Diood- p-n siire kui lüliti- päripingestatult sees, vastupingestatult väljas. Dioodi rakendused: alaldi,signaali stabiliseerimine, ülepinge kaitse, pingekordisti, fotodiood, valgusdiood, pingega tüüritav kondensaator, sagedusmuundur, alalis- ja vahelduvpinge liitmine. Voolu sõltuvus pingest ei ole lineaarne vaid on eksponentsiaalne. Transistorid- pinge/vooluga tüüritav voolugeneraator. Bipolaarne transistor- vooluga tüüritav ja tarvitab ka seetõttu voolu. Väljatransistor- pingega tüüritav, ei tarvita põhimõtteliselt voolu. Liittransistorid: bipolaarne+bipolaarne=Darlington Väljatransistor+bipolaarne=IGBT Väljatransistor+väljatransistor=CMOS Väljundis on alati vool, mis sageli on vaja muuta pingeks. Transistorid toimivad aktiivse skeemielemendina ja võivad signaali toiteallika arvel mõjutada. Ühendamise võimalusi on kolm: 1.Ühise baasiga/paisuga(Uv>Us, faas ei muutu) 2.Ühise emitteriga/lättega (uv>us, iv>is, faasipööre) 3
aktseptoritega) ledigeerides. Veidike ajalugu pooljuhtidest: · 1874- esimene pooljuhi ja metalli töötav kontakt (Braun) · 1899- elektroni avastamine · 1907- esimene valgust kiirgav diood (Round) · 1947- esimene bipolaarne transistor (Bardeen, Brattain, Shockley) · 1954- esimene päikesepatarei (Chapin, Fuller, Pearson) · 1958- esimene tunneldiood (Esaki) · 1959- esimene nn. mikroskeem · 1960- esimene metall-oksiid-pooljuht väljatransistor (MOSFET) · 1962- esimene pooljuhtlaser GaAs baasil (IBM laboris) · 1966- esimene metall-pooljuht väljatransistor (MESFET) · 1971- esimene mikroprotsessor INTEL 4004 · Pooljuhtide kasutusalad: · LED-id · Pooljuhtlaserid · Mikroelektroonika · Valgusdetektorid · Päikesepatareid · Muud kasutusalad · Pooljuhtide tulevik: · Valgust kiirgav räni (Si laser IBM-ist) · Optilised arvutid, optilised · signaaliedastused.....
Mahtuvusdiood transistor NPN-transistor põikisuu- Kahepolaarne diood nas nihutatud baasiga Dioodtüristor PNIP-transistor Sümmeetriline N-kanaliga dioodtüristor, diiak väljatransistor P-kanaliga Trioodtüristor väljatransistor Tingmärk Nimetus Tingmärk Nimetus Formeeritud N-kana-liga Suletav türistor väljatransistor Pöördtõkestusega Indutseeritud P-kana-
Õppeaine SKK0121 ”Elektroonika alused” Eksamiküsimused 1. Elektroonika passiivelemendid 2. Elektrolüütkondensaatorid 3. Transformaatorid 4. Alaldav pn-siire (tekkimise tingimus) 5. Bipolaartransistorid (tööpõhimõte) 6. Darlington´i lülitus (liittransistor) 7. Formeerkanaliga MOP väljatransistor 8. Indutseerkanaliga (n-tüüpi) MOP-transistor 9. Indutseerkanaliga väljatransistor 10. Pooljuhtdioodid 11. Stabilitron 12. Türistor (ehitusskeem, pinge-voolu karakteristikud) 13. Väljatransistoride liigitus (koos tingmärkidega) 14. Elektronkiiretoru 15. Optronid 16. Optronid. Kõige kiiretoimelisem optron 17. Valgusdioodid 18. Vedelkristallpaneel. Eelised, puudused. 19. Resistiivne pingejagur 20. Bipolaartransistori töö lüliti režiimis 21. Bipolaartransistori väljundkarakteristikud ÜE-lülituse jaoks 22. Emitterijärgija. (skeem, pingevõimendustegur) 23
............................ 3 1.7.Dioodi ehitus ja funktsioneerimine...................................................................... 4 1.8.Stabilitron ja selle kasutamine..............................................................................5 1.9.Varikap.................................................................................................................5 1.10.Bipolaartransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid...........................5 1.11.Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid................................6 1.12.Mis on JFET (pn-siirdega väljatransistor)..........................................................6 1.13.Mis on türistor?.................................................................................................. 7 1.14.Fotoresistor.........................................................................................................7 1.15.Fotodiood.........................................
