E.V. 000 VÕIMENDI DISAIN Au = 110 Rs = 5300R = 100 = 100 s-1 RS = hie= 5300R Ib = 25mV/hie =0,025/5300 = 0,0047mA Ik = Ib = 0,0047*100 = 0,47mA UCC = Au/20 = 110/20 = 5,5V Uk = Ucc/2 = 2,75V Rk = Uk/Ik =2,75/0,47mA = 5851 = 5,9k Ue = Uk/10 = 2,27/10 = 0,23V Re = Ue/Ik = 0,23/0,47mA = 489 = 490R Ub = Ue + Ube = 0,23 + 0,7 = 0,93V RT = (*Re*hie)1/2 = (100*490*5300)1/2 = 16115 = 16k UT = Ib*RT + Ube + Ik*Re = 0,0047mA*16k + 0,7 + 0,47mA*490 = 0,0752 + 0,7 + 0,2303 = 1V R1 = Ucc/UT*RT = 5,5/1*16k = 88k R2 = RT/(1-UT/Ucc) = 16k/(1-1/5,5) = 19555 = 20k Ce = 10/(*Re) = 10/(100*490) = 204 = 200uF Cs = 1/(*hie) = 1/(100*5300) = 1,89u = 2uF Cv = 1/(*Rk) = 1/(100*5,9k) = 1,69u = 2uF
25. Transistori töötamise põhimõte ja liigid. Selgitav joonis. Skeemitähised 26. Väljatransistori töötamise põhimõte ja liigid.SAMA TEEMA^^^. 27. Eri liiki võimendusastmete skeeme. 28. ühise baasiga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on alfa? 29.Ühise emitteriga võimendusastme skeem, töötamise põhimõte ja omadused. Mis on Beeta? 30. Emitterjärgija skeem, töötamise põhimõte ja omadused. 31. Vaakumdioodi töötamise põhimõte ja tingmärk. Võrdlemine pooljuhtdioodiga 32. Vaakum-fotoelement. Ehitus ja tööpõhimõte 33.Elektronkordisti ja fotoleketronide kordisti ehitus ja töötamise põhimõte. 34. Thevenini teoreem. Sõnastus ja seletus. 35.Mis on võimendusastme sisend ja väljundtakistus? Seletus thevenini teoreemi abil. 36
1. Transistorvimendusaste hise emitteriga. Koostada ja pingestada skeem kollektorvooluga ca 1 mA,kollektorvooluga 6V, toitepingega 12V, pingevimendusteguriga 10,kasutades tpunkti stabiliseerimiseks ka emittertakistust. 2. Transistorvti - selle koostamise alused. 3. Kahetaktilised skeemid. 4. Diferentsiaalvimendi omadused. 5. Tagasisedestatud vimendi vimendustegur. Koostada tagasisedestatud vimendi plokkskeem pingevimendusteguriga 100, kui tagasisideta vimendi enda vimendustegur on 1000000. Leida sama tagasisidestatud vimendi vimendustegur kui vimendi enda vimendus muutub 1000000st poole viksemaks. Palju muutus siis tagasisidestatud vimendi vimendustegur %-des? 6. Tagasisidestatud vimendi sageduskarakteristikud erinevate tagasiside sgavuste (?) korral. 9. Kaudne sagedussntesaator
emmitterist positiivsem pinge. PNP transi puhul on kõik täpselt vastupidi. Pinge tuleb anda muidugi mitte otse,sest siis põleb trans heleda leegiga, vaid eeltakisti kaudu. See tähendabki juhtimist VOOLUGA. Mida suurem on baasivool, seda rohkem trans avaneb, järelikult suureneb ka koormuse vool. Väike baasivoolu muutus põhjustab suurt kollektorvoolu muutust -> transistor VÕIMENDAB. Bipolaartransistore annab skeemi ühendada 3-l eri moel: - ühise baasiga lülitus, - ühise emitteriga lülitus, - ühise kollektoriga lülitus. Ühise baasiga lülitus. Omadused: - väike sisendtakistus (30..150), - suur väljundtakistus (0,5M..2M), - vooluvõimendus < 1, - pingevõimendus mõnisada, - sisend ja väljund liiguvad samas taktis (e. faasis). Märkus: saab kasutada näiteks erinevate signaaliallika alalispinge nivoo sobitamiseks järgneva skeemiga, ntx. RS-232-lt üleminek TTL loogikale. Analoogskeemides kasutatakse ntx. kõrg-, ja ülikõrgsagedusvõimendites.
