Aadress: Kalamaja tee-1 Sindi Linn (Sindi paisu juures) Ettevõtte andmed Tel: 44 74 347, 55 984 204 Töötajaid 1-5: Administraator, kokk, baaridaam ja koristaja Ettevõtte sihtrühm: Igas vanuses kliendid Ettevõte pakub Majutus (külalistemaja ja saunamaja) Toitlustus Forellipüük Peoruumid ja konverentsisaal Sauna rent Külalistemaja- ühe ja kahesed toad Saunamaja Vaatega Sindi paisule Õlgkatusega palkmaja mahutab kuni 30 inimest Eesruum sobib väiksemateks seminarideks, pulmapidudeks ja sünnipäevadeks Ööbimisvõimalus Saunamaja Saun, WC Esimesel korrusel kaminasaal 25-30 inimesele Teisel korrusel saal 25-30 inimesele 4 tuba, igas toas 2 magamiskohta ja rõdu Forellipüük Kõik forellid on võimalik ise püüda,
Kavandatava tegevuse eesmärgiks on Are jõel asuva Pärivere paisu avamine ning veevoolu taastamine algsel kõrgusel ja voolusängi hüdromorfoloogia taastamine ligilähedaselt originaalse asukohaga kärestikuna, mis võimaldab taastuda jõe looduslikul ökosüsteemil võimaldades muuhulgas kalade looduslikku rännet. Reaalsete alternatiivsete võimaluste lühikirjeldused Alternatiiv 1. kohaselt ei likvideerita pais vaid muudetakse see kaladele läbipääsevaks. Paisule ehitatakse kalade läbipääs. Alternatiiv 2. kohaselt toimub veevoolu ja jõesängi taastamine algsel kõrgusel kogu paisu rajamise käigus rikutud lõigul koos algsele sarnase sängi morfoloogiaga ja ligilähedaselt originaalse asukohaga. Antud alternatiiv näeb ette kõigi paisu rajatise täielikku likvideerimist. Kavandatava tegevuse ja selle alternatiividega kaasnev keskkonnamõju Tegevuste kavandamisel tuleks arvestada, kas tagajärjed on keskkonnale positiivse mõjuga
keskkonna kompleksluba alles siis, kui laudas on üle 400 lehma või 800 mullika. Siiani kehtis piir 300. 19.September: Kuressaare prügimäest sai puhkeala Saaremaal avati Kudjape endise prügila asemel puhkeala. Kudjape prügila kattekiht rajati prügilademetest väljasõelutud pinnasest ning tänaseks on endisest prügilast saanud kõrghaljastatud ja terviseradadega kaetud vaba aja veetmise keskus. 20.September: Keskkonnaamet Sindi paisule hüdroelektrijaama ei luba Üle kümne aasta olid kestnud vaidlused selle üle, kas omanik saab Sindi paisul hakata hüdroenergiat tootma või mitte. Nüüd ütles Keskkonnaamet esimest korda välja, et elektrit paisul toota ei saa, sest hüdroenergia tootmine võib vaatamata kalapääsude rajamisele siiski kalastikule negatiivselt mõjuda. 22.September: Nõmmel tähistati autovaba päeva Keskkonnasõbraliku liikumise kuu raames peeti
Tuntuimad templid olid Teeba linna lähedal asuvad Luksori ja Karnaki templid (ehitatud 16.-14. saj. e. Kr.). Templid moodustavad terve kompleksi. Mõned on hiigelsuured Amoni templi sammassaalis (Karnakis) on 134 sammast. Võimas on ka Ramses II ajal (13. saj. e. Kr.) ehitatud Ramasseum. Oli ka kaljutempleid. Tuntuim on Ramses II ajast Niiluse ääres olev Abu Simbel. Selle ees on neli 20 m kõrgust Ramses II kuju. 1960. aastail tõsteti tempel 64 m kõrgemale, et ei jääks Assuani paisule ette. Egiptuse arhitektuuri üldilme masendav suurejoonelisus. II Kujutav kunst Egiptusele on iseloomulik nn pinnakunst madal ja värviline reljeef. Pinnakunst kattis templite ja hauakambrite seinu, samuti sambaid. Pinnakunstile on iseloomulik: * tähtsamad inimesed on kujutatud suurematena * perspektiivi ei tunta, tagapool olevad esemed ja inimesed on paigutatud üles * reljeefide osaks on alati hieroglüüfid