Transistor Reili Koplimets Silver Palm Liisi Lehtsaar Mõiste Kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadeldis Sellega saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali Jagunevad kaheks: Bipolaartransistor-juhitakse vooluga Väljatransistor- juhitakse pingega Eelkäijad Relee-signaali sisse-ja väljalülitamiseks Elektronlamp ehk raadiolamp- selleks eraldi väljundkarakteristik Ajalugu Esimene transistori patent füüsik Julius Edgar Lilienfeldile 1925. aastal. 1942.aastal eksperimenteeris sakslane Herbert Matare topeltdioodidega. Tema loodud seadmel oli pooljuhtaluse peal kaks eraldiseisvat , kuid väga lähestikku asuvat metallkontakti. Sellest algeline idee bipolaartransistori loomiseks. 1947
3.2.2 Päripingestatud pn-siire 3.2.3 Vastupingestatud pn-siire 3.3 Pooljuhtdioodid 3.4 Bipolaartransistorid 3.4.1 Bipolaartransistor n-p-n transistori näitel 3.4.2 Bipolaartransistoride kolm ühendusviisi: ÜB, ÜE, ÜK 3.4.3 Bipolaartransistoride põhiparameetrid ja liigitus 3.4.4 Isoleeritud paisuga bipolaartransistor 3.4.5 Liittransistor 3.5 Väljatransistorid e. unipolaartransistorid 3.5.1 pn-väljatransistor 3.5.2 MOP-transistorid 3.5.3 Väljatransistoriga võimendusastmed 3.6 Türistorid 3.6.1 Lihttüristor (üheoperatsiooniline türistor) 3.6.2 Dioodtüristor 3.6.3 Sümistor e. sümmeetriline türistor 3.6.4 Suletav türistor 3.6.5 Türistoride kasutamine jõuelektroonikas Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 1 3.1. Pooljuhtmaterjalid
pinget. Väikesed pingemuutused emitteri ja baasi vahel tekitavad suuri pingemuutusi baasi ja kollektori vahel. St et transistor on pinge võimendaja. Baasi potentsiaalid npn pos, pnp neg Transistor on pinge võimendaja. 6. Pooljuhtdioodi tööpõhimõte Elektrivoolu läbib pn siirde tekitavad põhilised laengukandjad. Nii n-pooljuhid kui p-pooljuhid. Voolutugevus on suur ja pn-siirde takistus on väike. 7. Väljatransistor ( tööpõhimõte, skeem) Pais + - kiirendab elektronide liikumist suudmele otsesiire. Pais aeglustab elektronide liikumist suudmele vastusiire. 8. Kiip Kiip Kinnine mikroskeem, pooljuhtplaat, milles on transistorid, dioodid, takistid, kondensaatorid. Kiipidest pannakse kokku arvuti, töö põhineb ränikristallil. Aktseptorpooljuht 3 elektroni väliskihis p-pooljuht doonorpooljuht 5 elektroni väliskihis n-pooljuht
siiret ületada, sest vastaslaengud tõmbuvad. Edasi liiguvad laengud kuni pinge tekitajani. Transistor koosneb kahest järjestikusest vastupidisest pn-siirdest. Transistor koosneb kahest ühendatud dioodist. TRANSISTOR- (ingl. transfer üle kandma + resistor takisti) on kolme või enama väljaviiguga pooljuhtseadis, mida kasutatakse elektrisignaalide tekitamiseks, võimendamiseks ja muundamiseks. · Väljatransistor ehk unipolaartransistor- pooljuhtseadis · Bipolaartransistor- kolm auk- ja elektonjuhtivusega kihti Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali · Leiutati 55 aastat tagasi. Pani aluse kogu elektroonikatööstuse ja nüüdisühiskonna arengule. Transistor on elektrilambist: · Palju väiksem- isegi kuni tuhandeid kordi · Ökonoomsem- eraldub vähem soojust · Mehaaniliselt vastupidavam · Pikema tööeaga
Teema 6. Analoogelektroonika lülitused M.Pikkovi ainekava ja konspekti järgsed allteemad (http://www.ttykk.edu.ee/aprogrammid/elektroonika_alused_MP.pdf, lk 60...85) - Transistor kui pidevatoimeline võimenduselement. - Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid. Käesoleva teksti sisujaotus: 6
