......................................................................................................................................................24 4. TRANSISTORID Bipolar JunctioTransistor (BJT).......................................................................................................28 4.1.Transistori ehitus.................................................................................................................................................... 28 4.2 Võimendi sisend ja väljundtakistus......................................................................................................................... 28 4.3. Transistori tööpõhimõte..........................................................................................................................................29 4.4. Transistori kolm lülitust. .........................................................................................................................................30 4
võimalikult puhtad ja lisandite hulk peab olema selline, et säiliks ainele tüüpiline kristallstruktuur. Vaatleme esmalt olukorda, kus põhiainele on lisatud viievalentset lisandit, milleks võib olla antimon (Sb), arseen (As) või fosfor (P) Viievalentse lisandi aatom võtab aine struktuuris endale koha analoogiliselt põhiaine aatomile, kuid tema ühele elektronile ei leidu struktuuris kindlat kohta (vt. joonis 1.3). Esialgu see elektron püsib aatomi mõjupiirkonnas, kuid väga väikesegi lisaenergia saamisel ta lahkub oma aatomi juurest ja muutub juhtivuselektroniks, alludes mõjuva elektrivälja toimele. Vaadeldud juhul tekkis aines lisandi mõjul N-juhtivus. Aine juhtivus on nüüd suurem ja vool tekib aines elektronide liikumisena. Lisandina kasutatavaid N-juhtivust tekitavaid aineid nimetatakse N-type semiconductor 4 Vaba elektron
Pool juhtide eritakistus jääb dielektrikute ja täisjuhtide eritakistuse vahelee. Germaanium (temperatuuri kartlik , pinge kartlik ja suht kallis) ja räni(paremate näitajatega) on pooljuhtide ,,emad". Räni maakoores on 27% räni, sulamise temp. 1415kraadi. Kõik ained mille väliskihis on 4 elektroni on pooljuhid. Ioon on laenguga aatom, st, et ta on oma elektronide väliskihist loovutanud ühe elektroni ja tegemist on positiivse iooniga, kui juhtub, et tuleb 1 elektron juurde sii on tegemist negatiivse iooniga. Energeetiline keelutsoon erinev ainete lõikes, annab energiat elektronide liikumiseks mujale Ge 0,73eV Si 1,1 eV eV elektron volt Juhtivus elektronid temperatuuri tõusmisel teatud piirini saavad elektronid juurde energiat ja elektronid pääsevad vabalt liikuma. Koht kus elektron lahkub tahavad teised elektronid tulla. www.hkhk.edu.ee/alaldamine P juhtivus ehk aukjuhtivus negatiivne lisandjuhtivus N juhtivusega pooljuhtivus
Impulss tehnika alused Impulss tehnikaks nimetatakse seda elektroonika osa, mis tegeleb impulsiliste saame 0tasemelise piiramise ülalt. Kui aga meil on dioodiga järjestiku pingeallikas, siis ei avane diood signaalide genereerimise, formeerimise ja võimendamisega. Impulsilisi signalle kasutatakse digitaal mitte väikeselisel positiivsel pingel vaid alles siis kui sisend pinge saab pingeallika pingest tehnikas, ning ka signaalide edastamisel, kui sinuselist signaali iseloomustatakse kolme parameetriga, positiivsemaks. Seega määrab kasutatav pingeallikas piiramis nivoo. Täpsemalt tuleb arvestada ka need on :Amplituud, Sagedus, Algfaas. Siis impulsiliste signaalide korral on vajalikke parameetreid dioodi päripinge langu, sest diood ei avane mitte 0sel pingel, vaid siis kui pinge on ületanud 0,5V. märksa rohkem
