13.NPN tüüpi transistori kollektor ühendatakse toiteallika-vastu pinges 14. PNP tüüpi transistori baas on emitteri suhtes pingestatud-Vastupidise polaarsusega pingeallika suhtes kui NPN tüüpi transistoril. 15.väljatransistori elektrood, mille kaudu laengukandjad sisenevad on-Läte 16.Isoleeritud paisuga väljatransistori eripäraks on-Paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht 17. väljatransistori põhiline erinevus bipolaarsest transistorist on-see et see on pingega tüüritav element 18.Türistoride tööreziimiks on-sulg-ja küllastusreziim. 19.Mis on türistor-neljakihiline diood 20. Mis on DIAC-sümmeetriline dioodtüristor 21. Türistore ei kasutata-Kasutatakse lülititena (reguleeritavad alaldid, pingeregulaatorid ja invertorid) 22. Võimendi on seade ,mis on mõeldud-signaali amplituudi suurendamiseks,väikeste signaalikuju moonutustega 23. Helivõimendi sageduspiirkond on-20Hz-20KHz 24
LIHTLOOGIKA Tuli teha MOS-transistortest lihtloogika element. Valiti esimene, NAND2 (joonis 4.). Layout'i tegemine oleks pidanud käima lihtsamalt, kuid nüüd tuli pMOS teha sama laia kanaliga, kui nMOS (Joonis 5.). Analoogskeemi koostamine Joonestati operatsioonivõimendi skeemist (joonis 8.), layout (joonis 9.), mille simulatsioonist (joonis 10.) otsiti võimendust (tabel 1.) ja saadud tulemustest joonistati graafik (graafik 1.). Võimendi koosnes üheksast transistorist, millest neli olid pMOS ja viis nMOS. Mängides sagedusega, selgus, mida suurem sagedus seda väiksem võimendus. Et saada suhteliselt muutumatut voolu kasutati voolupeeglit, milleks kasutati kahte transistori. Joonised 1.Loogikalülituste koostamine Joonis 1. CMOS-invertori elektriskeem Joonis 2. CMOS-invertori simulatsioon Joonis 3. CMOS-invertori generatsoon 2.LIHTLOOGIKA
DRAM mälude puhul salvestatakse üks bit kasutades transistori ja kondensaatori paari. Kondensaator hoiab kas madalat või kõrget pinget, mis vastavad siis kas olekule 0 või 1. Transistor käitub lülitina, mis lubab kondensaatori olekut muuta. Kuna tegemist on odavama variandiga, kasutatakse seda laialdaselt arvutites. Tänapäeval on kasutusel põhiliselt väljatransistorid, mis säilitavad infot paisusiirdes, See tähendab, et ühe biti salvestamiseks piisab ühest transistorist, kuid et laeng säiliks, tuleb mälu pidevalt värskendada. See teeb antud mälutüübi jällegi aeglaseks. Mälusein – Mis ta võib olla? Miks ta on probleemiks? Arvutites on RAM-i vahetamine ja lisamine tehtud võimalikult kergeks kasutades mälumooduleid ning standardiseeritud liideseid. Tänapäeval on kasutuses DIMM mälud (Dual In-line memory module), mis koosnevad mitmetest DRAM mikrokiipidest trükkplaadi peal. Mõeldud personaal arvutites, serverites ja mujal kasutamiseks
Samm-mootor on numbriliselt juhitav, mistõttu sobib see ideaalselt kokku diskreetsete juhtimis- süsteemidega, näiteks mikroprotsessoriga. Igale impulsile vastab teatud pöördenurk , n impulsile aga pöördenurk = n·. ULN2003 on kõrgpingeline ja kõrge vooluga darlingtontransistor, mis koosneb seitsmest emitteriga dar- lingtoni paarist. Transistori nimivoolu tugevus on 500 mA, kuid see suudab taluda kaa 600 mA voolu. Darlingtontransistor koosneb kahest bipolaarsest transistorist, mis on ühendatud sedasi, et esimesest tran- sistorist tulev vool võimendatakse veelgi enam teise transistori poolt. Kasutatavad komponendid · Samm-mootor M35SP5 Mitsumi · ULN2003APG · Nupp 1 Samm-mootor (stepper) ja ULN2003APG Selle ülesande tarvis ühendame sammmootori ELVISega ning juhime seda Digital Writer'i abil. Vajutades järjest nuppe sisse ja peale seda välja, paremalt vasakule (16 17 18 19 16 ..
