Tõusu lõppedes, st mõõna ajal, väravad suletakse ja basseini kogunenud vesi lastakse läbi turbiinide tagasi merre voolata. Kuid on tehnilisi lahendusi elektri tootmiseks ka tõusu ajal, need lasevad basseini täitval veel voolata sinna läbi turbiinide. Samuti on välja töötatud kahebasseinilised süsteemid, mille puhul tõusu ajal täidetakse üht ja mõõna ajal tühjendatakse teist ning turbiinid on kahe basseini vahel ja töötavad kogu aeg. Paisuga elektrijaama energiavarud on proportsionaalsed veehoidla pindala ja selle veetasemete vahe kõrguse ruuduga. Kuigi paisuga loodetehüdroelektrijaama rajamine nõuab suuri kapitalimahutusi ja on kallis, on hilisemad opereerimiskulud väikesed. Näiteks Rance’is toodetud elektrienergia kilovatt-tund maksab tarbijale kõigest 1,8 eurosenti. 1960ndatel käis N.Liidul prantslastega loodeteenergiat kasutava elektrijaama rajamise pärast
P-kanaliga Trioodtüristor väljatransistor Tingmärk Nimetus Tingmärk Nimetus Formeeritud N-kana-liga Suletav türistor väljatransistor Pöördtõkestusega Indutseeritud P-kana- N-paisuga trioodtüristor liga väljatransistor (anoodi poolt juhitav) 13 Pöördtõkestusega Kahe isoleeritud P-paisuga trioodtüristor paisuga N-kanaliga (katoodi poolt juhitav) väljatransistor Sümmeetriline triood- türistor, sümistor, triiak Halli element Lineaarne Fototakisti, fotoresistor magnetresistor
põhimõttelist vahet Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 3. Loetlege transistori kolm tööreziimi 4. Loetlege bipolaartransistori kolm lülitust ning kirjeldage lühidalt nende lülituste põhiomadusi Ühise baasiga-, emitteri- ja kollektoriga. 5. Nimetage unipolaartransistoride (väljatransistoride) kuus eri liiki Ühise emitteriga-, lättega-, baasiga-, paisuga-, kollektoriga ja neeluga.. 6. Milleks on vajalik bipolaartransistori tööpunkti fikseerimine? Joonistage tööpunkti fikseerimise kaks võimalikku skeemi (baasivoolu määramisega ja baasi-emitteripinge määramisega) Töötades võimendina on oluline, et väljundsignaal oleks võrdeline sisendsignaaliga, sest siis ei teki signaali kujundis moonutusi, seetõttu on kasutusel ainult lineaarreziim. Selleks, et tagada sisendi ja väljundi
10. Transistori 3 tööreziimi on-avatud,suletud ja küllastusreziim 11.Mitu siiret on transistoril-2 12.Suurima võimsusvõimenduse annab-ühise emitteriga lülitus 13.NPN tüüpi transistori kollektor ühendatakse toiteallika-vastu pinges 14. PNP tüüpi transistori baas on emitteri suhtes pingestatud-Vastupidise polaarsusega pingeallika suhtes kui NPN tüüpi transistoril. 15.väljatransistori elektrood, mille kaudu laengukandjad sisenevad on-Läte 16.Isoleeritud paisuga väljatransistori eripäraks on-Paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht 17. väljatransistori põhiline erinevus bipolaarsest transistorist on-see et see on pingega tüüritav element 18.Türistoride tööreziimiks on-sulg-ja küllastusreziim. 19.Mis on türistor-neljakihiline diood 20. Mis on DIAC-sümmeetriline dioodtüristor 21. Türistore ei kasutata-Kasutatakse lülititena (reguleeritavad alaldid, pingeregulaatorid ja invertorid) 22
nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks (drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Bipolaartransistoridel vastavad neile emitter, baas ja kollektor. Neljas elektrood on alus (body, base; puudub pn-siirdega väljatransistoridel), mis enamasti lätte külge ühendatakse. Konstruktsioon Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid pn-siirdega väljatransistorideks (JFET, JUGFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET, metall-oksiid-pooljuht väljatransistorid). Väljatransistoride eelised Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju. Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt.
