Passiivkomponendid: Takisti takistusega R-etteantud pingel soovitud voolusaamiseks (ja vastupidi) kindla takistusega komponent – takisti. Takisti peamiseks omaduseks on lineaarne voolu-pinge sõltuvust( oomi seadus). Ideaalse takisti suurus ei sõltu temperatuurist, sagedusest, signaali suurusest. Olemas on nii konstantse väärtusega takisteid, kui ka muuttakisteid. Takistitel on olemas kindlat maksimumvõimsused.Takistitel tekib ka soovimatu signaal- müra. Temp. ja takistuse kasvades on müra järjest suurem. Kondensaatorid(energia salvestamine, detsibellid)- mahtuvus . Ideaalselt juhul C ei sõltu temp. sagedusest ega signaali suurusest. -dielektriline läbitavus. Kondensaatori rakendused: energia salvestamine, alalissignaali eraldamine, kõrgpingeimpullside tekitamine, alalispingeallikate pinge silumine, müra mahasurumine, sensorid, informatsiooni salvestamine, reaktiivkomponentide mahasurumine. EMJ. allikas kulutab laengu k...
aktseptoritega) ledigeerides. Veidike ajalugu pooljuhtidest: · 1874- esimene pooljuhi ja metalli töötav kontakt (Braun) · 1899- elektroni avastamine · 1907- esimene valgust kiirgav diood (Round) · 1947- esimene bipolaarne transistor (Bardeen, Brattain, Shockley) · 1954- esimene päikesepatarei (Chapin, Fuller, Pearson) · 1958- esimene tunneldiood (Esaki) · 1959- esimene nn. mikroskeem · 1960- esimene metall-oksiid-pooljuht väljatransistor (MOSFET) · 1962- esimene pooljuhtlaser GaAs baasil (IBM laboris) · 1966- esimene metall-pooljuht väljatransistor (MESFET) · 1971- esimene mikroprotsessor INTEL 4004 · Pooljuhtide kasutusalad: · LED-id · Pooljuhtlaserid · Mikroelektroonika · Valgusdetektorid · Päikesepatareid · Muud kasutusalad · Pooljuhtide tulevik: · Valgust kiirgav räni (Si laser IBM-ist) · Optilised arvutid, optilised · signaaliedastused.....
Mahtuvusdiood transistor NPN-transistor põikisuu- Kahepolaarne diood nas nihutatud baasiga Dioodtüristor PNIP-transistor Sümmeetriline N-kanaliga dioodtüristor, diiak väljatransistor P-kanaliga Trioodtüristor väljatransistor Tingmärk Nimetus Tingmärk Nimetus Formeeritud N-kana-liga Suletav türistor väljatransistor Pöördtõkestusega Indutseeritud P-kana-
Õppeaine SKK0121 ”Elektroonika alused” Eksamiküsimused 1. Elektroonika passiivelemendid 2. Elektrolüütkondensaatorid 3. Transformaatorid 4. Alaldav pn-siire (tekkimise tingimus) 5. Bipolaartransistorid (tööpõhimõte) 6. Darlington´i lülitus (liittransistor) 7. Formeerkanaliga MOP väljatransistor 8. Indutseerkanaliga (n-tüüpi) MOP-transistor 9. Indutseerkanaliga väljatransistor 10. Pooljuhtdioodid 11. Stabilitron 12. Türistor (ehitusskeem, pinge-voolu karakteristikud) 13. Väljatransistoride liigitus (koos tingmärkidega) 14. Elektronkiiretoru 15. Optronid 16. Optronid. Kõige kiiretoimelisem optron 17. Valgusdioodid 18. Vedelkristallpaneel. Eelised, puudused. 19. Resistiivne pingejagur 20. Bipolaartransistori töö lüliti režiimis 21. Bipolaartransistori väljundkarakteristikud ÜE-lülituse jaoks 22. Emitterijärgija. (skeem, pingevõimendustegur) 23
Ühtlaste vahedega baasivoolude korral ik ik Transistori parameetrid: h21e = ib ib See on voolu võimenduse tegur u be h11e = - leitakse kui dif. takistus sisendkarakteristikult ib h21e = 100...250 tavaliselt pnp on tavaliselt abistav variant. Seal on kõik vastupidi ehk siis augud juhivad voolu jmt. 1.11. Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid Väljatransistor (nõrgem vool kui bipolaarsetes transistorides, arvutitehnikas peamised) Allolev joonis on p-kanaliga ehk siis tegelt on see abistava transistori joonis, õige oleks n kanaliga ehk siis kõik on vastupidi. -metall - isolatsioon SiO2 Voolu suund LÄTTEST SUUDMESSE
Transistor Reili Koplimets Silver Palm Liisi Lehtsaar Mõiste Kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadeldis Sellega saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali Jagunevad kaheks: Bipolaartransistor-juhitakse vooluga Väljatransistor- juhitakse pingega Eelkäijad Relee-signaali sisse-ja väljalülitamiseks Elektronlamp ehk raadiolamp- selleks eraldi väljundkarakteristik Ajalugu Esimene transistori patent füüsik Julius Edgar Lilienfeldile 1925. aastal. 1942.aastal eksperimenteeris sakslane Herbert Matare topeltdioodidega. Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat , kuid väga lähestikku asuvat metallkontakti. Sellest algeline idee bipolaartransistori loomiseks. 1947.aastal avastasid USA teadlased John Bardeen ja Walter Brattain, et kui panna germaaniumkristalli külge elektrilised kontaktid, siis sellest väljuva elektrivoolu tugevus on olulisemalt suurem esialgsest elektrivoolu tugevusest. 1954 e...