14. Pooljuhtide ja pn-siirde rakendused: a)termistor ehk termotakisti pooljuht seade, mille takistus sültub tempist. Kasut tempi mõõtmisel. b)fototakisti pooljuhtseade, mille takistus sõltub valgustatusest (fotoefekt).Kasut välisvalgustuse töölepanemisel. c)pooljuhtdiood see on hermeetiliselt suletud pn-siire. Tingmärk: d)transistor koosneb pnp või npn tüüpi pooljuhtidest. Kasut signaalide võimendamisel. e)kiip koosneb mitmest dioodist, transistorist, takistist,kondensaatorist. 15. Energiatsoonide tekkimine: metallides, dielektrikutes ja pooljuhtides on energiatsoonid. Neid nim valentstsoonideks, juhtivustsoonideks ja keelutsoonideks, Tsoonid tekivad aatomite lähenemisel, mille tulemusel tekivad tahkised. a)metall valentstsoonis ja juhtivustsoonis on palju vaba ruumi, head elektrijuhid. b)pooljuhid keelutsoon kitsas, juhtivustsoon tühi, valentstsoon täidetud,mõningad elektronid suudavad
siis on igavene, sest enne ütleb üles luminofoorvalgustus. 3. U->I muundur Sisendsignaali pinge muutus muundatakse väljundsignaali voolu muutuseks. 4. TTL loogika Transistor-transistor loogika. Koostatud bipolaartransistoride baasil ja ei karda selle tõttu staatilist elektrit. Standartne TTL 2NING-EI element (10mW, 10ns). Mitme emitteriline transistor asendab dioodid DTL skeemis. Töötab nagu voolu I b lüliti. Kui kasvõi üks sisenditest on maandatud, siis vool Ib voolab transistorist mööda. Kui kõik sisendid on maandamata, siis vool Ib läheb transistorisse. Võimendi transistorid võivad küllastuda, ja selle tõttu hakata aeglaselt ümber lülituma. Standartne TTL on suhteliselt aeglane – ümberlülitamise aeg 10ns. 5. Asünkroonne summeeriv loendur Loendur on impulsside loendamiseks ettenähtud loogikalülitus. Loendur on register, millesse salvestatud arv sisendile antud signaali mõjul muutub ühe võrra. Summeeriv loedur loendab päripidi ehk suurenemise suunas.
valdavalt masinakeeles. Sel ajal olid arvutid aukartustäratavate garbiitide ja kaaluga. Nende töökindlus jättis veel palju soovida. Arvutite teenindamisel vajati suurearvulist põhjaliku eriväljaõppega personali. Teise põlvkonna arvutid ilmusid ajavahemikus 1954-1965. 1947. aastal leiutasid William Shockley, John Bardeen ja William Brattain transistori. Kuna esimese põlvkonna arvutites kasutatav elektronlamp vajas sama palju ruumi kui umbes 200 transistori, olles samas transistorist kuni 40 korda aeglasem, oluliselt kallim ja eraldades talitlusel palju soojust, siis on mõistetav, miks transistoride ilmumisel tõrjuti elektronlambid arvuteist õige kiiresti välja. Arvutite jõuldlus jäi aga vahemikku 6000 kuni 3 000 000 operatsiooni sekundis. Arvutite programmeerimisel kasutati spetsiaalseid programmeerimiskeeli, kus arvkood asendati sõnaliste käskudega (sümbolprogrammeerimisega).
