veemolekulide omavaheline tõmbejõud on tugevam kui vee ja piigelehe vahel.seda nim, pindpinevuseks. Märgamine-Kui vedelik mööda panda tõkestamatult laiali voolab siis on tegu märgamisega. Mittemärgamine-kui mingil alusel asuvad vedelikutilgad püüdlevad kera kuju poole siis on tegu mitte märgamisega. Amorfne aine-neil on sarnane omaduses nagu vedelikel nad voolavad.voolavus väga väike. Kristalliline aine-tahke aine, millel on kristallstruktuur. Monokristall-kui molekulid paiknevad kindla korra järgi üle terve ainekoguse nim, seda monokristalliks. Polükristall-ainekogus koosneb paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest. Isotroopsus-kui aine omadused ei sõltu suunast. Kapilaarsus-nähtus mis on seotud mittemärgamise ja märgamisega. Reaalne gaas : molekul ei ole punktmass.molekulil on ruumala.kokkusurumisel on tööd vaja vähem teha.molekulide vastasmõju arvestatakse. Ideaalne gaas:molekulil on punktmass.molekulil pole ruumala
http://www.abiks.pri.ee TAHKISED Tahkiseks nim sellist ainet, millel on kristallstruktuur Amfoteerseks nim selliseid tahkeid aineid, millel puudub kristallstruktuur (neil on vedelikele sarnane omadus voolata, neil puudub sulamistemp) Monokristalliks nim ainet siis, kui tahkises aines paiknevad molekulid kindla korra järgi üle terve ainekoguse Polükristallil koosneb ainekogus paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest (metallid) Anisotroopiamolekulide korrapärase paigutuse korral sõltuvad aine omadused suunast (iga molekul on järgmisest võrdsel kaugusel) Isotroopiamolekulide mittekorrapärase paigutuse korral aine omadused keskeltläbi suunast ei sõltu Kristallitüübid(4): 1.ioonkristallides valitsevad tõmbejõud positiivsete ja negatiivsete ioonide vahel (keedusoolNaCl) 2.aatomkristallides tekivad tõmbejõud tänu ühistele elektronpaaride...
Kõik ained koosnevad molekulidest, mis on pidevas liikumises. Aineid saab võrrelda neis sisalduvate molekulide keskmise energia järgi. Agregaatolekuteks nimetatakse tahket, vedelat ja gaasilist. Uurides aine ehitust, peame uurima, kuidas molekulid üksteise suhtes paiknevad. Gaasi reaalsed molekulid ei ole punktmassid. Molekulidevahelised põrked on elastsed ning ei mõjuta gaasi temperatuuri ega ka ideaalse gaasi olekuvõrrandi kehtivust, muutub vaid liikumise suund. Molekulide vahel on tõmbejõud, kuid nende paiknemises puudub korrapärasus. Tihedus on väike, sõltub ainest ja rõhust. Ülekandenähtuste puhul kandub alati midagi üle. Difusioon on ühe aine molekulide tungimine teise aine molekulide vahele (kirjeldamiseks kontsentratsioon). Soojusjuhtivus on kindla suunaline soojuse levik keskkonnas kõrgema temperatuuriga piirkonnast madalama temperatuuriga piirkonda omavaheliste põrgete tulemusena (kirjeldamiseks soojushulk ja temperatuur). Sis...
Soojusliikumine toimub osakeste võnkumise näol. Võnkeamplituud Molekulidevahelisest kaugusest ~10%. Temperatuuri tõstes suureneb ja lõpuks hakkab kristallstruktuur lagunema s.o aine sulamistemperatuur. Amorfsed ained Tahked ained, millel puudub kristallstruktuur. Klaas, plastmass, pigi. Puudub sulamistemperatuur. Voolavad raskusjõu mõjul. Molekulide paiknemine Terve ainekogus sama süsteemi järgi monokristall. Ainekogus koosneb paljudest monokristallidest polükristall. Anisotroopia Molekulide korrapärase paigutuse korral sõltuvad aine omadused suunast. Ülekandenähtused Difusioon ühed monokristallid tungivad teiste vahele. Soojusjuhtivus võnkumisenergia antakse edasi. Sisehõõre amorfsete ainete puhul. Tänan kuulamast!
( boriide TiB2, ZrB2, nitriide Si3N4, AlN, BN ja silitsiide MoSi2) Liigitus: metall-,polümeer-,keraamilised- ja süsinikkomposiitmaterjalid. 5.Armatuuri järgi: dispersse armatuuriga,diskreetse kiudarmatuuriga, pideva kiudarmatuuriga KM 6.Kiudude valmistamine ja omadused: Niitkristallid: Niitkristallid on äratanud tähelepanu oma suure tugevusega, mida põhjustab kristallide defektivaba struktuur. Niitkristall on monokristall, milles aatomid moodustavad defektideta kristallivõre. Kristalli pikkus on tavaliselt mõni milimeeter , mõnikord kuni 50mm, läbimõõt aga mõni mikromeeter tavaliselt 0,1 või 0,2 mikromeetrit.Mida väiksem on niitkritalli läbimõõt, seda väiksem on kristallivõre defektide arv ja seda tugevam monokristall. Niitkristallide tugevus sõltub oluliselt temperatuurist ja läbimõõdust. Kallid valmistamisel.
