga kaetud klaas 14. Millest on tingitud vee märgamisvõime paranemine hüdrofoobsetel pindadel kui lisada PAA vette? Paljud tehnoloogilised protsessid nõuavad kontrolli vedeliku märgamise üle tahkel pinnal. Tilga asetamisel pinnale võib see pinna märjata täielikult, osaliselt või üldse mitte. PAA abil saab vähendada pindpinevust ja muuta mittemärgava aine osaliselt või täielikult märgavaks. PAA segunedes vedelikuga tahkise- ja gaasifaasi piirpind suureneb ning tilga ääred muutuvad hüdrofiilseteks. Selle tulemusena tilk levib. 15. Kuidas mõjub pinna kõverus ja aine loomus selle lisarõhule (siserõhule)? Millised on kapillaarse tõusu (languse) põhjused? 4 Täiendav siserõhk on suunatud alati kõveruse tsentrisse. Pindpinevus põhjustab rõhkude erinevuse kõvera pinna korral. See lisarõhk on positiivne kumera pinna korral ja negatiivne nõgusa pinna korral. Lisarõhk sõltub vedeliku pindpinevusest ja pinna
kui võiks eeldada juhul, kui vesiniksidemed puuduksid · osakeste mass (aatommass või molekulmass). Samatüübiliste ühendite korral on suurema molekulmassiga ühenditel kõrgemad sulamis-ja keemistemperatuurid. Põhjendus molekulaarkineetilises teoorias: gaasiosakeste keskmine kineetiline energia sõltub gaasi temperatuurist, osakeste kiirus sõltub osakeste massist ja temperatuurist. Suurema massiga osakesed vajavad vedelikust gaasifaasi minekuks piisava kiiruse saavutamiseks kõrgemat temperatuuri. · osakeste kuju o lähedaste molekulmassidega ühendite korral on kõrgem sulamistemperatuur vähemsümmeetriliste molekulidega ühenditel ja ühenditel, mis sisaldavad suure raadiusega aatomeid; o ümaramatel ja sümmeetrilisemate molekulidega ainetel on sulamistemperatuuri (Ts) ja keemistemperatuuri (Tk) erinevus väiksem;
18. Defineerige sidemeentalpia. Nimetage sidemeentalpia puudused. Reaktsioonientalpiat saab ka ennustada, lähtudes reaktsiooni käigus toimunud sidemete katkemise ja tekkimise entalpiatest. Sideme tugevust näitab sidemeentalpia. Sidemeentalpia on alati positiivne. Sidemeentalpia sõltub mitte ainult seotud aatomitest, vaid ka nende naabrusest. Vastav varieeruvus on aga suhteliselt väike. Reeglina antakse tabelites keskmised sidemeentalpiad (H B). Sidemeentalpiad antakse reeglina gaasifaasi kohta. 19. Arvutage keskmiste sidemeentalpiate abil reaktsioonientalpia. - H0=Hf0(sideme lagunemine)+(- Hf0(sidemte tekkimine) 20. Arvutage reaktsioonientalpia erinevatel temperatuuridel. - Hr,20=Hr,10+Cp(T2-T1) C-soojusmahtuvus Cp=nCP,m(produktid)-nCP,m(lähteained) 21. Mis on entroopia ja milles seisneb selle tähtsus termodünaamikas? Millised tegurid mõjutavad süsteemi entroopiat? Iseeneslike protsessidega kaasneb energia ja aine jaotuse korrapära kahanemine ehk siis korrapäratuse
nii naaberfaasist kui ka samast faasist oleva teiste molekulide poolt. *Sagedasimad pinnanähtused on adsorptsioon, pindpinevus, märgumine, kapillaarsus, pindaktiivsus jne. *Homogeensete süsteemide korral pinnaenergia osakaal süsteemi koguenergia suhtes väga väike. *Suurem osa osakesi asub faasi sees ega puutu eralduspinnaga kokku. *Piirpinnal asetsevate osakeste vabadusastmete arv väiksem kui faasi sisemuses ja molekulaarsed jõuväljad (Van der Waalsi jõud jne) gaasifaasi poolt kompenseerimata. *Pindala suhet ruumalasse iseloomustab eripind. *Tänu vedelike molekulide võimele liikuda uueneb vedelik-gaas-piirpind pidevalt. *Mida lähedamal on molekul pinnale, seda rohkem jääb jõuväli kompenseerimata. Selle tõttu suureneb pindkihi potentsiaalne energia *Mida tugevamad on lahuses olevate molekulide intermolekulaarsed jõud, seda rohkem tuleb tööd teha pinna suurendamiseks. *Olulist osa pindpinevuse suurendamisel etendavad ka vesiniksidemed.