Rakenduselektroonika 1.1 Võimendid Võimenditeks nim seadmeid, mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine, nii, et võimalikult säiluks signaali kuju. Joonis 1.1.1 Igal võimendil on alati 2 sisend klemmi millega ühendatakse signaali allikas ja 2 väljund klemmi millega ühendatakse see objekt millele antakse võimendatud signaal. Peale selle vajab võimendi ka toiteallikat, mille energia arvel toimub võimendus protsess. Võime vaadelda ka nii, et võimendi on regulator mis juhib toiteallika energiat tarbijasse kooskõlas signaali muutustega. Sõltuvalt sellest milliseid võimendus elemente kasutatakse on olemas erinevaid võimendeid. Elektriliste signaalide võimendamiseks kasutatakse: transistor
Vabade elektronide kontsentratsioon pooljuhis on seetõttu võrdeline pooljuhi temperatuuriga. Toatemperatuuril leidub puhtas (omajuhtivusega) ränis ligikaudu 1 vaba elektron 1012 aatomi kohta. Absoluutse nulli lähedastel temperatuuridel muutuvad pooljuhid mittejuhtideks (dielektrikuteks), kuna neis ei leidu enam vabu elektrone. Lahkunud elektroni kohta kovalentsidemes nimetatakse auguks (ingl. k. hole, sks k. Loch (auk), aga ka Defektelektron). Augu võib täita teine elektron, sellest jäänud augu võib täita kolmas jne. Toimub elektroni ja augu rekombinatsioon ja ühtlasi augu ümberpaiknemine suunas, mis on vastupidine elektroni ümberpaiknemisele. Selline nihkeprotsess võib korduda; elektronid, mis pole aatomitega seotud, võivad pooljuhis liikuda ja täita auke. Elektronide liikumise läbi tekkinud elektrijuhtivust nimetatakse n- juhtivuseks ehk elektronjuhtivuseks, aukude liikumisel tekib p-juhtivus ehk aukjuhtivus
võimendid, integraalvõimendi) 3. Signaali iseloomujärgi · madalsegedusvõimendid helivõimendid helisageduslike sageduste võimendamiseks, iseloomulik et nad toimivad helisageduste piirkonnas (20 Hz-20KHz) · alalispingevõimendi ( 0-3..5KHz) põhiline kasutamis ala on automaatikas, andurite puhul mille väljund on alalispinge (termopaar, termotakisti) · ribavõimendi võimendi, mis võimendab väga rangelt määratud suhteliselt kitsas sagedusalas (f1-f2) see sagedusala võib kuuluda erinevate sagetuste piirkonda, on olemas madal sageduslike helivõimendeid [katlaleegi signalisaator, tetonatsiooni andur(5KHz on kõlina hääl-süüde on vale)] Parameetrid: 1
Rakendades pooljuhile elektrivälja, hakkavad vabanenud elektronid liikuma elektrivälja suunale vastu ja tekkinud augud elektrivälja suunas, nii nagu käituks positiivne ühiklaeng. Kirjeldatud nähtust aitab selgitada joonisel 4.2 toodud skeem. Joonisel tähtedega tähistatud ridades on aine struktuur erinevatel ajahetkedel. Võime jälgida, kuidas toimub augu liikumine esimesest aatomist viiendani. Elektron Neutr. Aatom Auguga aatom JOONIS 4.2. Nagu joonisel toodud skeemil selgub, esineb üheaegselt nii elektronide kui aukude liikumine. Kui keemiliselt puhtas aines tekkib üheaegselt sama arv elektrone ja auke, nagu praegu kirjeldasime. siis on meil tegemist materjali omajuhtivusega. Kuna ELEKTROONIKAKOMPONENDID lk.20 laengukandjaid on siin kahesuguseid, eristatakse ka kahesugust juhtivust. Elektronide