Praktikum Alalisvoolu mootor aruanne Kuupäev: 6.12.12 Meeskonnaliikmed: 1. Ove Hillep 2. Joosep Andrespuk 3. Ragnar Jaanov Aruande täitis ja esitas: Ove Hillep Labori eeltöö ULN2003 on kõrgpingeline ja kõrge vooluga darlingtontransistor, mis koosneb seitsmest emitteriga darling- toni paarist. Transistori nimivoolu tugevus on 500 mA, kuid see suudab taluda kaa 600 mA voolu. Darlingtontransistor koosneb kahest bipolaarsest transistorist, mis on ühendatud sedasi, et esimesest tran- sistorist tulev vool võimendatakse veelgi enam teise transistori poolt. Püsimagnetiga alalisvoolumootorid on laialt levinud erinevates rakendustes, kus olulised on väikesed mõõt- med, suur võimsus ja madal hind. Nende suhteliselt suure pöörlemiskiiruse tõttu kasutatakse neid tihti koos ülekandega (reduktoriga) madalama kiiruse ja suurema pöördemomendi saavutamiseks.
Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist. NPN transistoril pingete ja voolude polaarsused täpselt vastupidised.) Nagu jooniselt näha, pingestatakse emittersiire alati päripidi, mistõttu hakkavad enamuslaengukandjad (siin augud) liikuma emitterist baasi. Kuna baasis osutuvad nad vähemuslaengukandjateks, siis on nende konsentratsioon emittersiirde läheduses palju suurem, kui kollektorsiirde lähenduses, seega difusiooni tõttu hakkavad nad üle baasi laiali liikuma
Oktoober Be Inc. Lasi välja BeBox-i, millel oli kaks PowerPC 603 protsessorit ning 3 jooksis 66MHz-i juures ja oli uus operatsiooni süsteem BeOS. November Lasti välja Pentium Pro. Tutvustamisel see saavutas taktisageduseks kuni 1 200MHz. See oli esimene ümberehitatud mudel ümber Intel P6 arhitektuuri, hiljem kasutati Pentium II, Pentium III, Pentium M, Core and Core 2 protsessorites. See saavutas 440 MIPS-i ja koosnes 5.5 miljonist transistorist. November 3dfx lasi välja Voodoo graafikakaardi, esimese 3D kiirendaja tarbijale. 6 Suuteline esitama tseene reaalajas kõrgel resolutsioonil. Detsember Netscape alustas JavaScripti arendamisega. 1996 Aeg Sündmus ? Ilmus arvutimäng Quake, esitledes tarkvara ja riistvara suurt arengut peale arvutimängu Doom loomist. Jaanuar Ilmus Netscape Navigator 2.0, mis oli esimene brauser toetamaks JavaScripti.
Tegemist on NOT väratiga. 26. Mitu ja milliseid transistore läheb vaja, et moodustada kahe argumendiga NAND/NOR/AND/OR. Millised transistorid on ühendatud järjestikku ja millised paralleelselt? NAND - 4 transistorit (PMOSid paralleelselt, NMOSid järjestikku) NOR – 4 transistorit (NMOSid paralleelselt, PMOSid järjestikku) AND – 6 transistorit OR – 6 transistorit 27. Kirjelda lühidalt transmissioonvärava tööpõhimõtet. Millistest ja kui mitmest transistorist ta koosneb? Töötab kui lüliti, mis on ühendatud sisendi x ja väljundi f vahele. Tavaliselt kasutatakse XOR või multiplekserites. Transmission gate. PMOS (ülemine) – ON kui pais 0, NMOS – ON kui pais 1 – seega kas mõlemad transistorid on korraga ON või mõlemad on korraga OFF. 28. Loogikaskeemid võib jaotada kaheks grupiks. Nimeta need grupid ja too välja millistel puudub aja parameeter. Arvutites kasutatavad loogikaskeemid jagunevad kas kombinatoorsed
Pinget võib tõsta ainult teatud väärtuseni, et ei tekiks läbilööki paisu ja n-kanali vahel. a) Formeeritava kanaliga MOP-struktuur b) Indutseeritava kanaliga MOP-struktuur Joonis 3.24. Formeeritava (a) ja indutseeritava kanaliga (b) MOP-struktuurid [Pikkov]. Indutseeritava kanaliga transistori paisu juures on siin kujutatud eelpingestusele viitav sümbol '+' , kuivõrd erinevalt formeeritava kanaliga transistorist ("isejuhtiv") on see transistoritüüp "isesulguv" ja tööks tuleb ta välise pingega avada. Enamasti kasutatakse n-kanaliga MOP-transistore. MOP-transistoridel võib olla väljaviik B (ingl. k. bulk) ehk kontakt aluskristalliga. Tavaliselt ühendatakse see toitepinge negatiivse pooluse külge. Juhul kui väljaviik B on korpustatud elemendist välja toodud, võib neelu ja lätet lugeda võrdseks (identseks). Tavaliselt ühendatakse aga kontakt B juba