Reaalsetel kristallidel aga esinevad tavaliselt mingisugused defektid, nt võre deformatsioonid, dislokatsioonid, kasvu seiskumine, alamterade struktuur, lisandid 62. Mille järgi määratakse kristalli suurust difraktomeetrias? Seda määratakse spektrijoone laienemise järgi, kui objektiks on pulber 63. Kuidas määratakse aatomite paiknemist difraktsioonanalüüsil? Seda määratakse difrageerunud intensiivsuste analüüsil, kui objektiks on monokristall või üldise difraktogrammi täpsustamise meetodil, kui objektiks on pulber. 64. Kuidas määratakse kristalli ideaalsust difraktsioonanalüüsil? Seda määratakse kas otsesel pildistamisel, kui objektiks on monokristall või joone kuju analüüsil, kui objektiks on pulber 65. Kuidas määratakse kristalli orientatsiooni difraktsioonanalüüsil? Seda määratakse monokristalli tagasipeegeldusel - objekt suur monokristall või tekstuuri analüüsil - objekt kompaktpulber 66
koostisosa. · Räni ühendid vesinikuga, silaanid, on tugevad redutseerijad. Räni saamine · Kuigi räni on maakoores hapniku järel kõige levinum element, puhtal kujul teda looduses ei esine. Räni saadakse ränidioksiidi (kvartsliiv) taandamisel süsinikuga temperatuuridel ligi 2000 °C elektrikaarahjus. Pooljuhtööstuses kasutatavat räni puhastatakse väga kõrge puhtusastmeni, taolisest ülipuhtast ränist kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall. Rakendused · Räni kasutatakse mikrokiipide ja teiste pooljuhtelemetide tootmiseks. Räni on materjal, millele tugineb kogu tänapäevane info- ja kommunikatsioonitehnoloogia. Kiiresti kasvavat tähtsust omavad räni rakendused päikeseenergeetikas päikesepatareides(polükristalne räni). Ränioksiid · Kõva, keemiliselt püsiv võrkstruktuuriga tahkis · Esineb looduses kvartsi ja liivana · Ränioksiid struktuuriühikuks on SiO4 tetraeeder
kus m on sambas oleva vedeliku mass, g on vabalangemise kiirendus ja F on pindpinevusjõud. b) pinda mittemärgav vedelik. Valem : Tahkised. Tahked ained: a) tahkised on kritallilised ained, kus kristalle kuju on määratud kristall-ehk ruumvõrega, mille saame, kui aine osakesed ühendame mõtteliste joontega. Nt. metallid, teemat, süsinik. Tahkistel on kindel sulamistemperatuur, mis ei muutu sulamise ajal. Monokristall on üks kristall, mille ulatuses kristallvõre on ühesugune. Polükristall koosneb paljudest kristallidest, on kristallvõred korrapäratult. b) amorfsed ained nt. klaas,pigi,plastmassid. Nende ehitus on sarnane vedelike ehitusega, nende omadus on voolavus. Nt. vana klaas voolamise tagajärjel muutub alt paksemaks, kui ülevalt. Temperatuur muutub sulamise protsessis pidevalt. Isotroopsed ained ained, milles füüsikalised omadused on igas suunas õhesugused. Nt
2. Faasisiire- üleminek ühest faasist teise 3. Agregaatolek- aine vorm, mille määrab tema molekulide soojusliikumise iseloom 4. Siirdesoojus- energia/soojus mida tuleb anda kehadele, et toimuks faasisiire 5. Mille poolest erinevad tahke, vedel ja gaasiline faas? 6. Mida nimetatakse kristalliks- aine, mille molekulide paiknemisel on kindel kord 7. Amorfne aine- tahke aine, millel puudub kristallstruktuur ja mis voolab (klaas, plastmass) 8. Monokristall- tervik keha, mille osakeste paigutus eksisteerib ühes ja samas süsteemis 9. Polükristall- keha mis koosneb paljudest erinevatest monokristallidest (päevakivi) 10. Anisotroopia- korrapärase paigutuse korral sõltuvad aine omadused suunast 11. Kristallvõre tüübid: Primitiivsed e. Lihtsad- aatomid paiknevad ainult võreelemendi sõlmpunktides (tippudes); b) ruumkesendatud- lisaks tippudes olevatele aatomitele, on üks ka võre sees
kapilaarnähtuseks. Kapilaarid – Peeni torusid, milles tuleb arvestada kapilaarnähtustega, nimetatakse kapilaarideks. Hüdrodünaamika – Teadust, mis tegeleb kehade liikumise uurimisega vedelikes ja vedelike voolamise uurimisega, nimetatakse hüdrodünaamikaks. Tahkis – Aine, millel on kristallstruktuur Amforne aine – Tahke aine, millel kristallstruktuur puudub ja on omadus voolata. Füüsika seisukohalt on amforne aine = üliväikese voolavusega (suure sisehõõrdega) vedelik. Monokristall – Terviklik keha, mille osakeste paigutuses eksisteerib üks ja seesama süsteem/ Ühesugune kristallstruktuur säilib üle kogu aine koguse. Polükristall – Aine, mis koosneb paljudest erinevate orienteeritud monokristallidest. On keskmiselt isotroopsed. Anisotroopia – Nähtus, mis esineb monokristallides ja vähesel määral polükristallides. Isotroopia – Aine omadused suunast ei sõltu.