Mis on alfa? 29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta? 30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused. 31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga 32. Vaakum-fotoelement. Ehitus ja tööpõhimõte 33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36.Kuidas lülitada mõõduriistu võimendi omaduste mõõtmiseks? Joonestage skeemid. 37.Arvutada pingejaguri sisend ja väljundtakistus. 38.Arvutada Zener-dioodiga pingestabilisaator. 39.Ühise emitteriga pingevõimenduastme lihtsustatud arvutus. 40. Kuidas saaks transistorastme tööpunkti fikseerida? Kaks skeemi, nende omadused. 41. A-klassi võimsusvõimendusastme skeem ja omadused. 42. B-klassi SAMA TEEMA.^^^ 43
Pilet 1. 1. Valgusdioodid Valgusdiood on pn-siirdega diood, mis muudab elektrienergiat optiliseks kiirguseks tavaliselt spektri nähtavas või infrapunases osas. Teatud ainete kristallis moodustatud pn-siirde päripingestamisel (pluss p-kihil) injekteeruvad augud n-kihti ning elektronid vastassuunas. Need injekteerunud augud ja elektronid rekombineeruvad pn-siirdes ja selle läheduses vastasmärgiliste laengukandjatega ning osa vabanevast energiast eraldub kiirgusena. Kuna p-kiht on kõigest mõne mikromeetri paksune, siis väljub kiirgus kristallist
ELEKTROONIKA 1. osa 1. Mida nimetatakse elektroni väljumistööks? Väikseimat tööd, mida tehakse ühele elektronile täiendava energia andmisel ainest väljumiseks, nimetatakse väljumistööks. 2. Miks kasutatakse elektronivoo tüürimiseks negatiivset pinget? lk 9, lk 16 Elektronseadises on elektron mida nim kadoodiks ja mis emiteerib elektrone ehk saadab elektrone elektroodidevahelisse ruumi. Seejuures peab katood saama elektronide väljumistöö tegemiseks ühel või teisel kujul energiat. (lk 9) Kui anoodi ja katoodi vahele rakendada potentsiaalide vahe, mille ,,pluss" on anoodil ja ,,miinus" katoodil, tõmbab anood kuumutatud katoodist elektroodidevahelisse ruumi väljunud elektronid endale ja välises anoodi ja katoodi ühendavas vooluringis tekib vool, mida nim anoodvooluks. (lk 16)
6. Reguleeritavad alaldid .......................................................................................... 35 7. Reguleeritava alaldi töötamine vastu elektomotoorjõu ....................................
4V 45. Mitu iooni on dipoolis? 2 46. Kuidas nimetatakse kristalli piirkonda p-tüüpi ja n-tüüpi osade vahel? pn-siire 47. Millist nähtust nimetatakse laviiniefektiks? Reversivne ülepinge 48. Kuidas nimetatakse pinget, mille juures tekib laviiniefekt? Läbilöögipinge 49. Millist nähtust nimetatakse Zeneri efektiks? Reversivne ülepinge 50. Kuidas nimetatakse pinget, mille juures tekib Zeneri efekt? Zeneri pingeks 5.2.1. Küsimused dioodidest ja türistoridest 1. Mis liiki seadis on diood? Mitte linearne 2. Kuidas on mittejuhtiv diood eelpingestatud? Vastu pingestatud 3. Mis liiki takistus on dioodil? Põhitakistus 4. Kas on see hea, kui dioodi pingelang on väike? Jah 5. Kuidas on diood eelpingestatud, kui dioodi vool on suur? Otse pigestatud 6. Millist pinget nimetatakse dioodi põlvepingeks? 7. Milline on dioodi lekkevool võrreldes pärivooluga? Lekkevool väiksem pärivooluga 8. Milline näeb välja dioodi karakteristik ülalpool põlve? Peaaegu vertikalne 9