heligeneraatorist G vahelduvpinge. Magneti pooluste vahel olevale keele osale, mida läbib helisageduslik vahelduvvool, mõjub perioodiliselt Ampere´i jõud. Selle jõu sagedus on võrdne vahelduvvoolu sagedusega. Kui sundiva jõu sagedus saab võrdseks ühega omasagedustest f n , siis tekivad keelel märgatava amplituudiga võnkumised. Seejuures on vaja, et jõu mõjumiskoht ei langeks kokku sõlmega, vaid oleks võimalikult lähedal paisule. Valemi (4) kehtivuse kontrollimiseks on uuritava keele üks ots kinnitatud jäigalt (joonis 2). Teises, üle ploki pandud otsas, on alus koormiste jaoks, millega pingutatakse keelt. Seega jäävad antud katses suurused ρ , S ja l muutumatuks ning muutused on 2 πd
pooluste vahele ja tema otstele antakse heligeneraatorist G vahelduvpinge. Magneti pooluste vahel olevale keele osale, mida läbib helisageduslik vahelduvvool, mõjub perioodiliselt muutuv Ampere'i jõud. Selle jõu sagedus on võrdne vahelduvvoolu sagedusega. Kui sundiva jõu sagedus saab võrseks ühega omasagedustest , siis tekivad keelel märgatava amplituudiga võnkumised. Seejuures on vaja. et jõu mõjumiskoht ei langeks kokku sõlmega, vaid oleks võimalikult lähedal paisule. Valemi kehtivuse kontrollimiseks on uuritava keele üks ots kinnitatud jäigalt. Teises, üle ploki pandud otsas, on alus koormiste jaoks, millega pingutataksekeelt. Seega jäävad antud katsea suuruaed , S ja l muutumatuteks ning f muutused on tingitud ainult keelt pinguta jõu F muutustest. Kuna F P= mg ja S= d2 /4 (d on keele läbimõõt), aiis võib valemi esitada kujuls Töö käik: 1. Lülitage sisse heligeneraator (vt. Juhist töökohal). 2
Teema 3 Pooljuhtseadised 30 Kõrglegeeritud lätte ja neelu osa vahel puudub juhtiv kanal. Kui n-kanaliga MOSFET-i paisu ja lätte vahele rakendada positiivne pinge, mis ületab lävipinged, rikastub siiretevaheline ala elektronidega. Paisu alla tekib n-juhtivusega pooljuht ehk n-kanal. Kirjeldatud protsess (nn rikastustalitlus) hakkab toimuma alates kindlast lävipingest UGS(th). Mida suurem positiivne pinge paisule rakendub, seda väiksemaks muutub transistori neelu ja lätte vaheline takistus. Pinget võib tõsta ainult teatud väärtuseni, et ei tekiks läbilööki paisu ja n-kanali vahel. a) Formeeritava kanaliga MOP-struktuur b) Indutseeritava kanaliga MOP-struktuur Joonis 3.24. Formeeritava (a) ja indutseeritava kanaliga (b) MOP-struktuurid [Pikkov]. Indutseeritava kanaliga transistori paisu juures on siin kujutatud eelpingestusele viitav
siirded nende vahel, voolud emitterisse, baasi ja kollektorisse). Pingestamine ja voolud ühise emitteriga lülituse korral koos sisend, ülekande ja väljundkarakteristikutega (piisab kõige lihtsamast kollektortakistiga ja baasitakistiga lülitusest). 8. Formeeritud kanaliga n-tüüpi MOSFET transistori ehitus ja tööpõhimõte (s.t. joonistage läte, neel, kanal, paisuoksiid ja pais, siirded nende vahel lätte ja neelu vool ning pinged lätte ja neelu vahel ning paisule rakendatud pinge). Pingestamine ja voolud ühise lättega lülituse korral koos sisend ja väljundkarakteristikutega. Operatsioonivõimendid. Vool operatsioonivõimendi kumbagi sisendisse on ligikaudu null, pinge mõlemas sisendis on võrdne ja ülejäänud voolud ning pinged sõltuvad konfiguratsioonist. 9. Inverteeriva sisendiga võimendi (joonis ja voolud ning pinged eri osades tuleb ka kirjutada loomulikult koos võimendi enda parameetritega ehk võimendus, sisend ja väljundtakistus)