MHX0065 Mehhatroonikasüsteemide komponendid Praktikum Alalisvoolu mootor aruanne Kuupäev: 6.12.12 Meeskonnaliikmed: 1. Ove Hillep 2. Joosep Andrespuk 3. Ragnar Jaanov Aruande täitis ja esitas: Ove Hillep Labori eeltöö ULN2003 on kõrgpingeline ja kõrge vooluga darlingtontransistor, mis koosneb seitsmest emitteriga darling- toni paarist. Transistori nimivoolu tugevus on 500 mA, kuid see suudab taluda kaa 600 mA voolu. Darlingtontransistor koosneb kahest bipolaarsest transistorist, mis on ühendatud sedasi, et esimesest tran- sistorist tulev vool võimendatakse veelgi enam teise transistori poolt. Püsimagnetiga alalisvoolumootorid on laialt levinud erinevates rakendustes, kus olulised on väikesed mõõt- med, suur võimsus ja madal hind
Lihtsa selektiivvõimendi ehituse, koostamise ja tööpõhimõttega tutvumine. Resonantsvõimendi amplituud- sageduskarakteristiku mõõtmine. Kasutatavad seadmed: 1. Signaaligeneraator HP 33120 A 2. Digitaalostsilloskoop HP 54602B 3. Toiteplokk 65-44 4. Multimeeter M-830BZ 5. Montaaziplaat, transistor, takistid, kondensaatorid, harundiga võnkering 6. Ühendus- ja montaazijuhtmed 7. Tööriistad Töö käik: Koostatud võimendi skeem koos arvutatud väärtustega: Joon. 1Ühise emitteriga lülituses resonantsvõimendi põhimõtteskeem R1 = 39,5 k E = 8V R2 = 15 k U E =1,5 V R3 = 500 I K = 0,003 A C1= 39 nF U BE0 ~ 0,7V C2= 39 nF U E =7 V C3= 39 nF 1) Resonantssagedus U Välj max = 4,24 V => f= 217 kHz f 0 = 217 kHz 2)Pingevõimendustegur U Sis = 100mV U Välj =4,24V U välj 4,24V ku = = = 42,4V
2. Kirjeldage lühidalt kahe erineva transistoriliigi tüürimise põhimõttelist vahet Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. 3. Loetlege transistori kolm tööreziimi 4. Loetlege bipolaartransistori kolm lülitust ning kirjeldage lühidalt nende lülituste põhiomadusi Ühise baasiga-, emitteri- ja kollektoriga. 5. Nimetage unipolaartransistoride (väljatransistoride) kuus eri liiki Ühise emitteriga-, lättega-, baasiga-, paisuga-, kollektoriga ja neeluga.. 6. Milleks on vajalik bipolaartransistori tööpunkti fikseerimine? Joonistage tööpunkti fikseerimise kaks võimalikku skeemi (baasivoolu määramisega ja baasi-emitteripinge määramisega) Töötades võimendina on oluline, et väljundsignaal oleks võrdeline sisendsignaaliga, sest siis ei teki signaali kujundis moonutusi, seetõttu on kasutusel ainult lineaarreziim
vool 8. Silufiltri põhiline ülesanne on-vähendada alaldist saadava pinge pulsatsiooni ehk lainelisust tarbija iseloomuga määratud tasemeni. 9. Trafo ülesanne toiteseadmes on-muuta vahelduvvooluvõrgust saadavat pinget sel määral,et väljundis saada nõutava suurusega alalispinget 10. Transistori 3 tööreziimi on-avatud,suletud ja küllastusreziim 11.Mitu siiret on transistoril-2 12.Suurima võimsusvõimenduse annab-ühise emitteriga lülitus 13.NPN tüüpi transistori kollektor ühendatakse toiteallika-vastu pinges 14. PNP tüüpi transistori baas on emitteri suhtes pingestatud-Vastupidise polaarsusega pingeallika suhtes kui NPN tüüpi transistoril. 