Bipolaarne transistor- vooluga tüüritav ja tarvitab ka seetõttu voolu. Väljatransistor- pingega tüüritav, ei tarvita põhimõtteliselt voolu. Liittransistorid: bipolaarne+bipolaarne=Darlington Väljatransistor+bipolaarne=IGBT Väljatransistor+väljatransistor=CMOS Väljundis on alati vool, mis sageli on vaja muuta pingeks. Transistorid toimivad aktiivse skeemielemendina ja võivad signaali toiteallika arvel mõjutada. Ühendamise võimalusi on kolm: 1.Ühise baasiga/paisuga(Uv>Us, faas ei muutu) 2.Ühise emitteriga/lättega (uv>us, iv>is, faasipööre) 3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv
ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk. 23...41): - Pooljuhtdiood, tema ehitus. Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4
Peamine geotermaalenergiatootja on USA Biomassienergia saadakse organismidest pärineva orgaanilise aine (biomassi) kasutamisest. Hüdroelektrijaam * on elektrijaam, milles vee potentsiaalne energia muudetakse elektrienergiaks.(Energia vabaneb vee vabal langemisel raskusjõu toimel.) * Praegu töötab Eestis seitse üle 100 kW võimsusega hüdroelektrijaama ja mitu väga väikest hüdroelektrijaama. * Ehitatakse suurtele jõgedele, kus paisuga ülespaisatud vesi paneb langedes pöörlema hüdroturbiinid koos elektrigeneraatoritega. KUIDAS TOIMIB? http://www.tahvel.ee/images/7/7a/H%C3%BCdroelektrijaam.swf Väike Hüdrogeneraator 3 suurimat maailmas: 1. Hiinas Kolme Kuristiku 18200 MW 2. Brasiilias Paraguay 12600 MW 3. Venezuela Guri 10300 MW 2/3 maailma hüdroenergia toodangust annavad 10 riiki: Hiina, Kanada, Brasiilia, USA, Venemaa, Norra, Jaapan, India, Venezuela ja Rootsi. Kolme Kuristiku HEJ Hiinas
koormustakistilt saamegi võimendatud väljundpinge. Seega võime transistori vaadelda ka kui takistuse muundit, millest on tuletatud ka selle nimetus. (TRANSfer resISTOR). 26. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). 27. Ühise baasiga: Ühise emitteriga: Emitterjärgija: 28. Ühise baasiga lülituses (joonis 6.5) toimub transistori tüürimine emittervooluga, st. Isis = IE : Usis = UEB , UVÄLJ = UCB ja IVÄLJ = Ic Võrreldes teiste lülitustega saadakse suur pingevõimendus ja väikesed mitte- lineaarmoonutused. Puuduseks on väike sisendtakistus (avasuunas olev emittersiirde
(joon.6.6 c ja d). Joonis 6.6. Näiteid otsesidestuses transistoridega võimendusastmete kohta [3]. 6.4. Võimendusastmed väljatransistoride baasil Väljatransistoridega võimendusastmed sarnanevad põhiomaduste osas üldiselt bipolaartransistoridega võimendusastmetele. Ühise emitteriga lülitusele vastab väljatransistoride puhul ühise lättega lülitus, ühise kollektoriga lülitusele vastab ühise neeluga lülitus ja ühise baasiga lülitusele vastab ühise paisuga lülitus. Kuna aga erinevalt bipolaartransistorist on väljatransistor sarnaselt elektronlambile pingega tüüritav seadis, siis sobib väljatransistori võimendusomadusi iseloomustama parameeter S nimetusega `tõus': DI välj S= DU sis Väljatransistori (kui pingega tüüritava seadise) tööpunkti määravad paisupinge UGS ja