vahelduvpinge. Magneti pooluste vahel olevale keele osale, mida läbib helisageduslik vahelduvvool, mõjub perioodiliselt Ampere´i jõud. Selle jõu sagedus on võrdne vahelduvvoolu sagedusega. Kui sundiva jõu sagedus saab võrdseks ühega omasagedustest , siis tekivad keelel märgatava amplituudiga võnkumised. Seejuures on vaja, et jõu mõjumiskoht ei langeks kokku sõlmega, vaid oleks võimalikult lähedal paisule. Valemi (4) kehtivuse kontrollimiseks on uuritava keele üks ots kinnitatud jäigalt. Teises, üle ploki pandud otsas, on alus koormiste jaoks, millega pingutatakse keelt. Seega jäävad antud katses suurused , S ja l muutumatuks ning fn muutused on tingitud ainult keelt d 2 S= pingutava jõu F muutustest. Kuna F = P = mg ja 4 (d on keele läbimõõt), siis võib
12. Mida nimetatakse pooljuhi omajuhtivuseks,e. i-juhtivuseks? Lk 88 Kui pooljuhis on vabade elektronide arv võrdne aukude arvuga. 13. Mida nimetatakse n-juhtivuseks?lk 91 n-tüüpi pooljuhis on vabade elektronide arv (kontsentratsioon) suurem kui aukude arv ja seepärast on vabad elektronid põhilisteks voolukandjateks. n-pooljuhi pinnale on kasvatatud 0,1m paksune dielektriku kiht ja sellele kantud metallikiht, mis toimib paisuna. Kui rakendada n-kanaliga transistori paisule näiteks negatiivne pinge siis tõukab selle tekitatud elektriväli laengukandjaid - elektrone - kanalist välja seda enam, mida negatiivsem on paisule rakendatud pinge. Vastavalt laengukandjate vähenemisele nõrgeneb kanalit neelu ja lätte vahele rakendatava pinge mõjul ka läbiv vool. Niisuguses reziimis töötavat transistorit nimetatakse laengukandjavaeses e. vaesestusreziimis (inglise depletion-mode-transistor) töötavaks transistoriks. 14. Mida nimetatakse p-juhtivuseks?lk 91
n+-piirkonda, kuid juhtivat n-kanalit nende vahele ei tehta. Kahe n+-piirkonna vaheline ränikristalli pind kaetakse oksiidikihiga, mis omakorda kaetakse õhukese alumiiniumikihiga, tekib pais. Juhul kui paisul pinge puudub, on struktuuris kaks vastupingestatud dioodi (pn+-siiret). P-aluskristallis on positiivsed laengukandjad – augud – ülekaalus, kuid seal leidub ka negatiivseid laengukandjaid – elektrone. Teatavasti samanimelised laengud tõukuvad ja erinimelised tõmbuvad. Kui paisule pinget ei rakendata või teda negatiivselt pingestatakse, siis tõmbuvad paisu poole just augud kui vastandmärgilised laengud. Seega kasvab kahe n+ala vaheline takistus veelgi. Transistor on täielikult sulgunud. Rakendades paisule positiivse pinge, hakkavad positiivsed laengud alumiiniumelektroodi pinnal p-juhtivusega pooljuhis tõmbama enese poole väheseid negatiivseid laenguid ja kõik augud surutakse paisust võimalikult kaugele. Sellega tekib paisu alla n-juhtivusega pooljuht ehk n-kanal
otstest lähtuvad elektroodid läte (Source) ja neel (Drain). Pooljuhtplaadi ühel küljel on moodustatud vastupidise juhtivusega ala, mida nimetatakse paisuks. Kanali ja paisu vahel kujuneb laengukandjaist vaene ja seetõttu suure takistusega pn-siire. Siirde laius kasvab teatavasti koos sellele rakendatava vastupingega. Et väljatransistoris on pais legeeritud palju tugevamini kui kanal ja et kanal on väga õhuke (mõni kuni mõnikümmend mikormeetrit), siis p-tüüpi paisule kanali suhtes negatiivse pinge andmisel laieneb siire kanalisse. järelikult kanali voolu läbilaskev ristlõige väheneb. Kui rakendada n-kalali korral neelule positiivne pinge, saabki negatiivse paisupinge muutmisega tüürida kanalit läbivate elektronide arvu, seega neeluvoolu. Siirde laius kasvab neelus suunas, sest kanalit läbiva voolu tekitatud pingelang tõstab neelupoolses kanaliosas siirde vastupinget. Neeluvool on suurm, kui paisu ja lätte vahel pinget pole