15.väljatransistori elektrood, mille kaudu laengukandjad sisenevad on-Läte 16.Isoleeritud paisuga väljatransistori eripäraks on-Paisu ja kanali vahel on õhuke isoleerkiht 17. väljatransistori põhiline erinevus bipolaarsest transistorist on-see et see on
transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada. Väljatransistorid Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt
Väljatransistor- pingega tüüritav, ei tarvita põhimõtteliselt voolu. Liittransistorid: bipolaarne+bipolaarne=Darlington Väljatransistor+bipolaarne=IGBT Väljatransistor+väljatransistor=CMOS Väljundis on alati vool, mis sageli on vaja muuta pingeks. Transistorid toimivad aktiivse skeemielemendina ja võivad signaali toiteallika arvel mõjutada. Ühendamise võimalusi on kolm: 1.Ühise baasiga/paisuga(Uv>Us, faas ei muutu) 2.Ühise emitteriga/lättega (uv>us, iv>is, faasipööre) 3.Ühise kollektoriga/neeluga lüliti Peamised transistorit iseloomustavad parameetrid on: a.) Sisendtakistus (Rs) b.) Vooluvõimendus(iv/is ehk hfe või β (BPT) c.) Pingevõimendus(uv/us ehk Au) d.) Väljundtakistus (Rv) Bipolaarse transistori ehitus: Väli E ainult siirdealas. Korjab vaid siirdealas olevaid laengukandjaid- vähemuslaengukandjate triiv. Vastupingestatud p-n siire. Täiendav päripingega p-n siire.
Võnkering, selle parameetrid ja kasutamine. Võnkeringi sidestamine ja koormuse mõju võimendi selektiivsusele. Kasutatavad seadmed: · Ostsilloskoobi mooduliga PicoScope 2205 varustatud personaalarvuti · Toiteplokk EP-603 · Montaaziplaat, transistor (BC547B), takistid, kondensaatorid, induktiivpool · Ühendus- ja montaazijuhtmed · Tööriistad Töö käik 1. Koostatud võimendi skeem Joonis 1. Ühise emitteriga lülituses resonantsvõimendi Valime ja arvutame koostatava transistorvõimendi parameetrid · Võimendi toitepinge E=9 V · Transistori vooluülekandetegur h21E=300 · Emitteri vaheline küllastuspinge UBE0=0,7 V · Võimendi töösagedus f=60 kHz · Emitteri pinge maa suhtes UE0= 1 V · Kollektorvool =1 mA · Koormustakistus Rk=510 · Signaali sisetakistus Rsig=120
samm-mootor hoidemomendi, mis väldib rootori iseeneslikku liikumahakkamist väliste jõudude toimel. Samm-mootor on numbriliselt juhitav, mistõttu sobib see ideaalselt kokku diskreetsete juhtimis- süsteemidega, näiteks mikroprotsessoriga. Igale impulsile vastab teatud pöördenurk , n impulsile aga pöördenurk = n·. ULN2003 on kõrgpingeline ja kõrge vooluga darlingtontransistor, mis koosneb seitsmest emitteriga dar- lingtoni paarist. Transistori nimivoolu tugevus on 500 mA, kuid see suudab taluda kaa 600 mA voolu. Darlingtontransistor koosneb kahest bipolaarsest transistorist, mis on ühendatud sedasi, et esimesest tran- sistorist tulev vool võimendatakse veelgi enam teise transistori poolt. Kasutatavad komponendid · Samm-mootor M35SP5 Mitsumi · ULN2003APG · Nupp 1 Samm-mootor (stepper) ja ULN2003APG