Question 6 (10 points) Millised väited on õiged sulami faasi kohta? (Õigeid vastuseid võib olla enam kui üks) a. Polükristallse struktuuriga materjal võib koosneb ühest faasist b. Sulami faas on termodünaamilise sulamissüsteemi kõigi ühesuguste keemiliste-, füüsikaliste- ja mehaaniliste omadustega osade kogum, mida süsteemi teistest osadest eraldab piirpind c. Faasidiagramm kirjeldab ainult materjali faasilist koostist d. Monokristall võib koosneda rohkem kui ühest faasist Question 7 (10 points) Mis on sisendustüüpi tardlahus? a. Lahustaja komponendi aatomite vahele (tühimikesse) paigutuvad lahustuva komponendi aatomid b. Asendatakse osa lahustaja komponendi aatomeid lahustuva komponendi aatomitega c. Kahe erineva elemedi aatomid moodustavad erinevad kristallivõred, mis asetsevad teineteise suhtes kihtidena väikeste vahede tagant. d
portselani, tsemendi ja teiste materjalide koostisosa. Räni saamine Kuigi räni on maakoores hapniku järel kõige levinum element, puhtal kujul teda looduses ei esine. Räni saadakse ränidioksiidi (kvartsliiv) taandamisel süsinikuga temperatuuridel ligi 2000 °C elektrikaarahjus. Pooljuhtööstuses kasutatavat räni puhastatakse väga kõrge puhtusastmeni, taolisest ülipuhtast ränist kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall. Räni rakendused Räni kasutatakse mikrokiipide ja teiste pooljuhtelemetide tootmiseks. Räni on materjal, millele tugineb kogu tänapäevane info ja kommunikatsioonitehnoloogia. Kiiresti kasvavat tähtsust omavad räni rakendused päikeseenergeetikas päikesepatareides(polükristalne räni). RÄNIOKSIID · Ränioksiid on kõva, keemiliselt püsiv võrkstruktuuriga tahkis
· Kapillaar/kapillaarsus - nähtus, mis seisneb vedelikutaseme tõusus või languses peenikestes torudes, võrreldes vedelikutasemega jämedates torudes ja suuremates anumates, millega peenikesed torud on ühendatud. · Amorfne aine - tahke aine, millel puudub kristallstruktuur ja millel on omadus voolata (suure sisehõõrdega vedelik) · Tahkis ehk kristall - aine, mille molekulide paiknemisel esineb kindel kord (kristallstruktuur) · Monokristall - terviklik keha, mille osakeste paigutuses eksisteerib üks ja seesama süsteem. · Polükristall - keha, mis koosneb paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest. · Faas - mikrokäsitluses ühe aine olek, mis erineb sama aine teistest olekutest osakeste paigutuse, osakestevaelise vastastikmõju ja soojusliikumise iseloomu poolest. · Faasisiire - aine üleminek ühest faasist teise(sulamine ja tahkumine,
Saamine Kuigi räni on maakoores hapniku järel kõige levinum element (27 massi%) , puhtal kujul teda looduses ei esine. Räni saadakse ränidioksiidi (kvartsliiv) taandamisel süsinikuga temperatuuridel ligi 2000 °C elektrikaarahjus. Pooljuhtööstuses kasutatavat räni puhastatakse (lõppastmes tsoonsulatusega) väga kõrge puhtusastmeni, taolisest ülipuhtast ränist kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall . Rakendused Mikrokiipide jt. pooljuhtelemetide tootmiseks. Räni on materjal, millele tugineb kogu tänapäevane info- ja kommunikatsioonitehnoloogia. Kiiresti kasvavat tähtsust omavad räni rakendused päikeseenergeetikas päikesepatareides. Päikesepatarei polükristalsest ränist. Millest on tingitud päikesepatarei paneeli ,,mosaiikstruktuur"? Selle põhjuseks on söövitamisega tekitatud ränikristallide pinna mikrotekstuur
·Ained võivad olla erinevates olekutes ka ühe agregaatoleku (tahke, vedel, gaasiline) piires. ·Ühesuguse keemilise koostise ja ühesuguste füüsikaliste omadustega termodünaamilise süsteemi osa nimetatakse faasiks. ·Üleminekut ühest faasist teise nim. faasisiirdeks. ·Faasisiirdeid tahke oleku piires nim. rekristallisatsiooniks. Näit. tinakatk, terase karastamine, jää 1... jää 7 Tahke->vedel(sulamine); vedel->tahke(tahkestumine e- kristalliseerumine); vedel->gaasiline(aurustumine); gaasiline->vedel(kondenseerumine); tahke->gaasiline(sublimatsioon); gaasiline->tahke(härmatumine). Antud aine puhul on iga rõhu väärtuse jaoks olemas temperatuuri väärtus, mille korral aine võib olla kahes faasis korraga. Seda temperatuuri nim. siirdetemperatuuriks. Siirdetemperatuuril on 2 faasi tasakaalus. Kolm faasi võivad antud aine jaoks olla tasakaalus ainult kindlal rõhul ja temperatuuril. Seda olekut nim. kolmikpunktiks. Iga aine jaoks on olemas temperat...
metallide puhul, lõpetades äärmiselt keeruliste keraamiliste materjalide ja polümeeride kristallvõredega. Materjalide omadused sõltuvadki just kristallvõre ehitusest. Metallide kristalliline struktuur Joonis1. Amorfne plasti struktuur ja kristalne teemanti struktuur Metallide ideaalstruktuur Metalli struktuuri võib vaadelda paljudest kristallidest (teradest) koosnevana ehk polükristallilisena. Ideaalne monokristall koosneb aatomitest, mis on paigutatud kindla seaduspärasuse kohaselt ja mis korduvad perioodiliselt ruumis (kolmes mõõtmes). Kristalli moodustavate aatomite vastastikuse paigutuse iseloomustamiseks kasutatakse mitmesuguseid viise ja skeeme. Üheks neist on aatomite omavaheline paigutus ühes kristallvõre tasapinnas (joonis 2), kus aatomeid võib vaadelda asuvaina tasapinna kindlates sõlmpunktides. Sellist tasapinda nimetatakse kristallograafiliseks tasandiks