1. JOONIS 5.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin, tekib paisu ja kanali vahel P-N-siire ja tõkkekiht. Sellise P-N-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda laiem on tõkkekiht ja seda kitsamaks jääb juhtiv kanal (väheneb kanali juhtivus) ja nii hakkabki väljatransistori neelu vool sõltuma paisule antavast vastupingest. Paisuahelas tekitatud vahelduvpinge muutused aga põhjustavad ka väljundvoolu muutusi. Praktiliselt on kanali pikkuseks umbes 1 m ja laiuseks 0,5 m , paksus aga kujundatakse sõltuvalt voolust. Oluliseks iseärasuseks on see. et, paisutsoonide juhtivus on suurem kui kanali juhtivus (suurem laengukandjate kontsentratsioon). Sellega saadakse tõkkekihi suurem laienemine 62 kanali poole , ja paisu pinge tugevam tüüriv toime. Ka tuleb arvestada, et tõkkekiht ehk
joonisel 5.1. JOONIS 5.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin, tekib paisu ja kanali vahel P-N-siire ja tõkkekiht. Sellise P-N-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda laiem on tõkkekiht ja seda kitsamaks jääb juhtiv kanal (väheneb kanali juhtivus) ja nii hakkabki väljatransistori neelu vool sõltuma paisule antavast vastupingest. Paisuahelas tekitatud vahelduvpinge muutused aga põhjustavad ka väljundvoolu muutusi. Praktiliselt on kanali pikkuseks umbes 1 m ja laiuseks 0,5 m , paksus aga kujundatakse sõltuvalt voolust. Oluliseks iseärasuseks on see. et, paisutsoonide juhtivus on suurem kui kanali juhtivus (suurem laengukandjate kontsentratsioon). Sellega saadakse tõkkekihi suurem laienemine kanali poole , ja paisu pinge tugevam tüüriv toime
I BA kus IBA baasivool valitud tööpunktis. Teisel juhul leitakse sisendtunnusjoontelt vajalik baasi ja emitterivaheline pinge, ning arvutatakse takistused R1 ja R2 sobiva suhtega, kusjuures Ipj>>IB. Viimane nõue tuleneb sellest, et kui need voolud on lähedased, siis hakkab baasipinge muutuma koos sisendvoolu muutustega. Väljatransistori korral tuleb tööpunkt fikseerida alalispinge andmisega paisule, sest väljatransistor on pingega tüüritava element. Seejuures sõltuvalt kasutatava transistori tüübist võib vajalik tööpunkti määrav paisu ja lättevaheline pinge olla kas negatiivne või positiivne. Samuti sõltub eelpinge polaarsus kasutatava transistori kanali juhtivusest. ÜB lülituse korral tuleb tagada, et emittersiire oleks VT RC pingestatud sobival määral pärisuunas ja kollektorsiire vastusuunas
Või Ws = (0,03-0,05) Wo, kus Wo – keskmine äravoolu maht. 30. Veemajandusarvutused. Tabelarvutusmeetod ja integraalkõvera kasutamine reguleerimisarvutustel. Tabelarvutusmeetod Veebilansi võrrand: Integraalkõvera kasutamine Vt. punkt 28. 1. Nõuded veekogu paisutamise ja veetaseme alandamise kohta (määrus, veeerikasutusluba) Vt loeng VII 2. Surveehitisele mõjuvad jõud ja nende liigitus. Paisule mõjuvad põhijõud • Surveehitise projekteerimisel tuleb teada ehitisele mõjuvat jõudu, suurust ja suunda. Jõud jagatakse kahte gruppi: • Põhijõud – ehitise omakaal – kõik ehitisele mõjuvad hüdrostaatilised mõjujõud ka laine ja jääjõud – paisu ette veekogu põhja kogunevate setete rõhujõud ehk setete rõhujõud – tuulejõud – lume koormus • erijõud – territooriumi seismilised jõud
Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 7.1. JOONIS 7.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin tekib paisu ja kanali vahel p-n-siire ja tõkkekiht. Sellise p-n-siirdega väljatransistori töötamiseks on vaja siirdele anda vastupinge. Mida suurem on vastupinge, seda laiem on tõkkekiht ja seda kitsamaks jääb juhtiv kanal ja nii hakkabki väljatransistori neeluvool sõltuma paisule antavast vastupingest. Paisuahelas tekitatud vahelduvpinge muutused aga põhjustavad ka väljundvoolu muutusi. Praktiliselt on kanali pikkuseks umbes 1 um ja laiuseks 0.5 um. paksus aga kujundatakse sõltuvalt voolust. Oluliseks iseärasuseks on see. et paisutsoonide juhtivus on suurem kui kanali juhtivus (laengukandjate kontsentratsioon). Sellega saadakse tõkkekihi suurem laienemine kanali poole, ja ELEKTROONIKAKOMPONENDID IL 55
valmistamine on kõige lihtsam. Selline transistor võtab väga vähe ruumi, mille tulemusel saadakse integraallülituses kõrge integratsiooniaste. MOP transistore kasutatakse ka takistina, mistõttu integraallülituse organiseerimiseks ei ole vaja muid elemente kui ainult MOP transistore. 4.5 n-MOP loogika Joonisel on inverteri skeem n kanaliga väljatransistoridel. Ülemine transistor töötab takistina mille takistus sõltub paisule antavast pingest. Kui sisendis X on loogiline üks, siis on alumises transistoris kanal, mis tõttu tema takistus on väike ja väljundis on loogiline null. Kui sisendis on null, siis alumises transistoris kanal puudub, tema takistus on lõpmata suur ja väljundis on loogiline üks. 4.6 Komplementaarne MOP loogika Joonisel on inverter. Üks ja sama sisendpinge mõjub erineva kanaliga transistoridele erinevalt. Kui anda sisendisse loogiline üks, siis alumises transistoris tekib kanal,
Teema 3 Pooljuhtseadised 24 Võimendusreziimis peab ka siin lähtetööpunkt paiknema väljundtunnusjoonte sirges osas. Selleks on vaja, et neelupinge UDS >3...5V, kuna siis on neeluvool ID määratud üksnes paisupingega UGS. Lähtetööpunkti eelpingestamise viis oleneb väljatransistori puhul transistori liigist (pn- siirdega, formeeritud paisuga ja indutseeritud paisuga väljatransistor). pn-siirdega väljatransistori neelule ja paisule tuleb rakendada vastandpolaarsed pinged. Et seda tüüpi väljatransistori parameetrid sõltuvad temperatuurist vähe (neeluvool temperatuuri tõustes väheneb ülimalt 3% 10° kohta), siis võib kasutada lihtsaimat automaatse eelpingestuse lülitust takisti RS abil, nagu elektronlambi puhul seda katoodtakistiga tehakse (joonis 6.7 a). Siis osutub nkanaliga transistoris pais lättest negatiivsemaks: paisul on takisti RG kaudu üldjuhtme potentsiaal, kuid läte on
Pinddioodidel aga on p-n siirde pindala tõkkekihi paksusest palju suurem. Pooljuhtdioodi tunnusjooneks loetakse dioodi läbiva voolu sõltuvust temale rakendatud pingest. Tihti nimetatakse seda tunnusjoont ka dioodi volt-amper karakteristikuks. 2. Formeeritud kanaliga MOSFET Antud juhul on p tüüpi alusele tekitatud tugevalt n tüüpi läte ja neel ning nende vahele n tüüpi kanal. Kui paisupinge puudub, siis on kanal juhtiv ja lätte ning neelu vahele pinge rakendamisel tekib vool. Kui paisule rakendada lätte ja ka kanali suhtes negatiivne pinge, siis tekkiv väli surub laengukandjad (antud juhul elektronid) kanalist välja ja kanali takistus kasvab. Teatud lävepingel surutakse kõik laengukandjad kanalist välja ja kanal sulgub. 3. Diferentsiaalvõimendi OV baasil Diferentsiaalvõimendi on kahe sisendi ja kahe väljundiga alalispingevõimendi. Diferentsiaalvõimendile on iseloomulik vooluallikas ühises emitterjuhis, mis hoiab emittervoolude summa IK = IE1 + IE2 alati konstantse.