lubatava hajuvõimsuse ületamine. Olukorda aitab leevendada koormusega paralleelselt lülitatav diood, mis lühistab koormuse klemmidel tekkiva emj transistori väljalülitamise reziimis. Sel juhul tööpunkt ei liigu mitte enam punkti C vaid punkti D kus mõjuv pinge on praktiliselt 2 korda väiksem. Kasutatav diood peab olema piisava voolu ja vastupingega ja vooluimpulsi vähendamiseks võib lülitada temaga järjestikku kuni 10 takistuse. 1.5 Väljatransistor lüliti rezhiimis Peale bipolaartransistori püütakse järjest enam kasutada lülitireziimis töötamiseks ka väljatransistore. Väljatransistorid on pingega tüüritavad elemendid ja sisendvoolu puudumise tõttu on nende kasutamisel tüüriva signaali võimsus märksa väiksem kui samavõimsal bipolaartransistoril. Seni on piiranud väljatransistoride kasutamist lülitireziimis, eriti suurte võimsuste
väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel, s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuurimõju (voolu moodustavad enamuslaengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). Ka on väljatransistoridel tehnoloogilisi eeliseid just integraallülituste valmistamise seisukohalt. 7.2. p-n-siirdega väljatransistorid Junction FET (JFET) p-n-siirdega väljatransistor koosneb kas n- või p-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisutsoonist. Enamlevinud on n-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nenede sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 7.1. JOONIS 7.1. Nagu alati eri juhtivusega pooljuhtide liitumiskohal, nii ka siin tekib paisu ja
...................... 44 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) ............................................................................................44 5.3. Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOSFET). ...................................................................................................46 5.4. Suurevõimsuselised väljatransistorid (Power MOSFET). ......................................................................................48 5.5 Väljatransistor lüliti reziimis ...................................................................................................................................48 5.6.Tööpunkti fikseerimine väljatransistoridel ..............................................................................................................49 5.7 IGBT transistor (Isolated Gate Bipolar Transistor). ................................................................................................50 5.8
tähed MOS on tulnud konstruksiooni-skeemist Metal-Oxid-Semiconductor). Väljatransistoride eeliseks on eelkõige suurem sisendtakistus (kuna sisendvool on väga väike), väiksemad omamürad (kuna laengukandjad liiguvad kanalis elektrivälja kiirendaval toimel s.o. mitte difusioonselt) ja väiksem temperatuuri mõju (voolu moodustavad enamus laengukandjad, mille hulk ei sõltu oluliselt temperatuurist). 5.2.P-N-siirdega väljatransistorid (Junction FET (JFET)) P-N-siirdega väljatransistor koosneb kas N- või P-juhtivusega kanalist, millega on ühendatud lätte- ja neeluelektroodid ning selle küljel või külgedel paiknevast teistpidise juhtivusega paisu tsoonist. Enamlevinud on N-kanaliga transistorid, kuna elektronide suuremast liikuvusest tulenevalt on nende sagedusomadused paremad. Taoliste väljatransistoride skemaatiline ehitus ja tingmärgid on toodud joonisel 5.1. JOONIS 5.1.