Väljund on kõrgel nivool siis, kui vähemalt ühe sisendi nivoo on madalal ja vastavalt väljund on madalal nivool, kui kõik sisendid on kõrgel nivool. Valmistatakse kuni kaheksa sisendiga loogikaelemente. VÕI-EI – realiseerib disjunktsiooni eitust. Väljund on madalal nivool siis, kui vähemalt ühe sisendi nivoo on kõrge ja vastavalt on ta väljund kõrge nivool, kui kõik sisendid on madalal nivool. Kahe sisendiga skeem koosneb neljast transistorist. 10. Asünkroonsed trigerid (olekutabelid, skeemi tingmärgid). Triger- elementaarne mäluelement 1 biti hoidmiseks. On kahe püsitasakaaluseisundiga lülitus. Sisaldab kaht transistorit või muud aktiivelmenti, mis on vastastikku seotud tagasisidega. Olekut muudavad sisenditesse saabuvad välissignaalid. Tasutatakse mäluelementidena registrites, loendurtes jms. Kaks väljundit otseväljund Q ja inversiooniväljund Q (kriipsuga). Q=0 ja Q(kriips)=1 tähendab, et triger on olekus null
Kordamisküsimused 1. Siinuskõveraid iseloomustavad suurused 2. Siinusvoolu hetkväärtus, efektiivväärtus ja amplituudväärtus. 3. Võimsustegur ja selle parendamine. Seda, kui suure osa moodustab aktiivvõimsus näivvõimsusest, näitab võimsustegur P cos = . S 4. Resonantsinähtus elektriahelates. Kui induktiiv- ja mahtuvustakistused on võrdsed. 5. Vahelduvvoolu võimsus. Vahelduvvoolu tugevuse efektiivväärtuseks nimetatakse sellise alalisvoolu tugevust, mille korral aktiivtakistusel eraldub vaadeldava vahelduvvooluga võrreldes ühesugune võimsus. Aktiivvõimsuseks nimetatakse vahelduvvooluahelas aktiivtakistusel eralduvat võimsust. 6. Magnetväli. Magnetvaljaga on tegemist pusimagneteid ja vooluga juhet umbritsevas keskkonnas. Magnetvalja kujutatakse magnetvalja joujoontega, mis on alati kinnised. Pusimagnetite ja ka elektromagnetite puhul on magnetvalja joujooned suunatud valjaspool magnetit pohjast lounasse ja sees vastup...
Pn ja kõlari nimitakistusest Rk peab olema stabiliseeritud alaldi korral E = 2 x (ruutjuur Pn x Rk) ja stabiliseerimata puhul Est = 2,5 x (ruutjuur Pn x Rk). Ühest allikast toidetava võimendi toitepinge peab olema eeltoodud valemitega arvutatust 2 korda kõrgem. Väljundaste mille kummaski õlas on vaid üks transistor võib anda koormusele arvutatud väljundvõimsuse. Suurema väljundvõimsuse saamiseks asendatakse üksiktransistorid kahest ja suuremalvõimsusel kolmest või neljast transistorist koosneva lülitusega. Kummaski õlas võivad olla ühesuguse juhtivustüübiga transistorid. Kui ei ole kasutada erineva juhtivustüübiga võimsustransistoride komplementaarseid paare nagu KT814 (pnp), KT815 (npn) ja KT816, KT817 ja KT818, KT819. Võib kasutada ka kvaasikomplementaarse väljundastme, selle ühes õlas on liittransistori komponendid ühesugust juhtivustüüpi teises erisugust juhtivustüüpi. Meenutame et liittransistoril on see sama juhtivustüüp mis on tema
Transistorid on leidnud laialdast kasutamist sagedusmuundurites kasutatavates vaheldites. Joonis 3.12. IGBT transistori tähistus skeemil ja tema tunnusjoon [8] 3.8.3. Türistor Türistor (thyristor) on juhitav pooljuhtlüliti, mis juhib voolu, kui tema Gate klemmile (G) rakendatakse elektriline impulss. Nagu transistori puhulgi, peab türistori avanemiseks olema anoodile rakendatud pinge kõrgem kui katoodile. Türistor erineb transistorist selle poolest, et türistor ei sulge, kui juhtsignaal ära kaob. Türistor sulgeb alles siis, kui elektriline pinge katoodil on kõrgem kui anoodil. Mõningaid türistore on võimalik välja lülitada ka negatiivse elektrilise impulssiga. Türistore kasutatakse eelkõige vahelduvvooluahelates pinge reguleerimiseks. 23 A G C Joonis 3.13