Teema 3. Pooljuhtseadised M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk. 23...41): - Pooljuhtdiood, tema ehitus. Alaldava siirde tekkimise tingimus. Protsessid pooljuhtdioodis. Pooljuhtdioodi kasutamisala, põhiparameetrid (lk 23...26). - Bipolaartransistor, tema ehitus, pingestamine, protsessid transistorstruktuuris (27...30). - Ühise baasiga ja ühise emitteriga lülituse karakteristikud (30...32). - Bipolaarne liittransistor (33). - Väljatransistorid (p-n siirdega, isoleeritud paisuga), nende ehitus, tööpõhimõte, tunnussuurused (34...37). - Türistorid (dinistorid, trinistorid). Suletav türistor. Sümmeetriline türistor. Türistorite kasutamine jõuelektroonikas (38...41). Käesoleva teksti sisujaotus: 3.1 Pooljuhtmaterjalid 3.2 pn-siire 3.2.1 pn-siire välise pinge puudumisel 3.2
Neliklemmil on kaks sisend ja kaks väljund klemmi. Ühendades kolme elektroodiga transistori neliklemmina (või selle sisse) peab jääma üks transistori elektrood ühiseks nii sisendile kui ka väljnudile. Selleks on kolm võimalust ja vastavalt sellele on ka kasutusel kolm erinevat transistori lülitust: ühise baasiga, ühise emitteriga ja ühise kollektoriga. Nende lülitusete omadused on erinevad, kuid need kõik kolm lülitust on kasutusel. Nimetatud ühine klemm reegline maandatakse (ühendatakse korpusega) ja ühist klemmi vaadeldakse signaali seisukohalt vahelduvvooluliselt. Praktiliselt tähendab see seda, et ühiselektroodi ahelas võib olla toiteallikas, mis on signaalile praktiliselt lühiseks. Ühise baasiga lülitus leiab piiratudkasutamist eelkõige seetõttu, et tema sisend ja väljund takistused on
Milline on sobiv jadamisi ühendatava takisti väärtus, kui toitepinge on 24 V? Milline vool läbib Zener dioodi, kui koormustakisti väärtus on 5 k? (IZmax =6,67 mA; R = 1,35 kR mA; IZ = 3,67 mA Transistorid 7. Bipolaarse npn või pnp transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage emitter, baas ja kollektor, siirded nende vahel, voolud emitterisse, baasi ja kollektorisse). Pingestamine ja voolud ühise emitteriga lülituse korral koos sisend, ülekande ja väljundkarakteristikutega (piisab kõige lihtsamast kollektortakistiga ja baasitakistiga lülitusest). 8. Formeeritud kanaliga n-tüüpi MOSFET transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage läte, neel, kanal, paisuoksiid ja pais, siirded nende vahel lätte ja neelu vool ning pinged lätte ja neelu vahel ning paisule rakendatud pinge). Pingestamine ja voolud ühise lättega lülituse korral koos sisend ja väljundkarakteristikutega.
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid.