Kordamisküsimused 1. Mis on Ohmi seadus? U=R*I 2. Mis on pingejagur? Etteantud parameetritega pingejaguri arvutamine. Pingejagur – alalis- või vahelduvpinget osadeks jagav elektriseade. 3. Elektriahela võimsus. U2 2 P=U∗I = =I ∗R R 4. Edissoni efekti olemus? 5. Elektronlambid (diood, triood, tetrood …) ja nende tööpõhimõte? diood ‒ kahe elektroodiga (katood, anood); triood ‒ kolme elektroodiga (katood, võre, anood); pentood ‒ viie elektroodiga (katood, tüürvõre, varivõre, sulgvõre, anood). Tetrood – nelja kanaliga Dioodi tööpõhimõte Töötamisel lastakse vool läbi nikroomist hõõgniidi, mis kuumutab katoodi 800...1000 °C kraadini. Kuum katood eraldab elektrone vaakumisse, protsess, mida nimetatakse termoemissiooniks. Katood on kaetud
Võimenduselemendiks saab olla element, mille väljundvool sõltud lineaarselt sisendpingest või sisendvoolust. Sellisteks elementideks on eelkõige transistorid. Sellest lähtudes on: transistorvõimendid, integraalvõimendid, elektronlampvõimendid, magnetvõimendid jne. Töörezhiimist ja konstruktsioonist sõltuvalt jagatakse võimendeid eel- ja K lõppvõimenditeks. Eelvõimendite väljund on ühendatud järgneva astme sisendiga, lõppvõimendite väljund on aga ühendatud koormustakistusega. K 0,7K 0 0,7K0 0 20kHz f 20Hz
................................................................. 44 2. Energeetilised süsteemid...........................................................................................55 2.1. Üldpõhimõtted ................................................................................................................. 55 2.2. Trafod ja drosselid........................................................................................................... 60 2.3. Dioodid ja türistorid.......................................................................................................... 65 2.4. Transistorid...................................................................................................................... 68 2.5. Ohukaitse ........................................................................................................................ 75 2.6. Elektriline pidurdus ...............................................................
tekitatud laengukandjad. Enamus- ja vähemuslaengukandjad. Laengu kompenstatsioon ja kristalli elektriline neutraalsus. Vabade elektronide ja aukude tege puhtas (legeerimata) pooljuhis. Räni ja germaaniumi iga aatomi väliskihis on neli valentselektroni, millest igaüks tiirleb ühtlasi ümber naaberaatomi. Neis ainetes paiknevad aatomid või molekulid üksteise suhtes korrapäraselt, moodustades kristallvõre, mida on siis näha hetkel kahel joonisel. Ühel on ära näidatud, kui tekib vaba elektron, mis tavaliselt tekib siis, kui me lisame aatomi struktuuri mingit teist ainet. Antud juhul siis ränile fosforit. Auk on aga puuduv side aatomite vahel. Elektron-aukpaaride kontsentratsiooni sõltuvus temperatuurist. absoluutsest nullist kõrgemal temperatuuril lahkub osa aatomist, muutudes vabadeks elektronideks. Lahkunud elektroni kohta kovalentsidemes nimetatakse auguks. Seega põhjustab elektronide üleminek ühest sidemest teise aukude vastassuunaline liikumine. Puhtas