jaoks. Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech ErasableProgrammableReadOnlyMemory EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks. AND-OR-NOT f.-nide süsteemi jaoks
Sisend pos, hakkab laadima kondet neg Vahetame takisti Rts baasskeemis (inverteeriv võimendi) kondensaatori C vastu. Arvestame, et IC = IR . 4. JOONIS3(paremal) Element 3NING-EI (3NAND, 3_-:;) Juhul, kui kas või üks sisenditest X1 X3 on null, baasi vool Ib läheb transistorist mööda; _ transistor on kinni ja Y_H. 5. JOONIS4(vasakul) Register on mäluelement mitmebitiste kahendarvude ajutiseks hoidmiseks. Pikaks hoidmiseks on mälud. Register koosneb trigeritest. Iga biti jaoks on 1 triger.Kokku on 4 varianti: (1xtava, 3xnihke). PIPO(parall in parall
jaoks. Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech ErasableProgrammableReadOnlyMemory EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks. AND-OR-NOT f.-nide süsteemi jaoks
Programmeeritav loogika Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse muxga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metallamorfne ränimetall ühendused. EPROM tech Erasable Programmable Read Only Memory EPROM transistorid, millel npn ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UVkiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga > sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks. ANDORNOT f.
seadmete puhvermäludes) ja sellisel juhul töötab see mälu protsessoriga samal taktsagedusel. Kui me kasutaksime SRAM tüüpi muutmälu personaalarvuti muutmäluna, siis oleks see mälukivi väga kallis, suur ja üsna palju võimsusttarbiv. Lisalugemist: wikipedia.org DRAM (Dynamic Random Access Memory) Arvuti muutmälu tehakse enamasti DRAM tüüpi mälukiipidest. DRAM on ehituslikult oluliselt lihtsam kui SRAM (sisuliselt piisab ühe biti säilitamiseks ühest kondersaatorist ja ühest transistorist), seega on selle mälutüübi tootmine ka oluliselt odavam. Lihtne ehitus tingib aga selle, et need laengud (mille abil infot säilitatakse) ei säili mälu pikalt ning seepärast toimub pidevat mäluseisu värskendamine. Mälu värskendamine on üks põhjus, mis DRAM on oluliselt aeglasem SRAM'st. Lisalugemist: wikipedia.org, arvutiweb.ee Veakontroll Veakontroll on kasutusel peamiselt DRAM tüüpi mäludes. Veakontrolli mõte seisneb selles, et teatud arvu bittide
See on väga kiire muutmälu, mis realiseeritud trigerite bassil ja mille tootmine on kallis. Seda mälu kasutatakse vahemäluna (Cache memory) või protsessorite registrite mäluna. Joonis 1-7. Mälumoodul Dünaamiline mälu (DRAM - Dynamic Random Access Memory). Selle mälutehnoloogia puhul kasutatakse info salvestamiseks väljatransistori paisusiirde elektrimahtuvust. Ühe biti info salvestamiseks piisab ühest transistorist aga laengu säilitamiseks vajab mälu regulaarset värskendamist, mis muudab seda tüüpi mälu oluliselt aeglasemaks. See muutmälu tüüp on kasutusel tänapäevastes personaalarvutites põhimäluna operatsioonisüsteemi ja rakenduste jooksvaks töötamiseks vajaliku programmikoodi ja andmete salvestamiseks. DRAM mälu on korraldatud mälubittide maatriksina. Andmevahetustsükli alustamiseks aktiveerib
Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech – StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech – programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech – Erasable Programmable Read Only Memory – EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV- kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA – Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist – seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks. AND-OR-NOT – f