· Omab suurt vooluvõimenuds tegurit · Sisend takistus on väga suur ja väljund takistus väga väike · Sobitus astmed Teine konspektis on olemas Transistori staatilised tunnusjooned Transistori piirparameetrid. Suurim lubatav kollektorpinge Kollektori ja vaasi vaheline suurim lubatav vastupinge UCB0 Emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge UEB Suurim lubatav kollektorvool Icmax VÄLJATRANSISTORID. Lk 70 Tüüritakse pinge abil. L-lätteks S-suue (neel) P-Pais Väljatransistor lüliti viisid ÜL (source) Optron 4 sorti Seadised mille abil teostatakse väikeste elektrisignaalide abil, suurte võimsuste juhtimist. Tagatakse hea galvaaniline lahtisidestus. Tüüriv element- elektromagnet laine 900 ~ 1200 nano meetrit Kiirgus allikas (valgus diood) paremal (fotodiood) Joonis ------------------------------------------------ valgus diood - Fototülistor. Joonis --------------------------------------------
justkui ühise klemmiga, määrates sisendtakistuse. Pilet 4 1. Filtriga võimu ehitamine Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. 2. Mahtuvuslik filter alaldis Mahutuvuslik filter on nõrkade voolude jaoks. Tarbijaga paralleelselt konde-väikeste voolude jaoks. q1=1/(2fvCRt). Kui C->lõpmatus pulsatsioone pole. Tühijooksul Rt=lõpmatus->Ud=Uc=U2m=ruutjuur(2U2) 3. Väljatransistor Väljatransistor on pooljuhtseadis, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhitavust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate liikumisena. Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1)Elektriväljaga muudetava voolukanali ristlõike muutmise teel nagu see toimub pn- siirdega väljatransistoris
sisendelektroodi voolu vahelduvkomponendi suhe (sisendsignaali allika koormamist iseloomustav suurus); Transistori väljundtakistus – kollektorpinge vahelduvkomponendi ja kollektorvoolu vahelduvkomponendi suhe lahtise sisendelektroodi korral. 46. Transistoride lülitusviisid. Skeemi visandamine. Ühise baasiga lülitus; Ühise emitteriga lülitus; Ühise kollektoriga lülitus 47. pn- väljatransistor, tööpõhimõte, tunnusjooned. pn-väljatransistori moodustab tavaliselt n-juhtivusega pooljuhist kanal, sest elektronid on märksa suurema liikuvusega kui augud. Toodetakse nii n- kui p-kanaliga pn-väljatransistore. Õhukese kanali mõlemale poolele on difundeerimisega tekitatud p-juhtivusega alad. Kanali laius (risti joonise pinnaga) on seotud transistori piirvõimsusega. Transistori normaalsel töörežiimil on paisul lätte suhtes negatiivne pinge. Seega
Lk 112 h-parameetrid on mitmesuguste dimensioonidega ja seepärast nim seda süsteemi sega-ehk hübriidparameetrite süsteemiks. Parameetrid h12 ja h12 on dimensioonita suurused: h12=u1/u2 kui i1=0 või I1=const. h21=i2/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h11 on takistuse dimensiooniga h11=u1/i1 kui u2=0 või U2=const. Parameeter h22 on juhtivuse dimensiooniga h22=i2/u2 kui i1=0 või I1=const. 40. Millistest teguritest sõltuvad h-parameetrid? Voolust ja pingest 41. Mis on väljatransistor? Väljatransistoriks nimetatakse pooljuhtseadist, mille pooljuhist voolu juhtiva kanali juhtivust mõjutab elektriväli ja sellest tulenevalt on ta erinevalt bipolaartransistorist pingega tüüritav element. Väljatransistori nimetatakse ka unipolaartransistoriks, sest tema väljundvool kujuneb ainult ühenimeliste laengukandjate (kas elektronide või aukude) liikumisena. n-tüüpi MOSFET Voolu tüürimise iseloomult jagunevad väljatransistorid: 1