Pnp-tüüpi bipolaartransistoril on 2 aukjuhtivuse ja 1 elektronjuhtivusega kihti. Keskmist ala nimetatakse alati baasiks, antud juhul on see elektronjuhtivusega. Emitter ja kollektor on alati baasi otstel, antud juhul aukjuhtivusega. Emitterit läbib kogu kasutatav vool; osa sellest läheb välja baasi kaudu (mis on üldjuhul tüüriv vool) ning osa kollektori kaudu (mis on üldjuhul tüüritav vool). Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab kõrgemaid sagedusi kasutada. Bipolaartransistor on vooluga tüüritav seadis. 37. Mida kujutavad endast bipolaartransistori sisend- ja väljundtunnusjooned? See on staatiline pinge-voolu tunnusjoon
Üks transistor juhib ja teine ei juhi ning sisendsignaal võib nende olekut vahetada. Selliste lülitustega modelleeritakse binaarkood (0 ja 1). Dioodide ja transistorite sagedamini kasutatav materjal oli varem germaanium, kaasajal räni. Viimasel ajal leiab enam kasutamist ka galliumarseniid. 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus:
Pilet 10. 1. Wien'i sild 2. TTL loogika ja 2NING-EI 3. Flash ADM 4. 1 f. "0" alaldi 5. emitterijärgija 1. faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku3->Rts/Ro2. Siinuse generaator. 10pdf 2. TTL: „0”-0..0,4V „1”-2,4-5V arvutustehnikas kasutusel, hea koormatavus; mitme emitteriga trans baasi ahelas asendab DTL-s dioode, kui kas või üks em maas, siis baasi vool maha 3NAND. TTL aeglane: 10ns ümberlülitus. TTLS-kiirem. T1 asemel mitu BT-i mis võivad küllastuda, so hakata aeglaselt ümber lülituma 12pdf 3. kiireim ja lihtne, kallis sest head komparaatorid kallid ja vaja palju, 3 järgu jaoks vaja 7-t. 2kordse integreerimisega. 14pdf 4. suured voolud madalad pinged. Mähkida sekundaarmähis kahe traadiga korraga. Sekund- mähisel keskelt väljavõte
Transistori olulised parameetrid ·Ucemax ehk maksimaalne tööpinge ·Ic max ehk maksimaalne töövool ·Kanali takistus (väljatransistoridel) ·Beeta (h21e) ehk vooluvõimendus (sisend- ja väljundvoolude suhe) dünaamiline · B (h21E) sama alalisreziimis ·Piirsagedus kui vooluvõimendus=1 (ÜE lülitus) ·Sügis 2010 korpuse Praktilise elektroonika loeng ja ehituse iseärasused 27 Standardlülitused · Ühise emitteriga (tavaline lülitus) · Ühise baasiga · Ühise kollektoriga (emitterjärgur) Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 28 ÜE lülitus · pinge ja vooluvõimendus hea · väljund vastandfaasis sisendiga Sügis 2010 Praktilise elektroonika loeng 29 ÜB-lülitus · rohkem kõrgsagedusskeemides · MS siis kui vaja eriti madalat sisendtakistust (helipea) · KS skeemides kuna
JOONIS2 stabiilse voolu generaator. =mitteinv Rts=Rt, It=Usis/R. kombinatsiooniga. URt=RtIt 4. TTL: ,,0"-0..0,4V ,,1"-2,4-5V arvutustehnikas kasutusel, hea koormatavus; mitme emitteriga trans baasi ahelas asendab DTL-s dioode, kui kas või üks em maas, siis baasi vool maha 3NAND. TTL aeglane: 10ns ümberlülitus. TTLS-kiirem. T1 asemel
TRANSfer-resISTOR Täis(2)väiksema pulsatsiooniga ja sild(4) on sama pulsatsiooniga, pool(1) kõige suurema , Võimendamine. Kuidas miks. Omi seadus Uus osa... Transistori kolm lülitust JOONISED 1,2,3 ja See alumine jublakas N-P-N E K B Realsed joonised 1. Küsi Dan-ilt. Selle all olevad Isis= IE Usis = UEB Uvälj = UCB Ivälj = IC Küsi Danilt pilt # Suur pinge võimendus #Väikes mittelineaar moonutus #Suur sisendtakistus #Väike välkjundtakistus Ühise emitteriga lülitus Omadused ¤ Suur astme sisendtakistus. Ideaalne võimsus võimendamiseks Väljund takistus oluliselt väiksem Ühise kollektoriga lülitus n-p-n baasil vaatame seda. ISIS= IB IVÄLJ = IE UVÄLJ = UCE USIS = UBE Omadused¤ · Ühise kollektoriga ühendus on emitter järgur · Omab suurt vooluvõimenuds tegurit · Sisend takistus on väga suur ja väljund takistus väga väike · Sobitus astmed Teine konspektis on olemas Transistori staatilised tunnusjooned
elektronide asemel augud, p-n-p transistoriga lülitus on toodud joonisel 6.4. JOONIS 6.4. 6.3. Transistori kolm lülitust. Kuna transistoril on kolm elektroodi, siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks elektrood olema ühine sisendile ja väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on ühine elektrood, on olemas ühise baasiga (CB - Common Base), ühise emitteriga (CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (CC - Common Colkctor) lülitused.. Kuna enamasti ühine elektrood maandatakse, siis nimetatakse neid lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad, vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispingeallikad on signaalile s.o.