5. Skitseerige 4 V amplituudiga ja 1 kHz sagedusega siinuselise signaali käik jadamisi ühendatud takistit ja dioodi sisaldavas ahelas, kui sisendpinge rakendatakse takistile ja dioodile ning väljundpinge võetakse takistilt (dioodi lävepinge 0,6 V)! Tehke seda nii ideaalse dioodi kui ka lihtsustatud dioodi jaoks. Milline on antud juhul ruutkeskmine pinge ideaalse dioodi korral? Joonistage skeem sildlülituses dioodidega alaldi jaoks ja näidake signaali käik sellise juhul koos ruutkeskmise pingega (ainult ideaalsete dioodide jaoks)? (ideaalse dioodi korral on positiivse poolperioodi ajal väljundpinge väärtus samasugune nagu sisendsignaali korral ning negatiivse poolperioodi ajal on väljundpinge väärtus 0 V. lihtsustatud dioodi korral on positiivse poolperioodi ajal väljundpinge väärtus 0,6 V võrra väiksem ja kui pinge läheb väiksemaks, kui 0,6 V on väljundpinge 0 V
1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid 6.2 Võimendusastmed bipolaartransistori baasil 6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija 6.2.3 ÜB-lülituses transistor 6.2.4 Transistori tööpunkt ja koormussirge 6.3 Võimendusastmete vaheline sidestus 6.3.1 RC-sidestus e. takistus-mahtuvuslik sidestus 6.3.2 Trafosidestus 6.3.3 Otsesidestus 6.4 Võimendusastmed väljatransistoride baasil 6.4.1 Ühise lättega lülitus 6.4.2 Ühise neeluga lülitus 6.4.3 Välja- ja bipolaartransistoride ühislülitused 6.5 Tagasiside võimendites 6.5.1 Tagasiside liigid ja nende toime võimendi omadustele 6.5.2 Vastuside mõju võimendi parameetritele 6.5.3 Tagasisidelülituste praktilisi näiteid 6.5.4 Parasiitne tagasiside 6.6 Transistori töö lülitireziimis 6.6.1 Impulsside liigid ja parameetrid 6.6.2 Bipolaartransistori töö lülitireziimis 6.6
kuid 2000 10 miljonit transistori) 1 Mälude areng aitas tugevalt kaasa arvutite väikseks tegemise arengule. 1970ndatel leiutati pooljuhtmälud, mis olidki väikesed. Sealtmaalt hakkaski mikroprotsessorite aeg. Enne pooljuhtmälu kasutati mäluna ferriitmälusid. 1.2. Mis on elektronlamp Elektroonika algas elektronlambi leiutamisega, esimesed olid diood ja triood. Elektronlamp on klaaskolb, milles vaakum, plekist anood, ja traadist katood, kui katoodi kuumutada, elektronid lahkuvad katoodilt, kui anoodile anda positiivne laeng liiguvad elektronid sellele ja tekibki vool. Küttepinge oli 6,3V ja 50Hz. Otsese küttega katoodil temperatuur 1000°C, kuid kaudse küttega 650 800°C Diood juhib voolu ühes suunas. Sellega sai avastada raadiolaineid, pidada sidet.
soojuspeilingaatorites. Tensotakistid: Tensotakisti on pooljuhtseadis, mille takistus sõltub deformatsioonist. Tensotakisteid kasutatakse väikeste deformatsioonide mõõtmiseks ja rõhuandurites.. 33. Pooljuhtdioodid. Alaldusdiood: Pooljuhtdiood on ühe pn-siirdega ja kahe metallväljaviiguga pooljuhtseadis. Ühesuunalise elektrijuhtivuse tõttu kasutatakse dioode alaldites ja kõrgsagedusdetektorites. Dioodid valmistatakse põhiliselt ränist või germaaniumist. Ideaalse dioodi pärisuuna takistus on null ja vastusuuna takistus lõpmatult suur ehk päripingelang ja vastuvool on võrdsed nulliga. Diood juhib hästi ühes suunas (pärisuunas) ja halvasti teises suunas (vastusuunas). Selleks et diood juhiks, tuleb ta lülitada pärisuunda. Selleks ühendatakse patarei plussklemm dioodi p-kihi ehk anoodiga (joonis 8.10, a) ja miinusklemm n-kihiga ehk katoodiga. Polaarsuse muutmisel