nii naaberfaasist kui ka samast faasist oleva teiste molekulide poolt. *Sagedasimad pinnanähtused on adsorptsioon, pindpinevus, märgumine, kapillaarsus, pindaktiivsus jne. *Homogeensete süsteemide korral pinnaenergia osakaal süsteemi koguenergia suhtes väga väike. *Suurem osa osakesi asub faasi sees ega puutu eralduspinnaga kokku. *Piirpinnal asetsevate osakeste vabadusastmete arv väiksem kui faasi sisemuses ja molekulaarsed jõuväljad (Van der Waalsi jõud jne) gaasifaasi poolt kompenseerimata. *Pindala suhet ruumalasse iseloomustab eripind. *Tänu vedelike molekulide võimele liikuda uueneb vedelik-gaas-piirpind pidevalt. *Mida lähedamal on molekul pinnale, seda rohkem jääb jõuväli kompenseerimata. Selle tõttu suureneb pindkihi potentsiaalne energia *Mida tugevamad on lahuses olevate molekulide intermolekulaarsed jõud, seda rohkem tuleb tööd teha pinna suurendamiseks. *Olulist osa pindpinevuse suurendamisel etendavad ka vesiniksidemed.
eraldamist segust. 5. Kuivatamine on lenduva vedeliku (sageli vee) eraldamine tahkest materjalist. 6. Destillatsioon on vedelate segude lahutamine, mis põhineb nende komponentide keemistemperatuuride erinevusel. 7. Absorptsioon on protsess, kus vedelikuga kontaktis olev gaasiline segu loovutab vedelfaasi ühe või mitme oma komponendist. Vastupidisel juhul, kui mingi vedela segu komponent läheb üle gaasifaasi, seda protsessi nimetatakse desorptsiooniks. 8. Adsorptsioon on ühe või mitme komponendi eraldamine gaasilisest või vedelast segust tahke aine (adsorbendi) pinnale. 9. Membraanlahutus on lahustunud aine eraldamine vedelast segust difusiooni teel läbi poolläbilaskva membraani. 10. Ekstraktsioon on mingi komponendi eraldamine vedelast materjalist, kasutades teist vedeliku (lahustit), mis esimesega ei segune hästi kokku. 11
b) filtreerimine - adsorbeerunud aine desorptsioon, mille kiirus on võrdeline Adsordbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tavaliselt see ioon, milline on laengult vastasmärgiline Filtreerimine läbi paberi, riide, traatfiltri. c) ultraheli - kasutatakse adsorbaadi polt hõivatud pinnaosaga : vd=kd , kus kd on tagasi gaasifaasi. A-unud osakeste vastastikune toime adsorbses kolloidosakese potentsiaali määravate ioonide laengule ning see koagulatsiooni kiirendamiseks d) koaguleerimine - Seda kasutatakse võrdetegur. Adsorptsioonilise tasakaalu tingimustes va=vd ja kap(1- kihis puudub. Freundlichi adsorbtsiooniisoterm: piirkonnas b toime on seda suurem, mida kõrgem on koaguleeriva iooni valents
adsorbeerunud aine pindc-i asendada pindliiaga : ca=k*p/RT=Kp. Langmuiri adsorptsiooniisoterm: A on vaadeldav keemilise r-ni analoogina. A-i põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. A lõpeb monomolekulaarse kihi moodustamisega (piiriline A (m)); tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki A. Adsordbaadi molekul võib nendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. A-unud osakeste vastastikune toime adsorbses kihis puudub. Freundlichi adsorbtsiooniisoterm: piirkonnas b kirjeldab A-i =kp1/n Logaritmime: log =log k + 1/n*log p. Polümolekulaarne adsorptsioon: A on mitmekihiline, adsorbaadi esimene kiht tekib adsorbendi pinnale van der Waals'i jõudude toimel adsorbaadi ja adsorbendi vahel. Järgmised kihid tekivad auru molekulide kondensatsiooni tõttu. Osakestevahelist vastastikust toimet