elektriväli muudab laengukandjate kontsentratsiooni kanalis, seega ka kanali takistust. Viimased jagunevad omakorda - formeeritud kanaliga MOP-transistorideks, ja - indutseeritud kanaliga MOP-transistorideks. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 26 MOP on lühend sõnadest metall-oksiid-pooljuht-, millele ingl.k. vastab MOS = metal oxide semiconductor. Väljatransistor ingl. k. field effect transistor, lühend. FET. MOP-väljatransistori ingliskeelne lühend on MOSFET. Tabel 3.3. Väljatransistoride struktuuride tingmärgid. Diskreetkomponendi (üksiku omaette korpuses komponendi) korral ümbritsetakse struktuuri tingmärk elemendi korpust tähistava ringiga. Nimetus n-kanaliga p-kanaliga pn-väljatransistor formeeritava kanaliga ja isoleeritud paisuga väljatransistor
pinget. Väikesed pingemuutused emitteri ja baasi vahel tekitavad suuri pingemuutusi baasi ja kollektori vahel. St et transistor on pinge võimendaja. Baasi potentsiaalid npn pos, pnp neg Transistor on pinge võimendaja. 6. Pooljuhtdioodi tööpõhimõte Elektrivoolu läbib pn siirde tekitavad põhilised laengukandjad. Nii n-pooljuhid kui p-pooljuhid. Voolutugevus on suur ja pn-siirde takistus on väike. 7. Väljatransistor ( tööpõhimõte, skeem) Pais + - kiirendab elektronide liikumist suudmele otsesiire. Pais aeglustab elektronide liikumist suudmele vastusiire. 8. Kiip Kiip Kinnine mikroskeem, pooljuhtplaat, milles on transistorid, dioodid, takistid, kondensaatorid. Kiipidest pannakse kokku arvuti, töö põhineb ränikristallil. Aktseptorpooljuht 3 elektroni väliskihis p-pooljuht doonorpooljuht 5 elektroni väliskihis n-pooljuht
siiret ületada, sest vastaslaengud tõmbuvad. Edasi liiguvad laengud kuni pinge tekitajani. Transistor koosneb kahest järjestikusest vastupidisest pn-siirdest. Transistor koosneb kahest ühendatud dioodist. TRANSISTOR- (ingl. transfer üle kandma + resistor takisti) on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. · Väljatransistor ehk unipolaartransistor- pooljuhtseadis · Bipolaartransistor- kolm auk- ja elektonjuhtivusega kihti Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali · Leiutati 55 aastat tagasi. Pani aluse kogu elektroonikatööstuse ja nüüdisühiskonna arengule. Transistor on elektrilambist: · Palju väiksem- isegi kuni tuhandeid kordi · Ökonoomsem- eraldub vähem soojust · Mehaaniliselt vastupidavam · Pikema tööeaga
6.4. Võimendusastmed väljatransistoride baasil Väljatransistoridega võimendusastmed sarnanevad põhiomaduste osas üldiselt bipolaartransistoridega võimendusastmetele. Ühise emitteriga lülitusele vastab väljatransistoride puhul ühise lättega lülitus, ühise kollektoriga lülitusele vastab ühise neeluga lülitus ja ühise baasiga lülitusele vastab ühise paisuga lülitus. Kuna aga erinevalt bipolaartransistorist on väljatransistor sarnaselt elektronlambile pingega tüüritav seadis, siis sobib väljatransistori võimendusomadusi iseloomustama parameeter S nimetusega `tõus': DI välj S= DU sis Väljatransistori (kui pingega tüüritava seadise) tööpunkti määravad paisupinge UGS ja neelupinge UDS ning neist otseselt sõltuv neeluvool ID.