Eesmäärgid 1.Kuidas kristalli kasvada? 1.Milles kuu faasidel kristall kasvab kiiremini? HÜPOTEES Kristallide kasvamine ei sõltub kuu faasidest. kristallid kristallid — on tahke aine ,milles on väikesed osakesed (aatomid,ionid või moleekulid) . ! Kristallid ei kanna nägu aksesuaar.et kristallid mõne aja pärast hakkavad katki saama, ja nad kahjustavad nahka! KRISTALLIDE LIIGID monokristall– õige kristall (õige kristalli polükristall– kristall millal on teiset kristallid kokku kuju). kasvanud. MEILE ON VAJA: 1.lehter 2.piirituslamp 3.kolb 4.keraamiline kruus 5.statiiv 6.mõõtetsilinder 7.filter Töö kaik Keeduklaasi valatakse u 50 ml – 100 ml keevat vett (mida rohkem vett, seda rohkem kulub lahustuvat ainet) Veele hakatakse lisama suhkrut/soola (u 100 ml läheb 5-7 teelusikat) Samal ajal kui segad, lisa ainet juurde
naabermolekule kaasa (tänu tõmbejõududele mitte põrgetele!!!!). o Millest sõltub pindpinevustegur? Vedelikust, pinnasest, temperatuurist. o Millest ja kuidas sõltub kapillaarvee tõus? Jämedates torudes takistab raskusjõud pindpinevusest ja märgamisest tingitud vedelikusamba tõusmist või langemist. Märgamisest ja mittemärgamisest sõltub ka. o Tahkiste liigitus molekulidevahelise vastastikmõju järgi (nimetused, iseloomustus, näited). Monokristall: molekulid paiknevad kindla korra järgi ja see süsteem säilib üle terve ainekoguse!!! (Esineb looduses harva). ANISOTROOPSED. Polükristall: ainekogus koosneb paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest. (Kõik metallid). ISOTROOPSED. Ioonkristallid (nt keedusool) Aatomkristallid (nt teemant) Molekulkristallid (nt jää) Metallilised kristallid (kõik metallid)
2.2.2 Montaazijuhtmed 15 2.2.3 Installatsioonijuhtmed 15 2.2.4 Jõukaablid 16 2.3 Ülijuhid 16 3. POOLJUHID 18 3.1. Monokristall 20 3.2 Ioonjuhid 21 3.3 Plasma 22 3.3.1 Elektrilised potentsiaalid 23 3.3.2 Elektriväljad ja vooluringid 23 4. ISOLAATORID EHK DIELEKTRIKUD 24
· Kiirgus saab võimenduda, kui stimuleeritud kiirguse teke ületab kiirguse neeldumist. See on võimalik ainult juhul, kui ergastatud olekus on rohkem osakesi kui põhiolekus pöördhõive. · Pöördhõive saavutatakse pumpamise abil. LASERITE TÜÜBID Lasereid jagatakse tööreziimi, ergasti ja kiirguri järgi. · alalislaserid · välklaserid (impulsslaser) o neodüümlaser · tahkislaser- kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga, kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel rakendatakse neid
Polümeerist kilematerjal; Alusmaterjal, milleks on tavaliselt plastikust plaat. Kui erinevad kihid on omavahel kokku lamineeritud, pannakse ümber alumiiniumist raam, tagaküljele kinnitatakse kaablite niiskuskindlaks ühendamiseks karp, milles asuvad ka dioodid, mis peavad elektrivoolu mööda juhtima, kui paneel päikesevarju satub. Päikesepatarei elemente valmistatakse erinevatest materjalidest ja sellest on tingitud ka nende nimetused: MONOKRISTALL – efektiivsus 11–17%; POLÜKRISTALL – efektiivsus 11–15%; ÕHUKESEKILELINE (thin film) – viit erinevat alaliiki, mille tüüpiline efektiivsus jääb vahemikku 3–11%. Efektiivsus iseloomustab, mitu protsenti suudab päikesepaneel päikeseenergiat ümber muundada elektrienergiaks. Kõige enam on levinud monokristall ja polükristall paneelid. Nii mono- kui ka polükristall paneelide tootlikkus Eestis on sama.
kõverdumist tahke keha lähedal. Mittemärgamine- Vedelikutilgad püüdlevad kera kuju poole. Nt vesi ei märga rasvaseid pindu. Kapillaarsus- Vedeliku tõusmine/ langemine peentes torudes või kapillaarides. Tahkis- Aine, millel on kristallstruktuur ( molekulide paiknemisel esineb kindel kord) Tahke aine- Aine, mille võimet voolata me pealiskaudsel vaatlemisel ei märka. Amforne aine- Tahke aine, millel kristallstruktuur puudub ( võib voolata ) Monokristall- Terviklik keha, mille osakeste paigutuses eksisteerib üks ja seesama süsteem. Polükristall- Keha, mis koosneb paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest. Anisotroopia- Monokristallide põhiomadus, mis seisneb selles, et tänu molekulide paiknemise kindlale korrale sõltuvad aine füüsikalised omadused suunast. Isotroopia- Gaaside, vedelike ja polükristallide omadus, mis seisneb selles, et aine füüsikalised omadused ei sõltu suunast. Faas- Aine erinevate omadustega olek
Vedeliklaserid Vedeliklasereist on käibel eeskätt värvlaserid, nende aktiivaine on orgaanilise värvaine lagus, ergasti harilikult teine laser (näiteks eksimeer-, argoon-, metalliaurulaser). Värvilaserite põhieelis on valguslaine pikkuse sujuv muudetavus laias vahemikus (umbes 0,3-1,3 m). See toimub astmeliselt värvaine vahetamise teel ning astme piires sujuvalt resonaatori spektraalselektoriga (näiteks difraktsioonivõrega). Tahkislaserid Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid (näiteks Cr3+, Nd3+) või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1- 1%), kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega)
Laias laastus liigitatakse tahked ained: a) Tahkised ehk kristallilised ained b) Amorfsed ained Tahkistes on aineosakeste paigutus tihe ja korrapärane, nii et osakeste paigutus moodustab nõndanimetatud kristallvõre. Võre kuju võib olla mitmesugune. Üks iseloomulik tahkiste tunnus on, et neil igaühel on oma kindel sulamistemperatuur. Kui tahkis moodustab üheainsa kristalli, siis nimetatakse teda monokristalliks, näiteks teemant on monokristall. Metallid on samuti tahkised, kuid nad koosnevad tohutust hulgast pisikestest kristallidest, seega on metallid polükristallilised ained. Monokristallidel on üks huvitav iseärasus nad on anisotroopsed, s.t nende füüsikalised omadused on erinevates suundades erinevad. Kuna polükristallilistes ainetes on üksikud kristallikesed üksteise suhtes asetunud korrapäraselt, siis polükristalliliste ainete füüsikalised omadused on igas suunas samasugused nad on isotroopsed.