0. Kui sisendis 0 U0=3..30mV 3. loendustriger, impulss lülitab ümber JK->T: J=K=1; JK->D:K=-J 4. 1 sisend 2n väljundit n aadressi 5. neg parall TS pinge järgi. Oletame, et Rsis D==>Isis=Its, Usis-u0/R1=-Uvalj-u0/Rts. Juhul kui Ku->, siis u0=Uvalj/Ku->0 Kui=-Rts/R1 u0-ple nullnihkepinge vadi u. Sisendite vahel ei tohi olla üle 0,4..0,5V. Kui Rts=R1=>Kui=-1, kui uo->0, siis skeemi sisendtak Rsis=R1. Pilet 4. 1. filtriga võimu ehitamine 2. mahtuvuslik filter alaldis 3. väljatransistor 4. PROM 5. High-Z 1. Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. 2. tarbijaga paralleelselt konde-väikeste voolude jaoks. q1=1/(2fvCRt). Kui C-> pulsatsioone pole. Tühijooksul Rt=->Ud=U2m=U22 3. unipolaarne, pingega juhitav. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal 2
kus A1 on signaali w amplituuud. [vaata | 14. pn-siirdega tüüritav väljatrans (JFET). muuda] Ehitus ja tööpõhimõte. Kanali ahendamine paisupinge abil. Pingestamiseks vajalikud vooluallikad, nende polaarsus. Kanali voolu sõltuvus paisupingest. Tõusu definitsioon ja ühikud. Väljundtunnusjooned. Ühise lättega võimenduastme skeem. Väljatransistor on transistori tüüp, kus läbivat voolu tüüritakse sisendpingega. JFET-s (Junction Field Effect Transistor) ehk pn-siirdega väljatransistoris moodustab kanali n- v. p-juhtivusega pooljuhtplaat (joonisel n-juhtivusega), mille otstest lähtuvad elektroodid läte (Source) ja neel (Drain). Pooljuhtplaadi ühel küljel on moodustatud vastupidise juhtivusega ala, mida nimetatakse paisuks. Kanali ja paisu vahel kujuneb laengukandjaist vaene ja seetõttu suure takistusega pn-siire.
generaatorites Pilet 4. kasutatakse selektiivsete elementidena sagedusest sõltuvaid RClülisid. Nendest klassikaline 1. filtriga võimu ehitamine _"Wien`i sild". faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu 2. mahtuvuslik filter alaldis külge mitteinv-va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur. Ülemisest klemmist 3. väljatransistor inv OV valj, alumisest OV +. Vaja Ku3->Rts/Ro2. 4. PROM 4. küllastus välditud(puudub peensiire) ja kiirus 3-4x suurem kui TTL(=10ns). Pooljuhtmaterjal 5. High-Z (kõrge-oomiline) ja metall. Selleks, et vältida bipolaarse transistori küllastusse minekut 1. Filter OV väljundisse või sisendisse. Nt RC,CR,LC filter väljundisse. Inv võim, mitteinv. kasutatakse võtet nimega dioodne fiksatsioon
Integraal indektsioon loogika IIL-s tehakse ühele kristallile nii np- kui ka npn-tüüpi transistore; saavutatakse mõnevõrra parem kiirus ja pakkimisomadused on paremad. Emittersidestuses loogika ECL - bipolaartransistoridel põhinev; on väga kiire; lisaks on sellel negatiivne loogika, kus loogilise nulli nivoo on kõrgem kui loogilise ühe nivoo. Unipolaarsed tehnoloogiad n-channel MOS NMOS n-juhtivusega MOS- loogika. Väljatransistor. p-channel MOS PMOS p-juhtivusega MOS loogika. Väljatransistor. Unipolaarne. Kõrge nivoo - avatud kontaktidega lüliti, madal nivoo - suletud kontaktidega lüliti Complementary MOS CMOS-is pannakse kristallidele mõlemaid tehnoloogiatel valmistatuid, nii n- kui ka p-tüüpi transistore. Kui sisse tuleb 0, muutub 1.ks, kui 1, siis 0-ks. CMOS on laialt levinud ja kasutatakse arvutiskeemides. Aeglasemad kui bipolaarsed, kuid võimaldab paremat pakkimistihedust ning energitarve on väiksem.