Optron koosneb ühest valgusdioodist, millele rakendatakse sisendsignaal ja ühest fotodioodist, millelt saadakse väljundsignaal [vaata | 12. Bipolaarse transi ehitus ja tööpõhimõte. muuda] pnp- või npn-transi ehitus, vooluallikate ühendamine ja polaarsused, transi sisend- ja väljundvool ühise emitteriga lülituses. Seos emitteri-, baasi- ja kollektorivoolu vahel. Volude suunad ja laengute liikumine transis. Kollektorivoolu tüürimine baasivooluga, emitterivoolu ülekandetegur ja baasivoolu võimendustegur. Bipolaarse transi sisend- ja väljundtunnusjooned. Bipolaarne transistor tähendab seda, et temas on kasutusel kaht liiki laengukandjad (elektronid ja augud). Transistori ehitus: Bipolaarsete transistoride võimendus tuleneb siirete omavahelisest mõjust, mis
Erinevuseks on vaid see, et emitterist baasi liikuvateks laengukandjateks on elektronide asemel augud ja pingeallikate polaarsused peavad olema vastupidised. 4.4. Transistori kolm lülitust. Kuna transistoril on kolm elektroodi, siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks elektrood olema ühine sisendile ja väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on ühine elektrood, on olemas ühise baasiga (CB - Common Base), ühise emitteriga (CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (CC - Common Colkctor) lülitused,. Kuna enamasti ühine elektrood maandatakse, siis nimetatakse neid lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad. Vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispinge-allikad on signaalile s.o
Erinevuseks on vaid see, et emitterist baasi liikuvateks laengukandjateks on elektronide asemel augud ja pingeallikate polaarsused peavad olema vastupidised. 4.4. Transistori kolm lülitust. Kuna transistoril on kolm elektroodi, siis töötades võimendina, millel on neli klemmi (2 sisend- ja 2 väljundklemmi), toiteklemme arvestamata, peab üks elektrood olema ühine sisendile ja väljundile. Sõltuvalt sellest, milline on ühine elektrood, on olemas ühise baasiga (CB - Common Base), ühise emitteriga (CE - Common Emitter) ja ühise kollektoriga (CC - Common Colkctor) lülitused,. Kuna enamasti ühine elektrood maandatakse, siis nimetatakse neid lülitusi mõnikord ka maandatud baasiga, maandatud emitteriga ja maandatud kollektoriga lülitusteks. Tingituna sellest, et erinevate lülituste omadused on erinevad. Vaatleme neid eraldi täpsemalt. Kõikide nende lülituste vaatlemisel tuleb meeles pidada, et lülituses olevad alalispinge-allikad on signaalile s.o
Seos f β ≈ 1,2(1−α )f α Transistori sisendtakistus – sisendpinge vahelduvkomponendi ja sisendelektroodi voolu vahelduvkomponendi suhe (sisendsignaali allika koormamist iseloomustav suurus); Transistori väljundtakistus – kollektorpinge vahelduvkomponendi ja kollektorvoolu vahelduvkomponendi suhe lahtise sisendelektroodi korral. 46. Transistoride lülitusviisid. Skeemi visandamine. Ühise baasiga lülitus; Ühise emitteriga lülitus; Ühise kollektoriga lülitus 47. pn- väljatransistor, tööpõhimõte, tunnusjooned. pn-väljatransistori moodustab tavaliselt n-juhtivusega pooljuhist kanal, sest elektronid on märksa suurema liikuvusega kui augud. Toodetakse nii n- kui p-kanaliga pn-väljatransistore. Õhukese kanali mõlemale poolele on difundeerimisega tekitatud p-juhtivusega alad. Kanali laius (risti joonise pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega
vaadeldav tagasiside on voolu tagasiside. Sisendpinge suurenemisel suureneb väljunvool ja tagaside pinge, järelikult on tegemist negatiivse tagasisidega. Ja sisendpinge ja tagasiside pinge liituvad järjestikuliselt, järelikult on tegemist järjestikulise tagasisidega Joonis 1.44. kui anda tagasiside pinget kolektorit läbi takistuse R1 ja R2 baasile tekib meil pinge tagasiside, ka see on negatiivne tagasiside, sest ühise emitteriga sisend ja väljundsignaal on alati vastasfaasis lülitus on paraleelse tagasisie lülitus kuna tagasiside pinge liituvad paraleelselt. Emitterjärgur Joonis 1.46 Emitterjärgur on 100% negatiivse tagasisidega võimendus aste, mis on saanud oma nime sellest, et tema väljundpinge järgib sisendpinge muutusi, täpsemalt väljundpinge on emittersiirde pingelangu võrra sisendpinge võrra väiksem, seetähendab et pingevõimendus on väiksem kui üks
* P o s . im p u ls i ü l a lt p iir a m in e * S is e n d ja v ä lju n d p in g e d ia g r a m m id sisendimpulsi keskosa. E01 E02 2. Võimendavad piirikud Ühe emitteriga lülituses transistoriga võimendav piirik Kui baasivool ib = 0 või ik R k positiivne, siis on pnp-tüüpi
C rsis ( B ) C C = C= C R K Rt ; C + C Sageduse f0 arvutamiseks 120 Induktiivne kolmpunktskeem (Hartley skeem) Kahe sektsiooni Lb ja LK ühine punkt on läbi toiteallika ühendatud emitteriga. Tagasiside induktiivsuse Lb ja LK vahel toimub vastastikuse induktiivsuse M kaudu. Et pinge hetkväärtused poolidel Lb ja LK on ühise punkti suhtes vastasmärgilised (faasinihe 1800), siis tagasiside on positiivne ja faaside tasakaalu tingimus täidetakse. Püsivõnkesageduse arvutamiseks: L = Lb + LK . RC generator
sisend signaali suurenedes, suureneb väljundvool ja sellega koos ka tagasiside pinge. See tagasiside on järjestikune tagasiside sest sisend pinge tagasside ja transistori sisendpinge toimivad järjestikuliselt. Joonis 2.6.4 Tagasidet on võimalik teostada ka teisiti vaadeldava lülituse tagasiside on pinge tagasside kuna tagasiside pinge on võrdeline väljundpingega. Tagassife tugevus aga sõltub takistuste Rts ja R1 suhtes. Tagasiside on negatiivne tagasiside sest ühise emitteriga lülituse võimendus astme väljundpinge on sisendpingega vastasfaasis ja samuti sisendpingega vastasfaasis väljundsi võetav tagasiside pinge. See on tagasiside on paralleelne tagasiside sest sisendpinge ja tagasiside pinge liituvad paralleelselt. Joonis 2.6.5 Emitterjärgur on 100% tagasisidega võimendus aste sest kogu tema väljund pinge mis saadakse takistuselt Re toimib tagasiside pingena. Tema võimendustegur on
generaatori skeemi lahenduse valikul: · paisuahela minimaalsed parasiitinduktiivsused, st lühikesed (lühemad kui 10 cm) ühendusjuhtmed paisu ja juhtlülituse ning emitteri vahel; minimaalne arv seadiseid vastavalt joonisele 3.20, · emitteri parasiitinduktiivsusest tingitud koormusvoolu ja juhtpinge vahelise sidestuse vältimine; juhtmooduli maanduse ühendamine emitteriga, · maaühenduskontuuride vältimine, · paisu ja kollektori vahelise trafo-ja kondensaatorsidestuse vältimine (mitte kasutada paralleelseid juhtmeid kriitilistes piirkondades; varjestatud piirkondade ühildamine). Need nõuded kerkivad esile ka isoleeritud neutraaliga toitevõrgu korral (st juhtlülitusega integreeritud lülititalitluses toiteahel) ja kõikide teiste jõutransistoride potentsiaalil olevate lülituste puhul.
annaabi.ee 