nii: samas aatomis ei saa olla kahte ühesuguste kvantarvudega (n, l, ml ja s) elektroni. Sellise seaduse sõnastas Sveitsi füüsik W. Pauli - Pauli keeluprintsiip. Molekulidelt kristallidele Kui keedusoola lahuses on hulgaliselt Na+ ja Cl- -ioone, on suur tõenäosus ioonide kohtumiseks ja järjest uute keemiliste sidemete tekkeks. Hakkab kasvama NaCl kristall. Olemuselt on see supermolekul, milles on hiidpulk koostisaatomeid või ioone. Samuti võib jääpurikat meenutav suur monokristall hakata kasvama kõrgtemperatuuril sulatatud ainesse lastud jahutatava idukristalli külge. Kristallidest kuulsime mõnadgi juba X kl. soojusõpetuse kursuses. Meenutame sealõpitut ja täiendame seda pisut. Kristallides on aatmoid/ioonid paigutatud kindlas korras, nad moodustavad ruumvõre. Nagu elektroni laineomadustest, nii ka kristallide mikrostruktuurist annavad veenvat tunnistust difraktsioonikatsed. Sõltub ju difraktsioon nii difrageeruvate lainete
· Millimeeter elavhõbedasammast--rõhu ühik 760 mm Hg = 1,013*105 Pa. · Molekul--molekulaarfüüsikas vähim osake, millest ained koosnevad ja mis on pidevas kaootilises liikumises. · Molekulaarkineetiline teooria--teooria, mis seletab füüsikalisi nähtusi lähtudes aine molekulaarsest ehitusest ja molekulide kaootilisest liikumisest. · Molekulaarkineetiline e. soojusliikumine--aine molekulide pidev kaootiline liikumine. · Monokristall--terviklik keha, mille osakeste paigutuses eksisteerib üks ja sama süsteem. · Mudel--teaduslikus uurimustöös kasutatava objekti lihtsustatud konstruktsioon, kus ei arvestata kõiki uuritava objekti omadusi, vaid ainult osa neist. · Olek--makrokäsitluses olukord, mis on määratud gaasikoguse p,V ja T konkreetsete väärtustega. · Oleku tõenäosus--mikrokäsitluses antud olekut realiseerivate võimaluste arvu suhe kõigi võimaluste arvu.
Mittemärgamine- toimub siis kui mingil alusel asuvad vedelikutilgad püüdlevad kera kuju poole Kapillaarsus- nähtus, mis seisneb vedelikutaseme tõusus või languses peenikestes torudes Ülekandenähtused- difusioon, soojusjuhtivus ja sisehõõre Tahke aine- aine, mille võimet voolata me pealiskaudsel vaatlusel ei märka Tahkis- aine, mille molekulide paiknemisel esineb kindel kord Amfortne aine- tahke aine, millel puudub kristallstruktuur ja millel on omadus voolata Monokristall- terviklik keha, mille osakeste paigutuses eksisteerib üks ja see sama süsteem Polükristall- keha, mis koosneb paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest Anisotroopia- monokristallide põhiomadus, mis seisneb selles, et tänu molekulide paiknemise kindlale korrale sõltuvad aine füüsikalised omadused suunast Isotroopia- gaaside, vedelike ja polükristallide omadus, mis seisneb selles, et aine füüsikalised omadused ei sõltu suunast 4.peatükk
nad on väga efektiivsed nina-, kõrva- ning kurguhaiguste ravil. 5 Vedeliklaser Eeskätt on neist kasutusel värvlaserid, nende aktiivaine on orgaanilise värvaine lagus, ergasti harilikult teine laser (näiteks eksimeer-, argoon-, metalliaurulaser). Värvilaserite põhieelis on valguslaine pikkuse sujuv muudetavus laias vahemikus. See toimub astmeliselt värvaine vahetamise teel. Tahkislaser Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga, kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega. Paljudel juhtudel rakendatakse neid hiidvälkereziimis. Tahkislaserite eriliik on pooljuhtlaserid, milles luuakse pöördhõive pooljuhikristalli juhtivus- ja valentsitsooni vahel ning kiirgus tekib
sisaldavad nii amorfset kui ka kristalset ränidioksiidi.(11) 3. Saamine Kuigi räni on maakoores hapniku järel kõige levinum element (27 massi%) , puhtal kujul teda looduses ei esine. Räni saadakse ränidioksiidi (kvartsliiv) taandamisel süsinikuga temperatuuridel ligi 2000 °C elektrikaarahjus. Pooljuhtööstuses kasutatavat räni puhastatakse (lõppastmes tsoonsulatusega) väga kõrge puhtusastmeni, taolisest ülipuhtast ränist kasvatatakse järgnevalt silindrikujuline monokristall. (2) Lihtaine saamine: Räni saadakse puhtast kvartsliivast redutseerimisel magneesiumi või söega (koksiga) kõrgel temperatuuril: SiO2+2Mg2MgO+Si SiO2 + 2C 2CO + Si (kaarleekahjus 1800 ºC) Viimasel reaktsioonil võib tekkida ränikarbiid (SiC), mis reageerides ränidioksiidiga moodustub Si ja CO: 2SiC + SiO2 3Si + 2CO Väga puhast räni saadakse ränihalogeniidide (SiCl4 või SiHCl3) redutseerumisel ülipuhta vesinikuga (1200 1300 ºC): SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl
laetud tuumast ja seda ümbritsetavatest elektronkattest. Aatomituum koosneb prootonitest ja neutronitest. Aatommass määrab aine tiheduse ja elektrijuhitavuse. Metallide Kristallilinestruktuur Kristallilise struktuuri all mõeldakse aatomite (ioonide) omavahelist paigutust kristallis. Metallis paiknevat aatomid kindla seaduspäraselt moodustades korrapärase kristallvõre. Metallide ideaalstruktuur Metalli struktuuri võib vaadelda paljudest kristallidest polükristallilisena. Ideaalne monokristall koosneb aatomitest. Polümorfism Mõnedel metallidel on sõltuvalt temperatuurist enam kui üks kristallvõretüüp. Näiteks: raud ja titaan. Raua kristallvõre muutub 911 kraadi ruumkesendatud kuupvõrest tahkkesendatuks ja 1392 kraadi juures tagasi ruumkesendatuks. Kristallvõre tüübid a) Primitiivsed e. lihtsad aatomid paiknevad ainult võreelemendi sõlmpunktides. b) Ruumkesendatud lisaks võrdeelemendi tippudes olevatele aatomitele paikneb üks