hetkel, et vältida suure hulga muid töö kohustusi. Seda tüüpi mälud, on sageli näha videomängupultides, mobiiltelefonides, raadioseadmetes, siirdatavates meditsiiniseadmetes, High-Definition Multimedia liidestes (HDMI) ja paljudes teistes tarbija ja autotööstuselektroonikas. EPROM EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory, EROM) ehk kustutatav programmeeritav püsimälu on mälukiip, mis säilitab oma andmed ka ilma toitepingeta. Kiibis on ühendamata paisuga transistorite (floating-gate transistors) read, mis on eraldi programmeeritud elektroonilise programmerimisseadme poolt. Programmeerimisseade ehk programmaator annab programmeerimisel kiibile suuremat pinget kui tavaliselt andmete lugemiseks kasutatakse. Programmeeritud EPROMi saab kustutada, kui asetada see tugeva ultraviolettkiirguse kätte. EPROM on kergesti äratuntav selle peal oleva läbipaistva kvartsist kustutusakna järgi, mille kaudu on nähtav ränikiip. EEPROM
4. Veetase ühtlustub 5. Laev sõidab ära - 10 - Kalakasvatus Hürdosõlm- võib koosneda paisudest, paisjärvedest, tammidest, pealvoolukanalistest, ilutiikidest, piirdekraavidest, veejõujaamadest jne. Pais: · betoonpaisud · kivipaisud (kivimüürid) · pinnaspaisud ( kohapeal kättesaadavatest matrejalidest valmistatud) · puupaisud (episoodilisel ajal) Pais- veevoolu takistamiseks ja vabaks laskmiseks, paisuga saab paistada veetaset ka osaliselt. Pais võib tekkid aka voolusängi ahendamise tagajärjel. Tamm- ehitis, mis kaitseks kõrge vee veetaseme eest. Regulaator- seade, millega saab reguleerida veetaset veehoidlas. Kindlaksmääratavad paisutustasemed Paisutustase- veepinna tase Paisutuskõrgus- veetaseme erinevus samas kohas eri aegadel - 11 - SOO HÜDROLOOGIA Kuivendus:
Sign arvutusel Emitterist läbi RE maha. Rsis on suur=h11e+(1+h21e)RE~ 5pdf Pilet 11. 1. alaldava siirde tekkimise tingimus 2. väljatransistoride liigitus 3. 2xT sild (ASK ja FSK) 4. välistav või (tähistus ja tõeväärtustabel) 5. ROM 1. Alaldava siirde tekkimise ting Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal 2.induts kanal) (tähistus Gate,Source,Drain üleval) n-kanaliga nool paisust sisse, p-vastupidi. 3pdf 3. Selekt RC-ahel-kahekorden T kujuline sild->kõrge selektiivsus. Ülekandetegur |punktiga| =0. kvasiresonantssageduse fo puhul fo=1/2*1/RC. Madalatel ülekanne 1, kõrgetel 1. Sild on lülitatud tagasisidesse takkide pealt paralleelselt Rts-ga. Sagedustel, mis ple fo, TS=100%, muidu 0. Sild peab töötama tühijooksul e koormamata->elemendid Ko=1+Rts/R’-NTS-st
kus kütus on suhteliselt odav. Kivi- või pruunsütt kasutavad SEJ-d ehitatakse söe kaevandamispiirkonda, sest elektrit on märksa odavam transportida kui kütust. Soojuselektrijaamad: Venemaa, Taiwan, Jaapan, Hongkong, Poola, Suurbritannia, LAV, Kanada. b) Hüdroelektrijaamad - Elektrijaam, milles vee potentsiaalne energia muundatakse elektrienergiaks. Reeglina ehitatakse hüdroelektrijaamad suurtele jõgedele, kus paisuga ülespaisutatud vesi paneb langedes pöörlema hüdroturbiinid koos elektrigeneraatoritega. Nende ehitamine on aeganõudev ja kulukas (mahukad mullatööd ja betoonitööd paisude ehitamisel), kuid energia omahind on suhteliselt madal, sest ekspluatatsioonikulud on väikesed. Ariidsetes piirkondades on hüdroelektrijaamade veehoidlad olulised asulate ja põllumajanduse veega varustamisel.