Vaja Ku3->Rts/Ro2. 4. küllastus välditud(puudub peensiire) ja kiirus 3-4x suurem kui TTL(=10ns). Pooljuhtmaterjal (kõrge-oomiline) ja metall. 5. Ajal. esimene. 2xNOR(või 2xNAND, siis madalaktiivne sisendite suhtes) rist tagasisidega (00-ei muutu, 11-keelatud). Asünk, puudub CLK. Sünkroonne, siis 2xAND, kummasegi CLK ja R või S. Esifrondiga: nool sisse, tagafron nool välja CLK-s. Pilet 10. 1. Wien'i sild 2. TTL loogika ja 2NING-EI 3. Flash ADM 4. 1 f. "0" alaldi 5. emitterijärgija 1. faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku3->Rts/Ro2. Siinuse generaator. 10pdf 2. TTL: „0”-0..0,4V „1”-2,4-5V arvutustehnikas kasutusel, hea koormatavus; mitme emitteriga trans baasi ahelas asendab DTL-s dioode, kui kas või üks em maas, siis baasi vool maha 3NAND
laengukandjate rekombinatsiooni tõttu. Vooluläbimisel pn- siiret, osa elektrone muudavad 1. JOONIS123 Neljakihiline struktuur, energiat, vahetavad orbiite, vabaneb energiat ning vabanev energia kiiratakse valgusena. n: kolm siiret, (nagu 2 transsi pnp ja npn, infrapunane. Algul vaid peen valgus praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V. kus pnp kollektor =npn baas ja npn valmistatakse (gallium arseeniid fosfiid). Kasutatakse optronites (valgusallik+valguse vastuvõtja). kol=pnp baas), sisemine pos tagasiside, Dioodoptron kiireim 10-8s. Inertsivaba ja saab ise valida spektri. neg pinge puhul blokeerub. K-|p|n|p|n|-A. 2. Võimendus astme põhiparameetrid: Ku=Uvalj/Usis, Ki=Ivalj/Isis, KP=Pvalj/Psis=Ku*Ki. Vahend voolu sisse-välja lülitamiseks,
................................................................................... 195 2 1.Elektroonika ajaloost Elektroonika osad 3 4 Elektroonika ajaloost XIX sajandi lõpp XX sajandi algus Alaldid, Cu O, Se, ... Raadio leiutamine. Säde, koherer, Morse A.Popov - 1889.a; vastuvõtja - 1895.a G.Markoni - 1897.a - patent. 1904.a. - elektronlamp, - diood - J.Fleming - alaldi, - detektor. Voolu juhib ühes suunas. Dioodi ehitus: Kui anoodil on + potentsiaal, siis tekib elektronide liikumine katoodist - anoodile. 1907.a. - Li de Forest - elektronvaakumtriood. 5 6 Elektroonikas: potentsiaal on pinge mingi väljavalitud ühise elektroodi (juhtme) suhtes. Võre potentsiaal on negatiivne - selleks, et ei tekiks võrevoolu.
·Oluline ka mähisetraadi läbimõõt määrab max. voolutugevuse. ·Kasutusalad: trafod, mootorid, signaaliahelates, häirete sunteerimisel, jne ·Paralleel- ja järjestikühendus. Induktiivtakistus Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 16 Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 17 Induktiivpoolide rakendusi Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 18 Diood ja tema sõbrad · Juhib voolu vaid ühes suunas. On pooljuhtelement · Skeemisümbol, tähis tavaliselt D ka VD · Parameetrid: päripingelang (eriti oluline suurte võimsuste puhul), töösagedus, max. vastupinge, max. pärivool, lekkevool (vastuvool) · Ehituselt üsna erinevaid korpusi · LED on samuti diood · LEDi juhitakse vooluga aga on ka min. pinge mille puhul veel helendab: punane -1,6V; sinine - >2V, valge: ca 3V · Kiirgab kui ühendatud päripidi. · Max. pärivool, pinge.