Valdav osa päikesepaneeli koostematerjalist on räni. Räni tüübist sõltub ka päikesepaneeli hind ja efektiivsus: amorfne räni on odavam, kuid vähemefektiivne. Kristallilisest ränist päikesepaneelide kasutegur on suurem, kuid lähtematerjal on kallim, mis tuleneb räni puhastusprotsessist. Päikesepaneeli tootlikkuse põhiline näitaja on ränielemendi efektiivsus, st kui palju sellele langevast päikesekiirgusest suudetakse konventeerida elektrienergiaks. Kõige enam on levinud monokristall ja polükristall paneelid. Nii mono- kui ka polükristall paneelide tootlikkus Eestis on sama. Päikesepaneeli efektiivsusega puutub tavatarbija kokku läbi 12 paneeli mõõtmete: kindla suurusega pinnaühikult (nt hoone katus) toodavad suurema efektiivsusega paneelid rohkem energiat. Seega ei ole niivõrd vahet, mis on paneeli efektiivsus, olulisem on 1W maksumus. [14]
tõkestamatul laiali valgub. Mittemärgamine . Kui vastasikmõju kahe vedeliku molekuli vahel on tugevam kui vedeliku ja tahke aine moelkuli vahel on tegemist mittemärgamisega. (Kui vedelik üritab võta kera kuju. ( Vesi rasvasel pinnal)) Pindpinevustegur - Kapillaarsus Vedelike tõusumine,laskumine peentes torudes. Tahkis aine, mille molekulide paiknemisel esineb kindel kord (kristallstruktuur). Amorfne aine tahke aine, millel puudub kristallstruktuur ja millel on omadus voolata. Monokristall Terviklik keha, mille osakeste paigutuses eksisteerib üks ja seesama süsteem. Polükristall Keha, mis koosneb paljudest erinevalt orienteeritud monokristallidest. Anisotroopia Monokristallide põhiomadus, mis seisneb selles, et kristalli füüsikalised omadused sõltuvad suunast. Isotroopia Gaaside,vedelike ja polükristallide omadus, mis seisneb selles, et aine füüsikalised omadused suunast ei sõltu. Faasisiirded Agregaatolek aine tahke,vedel ja gaasiline olek.
kurguhaiguste ravil. Vedeliklasereist on käibel eeskätt värvlaserid, nende aktiivaine on orgaanilise värvaine lagus, ergasti harilikult teine laser (näiteks eksimeer-, argoon-, metalliaurulaser). Värvilaserite põhieelis on valguslaine pikkuse sujuv muudetavus laias vahemikus (umbes 0,3-1,3 m). See toimub astmeliselt värvaine vahetamise teel ning astme piires sujuvalt resonaatori spektraalselektoriga (näiteks difraktsioonivõrega). Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid (näiteks Cr3+, Nd3+) või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1- 1%), kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega)
33. Kadreerimine. Kasutatakse peamiselt tsüaanvanne. Protsess toimub analoogiliselt tsinkimisega. Kaitse on tsingist efektiivsem. Katte paksus 2 3 korda õhem. Suur tihedus, puuduvad poorid. Hinnalt on palju kallim. Kasutatakse koormatud detailide korral. Mõningad vedrud, detailid, mis puutuvad kokku mereveega, silindrite hülsid, vesijahutusega mootorite välispinnad. 34. Niitkristallid. Suure tugevusega, oma defektivaba struktuuri tõttu.Ta on monokristall, mille aatomid moodustavad defektideta kristaalvõre. Monokristalle saadakse kui luuakse tingimused kristalli kasvuks ühest kristalliseerumise keskmest. Tuntumad lahendused on Bridgmani ja Czochralski meetodid. Mida väiksem on niitkristall, seda vähem on kristallvõres defekte ja seda tugevam on monokristall. Mistahes tüüpi kristallvõres paiknevad aatomid korrapäraselt, kuid aatomite arv kristallvõre erinevates tasapindades ja suundades on erinev
molekulidest või ioonidest. Tahke aine tugevus sõltub kristallivõre energiast, mille suurus sõltub osakeste vahelise sideme tüübist. Sideme tüüp sõltub sellest, millistest osakestest on ehitatud antud kristall.. Elementaarrakk kristallaine väikseim osakene, mille n-kordne moodustab suurema monokristalli. Elementaarrakud võivad kasvada ruumis igas suunas, kui kasvamine ei ole kuubilise kristalli korral üheski suunas, saadakse kuubikujuline monokristall. Mõõtmed võivad olla mõni sentimeetrit kuni kümme sentimeetrit. Kui monokristalli kasvamine on mõnes suunas takistatud, siis võib saada mistahes kujuga kristalli. Isomorfsed ained erinev elementkoostis, kuid ühesugune struktuur Polümorfsed ained samasugune elementkoostis, kuid erinev struktuur Röntgenfaasi analüüs Difraktogramm peegeldunud röntgenkiirte üleskirjutus Röntgenanalüüs annab teada: 1. kas aine on kristalne või amorfne, 2
molekulidest või ioonidest. Tahke aine tugevus sõltub kristallivõre energiast, mille suurus sõltub osakeste vahelise sideme tüübist. Sideme tüüp sõltub sellest, millistest osakestest on ehitatud antud kristall.. Elementaarrakk kristallaine väikseim osakene, mille n-kordne moodustab suurema monokristalli. Elementaarrakud võivad kasvada ruumis igas suunas, kui kasvamine ei ole kuubilise kristalli korral üheski suunas, saadakse kuubikujuline monokristall. Mõõtmed võivad olla mõni sentimeetrit kuni kümme sentimeetrit. Kui monokristalli kasvamine on mõnes suunas takistatud, siis võib saada mistahes kujuga kristalli. Isomorfsed ained erinev elementkoostis, kuid ühesugune struktuur Polümorfsed ained samasugune elementkoostis, kuid erinev struktuur Röntgenfaasi analüüs Difraktogramm peegeldunud röntgenkiirte üleskirjutus Röntgenanalüüs annab teada: 1. kas aine on kristalne või amorfne, 2