EI 3.7.1. n-MOP loogika +E VT1 Joonisel on inverterskeem ehk EI n-kanaliga väljatransistoridel. Transistor VT1 toimib takistina, mille E0 takistus sõltub paisule antavast pingest E0 kui sisendis on Väljund loogiline 1, siis on VT2-s kana, mistõttu tema takistus on väike ja väljundis saadakse 0 kui sisendis on 0, siis VT2 kanal VT2 puudub. Tema takistus on lõpmata suur ja väljundis on 1. Sis VÕI-EI NING-EI +E +E
EI 3.7.1. n-MOP loogika +E VT1 Joonisel on inverterskeem ehk EI n-kanaliga väljatransistoridel. Transistor VT1 toimib takistina, mille E0 takistus sõltub paisule antavast pingest E0 kui sisendis on Väljund loogiline 1, siis on VT2-s kana, mistõttu tema takistus on väike ja väljundis saadakse 0 kui sisendis on 0, siis VT2 kanal VT2 puudub. Tema takistus on lõpmata suur ja väljundis on 1. Sis VÕI-EI NING-EI +E +E
Formeerkanaliga MOP- transistor RSIS 1012 1014 Ohm. Isolaator SiO2 Alus tavaliselt on ühendatud lättega. n- kanal ühendab taskud valmistamise hetkest alates. Paisupinge abil vaid laiendame või kitsendame seda kanalit. UPL pinge mõju all muutub paisualuse kihi juhtivus. n- kanali ja p- tüüpi aluse vahel p-n siire. 36 Indutseerkanaliga MOP- transistor (n- tüüpi kanal). Kristallis on 2 taskut. Paisule antakse positiivne pinge. Vabad elektronid kogunevad paisu alla. n- alas tekib ühendatav kanal. Seal saab voolata läbivvool. 37 Türistorid. Vahendid voolu sisse- (välja) lülitamiseks. Kasutusel jõuelektroonikas (energeetilises elektroonikas). Türistoril on neljakihiline pnpn struktuur. Diood türistor (Dinistor) mittetüüritav seadis. Türistoril on sisemine positiivne tagasiside. IK Ia =
Tuntuimad templid olid Teeba linna lähedal asuvad Luksori ja. Te mplid m o odustavad terve ko mpleksi. Mõned on hiigelsuured A m oni te mpli Karnaki templid sam massaalis (Karnakis) on 134 sam mast. V õi mas on ka Ra mses II ajal (13. saj. e. Kr.) ehitatud Ramasseum. Oli ka kaljute mpleid. Tuntuim on Ra mses II ajast Niiluse ääres olev Abu Simbel. Selle e es on neli 20 m kõrgust Ra mses II kuju. 1960. aastail tõsteti tempel 64 m kõrge male, et ei jääks Assuani paisule ette. Kujutav kunst Egiptusele on iseloo mulik nn pinnakunst madal ja värviline reljeef. Pinnakunst kattis te mplite ja hauaka mbrite seinu, samuti sambaid. Pinnakunstile on iseloo mulik: * tähtsamad ini mesed on kujutatud suure matena * perspektiivi ei tunta, tagapool olevad ese m ed ja ini mesed on paigutatud üles * reljeefide osaks on alati hieroglüüfid * ini mesed on kujutatud nn egiptuse poosis nägu, käed, jalad külgvaates; õlad ja sil m otsevaates.
MOS-transistore (joonis 1.23, c). Ujuvpaisul elektriline ühendus puudub ning see on ette nähtud laengu säilitamiseks. Transistori pais on ühendatud rõhtjuhtmega, suue püstjuhtmega ning läte toiteallika miinusklemmiga. Lähteolekus läbib paisu ergastamisel transistori vool. Programmeerimisel antakse püstjuhtmele 25...50 V pingeimpulss, mille tulemusena ujuvpais saab negatiivse laengu. Ujuvpais säilitab laengu ning transistori avamiseks tuleb paisule anda tavalisest märksa kõrgemat pinget. Hariliku juhtpinge korral jääb transistor suletuks ja vool transistori ei läbi. Transistori algolek taastub, kui tema siirdeid kiiritada 30...100 sekundit ultraviolettkiirgusega. Selleks on maatriksi või püsimälu integraallülituse keres ultraviolettkiirgust läbilaskev ava. Programmeeritavad maatriksid võimaldavad realiseerida nii disjunktiivsel normaalkujul esitatud loogikafunktsioone kui ka keerukamaid näiteks sulgusid sisaldavaid avaldisi
Vastava ajavahemiku saab valida jooniselt 3.10. Juhtahela klemmide vahelist liigpinge piiramist nõutakse ühest küljest paisu/emitteri või paisu/lätte pinge stabiliseerimiseks ning teisest küljest dünaamiliste lühisvoolude vähendamiseks. Joonis 3.22 annab ülevaate paisupinget piiravatest seadistest, nagu Zeneri diood (a), Schottky diood (b) ja MOSFET-transistor (c). Pinge piiramise lülituste juures tuleb rangelt jälgida, et need oleksid madala induktiivsusega ja paigaldatud paisule võimalikult lähedale. Pinge piiramist transistori jõuklemmidel saab realiseerida transistori abil (läbilöögikindlad MOSFET-id) ning passiivsete või aktiivsete ahelatega, mis piiravad liigpingeid (aktiivne piiramine või paisu dünaamiline juhtimine). MOSFET-ja IGBT-transistoride kaitsmist U+ RG RG RG
annaabi.ee 