h21D = 500... 33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid: p-n siirdega, isoleeritud paisuga. Pais, Gate, , Lätte, Source, , Neel, Drane, Mida laiem vaesunud ala, seda kitsam kanal, seda väiksem vool voolab läbi kanali. Vaesunud alas on vähe voolukandjaid. p-n siirdega väljatransistor. p-n siire on alati vastupingestatud! 34 Mida kõrgem vastupinge p-n siirdel, seda laiem on vaesunud ala. 35 Isoleeritud paisuga väljatransistorid (MOP- transistorid). Formeerkanaliga (sisseehitatud kanal) Indutseerkanaliga Formeerkanaliga MOP- transistor RSIS 1012 1014 Ohm. Isolaator SiO2 Alus tavaliselt on ühendatud lättega.
o Pais (Gate), mis asub kanali küljel Kui paisu (G) pinge = L, siis ahelas vool puudub (paremal), kui G = H, siis moodustub voolu juhtiv kanal ja võime vaadata seda kui suletud kontaktidega lülitit. p-kanaliga transistor töötab vastupidiselt: CMOS ei-element - Koosneb kahest järjestikku ühendatud eri tüüpi kanaliga väljatransistorist. Üleval on p- ja all n-kanaliga väljatransistor. Kui sisend x = H, juhib voolu alumine transistor ja väljund on L. Kui aga x = L, juhib voolu ülemine transistor ja väljund on H. Väljundi väärtus on seega vastupidine sisendi väärtusele (inversioon). Ümberlülitumisel LH või HL tekib voolu hüpe, mis põhjustab soojenemist. Seepärast on mikroskeemidel jahutus. CMOS ja-ei-element – konjunktsiooni eitus. Ehitus transistorite tasemel: üleval kaks rööbiti pMOS-i ja alla jadamisi kaks nMOS-i
1. Sisendtakistus on võimendi sisend klemmide vahel kujuldetav takistus mis koormab signaali allikat. On ilmne, et on soovitav, et võimendi sisendtakistus oleks võimalikult suur sest sellisel juhul on signaal allika koormus väike ja ei teki signaali kadu. Sisendtakistuse väärtus sõltub kasutatavadest võimendus elemenditest. Transistor võimendi on ta mõne kilooomi ringis, lamp ja väljatransistor võimendidel aga megaoomides. 2. Väljundtakistus see on kujuldetava väljundpinge generaatori sisetakistus. On soovitav, et väljund takistus oleks võimalikult väike sest siis on väike ka tema klemmidel tekkiv signaali kadu. 3. Nimisisendsignaal see on sisend signaali amplituud väärtus, millele võimendi on arvestatud. Ta sõltub kasutatavast sisend signaali allikast nii
AND (JA, loogiline korrutamine, konjuktsioon) OR (VÕI, loogiline liitmine, disjunktsioon) NOT (EI, loogiline eitus, inversioon) Teisendusvalemid: · Diskreetne aeg Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad Esimesed digitaalsetest integraallülitustes kasutati lülituselementidena bipolaartransistore, sest nende valmistamise tehnoloogia oli rohkem arenenud. Hiljem aga osutus, et suure tihedusega lülituste tarbeks on unipolaarne e. väljatransistor palju sobivam. Viimaste valmistamine nõuab vähem tehnoloogilisi operatsioone ja vähem pinda ühe lülituselemendi kohta. Seetõttu valmistati esimesed mikroprotsessorid eranditult väljatransistoride baasil. Vaatamata oma tehnoloogilistele eelistele jäävad väljatransistorid bipolaarsetele siiski alla töökiiruse poolest. See omakorda stimuleeris viimaste forsseeritud arendamist ning selline konkureeriv areng on kestnud tänapäevani. Tulemusena ei ole kumbagi
DTC momendi vahetu juhtimine PDU impulse jaotusseade EMC elektromagnetiline ühildatavus PWM pulsilaiusmodulatsioon EMF elektromotoorjõud rms ruutkeskmine väärtus EO sümmeetriline optimum rpm pööret minutis ESR ekvivalentne jadatakistus s sekund F farad SCR lihttüristor FET väljatransistor SO sümmeetriline optimum FOC väljaorienteeritud juhtimine SVM vektorjuhtimine G giga = 109 (eesliide) V volt GTO suletav türistor VDC alalisvoolu volt H henri VFC pinge-sageduse juhtimine Hz herts VSI pingevaheldi IGBT isoleeritud paisuga bip. transistor W vatt
annaabi.ee 