Pooljuhtmälusid iseloomustab kõrge tihedus, mida mõõdetakse eelkõige bits per chip. Jagunevad staatilisteks, dünaamilisteks ja read-only (ROM). 1. Staatiline pooljuht suvapöördusmälu (SRAM) – Toodetakse pannes mitmeid latche silikoon chipile. Väga lühike access time, samas 4 korda kallim kui dünaamiline RAM. Mahutavuselt ka 4 korda madalam kui dünaamiline RAM. Staatilise RAMi puhul salvestatakse andmed flip-flopidega, iga flip-flop koosneb 4st transistorist. SRAMi eelis on see, et andmed on püsivad kuniks on voolupinge. DRAM puhul peab mälu aga väga tihti refreshima. Aadressi dekodeerimise ja lugemise/kirjutamise elektroonika on chipi pinnal. SRAM on ühenduses aadressi siiniga (address bus) ja andmete siiniga (data bus), need mõlemad siinid on CPU siinid. SRAMil on 3 selektorit, millega CPU (või North Bridge või mõni muu loogiline unit) kontrollib mälu tööd: 1
andmebaasid, veebiserverid jne), selles keeles on lihtne teha vigu ja neid üles leida on raske, masinalähedane ja kiire keel AMD – 1969. a tekkis AMD ehk Advanced Micro Devices paralleelselt Inteliga, samadest inimestest, kes olid koos ära tulnud Shockley Semiconductorist ja asutanud Fairchild Semiconductorsi, ühed lõid Inteli ja teised lõid AMD ESIMENE MIKROPROTSESSOR – 1970. a tegi Intel esimese mikroprotsessori 4004, mikroprotsessor ise koosnes ainult ~2000-st transistorist ja töötas väga aeglaselt-108 kHz, seda mikroprotsessorit kommertsiaalselt väga ei toodetud, aga Intel hakkas selle põhjal arendama uuemaid ja paremaid mikroprotsessoreid, mida loodetavasti saaks ka müüa SQL – IBM-is prooviti leiutada uut andmebaasikeelt ja tekkis System R, mis aja jooksul kujunes sujuvalt SQL-iks, SQL on ühtlasi ka tänapäeval peamine andmebaasikeel ja on olnud seda päris pikalt. Esimese SQL andmebaasi töötas välja Honeywell(1976
Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech Erasable Programmable Read Only Memory EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks. AND-OR-NOT f.-nide süsteemi jaoks
Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech Erasable Programmable Read Only Memory EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks. AND-OR-NOT f.-nide süsteemi jaoks
võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis ilmneb põhiliselt kuna baas on väga kitsas. Bipolaarsete transistoride pingestamisel pingestatakse mõlemad siirded eraldi. (Edaspidi räägime pnp transistorist. NPN transistoril pingete ja voolude polaarsused täpselt vastupidised.) Nagu jooniselt näha, pingestatakse emittersiire alati päripidi, mistõttu hakkavad enamuslaengukandjad (siin augud) liikuma emitterist baasi. Kuna baasis osutuvad nad vähemuslaengukandjateks, siis on nende konsentratsioon emittersiirde läheduses palju suurem, kui kollektorsiirde lähenduses, seega difusiooni tõttu hakkavad nad üle baasi laiali liikuma
(vajalik näiteks alalispinge v. voolu võimendi konstrueerimisel), ent kahepoolset toiteallikat kasutamata. Et sisendsignaali puudumisel oleks pinge koormustakistil null, selleks on koormus RH ühendatud sildlülituse diagonaali. Sildlülitus Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 23 koosneb kahest pingejagurist. Esimene neist moodustub takistist RK3, transistorist T3 ja viimase emittertakistist. Teine pingejagur moodustub takistitest R3 ja R4. Kahepolaarse toite korral kaob vajadus teise pingejaguri järele. Teise olulise otsesidestuses võimendi puudusena peab iga järgmise astme tööpinge olema eelmise omast kõrgem, sest iga järgmise astme baasipinge võrdub eelmise astme kollektorpingega, mistõttu võimendi sisendi poolt väljundi suunas liikudes kasvab aste astmelt kollektorpinge ja väheneb astme väljatüürimisulatus
ELEKTROON1KAKOMPONENDID lk.54 7. VÄLJATRANSISTORID FieldEffect Transistor (FET) 7.1. Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar- transistorist pingega tüüritav element. Seda nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kuna tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate).