lubatava hajuvõimsuse ületamine. Olukorda aitab leevendada koormusega paralleelselt lülitatav diood, mis lühistab koormuse klemmidel tekkiva emj transistori väljalülitamise reziimis. Sel juhul tööpunkt ei liigu mitte enam punkti C vaid punkti D kus mõjuv pinge on praktiliselt 2 korda väiksem. Kasutatav diood peab olema piisava voolu ja vastupingega ja vooluimpulsi vähendamiseks võib lülitada temaga järjestikku kuni 10 takistuse. 1.5 Väljatransistor lüliti rezhiimis Peale bipolaartransistori püütakse järjest enam kasutada lülitireziimis töötamiseks ka väljatransistore. Väljatransistorid on pingega tüüritavad elemendid ja sisendvoolu puudumise tõttu on nende kasutamisel tüüriva signaali võimsus märksa väiksem kui samavõimsal bipolaartransistoril. Seni on piiranud väljatransistoride kasutamist lülitireziimis, eriti suurte võimsuste
väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. 7.2. p-n-siirdega väljatransistorid Junction FET (JFET) p-n-siirdega väljatransistor koosneb kas n- või p-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisutsoonist. Enamlevinud on n-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nenede sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 7.1. JOONIS 7.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin tekib paisu ja
....................... 44 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48 5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ...................................................................................................................................48 5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel ..............................................................................................................49 5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). ................................................................................................50 5.8
tähed MOS on tulnud konstruksiooni-skeemist Metal-Oxid-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nende sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 5.1. JOONIS 5.1.
Kondensaator C = Q/P ; [F] 1 - dielektrik 2 - metall plaat S U Pinge d- Film Capacitor (Kile kondendsaator) Isolatsiooni kile paksus 2-20 mikromeetrit, Parameeter Polüester Polükarbonaat Polüstüeer Mahtuvus 100pF - 22nF 100pF - 68µF 10pF 0,5µF Sagedus 1MHz 1MHz 10MHz Tolerants ±5-20% ±5-10% ±1-5% C pinge 1600V 400V 500V Elektrolüüt kondensaator a) Märjad ehk klassikalised elektrolüüt kondesaatorid b) Kuivad ehk tandaal elektrolüüt kondensaator 1. Kuivad elektrolüüt kondensaatorid Ta2O C=25 Induktiiv poolid Mahtuvuslik reaktiivtakistus Alalisvool ei lähe läbi. Takistus lõpmatu. Induktivsus [H] Henri Pooljuht seadised (semi-conducktor) Pooljuht kui m...
justkui ühise klemmiga, määrates sisendtakistuse. Pilet 4 1. Filtriga võimu ehitamine Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. 2. Mahtuvuslik filter alaldis Mahutuvuslik filter on nõrkade voolude jaoks. Tarbijaga paralleelselt konde-väikeste voolude jaoks. q1=1/(2fvCRt). Kui C->lõpmatus pulsatsioone pole. Tühijooksul Rt=lõpmatus->Ud=Uc=U2m=ruutjuur(2U2) 3. Väljatransistor Väljatransistor on pooljuhtseadis, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhitavust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate liikumisena. Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1)Elektriväljaga muudetava voolukanali ristlõike muutmise teel nagu see toimub pn- siirdega väljatransistoris
sisendelektroodi voolu vahelduvkomponendi suhe (sisendsignaali allika koormamist iseloomustav suurus); Transistori väljundtakistus – kollektorpinge vahelduvkomponendi ja kollektorvoolu vahelduvkomponendi suhe lahtise sisendelektroodi korral. 46. Transistoride lülitusviisid. Skeemi visandamine. Ühise baasiga lülitus; Ühise emitteriga lülitus; Ühise kollektoriga lülitus 47. pn- väljatransistor, tööpõhimõte, tunnusjooned. pn-väljatransistori moodustab tavaliselt n-juhtivusega pooljuhist kanal, sest elektronid on märksa suurema liikuvusega kui augud. Toodetakse nii n- kui p-kanaliga pn-väljatransistore. Õhukese kanali mõlemale poolele on difundeerimisega tekitatud p-juhtivusega alad. Kanali laius (risti joonise pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega. Transistori normaalsel töörežiimil on paisul lätte suhtes negatiivne pinge. Seega