Transistoril UBE umb.= 0,7V, UBK = USch.diood umb 0,5V; pole. Tühijooksul Rt=->Ud=U2m=U 22 UKE = UBE UBK umb 0,7 0,5 umb 0,2V 3. unipolaarne, pingega juhitav. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust 5. JOONIS2 Ajal. esimene. R = reset _ panema olekusse 0, S = set -> sättima, panema olekusse 1, muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal Tõesus- ehk funktsioneermise tabeli parem esitus: 2.induts kanal) (tähistus Gate,Source,Drain üleval) n-kanaliga nool paisust sisse, p-vastupidi. Mida R S Q(t + deltat) deltat = aeg trigeri ümberlülitamiseks. kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem vaesunud ala, seda väiksem vool. MOPP-
..............................................................................................................................................44 5.1.Väljatransistori mõiste ja põhiliigid ........................................................................................................................ 44 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48 5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ...................................................................................................................................48 5.6
aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks (gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruktsiooni skeemi st Metal- Oxide-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu
väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. Tal on samuti kui bipolaartransistoril kolm elektroodi. Üht, voolujuhtiva kanali otsas asuvat elektroodi, kust laengukandjad sisenevad kanalisse nimetatakse lätteks (source), teist, kust laengukandjad väljuvad, neeluks {drain) ja kanali küljel asuvat tüürelektroodi paisuks {gate). Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid P-N siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga väljatransistirideks (ingliskeelse terminoloogia järgi MOSFET, kus tähed MOS on tulnud konstruksiooni-skeemist Metal-Oxid-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2
Nimetatakse ka indutseeritudkanaliga MOP (i.k.MOSFET Metal Oxyde Semiconductor) Et vähendada pinget hakati tegema sisseehitatud kanaliga MOP transistore (kanal on juba tehases valmistatud, selle suurust reguleeritakse pingega) Kanal on juba sisseehitatud, kuid paisupinge abil vaid laiendame või ahendame seda kanalit. Pinged on juba sobivad arvutites 1.12. Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor) JFET'i on harva vaja. See on alati vastupingestatud.Neid teatakse ka kui isoleerimata paisuga väljatransistorid. Seal on paisu ja juhtiva kanali vahel vaesunud ala, kus on vähe voolukandjaid. Mida kõrgem on vastupinge pn- 6 siirdel seda laiem on vaesunud ala. Mida laiem on vaesunud ala, seda kitsam on kanal ja seda väiksem vool läbi voolab. 1.13. Mis on türistor? Vahendid voolu sisse-väljalülitamiseks, kasutusel jõuelektroonikas (energeetikas). Vool katkeb toitepinge mahavõtmisel
siirdega väljatransistoris 2. Laengukandjate kontsentratsiooni kanalis nagu see toimub MOP-transistorides 42. Võrrelge omavahel bipolaar- ja väljatransistori. Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. 43. Milline on väljatransistoride põhiline ühendusviis? Isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorid (MOSFET, MOP). Lühend tuleneb sõnast metall-oksiid-pooljuht. Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (sest sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (sest laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka
· Survevesireaktoriga TEJ (Loviisa TEJ) · Keevvesireaktoriga TEJ (Olkiluotu TEJ) 23. Millised on hüdroelektrijaama peamised agregaadid ning üldine tööpõhimõte? Kui suur on Eestis hüdroelektriaajamade koguvõimsus? Nimeta erinevaid hüdrojaamade tüüpe. · Veehoidla, Tamm, Turbiin, Generaator,Jaama hoone Liigid: · Paisuelektrijaamad hoone paisu peal või lähedal ning kõrguste vahe tekitatakse paisuga · Derivatsioonijaamad hoone paisust eemal ning vesi juhitakse turbiinidesse kas torustike, tunnelite või kanalite abil · Loodeteelektrijaamad saab ehitada ookeani rannikule, kus vee tõusu ja mõõna veetase suur. Lahele ehitatakse ette tamm, kuhu tõusu ajal lastakse vesi sisse ning turbiin töötab kahes suunas · Laineteelektrijaamad väikese võimsusega, mis kasutavad ära ookeanilainete pekslemise
Programmeeritakse mikroskeemide tootja juures valmistamise käigus Kasutaja ei saa muuta mälu sisu Väheneb paindlikkus, sest muudatuste tegemine on kulukas ja aeganõudev o Programmeeritav püsimälu – PROM-tüüpi mällu saab kasutaja kirjutada ühe korra, sest info salvestamine on destruktiivne protsess o Ümberkirjutatavad püsimälud – kõik need mälud põhinevad ujuva paisuga väljatrasistoritel, erinedes kustutusviisi ja ka vähesel määral sisemise ehituse poolest. EPROM – kustutamine toimub ultravioletvalgusega läbi mikroskeemi korpuses oleva läbipaistva kvartsakna EEPROM – infot kustutatakse elektiväljaga, kustutakse tavaliselt sõnade kaupa FlashEPROM – infot kustutatakse sektorite kaupa elektiväljaga. Üks levinuimaid
Tema püsimälu sisu saab programmeerida kas tehases tema integraallülituste valmistamise käigus vastavate tehnoloogiliste maskidega või mikroprotsessorisüsteemide koostaja poolt spetsiaalseid programmaatoreid kasutades. Sellisesse mällu saab kirjutada ühe korra, sest info salvestamine on destruktiivne protsess EPROM & EEPROM & Flash EPROM - ümberkirjutatavad püsimälud, mis põhinevad ujuva paisuga väljatransistoridel, erinedes kustutusviisi ja vähesel määral sisemise ehituse poolest, laengu hajumine võtab aastaid aega EPROM on ümberprogrammeeritav püsimälu. Neid elemente programmeeritakse samuti spetsiaalsete programmaatorite abil, kuid säilitatavat informatsiooni on võimalik elektriliselt või ultraviolettkiirgusega kustutada ja seejärel mäluelementi uuesti programmeerida.
Vasaku südamepoole puudulikkusele viitab hingeldus( düspnoe), algul pingutustel, hiljem ka rahuolekus. Võivad ilmneda öised kardiaalastma hood või kopsupaisust tingitud köhimine, auskultatoorselt kuuleme kopsude alaosade kohal paisräginaid (krepitatsioon või peenemullilised märjad räginad). Tsüanoos peegeldab gaasivahetushäiret kopsudes ja hapniku suurenenud ammendumist perifeerias. Tahhükardia, patoloogiline III südametoon. Parema südamepoole puudulikkusele paisuga suures vereriges viitavad: kaelaveenide ja suupõhjaveenide nähtav täitumine, kaalu tõus ja tursed alakehas: labajalgadel, säärtel, algul ainult õhtuti, hiljem püsivalt; rasketel juhtudel anasarka, paismaks, mis on suurenenud ja algul valulik ; ajajooksul võib areneda kardiaalne maksatsirroos ja astsiit; paisgastriit isutuse ja meteorismiga; paisneer kaasneva proteinuuriaga. Mõlema südamepoole puudulikkuse üldsümptomid:
Alaldava siirde tekkimise tingimus Alaldava siirde tekkimise tingimus Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. Väljatransistoride liigitus Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Konstruktsioonilt jagunevad väljatransistorid p-n siirdega väljatransistorideks (JFET) ja isoleeritud paisuga ehk isoleerkihiga väljatransistorideks (MOSFET). MOSFET: paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht, milleks on SiO 2 kiht. MOSFET transistorid jagunevad formeeritud kanaliga ja indutseeritud kanaliga MOSFET transistorideks. Need omakorda võivad olla kas n- või p-kanaliga. 3. 2xT sild (ASK ja FSK) ASK-amplituudi sag. Karak. – süsteemi väljund sisendpinge amplituudide suhte sõltuvus sagedusest f (nurksagedusest ω). FSK- faasi sag
kui diferentsiaalne takistus sisendkarakteristikult. h21E = 50 250 tavaliselt. Võib olla h21E = 30 3000 Tehnoloogia "superbeta" h21D = 500... 33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid: p-n siirdega, isoleeritud paisuga. Pais, Gate, , Lätte, Source, , Neel, Drane, Mida laiem vaesunud ala, seda kitsam kanal, seda väiksem vool voolab läbi kanali. Vaesunud alas on vähe voolukandjaid. p-n siirdega väljatransistor. p-n siire on alati vastupingestatud! 34 Mida kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem on vaesunud ala. 35 Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOP- transistorid). Formeerkanaliga (sisseehitatud kanal)
muundatakse elektrienergiaks. Hüdroelektrijaam koosneb vesiehitusest (pais, juurde- ja äravoolukanalid, lüüsid jne), mis tekitavad surukõrguse (rõhu) ja konstantse veevoolu, ning energiaseadmetest, mis muundavad voolava vee energia elektrienergiaks. Surukõrguse järgi eristatakse kõrgsurve- (surukõrgus üle 80 m). kesksurve- (80 - 25m) ja madalsurveelektrijaamu ( kuni 25 m). Vesiehituslikult eristatakse paisuelektrijaamu, milles vee taset on tõstetud paisuga, ja derivatsioonielektrijaamu, milles vee tasemete vahe on tekitatud vee juhtimisega sellekohase kanali või torustiku kaudu jõesängist jaama. Paisuelektrijaamad jagunevad paisu ja jaamahoone omavahelise asendi järgi paisurindeelektrijaamadeks (hoone kuulub paisu koostisse) ja paisutagusteks elektrijaamadeks ( hoone paikneb paisu taga). Hüdroelektrijaamad jaotatakse oma tehnoloogilise ja elektrilise
Põrutustele palju vastupidavam, tänu lugev-kirjutavate peade puudumisele. Energiasäästlikumad. Soojuse eraldumine on väiksem. Väiksem kaal. Negatiivse poolena võib välja tuua mitmeid kordades kõrgema hinna kui kõvakestastel, väiksema mahu kui kõvaketastel ning algusaegadel esinenud probleemid, mis hukutas palju SSD- si (wear level oli üpris lühike). SSD-d tegelikult “kuluvad”. Kulutab uuesti kirjutamine, millega kaasneb kustutamine. See on seotud ujuv paisuga transtoriga. 25. Katkematu pingeallikas (UPS). puhvertoiteallikas, ups. UPS on seade mis peab kaitsma arvuti riistvara ja tarkvara võimalike elektrivõrgu häirete mõju eest. Elektrivõrgu häired võivad rikkuda riistvara või katkestada programmi töö ebasobival hetkel ja rikkuda töödeldavat infot. Häired: 1. täielik elektrikatkestus blackout 2. ülepinge surge, over-voltage 3. pingelangus under-voltage, sag, brownout 4. impulsshäire spike, transient, impulse 5. mürad noise
1 1 1 0 1 1 0 1 [vaata | 25. Pooljuhtmälud. muuda] EPROM mäluraku ehitus, ühendamine rea ja veeru liinidega, programmeerimine, kustutamine ja lugemine. EPROM mälumaatriksi skeem, mälupesa valik aadressi abil, mälurakkude info edastamine andmesiinile. EEPROM: ühe ja mitme ujuva paisuga mäluraku ehitus. Kanali voolu sõltuvus paisude laengust. Mäluraku ühendamine veeru ja rea liiniga, mälu kirjutamine, kustutamine ja lugemine. SRAM: RS triger rmälurakuna, mälurakkude ühendamine maatriksiks, mälust lugemine, mällu kirjutamine. DRAM: mälukondeka ühendamine aadressi- ja andmesiiniga, kirjutamine ja lugemine, mälu värskendamise põhjused ja sagedus. EPROM: Ümberprogrammeeritav püsimälu, milles mäluelementideks on