Joonisel 5.20 on näidatud, kuidas see toimub ühe tüüpilise ferroelektriku BaTiO 3 korral. Iga polarisatsiooni liik annab oma panuse dielektrilise läbitavuse väärtusesse, mis kaob alates mingist elektrivälja sagedusest, kui see polarisatsioon ei jõua enam toimuda (joonis 3.4). On veel üks liik dielektrikuid, mis polariseeruvad mehaanilise surve toimel. Neid nimetatakse piesoelektrikuteks (näiteks piesokvarts s.o kvartsi monokristall). 3.1.2 Dielektrikute elektrijuhtivus Vaatleme siin ainult tahkeid dielektrikuid, kuigi ka gaasid ja suur osa vedelikke on dielektrikud. Polarisatsiooniprotsessidega, mis on ju laengute liikumine (nihkumine), kaasneb polarisatsioonivool, nagu igasuguse laengute liikumisega. Alalispinge korral esineb polarisatsioonivool ainult pinge sisse- ja väljalülitamise hetkel, vahelduvpinge korral aga pidevalt.
1.Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid. 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades. Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallidon tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli tõmbamise skeem sulandist on joonisel. Nii saadakse näiteks suuri pooljuht-materjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri. Anisotroopia on nähtus, kus monokristalli omadused eri suundades on erinevad
eelised on kiirguse suur intensiivsus ja lainepikkuse sujuv reguleeritavus vahemikus 8 TOLANSKY, S., Revolutsioon optikas, 1975, lk 182 9 THE X-RAY LASER:FROM UNDERGROUND TO TABLETOP, https://www.llnl.gov/str/Dunn.html (22.03.2009) 10 KÄÄMBRE, H., Laseri raamat, 1978, lk 74-78 10 raadiolainetest valguslaineteni.11 4.6 Tahkislaser Tahkislaseri kiirgurkehaks on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiiooniid või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1-1%), kuid võimsad väikelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähi infrapunapiirkonnas. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega ( võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel rakendadakse neid hiidvälkereziimis.12 4.7 Pooljuhtlaserid Pooljuhtlaserid on tahkislaserite eriliik
1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjali 1)Valdav osa tahkeid aineid on polükritalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallides. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades. Üksikute terade pinnal muutub kritsallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. 2)Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokritallid on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Anisotroopia on nähtus, kus monokritall omadused eri suundades on erinevad. See on seotud osakeste erineva tihedusega erinevates suundades. Anisotroopia on seda suurem, mida ebasümmeetrilisem on kritall. Omadused on näiteks elastsusmoodul, peegeldustegur, elektrijuhtivus.
moodustab tervikliku aine. Selle raku moodustavad võresõlmepunktides olevad osakesed ja neid ühendavad sidemed. Võreparameetrid on sidemete pikkused a,b,c ja nende vahelised nurgad Kuubi kujulise kristallvõre korral on a=b=c ja , aga heksagonaalse puhul on ===60 ja =90 ja a1=a2=a3b. Kristalvõre elementaarrakul on omadus kasvada ruumis kõigis 3 suunas, kui kasvukiirus kõigis 3 suunas on ühtlane tekib monokristall. Kui võre sõlmpunktides asuvad neutraalsed aatomid, mis on seotud kovalentse sidemega, on tegemist aatom võrega. Molekulvõre korral on võresõlmpunktides molekulid, mis on seotud nõrkade van der Waasi jõududega. Ioon võre korral on võre sõlmpunktides vaheldumisi katioonid ja anioonid, mis on seotud statsionaarsete jõududega. Elementeerraku kujuks on kuup. Metalli võre
Vedeliklasereist on käibel eeskätt värvlaserid, nende aktiivaine on orgaanilise värvaine lagus, ergasti harilikult teine laser (näiteks eksimeer-, argoon-, metalliaurulaser). Värvilaserite põhieelis on valguslaine pikkuse sujuv muudetavus laias vahemikus (umbes 0,3-1,3 m). See toimub astmeliselt värvaine vahetamise teel ning astme piires sujuvalt resonaatori spektraalselektoriga (näiteks difraktsioonivõrega). Tahkislaseri kiirgurkeha on monokristall või klaasplokk, elementaarkiirgurid on lisandiioonid (näiteks Cr3+, Nd3+) või värvustsentrid. Tahkislaserid on enamasti mõõduka kasuteguriga (0,1-1%), kuid võimsad välkelaserid, mis genereerivad peamiselt spektri nähtavas ja lähiinfrapunapiirkonnas. Värvustsenterlaserite lainepikkus on laias infrapunaalas reguleeritav. Tahkislasereid käivitatakse fotoergastusega (võimsate välklampidega, teiste laseritega, sealhulgas pooljuhtlaseritega). Paljudel juhtudel
Omadustelt kõvad, sädelevad, kõrge sulamistemperatuuriga, halvad elektri- ja soojusjuhid. Nt. NaCl, LiF, MgO. · Metallivõre sõlmpunktides aatomid, seotud metallilise sidemega, kus elektronid on tugevalt delokaliseeritud. Omadustelt varieeruva kõvaduse ja sulamistemperatuuriga, head soojus- ja elektrijuhid. Nt. Na, Mg, Cu, Fe, kõik metallid. Elementaarrakk kristallvõre korduv element, millel on antud kristalli kõik sümmeetrialemendid. Monokristall korrapärane elementaarrakk. Nt. kvarts, püriit, kips. Polükristall elementaarrakk ei paikne korrapäraselt. Polümorfism ühe aine esinemine erinevates kristallmodifikatsioonides. · C teemant, grafiit, fullereenid · S monokliinne, rombiline · CaCO - kaltsiit-heksagonaalne, aragoniit-rombiline Isomorfism erinevad ühendid, kuid sarnase kristallvõrega. · KCl, KBr, MgSO·7HO, ZnSO·7HO Kristalsed ained: · Kõik metallid ja sulamid, · Soolad.