Lk 112 h-parameetrid on mitmesuguste dimensioonidega ja seepärast nim seda süsteemi sega-ehk hübriidparameetrite süsteemiks. Parameetrid h12 ja h12 on dimensioonita suurused: h12=u1/u2 kui i1=0 või I1=const. h21=i2/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h11 on takistuse dimensiooniga h11=u1/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h22 on juhtivuse dimensiooniga h22=i2/u2 kui i1=0 või I1=const. 40. Millistest teguritest sõltuvad h-parameetrid? Voolust ja pingest 41. Mis on väljatransistor? Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. n-tüüpi MOSFET Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1
0. Kui sisendis 0 U0=3..30mV 3. loendustriger, impulss lülitab ümber JK->T: J=K=1; JK->D:K=-J 4. 1 sisend 2n väljundit n aadressi 5. neg parall TS pinge järgi. Oletame, et Rsis D==>Isis=Its, Usis-u0/R1=-Uvalj-u0/Rts. Juhul kui Ku->, siis u0=Uvalj/Ku->0 Kui=-Rts/R1 u0-ple nullnihkepinge vadi u. Sisendite vahel ei tohi olla üle 0,4..0,5V. Kui Rts=R1=>Kui=-1, kui uo->0, siis skeemi sisendtak Rsis=R1. Pilet 4. 1. filtriga võimu ehitamine 2. mahtuvuslik filter alaldis 3. väljatransistor 4. PROM 5. High-Z 1. Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. 2. tarbijaga paralleelselt konde-väikeste voolude jaoks. q1=1/(2fvCRt). Kui C-> pulsatsioone pole. Tühijooksul Rt=->Ud=U2m=U22 3. unipolaarne, pingega juhitav. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal 2
[vaata | 1. Füüsikaliste suuruste mõisted, definitsioonid ja ühikud muuda] Voolu töö ja võimsus. Joule-Lenzi seadus. Potentsiaal ja pinge. Elektriväli, suund ja tugevus. Voolu tugevus ja tihedus. Takistus, selle sõltuvus juhi mõõtmetest. Eritakistus. Laeng ja mahtuvus. Induktiivsus. Vooliuallika elektromotoorjõud, lühisvool ja sisetakistus. Voolu töö ja võimsus. Voolu töö on võrdeline voolutugevusega I, pingega U juhi otstel ja ajaga t. [ J ] Võimsus on ajaühikus tehtud töö. [ W ] A p= t Joule-Lenzi seadus. Joule-Lenzi seadus : elektrivoolu toimel juhis eralduv soojushulk Q on võrdeline voolutugevuse I ruuduga, juhi takistusega R ja voolu kestusega t ning ku...
generaatorites Pilet 4. kasutatakse selektiivsete elementidena sagedusest sõltuvaid RClülisid. Nendest klassikaline 1. filtriga võimu ehitamine _"Wien`i sild". faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu 2. mahtuvuslik filter alaldis külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist 3. väljatransistor inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku3->Rts/Ro2. 4. PROM 4. küllastus välditud(puudub peensiire) ja kiirus 3-4x suurem kui TTL(=10ns). Pooljuhtmaterjal 5. High-Z (kõrge-oomiline) ja metall. Selleks, et vältida bipolaarse transistori küllastusse minekut 1. Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. kasutatakse võtet nimega dioodne fiksatsioon
Integraal indektsioon loogika IIL-s tehakse ühele kristallile nii np- kui ka npn-tüüpi transistore; saavutatakse mõnevõrra parem kiirus ja pakkimisomadused on paremad. Emittersidestuses loogika ECL - bipolaartransistoridel põhinev; on väga kiire; lisaks on sellel negatiivne loogika, kus loogilise nulli nivoo on kõrgem kui loogilise ühe nivoo. Unipolaarsed tehnoloogiad n-channel MOS NMOS n-juhtivusega MOS- loogika. Väljatransistor. p-channel MOS PMOS p-juhtivusega MOS loogika. Väljatransistor. Unipolaarne. Kõrge nivoo - avatud kontaktidega lüliti, madal nivoo - suletud kontaktidega lüliti Complementary MOS CMOS-is pannakse kristallidele mõlemaid tehnoloogiatel valmistatuid, nii n- kui ka p-tüüpi transistore. Kui sisse tuleb 0, muutub 1.ks, kui 1, siis 0-ks. CMOS on laialt levinud ja kasutatakse arvutiskeemides. Aeglasemad kui bipolaarsed, kuid võimaldab paremat pakkimistihedust ning energitarve on väiksem. 17
h21D = 500... 33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid: p-n siirdega, isoleeritud paisuga. Pais, Gate, , Lätte, Source, , Neel, Drane, Mida laiem vaesunud ala, seda kitsam kanal, seda väiksem vool voolab läbi kanali. Vaesunud alas on vähe voolukandjaid. p-n siirdega väljatransistor. p-n siire on alati vastupingestatud! 34 Mida kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem on vaesunud ala. 35 Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOP- transistorid). Formeerkanaliga (sisseehitatud kanal) Indutseerkanaliga Formeerkanaliga MOP- transistor RSIS 1012 1014 Ohm. Isolaator SiO2 Alus tavaliselt on ühendatud lättega.