5.4 Ainete identifitseerimine mass-spektromeetriliselt mass Segu lahutamine komponentideks kromatograafiliselt: kromatograafiliselt · Retentsiooniaegade võrdlemine · "Tundmatu" piik kromatogrammil? · Mass-spektromeetriline spektromeetriline detekteerimine: detekteerimine aine molekul viimine gaasifaasi ioniseerimine fragment-ioonide ioonide teke mõõdetakse tekkinud ioonide massi ja laengu suhted, m/z spekter ioonide arvukus = f(m/z) iseloomulik konkreetsele ainele! Analüüsi tulemusena saadakse ainele vastavad mass-spektrid, spektrid, mida võrreldakse andmebaasides olevate spektritega Näiteid massi-spektritest: 1-butanool 1-bromobutaan
sügavuseni. Täielik ainete massi bilanss Kui on arvutatud vajalikud algandmed, siis kogu järve bilansi saab arvutada: Kogu koormus - väljavool akumuleerumise muutus = (positiivne või negatiivne) sedimentatsioon Oluline erinevus selle valemi ja veemassi bilansi vahel seisneb selles, et hinnatakse ka settimist ja resuspensiooni e. teisisõnu hinnatakse veekogu sisekoormust. Siiski kehtib selline võrrand ainete kohta, millel pole gaasifaasi, näiteks fosfori kohta. Mis puutub lämmastikku, siis koguste bilansi arvutamine on palju keerukam. Nitrifikatsiooni-denitrifikatsiooni bilansi suurust saab hinnata ligikaudselt näiteks fosfori settimise ja ainete koormuse N/P suhtest, samuti järve vees ja settes oleva N/P suhte alusel. 14.Pilliroo ja sapropeeli varud Eestis. Järvemuda e. sapropeel on magedaveelises veekogus kuhjunud kolloidse struktuuriga sete, mis sisaldab
1.Adsorptsioon on vaadeldav keemilise reaktsiooni analoogina. Adsorptsiooni põhjustavad jõud on lähedased keemilisele sidemele. Adsorptsioon lõpeb mono- molekulaarse kihi moodustamisega. Viimast iseloomustab piiriline adsorptsioon m. 2.Tahke aine pinnal on alati mehaanilised ja kristallograafilised ebaühtlused. Nendel adsorbendi pinna aktiivsetel tsentritel toimubki adsorptsioon. Adsorbaadi molekul võibnendelt tsentritelt lahti saada ja minna tagasi gaasifaasi. 3.Adsorbeerunud osakeste vastastikune toime adsorbseskihis puudub. Adsorptsiooni isotermide uurimisel leiti, et ainult mõned neist vastavad Langmuiri
Langmuiri adsorptsiooni isotermi määramine pindaktiivse aine vesilahuse ja õhu piirpinnal. Tuletus esimesel kuju Selle eeldused on järgmised. Esiteks adsorptsioon on analoogiline keemilisele reaktsioonile. Sarnased jõud põhjustavad adsorptsiooni, mis keemilisi sidemeid. Adsorptsiooni lõppedes on saavutatud piirväärtus Teiseks adsorptsioon toimub adsorbenti aktiivsetele tsentritele, kus on ebaühtlused. Keskmed on lokaliseeritud, adsorbaat ei saa liikuda mujale peale tagasi gaasifaasi. Kolmandaks puudub vastastikune toime pinnakihis adsorbendi molekulide vahel. .) Langmuiri tingimuste järgi on tasakaaluseisundis saavutatud tasakaal DESORPTSIOONI ja ADSORPTSIOONI vahel. Siin on järgmised muutujad (1-) on adsorbendist VABA PINNA OSA. teeta on adsorbendi poolt HÕIVATUD PINNA OSA. kA ja kD on konstandid vastavatale protsessidele .) Tasakaalutingimustes nad siis võrduvad, sellisel juhul saab avaldada teguri teeta().