Jadaühenduse puhul vähendatakse ühele türistorile langevat arvutuslikku vastupinget u. 10 % võrra. Rööpühendusel tuleb üksiku türistori arvutuslikku voolu väärtust vähendada 20 kuni 30 % võrra. 121 4.4. Pooljuhtalaldiga ajamid Alaldi abil muundatakse siinuseline vahelduvpinge pulseerivaks alalispingeks. Alaldid võivad olla tüüritavad või mittetüüritavad. Mittetüüritav alaldi koosneb dioodidest, tüüritav alaldi türistoridest või transistoridest. Kasutatakse ka osaliselt tüüritavaid alaldeid, milles osa ventiilidest on dioodid, osa türistorid. Pooljuhtmuundurite põhilülitused, sealhulgas alaldid ja vaheldid, on standardiseeritud ning neile on omistatud vastavad tähised, nt. poolperioodalaldi puhul M1. Tüüritavate alaldite väljundpinget juhitakse türistoride sisselülitamishetke ehk tüürnurga muutmisega. Vahelduvpingega toitmisel saab türistor avaneda positiivse anoodpinge
C6. Kõrgema taktsagedusega integraalskeemide LM2592HV ja LM2596 kasutamisel on vajalik sillata ka alaldatud võrgupinge silukondensaatorid C1, C3 keraamiliste kondensaatoritega [4]. Impulss-stabilisaatori komponendid sai joodetud valmis trükkplaadile, millel kasutatakse kahte integraalset pinget alandavat (Buck) impulss-stabilisaatorit LM2575. Joonis 4. Impulsstoiteploki elektriskeem. Alaldi, dioodid D1, D4 ja elektrolüütkondensaator C1, väljundpinge URO avaldub valemist: , kus Use on transformaatori sekundaarmähise pinge efektiivväärtus ja UF on alaldusdioodi päripingelang. Alaldi väljundpinge on ühtlasi ka impulss-stabilisaatori mikroskeemi U1 sisendpinge UIN. Asetades lähteandmed valemisse saame: Seega on eeldatav sisendpinge maksimaalväärtus u 20,5 V. Silukondensaatori C1
Operatsioon võimendid: Operatsioon võimendid on integraalselt teostatud universaalsed võimendi väljundtakistus ongi reaalselt mõne ringis, seega 100 korda väiksem kui Op võimendi võimenduselemendid, mida võib kasutada väga mitmeti, sõltuvalt lisatud elementidest. Operatsioon takistus. Väljundtakistuse vähenemine on seda tugevam, mida tugevam on kasutatav tagasiside. võimendil on kaks väljundit, üks väljund ja teda toidetakse kahe polaarse sümeetrilise pingega (+, - maa Inventeerivvõimendi: suhtes). Plussiga tähistatud sisendit loetakse mitte inventeerivaks sisendiks ja sinna antav signaal tekkitab väljundis samafaasilise signaali. tähistatud sisendit loetakse inventeerivaks sisendiks ja sinna antud signaal tekitab väljundis vastasfaasilise signaali. Op võimendi on alalispinge võimendi, seetähendab tema võimendus sageduse alumine piir on 0
omajuhtivusest ehk n-tüüpi juhtivusest. Mida kõrgemale tõsta pooljuhi temperatuuri, seda suurem on lõhutud kovalentsete sidemete arv ja seda suurem on vabade laengukandjate arv. See aga tähendab, et keemiliselt puhaste pooljuhtide eritakistus väheneb temperatuuri tõusmisel. Ses suhtes on pooljuhid metallidest erinevad, sest metallide eritakistus suureneb temperatuuri tõusmisel. Kui puhtas, kristallilise ehitusega pooljuhis, saab elektron energia mis on vajalik kovalentse sideme purustamiseks, siis elektron "lahkub" oma kohalt, mille tulemusel rikutakse kristalli elektroneutraalsus selles kohas. Kohas, kust elektron lahkus, tekib positiivse laengu ülejääk, moodustub positiivne auk. See positiivne auk käitub nagu laeng, mis on absoluutväärtuselt võrdne elektroni laenguga. Elektroni lahkumisest tekkinud auku võib liikuda naaberelektron, see on aga samaväärne sellega, et nihkus positiivne auk.Välise elektrivälja