transistorid jne. Transistoride omadustel ja tehnoloogial on küll olemas seos, kui tarbimise seisukohalt on see vähese tähtsus 61 5. VÄLJATRANSISTORID Field Effect Transistor (FET) 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar-transistorist pingega tüüritav element. Neid nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kuna tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks {gate).
vähese tähtsus 43 5. VÄLJATRANSISTORID Field Effect Transistor (FET) 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaar-transistorist pingega tüüritav element. Neid nimetatakse ka unipolaartransistoriks, kuna tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks {gate).
CMOS efektiivsus sagedustel 300 500 MHz praktiliselt kaob ära. 144 6.3. Loogikaelementide süsteemid. Süsteemi nimetus sõltub sellest, milliste elementide abil teostatakse loogikaoperatsioon. On olemas süsteemid: DTL, TTLS, nMOP, pMOP, KMOP, ESL, I2L. Üldjuhul: Diood-transistor-loogika (DTL) Element 3NING-EI (3NAND, 3-) Juhul, kui kas või üks sisenditest X1 X3 on null, baasi vool Ib läheb transistorist mööda; transistor on kinni ja YH. 2VÕI-EI (2NOR, 2-) Juba ühest signaalist on piisav, et avada transistor. 145 Transistor-transistor-loogika (TTL) Arvutustehnika perifeerias kasutusel hea koormatavus (talub suuri koormusvoolusid). Standartne TTL 2NING-EI element
regenereerida. Regenereerimise ajal ei ole tavaline lugemine ega kirjutamine võimalik, samuti ei saa regenereerimist alustada lugemise või kirjutamise tsükli ajal. Regenereerimishetke kindlaksmääramine, kõigi rea-aadresside etteandmine, lugemise ja kirjutamise blokeerimine jms. teevad dünaamiliste pooljuhtmälude kasutamise võrreldes staatilise mäluga keeruliseks, sest nad nõuavad erielemente. Koosneb massiivist elementidest, mis omakorda koosnevad transistorist ja kondensaatorist. Kõrge tihedusega (palju bitte ühe kiibi kohta), seetõttu on ka põhimälu enamasti ehitatud dünaamilistest RAM-idest, kahjuks on sel ka oma hind, mis väljendub nende aegluses. · Püsimälu (ROM - Read Only Memory) ROM on mõeldud paljukordseks informatsiooni lugemiseks; info on püsimällu salvestatud eelneva spetsiaalse tehnoloogilise protsessi käigus. PROM on programmeeritav püsimälu. Tema püsimälu sisu saab programmeerida kas tehases
vabavooludioodi VD. Sildlülituses ja eraldustrafoga pulsilaiusmuundurid. Need muundurid kasutavad keskväljavõttega trafo magnetahelat kahes kvadrandis. Joonisel 1.29, a on ilma alaliskomponendita vahelduvpinge rakendatud trafo primaarmähisele. Selle pinge kuju on sarnane plokkpingele (sümmeetrilised positiivsed ja negatiivsed pingeplokid), kuid koormusel on alati alalispinge. Joonisel 1.29, b, näidatud keskväljavõttega muundur koosneb ainult kahest transistorist, kuid vajalikud on kaks kondensaatorit (üks kondensaator kummalgi pool keskväljavõtet). Sellist lülitust kasutatakse mõnikord veidi väiksematel võimsustel kui täissildlülitust. Kahetaktiline alalispinge muunduspõhimõte võimaldab ehitada kõrgema kasuteguriga lülitusi. Kahefaasiline kahetaktiline muundur on näidatud joonisel 1.29, c. Lülitus koosneb keskväljavõttega trafost ja keskväljavõttega alaldist. Esimese perioodi vältel on üks lüliti suletud ja teine avatud
annaabi.ee 