Dekoodri väljundites sõnaliinide ja bitiliinide ristumiskohtades on toorikul dioodid. Dioodid on ühendatud väikese läbimõõduga liinidega ehk katkevlülidega. Kui lülile langeb aga pinge, mis on kaks korda suurem kui ühe pinge nivoo, siis ta sulab. Selles seisnebki programmeerimine, et sulatatakse mittevajalikud ühendused. See on muidugi paindlikum kui väheneb pakkimise tihedus, läbipõlenud ühenduste ja isolatsiooni arvelt. Ümberkirjutatavad püsimälud põhinevad ujuva paisuga väljatransistoridel, erinedes kustutusviisi ja ka vähesel määral siseehituse poolest. Tegemist on dünamiilise mäluga kus hajumine võtab aastaid aega. Info salvestatakse nii juhtpaisust kui ka alusest isoleeritud ujuvpaisule laengu kandmisega. EPROMist kustutamine toimub ultraviolettvalgusega läbi mikroskeemi korpuses oleva läibpaistva kvartsakne. Kustutada saab terve mikroskeemi sisu korraga. FlashEPROMist ja EEPROMIST kustutatakse info elektriväljaga. EEPROMIST saab
Seepärast nimetatakse taolist tegevust püsimälu põletamiseks. Kuna põletamine on pöördumatu protsess ja seda saab teha ainult üks kord, siis ei tohi siin vigu lubada. Seepärast on kasutaja poolt programmeeritavate püsimäludena harilikult kasutusel EPROM- või EEPROM- tüüpi püsimälud. EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory) ümberprogrammeeritav püsimälu. Mälukiip, milles andmed säilivad ka pärast toite väljalülitamist kuni 10 aastat. Mäluelementideks on ujuva paisuga MOSFET- transistorid. EPROM-mälude programmeerimiseks kasutatakse spetsiaalset seadet programmaatorit. Programmaator kirjutab andmeid mällu pingeimpulssidega, mille amplituud on suurem kui lugemiseks kasutavate impulsside amplituud, mistõttu lugemisimpulsid ei suuda hiljem muuta mällu kirjutatud andmeid. Kui programmeerimine on lõppenud, monteeritakse mälu oma kohale trükkplaadil. Ümberprogrammeerimiseks tuleb see jälle trükkplaadilt eemaldada ja panna programmaatorisse
- programmeeritav püsimälu (PROM- programmable read only memory) Programmeerib kasutaja spetsiaalse programmaatoriga, põletades mittevajalikud väiksema ristlõike pindalaga ühendused. - ümberprog. püsimälu (EPROM- erasable programmable read only memory), elektriliselt kustutatav ümberprogrammeeritav püsimälu (EEPROM- electrically erasable programmable read only memory) ja Flash. EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega,
- programmeeritav püsimälu (PROM- programmable read only memory) Programmeerib kasutaja spetsiaalse programmaatoriga, põletades mittevajalikud väiksema ristlõike pindalaga ühendused. - ümberprog. püsimälu (EPROM- erasable programmable read only memory), elektriliselt kustutatav ümberprogrammeeritav püsimälu (EEPROM- electrically erasable programmable read only memory) ja Flash. EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega,
FET väljatransistor SO sümmeetriline optimum FOC väljaorienteeritud juhtimine SVM vektorjuhtimine G giga = 109 (eesliide) V volt GTO suletav türistor VDC alalisvoolu volt H henri VFC pinge-sageduse juhtimine Hz herts VSI pingevaheldi IGBT isoleeritud paisuga bip. transistor W vatt JFET pn-väljatransistor ZCS nullvoolulüliti k kilo = 103 (eesliide) ZVS nullpingelüliti LPF madalpääsfilter mikro = 10-6 (eesliide) m milli = 10-3 (eesliide) oom 7 Sissejuhatus
annaabi.ee 