Metall-Oksiid-Pooljuht transistor. n ja p-kanaliga. 9.Pooljuhtdiood. Harilikult ühe pn-siirde või metall-pooljuhtkontaktiga ja kahe väljaviiguga pooljuhtseadis elektriliste suuruste muundamiseks. On töökindlad, kiiretoimelised, väikesed ja kerged ning tarbivad vähe võimsust. Kasut. Vahelduvvoolu alandamiseks, sageduse muundamiseks jne. 10.Dioodloogika. Võimendust teha ei saa, suuri pingeid sisse lasta pole ka mõtet. Dioodloogika realiseerib fakti, et elektrooniline seadeldis nimega diood juhib voolu ühes suunas ja sellele ühele suunale vastupidises suunas ta voolu ei juhi. Selles suhtes käitub diood nagu elektrooniline lüliti. Dioodloogika kasutab dioode, et teostada loogilisi AND ja OR funktsioone. Dioodloogikalülitused on väga lihtsad ja nad pole üldse kallid ning spetsiifilistes siutatsioonides saab neid väga efektiivselt kasutada. Sellegipoolest ei saa neid eriti laialt kasutada, kuna nad kipuvad digitaalset signaali kiiresti ära rikkuma
vool 8. Silufiltri põhiline ülesanne on-vähendada alaldist saadava pinge pulsatsiooni ehk lainelisust tarbija iseloomuga määratud tasemeni. 9. Trafo ülesanne toiteseadmes on-muuta vahelduvvooluvõrgust saadavat pinget sel määral,et väljundis saada nõutava suurusega alalispinget 10. Transistori 3 tööreziimi on-avatud,suletud ja küllastusreziim 11.Mitu siiret on transistoril-2 12.Suurima võimsusvõimenduse annab-ühise emitteriga lülitus 13.NPN tüüpi transistori kollektor ühendatakse toiteallika-vastu pinges 14. PNP tüüpi transistori baas on emitteri suhtes pingestatud-Vastupidise polaarsusega pingeallika suhtes kui NPN tüüpi transistoril. 15.väljatransistori elektrood, mille kaudu laengukandjad sisenevad on-Läte 16.Isoleeritud paisuga väljatransistori eripäraks on-Paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht 17. väljatransistori põhiline erinevus bipolaarsest transistorist on-see et see on pingega tüüritav element 18
Tallinna Tehnikaülikool Elektriajamite ja Jõuelektroonika instituut Üliõpilane: Rait Rääk Teostatud: 14.03.2005 Õpperühm: AAAB41 Kaitstud: Töö nr. 3 OT Bipolaartransistor ühisemitteriga lülituses Töö eesmärk: Töövahendid: Ühisemitteriga lülituses transistori Transistor, toiteallikas, potentsiomeetrid, tunnusjoonte määramine ja ampermeetrid, voltmeetrid. nende kasutamise oskuste arendamine. Skeem Teooria Transistor on kolme väljastusega täielikult tüüritav pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar ehk väljatransistorideks (jutivuses osalevad elektronid või augud). Järgnevalt vaatleme bipolaartransistori (edaspidi transistor) ehitust ja tööpõhimõtet. Transistoridest on enamlevinud räni- võ
Elektroni vabastamiseks peab tema kineetiline energia olema suurem teda iooniga siduvate (elektri)jõudude potentsiaalsest energiast. Elektroonikas kasutatakse sellepärast, et on äärmiselt tundlikud välismõjude suhtes. Vabad laengukandjad tekivad näiteks temperatuuri tõusmisel või pooljuhist erineva valentsusega lisandite kasutamisel. Viimasel juhul jaotatakse pooljuhid: n - pooljuht (elektronjuhtivusega pooljuht). Kristallvõresse viidud nn. doonorlisandi fosfori aatomil on üks elektron rohkem, see ülearune elektron jääbki kristallis vabalt liikuma. p - pooljuht (aukjuhtivusega pooljuht) Lisandi - boori aatomil on üks elektron vähem kui ränil - alumises täidetud tsoonis tekib vaba koht (nn. "auk"), kuhu võib sattuda elektron naaberaatomi juurest. DIOOD, pn -siire: Laengute tõttu tekib p- ja n-kihi vahele potentsiaal, mille suurus sõltub ainest (germaaniumi korral ligikaudu 0,3 volti; räni puhul pisut üle 0,6 voldi).
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
