Resonantsvõimendi (2)

Sarnased õppematerjalid

4

docx

Skeemitehnika 3.labori aruanne - Resonantsvõimendi

TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL Raadio- ja sidetehnika instituut Laboratoorse töö: Resonantsvõimendi Praktikum nr 3 aines Raadiosageduslik skeemitehnika ARUANNE Täitja(d): Töö tehtud: 19.märts 2012 Aruanne esitatud: märts 2012 Aruanne tagastatud Aruanne kaitstud ...................................... (juhendaja allkiri)

Skeemitehnika

3

docx

Laboratoorne töö: „Transistorvõimendi“

Pingevõimendustegur ku Usis=5 mV Uväljund=258 mV Sisend- ja väljundtakistused Rsis, Rv R=1,8 k Uv*=287,4mV Rk1=4,3 k Rk2=39 k Võimsusvõimendustegur kp Amplituudkarakteristik ja logaritmiline ASK graafikuna Joonis 2. Amplituudkarakteristik. Joonis 3. Logaritmiline ASK. Järeldused Praktikumis tutvusime bipiolaartransistoriga ja selle kasutusvõimalusega võimendi skeemis. Meie koostatud võimendi pingevõimengustegur oli ligikaudu 50 korda. Järelikult,võimendit saame kasutada kohtades, kus on vaja saada sisendpingest 50 korda suuremaid väljundpingeid.

Skeemitehnika

6

doc

Skeemitehnika labor 3 aruanne

..................................... (juhendaja allkiri) Tallinn 2011  1. Töö eesmärk: Lihtsa selektiivvõimendi ehituse, koostamise ja tööpõhimõttega tutvumine. Skeemi tööreziim, selle arvutamine. Skeemi montaaz makettplaadil, parameetrid ja nende mõõtmine. Võnkering, selle parameetrid ja kasutamine. Võnkeringi sidestamine ja koormuse mõju võimendi selektiivsusele. 2. Kasutatavad seadmed: 1. Ostsilloskoobi mooduliga PicoScope 2205 varustatud personaalarvuti. 2. Toiteplokk EP-603 3. Montaaziplaat, transistor (BC547B), takistid, kondensaatorid, induktiivpool 4. Ühendus- ja montaazijuhtmed 5. Tööriistad 3. Arvutuste lähteandmed E, UE0 ja IK0. E=10V UE0=2V IK0=1mA  4. Koostatud võimendi skeem koos elementide RB1, RB2, RE, CB, CE, CK, C ja L väärtustega. Joonis 1. LT Spice mudel resonantsvõimendist. Tabel 1

Raadiosageduslik skeemitehnika

4

doc

Kaheastmelise transistorvõimendi modelleerimine arvutil.

.................... ...................................... Töö eesmärk: Tutvumine lihtsamate praktikas kasutatavate transistorvõimendusastmete skeemide, nende arvutamise, sidestamise ning numbrilise modelleerimisega. Töö käik: 1. Koostasime kaheastmelise transistorvõimendi (vt joonis 1) põhimõtteskeemi arvutil programmiga LTspice IV'is Joonis 1. Kaheastmelise Transistorvõimendi põhimõtteskeem 2. Võimendi toitepingeks E valisime 8 V. 3. Võimendi kollektortakisti R3 ja R7 arvutasime alljärgnevalt: E - U C 0 8 - 5,34 R3 = R7 = = = 1330 Ic 0,002 4. Emittertakisti R4 ja R8 väärtuse arvutasime järgmiselt: U 1,5 R4 = R8 = E 0 = = 750 Ic 0,002 5

Skeemitehnika

197

pdf

Elektroonika

III tase .............. triger, kombinatsioonloogika lihtsamad lülitused IV tase ............... loendurid, registrid. Montaazi areng: Plekist sassii peale monteeritud elemendid. Trükkplaatidel THT - through hole technology Pindmontaaz SMT - surface mount tecnology 12 Elektroonika komponendid. I elemendibaasi tase Passiivsed elemendid: R, C, L, trafo Aktiivelemendid saab teha võimendi Transistor. Diood passiivelement? aktiivelement? Lineaarsed või mittelineaarsed? VAK järgi! VAK volt-amper-karakteristik Transistor, diood ­ kõik mittelineaarsed! Võib kasutada lineaarses reziimis. Transistor Diood 13 2. Elektroonika passiivsed komponendid Takisti (resistor) ­ on elektriahela element, mille tähtsaim tunnussuurus on elektriline takistus.

Elektroonika ja it

32

doc

Skeemitehnika konspekt

1. Skeemitehniliste mõõtühikute U, I, R ja P tabelikujul. kesk, tipp ja tipp-tipp ja anda efektiiv väärtuste vahelised suurused tabelikujul. Ostsillograafil on 4 ruutu, tundlikus on 2V ruudule. Kui palju näitab magnet- elektrilise osutsakaalga mõõduriist pinget? 2. Koostada järjestik pingejagur 3 erineva jagamisteguriga, väljund pingete saamiseks valida sisendpinge, arvutadatakistite suurused ja võimsus, näidatasuurused skeemil. 3. dB võimendi sisendvõimsus on 10 mW, võimendi tegur on 40 dB. Leida väljundvõimsus. 4. Koostada diferentseeriva lüli 2 elektrilist skeemi, anda kummagi kohta ajakonstandi ja diferentseerimistingimuste valemid. Valida sisendpingete ristkülikulisel kujul ja anda väljundpingete 5 erinevat kuju /ti suurused ja kujud. Parasiitmahtuvuse mõju väljundis ja alumise astme sisetakistuse mõju diferentseerivale lülile. 5

Telekommunikatsionni alused

42

doc

Raadiovastuvõtuseadmed

d) Displeiseade (nt: kineskoop) MS-võimendite liigitus: 1) käsitletava sagedusspektri järgi 2) signaali kuju järgi a) helisagedus- b) videosagedus- kasut TV-vastuvõtjates kujutise signaali võimendamiseks c) alalispinge võimendi – võimendavad pikaajalisi pinge impulsse, mida kasutatakse automaatika, telemehhaanika ja telemeetriaseadmetes. 6. Toiteseade Varustab VV lülitusskeemi vajalike toitepingetega. Elektrivõrgust toite puhul sisaldab toiteplokk olenevalt tööpõhimõttest toitetrafo vajaliku suurusega vahelduvpingete saamiseks. Need pinged alaldatakse, alaldatud

Raadiovastuvõtuseadmed

59

pdf

Analoogelektroonika lülitused

- Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid. Käesoleva teksti sisujaotus: 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid 6.2 Võimendusastmed bipolaartransistori baasil 6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija 6.2.3 ÜB-lülituses transistor 6.2.4 Transistori tööpunkt ja koormussirge 6.3 Võimendusastmete vaheline sidestus 6.3.1 RC-sidestus e

Elektroonika alused

Meedia

Kommentaarid (2)