jooksul on mõlemas suunas üleminevate molekulide arv võrdne. Aurustumiskõvera punktidele vastavat auru nimetatakse küllastavaks. Sulamisel ja aurustumisel massiühiku kohta neelduvat soojushulka nimetatakse vastavalt sulamissoojuseks ja aurustumissoojuseks q, mõlemad sõltuvad rõhust. Kui me hakkame isobaariliselt soojendama tahket ainet olekust A (joon.5.12), siis läheb see punktis A1 otse üle gaasifaasi, sellist protsessi nimetatakse sublimatsiooniks, sellega kaasneb sublimatsioonisoojuse neeldumine. Aurustumiskõver lõpeb kriitilises punktis Kr. Nii on võimalik aine viia vedelast olekust (punkt D1) gaasilisse (punkt D2) aurustumissoojust kulutamata (punktiirjoon D1-D2). Joonisel 5.12 kujutatud sulamiskõver on vertikaalist vasakule kaldu. See vastab ainetele, mille tahke faas on väiksema tihedusega kui vedel. Selliste ainete põhiline esindaja on vesi,
Kromatograafilist protsessi võib realiseerida kinnises süsteemis kolonnis (kolonn- kromatograafia) ja lahtises süsteemis paberil või kromatograafilisel plaadil (üldnimetus planaarkromatograafia, kitsamalt paberkromatograafia ja õhukese kihi kromatograafia). 32 33 Jaotuskromatograafia aluseks on lahutatavate ainete jaotumine kahe, teineteisega mitteseguneva vedelfaasi või statsionaarse vedelfaasi ja gaasifaasi vahel tänu ainete erinevale lahustuvusele neis faasides. Statsionaarset faasi pestakse järjest uute mobiilse faasi kogustega, kuni lahutatavad ained jagunevad lahusti erinevatesse portsjonitesse. Tänu segu komponentide jaotuskoefitsientide erinevusele leiabki aset nende eraldumine üksteisest. Segu komponendi A üleminek statsionaarsest faasist mobiilsesse faasi kirjeldub tasakaaluvrrandiga: CA stats CA mob, kus
määramiseks keerulistest segudest. 130. Gaasikromatograafia aparatuuri skeem koos lühikirjeldusega. Reduktor (sealt tuleb kandegaas, nt N2) -> O2,H2O eraldaja -> süstimiskamber -> kolonn -> detektor. Nt leekionisatsioonidetektor. Temperatuuri kontrollimine on väga oluline üldiselt kõrge temperatuur, nt 80-150 kraadi ligi 25 minuti jooksul, temperatuur varieerub vastavalt temperatuuriprogrammile. Ained eraldatakse nende erineva lenduvuse järgi (selle järgi, kuidas nad jaotuvad gaasifaasi ja sorbendi faasi vahel). Kolonnist läbi kantakse ained gaasivoolus. Seda gaasi nimetatakse kandegaasiks. Üldiselt: mida lenduvam aine, seda lühem retentsiooniaeg. Lenduvuse nõue seab meetodile piirangud: mitte kõiki aineid ei saa gaasikromatograafiliselt analüüsida. 131. Millistele tingimustele peavad vastama ained, et neid saaks analüüsida gaasikromatograafiliselt? Peavad olema lenduvad ja rakendataval temperatuuril püsivad. Lenduvust saab iseloomustada keemistemperatuuriga
Eelpooltoodu viib leelismetallide madalale sideme energiale ja sulamistäppidele (Na - 97,9°C; K - 63,5°C). Kui sideme tekkest osavõtvate elektronide arv suureneb, siis tõusevad sidemeenergiad ja sulamistäpid. Metallilise sideme energia võrdlemiseks ioonse sideme energiaga on sobiv kasutada sublimatsioonisoojuste (s.o. soojushulk, mida on vaja anda metallile või ioonilisele ainele, et viia 1 mool seda ainet otse tahkest faasist gaasifaasi mingil temperatuuril) võrdlemist. Võrdlus näitab, et paljude metallide sublimatsioonisoojused on läheldased ioonsete ainete sublimatsioonisoojustega, millest võib järeldada, et sideme energiad metallides ja ioonsetes ainetes on võrreldavas suuruses. 3.5. Sekundaarsed sidemed (joonis 2.42) Seni vaatlesime tugevaid sidemeid sideme energiaga 200 - 700 kJ/mooli kohta. Need sidemed olid põhjustatud kas elektroni üleminekust (iooniline side) või elektronpilve
annaabi.ee 