o Pais (Gate), mis asub kanali küljel Kui paisu (G) pinge = L, siis ahelas vool puudub (paremal), kui G = H, siis moodustub voolu juhtiv kanal ja võime vaadata seda kui suletud kontaktidega lülitit. p-kanaliga transistor töötab vastupidiselt: CMOS ei-element - Koosneb kahest järjestikku ühendatud eri tüüpi kanaliga väljatransistorist. Üleval on p- ja all n-kanaliga väljatransistor. Kui sisend x = H, juhib voolu alumine transistor ja väljund on L. Kui aga x = L, juhib voolu ülemine transistor ja väljund on H. Väljundi väärtus on seega vastupidine sisendi väärtusele (inversioon). Ümberlülitumisel LH või HL tekib voolu hüpe, mis põhjustab soojenemist. Seepärast on mikroskeemidel jahutus. CMOS ja-ei-element – konjunktsiooni eitus. Ehitus transistorite tasemel: üleval kaks rööbiti pMOS-i ja alla jadamisi kaks nMOS-i
1. Sisendtakistus on võimendi sisend klemmide vahel kujuldetav takistus mis koormab signaali allikat. On ilmne, et on soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur sest sellisel juhul on signaal allika koormus väike ja ei teki signaali kadu. Sisendtakistuse väärtus sõltub kasutatavadest võimendus elemenditest. Transistor võimendi on ta mõne kilooomi ringis, lamp ja väljatransistor võimendidel aga megaoomides. 2. Väljundtakistus see on kujuldetava väljundpinge generaatori sisetakistus. On soovitav, et väljund takistus oleks võimalikult väike sest siis on väike ka tema klemmidel tekkiv signaali kadu. 3. Nimisisendsignaal see on sisend signaali amplituud väärtus, millele võimendi on arvestatud. Ta sõltub kasutatavast sisend signaali allikast nii
AND (JA, loogiline korrutamine, konjuktsioon) OR (VÕI, loogiline liitmine, disjunktsioon) NOT (EI, loogiline eitus, inversioon) Teisendusvalemid: · Diskreetne aeg Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad Esimesed digitaalsetest integraallülitustes kasutati lülituselementidena bipolaartransistore, sest nende valmistamise tehnoloogia oli rohkem arenenud. Hiljem aga osutus, et suure tihedusega lülituste tarbeks on unipolaarne e. väljatransistor palju sobivam. Viimaste valmistamine nõuab vähem tehnoloogilisi operatsioone ja vähem pinda ühe lülituselemendi kohta. Seetõttu valmistati esimesed mikroprotsessorid eranditult väljatransistoride baasil. Vaatamata oma tehnoloogilistele eelistele jäävad väljatransistorid bipolaarsetele siiski alla töökiiruse poolest. See omakorda stimuleeris viimaste forsseeritud arendamist ning selline konkureeriv areng on kestnud tänapäevani. Tulemusena ei ole kumbagi
DTC momendi vahetu juhtimine PDU impulse jaotusseade EMC elektromagnetiline ühildatavus PWM pulsilaiusmodulatsioon EMF elektromotoorjõud rms ruutkeskmine väärtus EO sümmeetriline optimum rpm pööret minutis ESR ekvivalentne jadatakistus s sekund F farad SCR lihttüristor FET väljatransistor SO sümmeetriline optimum FOC väljaorienteeritud juhtimine SVM vektorjuhtimine G giga = 109 (eesliide) V volt GTO suletav türistor VDC alalisvoolu volt H henri VFC pinge-sageduse juhtimine Hz herts VSI pingevaheldi IGBT isoleeritud paisuga bip. transistor W vatt
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