Näited. Kas kristalseid aineid on võimalik identifitseerida nii puhtal kujul kui segudes amorfsete ainetega ja mitmete kristalsete ainetega, põhjendage vastust ?! Elementaarrakk on kristalse aine väikseim osake, mis iseloomustab veel võre struktuuri iseärasusi. Selle raku moodustavad võre sõlmpunktides olevad osakesed ja neid ühendavad sidemed. Kui elementaarrakud paiknevad kehas korrapäraselt, siis seda keha nimetatakse monokristalliks (N: kvartsi monokristall mäekristall). Kui ei paikne korrapäraselt, on tegemist polükristalse kehaga. Võre parameetrid on sidemete pikkused a, b, c ja nende vahelised nurgad , , .Elementaarrakk võib kasvada ruumis kõigis 3 suunas, kui kasvukiirus kõigis suundades on ühtlane, tekib monokristall. Kui monokristalli kasv mõnes suunas on takistatud, avaldab kristall kasvamisel takistusele teatud rõhku. Selle rõhu mõjul võib takistus puruneda ja kui kasvamine toimub materjali sees, siis materjal hävib
tugevus tõmbele, takistus nihkele, sisehõõrdekoefitsent). 18. Elementaarrakuks (JOONIS!!) nimet. kristalse aine väikseimat osakest, mille kordne moodustab tervikliku aine ehk monokristalli. Selle el.raku moodustavad võresõlmpunktides olevad osakesed ja neid ühendavad sidemed. Kristallvõre el.rakul on omadus kasvada ruumis kõigis 3 suunas; kui kasvukiirus kõigis 3 suunas on ühtlane, tekib monokristall. Võreparameetrid on sidemete pikkused a, b, c ja nende vahelised nurgad a,b,gKuubikujulise võre korral on a=b=c ja a=b=g=900. Osakeste paiknemise geomeetria järgi jagatakse kristallid 7-sse süsteemi. Süsteemi määramise aluseks on osakeste vahekauguse kristallvõres ja nurgad tasapindade vahel, milles asuvad osakesed. Need 7 süsteemi on 1)kuubiline 2)tetragonaalne 3)rombiline 4)heksagonaalne 5)monokliinne 6)trikliinne 7)trigonaalne. Olenevalt kristallvõre sõlmpunktides
KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4) 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (näiteks mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli on ka oma kindel tõmbamise skeem sulandist. Nii saadakse näiteks suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri.
KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4) 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (näiteks mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli on ka oma kindel tõmbamise skeem sulandist. Nii saadakse näiteks suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri.
Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (joonis 2- 17). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kritallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev (joonis 2-18). 2) Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (nt. Mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahu kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli tõmbamise skeem sulandist joonis 2-19. Nii saadakse nt suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri
1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4), antud joon 2- 19 ja 2-20 Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne) (joon 2-17). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev. Monokristall on tahke keha, kus aatomite korrapärane paiknemine jätkub kogu keha ulatuses, st on üksainus suur kristall. Looduslikud monokristallid (näiteks mäekristall) on tavaliselt korrapärase hulktahuka kujulised. Tehnilistel eesmärkidel kasvatatakse monokristalle kunstlikult. Monokristalli tõmbamise skeem sulandist on joonisel 2-19. Nii saadakse näiteks suuri pooljuhtmaterjalide monokristalle läbimõõduga kuni 40 cm ja pikkusega üle meetri.
Röntgenfaasi analüüsiga on võimalil kindlaks teha: *kas tegemist on kristalse või amorfse ainega (või seguga); *millise kristallaine või ainete seguga on tegemist; *võimalik määrata kristallaine võre parameetrid. Segudes võimalik identifitseerida max 7 8 kristallainet. 20. Elementaarrakk kristallvõre väikseim osake, mis iseloomustab veel võre struktuuri iseärasusi. Tal on omadus kasvada ruumis igas suunas. Kui kasv igas suunas ei ole takistatud, siis saadakse monokristall, mille kuju vastab võre tüübile (kuupvõrega->kuubik). Kui monokristalli kasv mõnes suunas on takistatud, avaldab kristall kasvamisel takistusele teatud rõhku. Selle rõhu mõjul võib takistus puruneda ja kui kasvamine toimub materjali sees, siis materjal hävib. Kui pooorsetes materjalides (punane tellis, betoon, poorsed paekivid) on soolad ja on tingimused monokristallide kasvamiseks, siis need materjalid hakkavad murenema. Võre parameetrid sidemete pikkused a, b
annaabi.ee 
