18.Pooljuhile lisandi lisamisel ei jätku valentselektrone pooljuhi aatomitega kovalentse sideme loomiseks.Puuduolev elektron võetakse ühelt pooljuhi aatomilt.katkend side tähendab augu tekkimist.Nüüd tekib keelutsooni tühi enegitase-aktseptornivoo.19.Ruumlaengu tekitatud elektriväli pidurdab enamuslaengukandjate edasist difundeerumist.Teatud väljatugevuse saavutamisel see praktiliselt lakkab-On tekkinud tõkkekiht.20.pn-siirdele rakendatud päripinge korral n-pooljuhis elektronid ja p-pooljuhis augud liikuma kontaktpinna poole.Tõkkekihti jõudnud elektronid "täidavad" augud ja vastupidi.Tõkkekiht kaob.21.Pn-siirdele rakendatud vastupinge korral hakkavad valise välja mõjul n-pooljuhis elektronid ja p- pooljuhis augud liikuma kontaktpinnast kaugemale .Tõkkekihi paksus suureneb.Lubatud tsoon-on kristallis valentselektronide energiatasemete
29. Ühise emitteriga lülituse korral on sisendvooluks baasi vool, mis on vähemalt sada korda väiksem kui emitteri vool järelikult on sama palju kordi suurem sisend takistus. Ühise emitteriga lülituses on väljundpinge suhtes järjestikku mõlemad siirded. Nendes kollektorsiire on vastupingestatud ja on seetõttu suure takistusega, emitter-siire on päripingestatud ja väikese takistusega. Seetõttu enamus väljundpingest langeb kollektrosiirdele, kuid väike osa ka emitter-siirdele. See väike osa mõjutab, aga väljundpinge muuutuste korral emitter-voolu ja sealt omakorda kollektorvoolu ja tulemusena on väljundvoolu muutused väljundpinge muutumisel suuremad kui ühise baasiga lülitusel. Järelikult on väiksem ka selle lülituse väljundtakistus. Kuna ühise emitteriga lülitusel sisend- ja väljundtakistused ei ole väga erinevad, siis on see lülitus enamlevinud kolmest vaadeldavast lülitusest.
http://www.abiks.pri.ee Transistor oleks nagu kahe dioodi ühend, dioodidel on ühine ppoolne (npntransistoris) või npoolne (pnptransistoris). Seega on ta juba kolmekihiline pooljuhtstruktuur, Joonisel on märgitud transistorkihtide tavapärased nimetused: emitter (väljasaatma), kollektor (koguja) ja baas (alus). Tõlge "Takistuse ülekanne" ühele siirdele rakendatud signaalpingega saab reguleerida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. Transistoritest saab koostada väga erineva otstarbega lülitusi kaks transistorit võib ühendada kahe tasakaaluseisundiga lülitusse: üks T juhib, teine mitte, kusjuures sisendsignaal võib nende olekut vahetada. Selline lülitus on elektronarvuti põhielement. Nii dioodide kui ka transistorite materjaliks oli varem germaanium, praegu räni. Tehakse ka
Spontaanse kiirguse korral ei kiirgu koherentne valgus.Stimuleeritud kiirguse korral võib valgus võimenduda ja kiirgub koherentne valgus. 13.Laser e. KvantgeneraatorSeade milles toimub valguse genereerimine stimuleeritud kiirguse abil.Laseri ehitamiseks tuleb lahendada kolm probleemi: 1)Pöördhõivega keskonna loominemõjutades aatomite kogumit Elektromagnetväljaga,mille footonite energia vastab siirdele E3E1,neelab põhiolekus olev aatom footoni hf31 ja siirdub olekusse E3 mille juurest toimub spontaanne siire olekusse E 2 ,millega ei kaasne kiirgust.Et E 2 on metastabiilne on tekitatud pöördhõive. E3 E2 hf31 E1 2)Valguse võimendamiseks peab pöördhõivega keskonnas toimuma üks spontaanne siire Hf21
samuti optiliseks kiirguseks spektri infrapunases või ultravioletses osas. Valgusdioodi nimetatakse ka lühivormiga LED (inglise keelest Light-Emitting Diode valgust kiirgav diood). Ühendamisel tuleb jälgida et anood ühendatakse positiivse laenguga ja katood negatiivse laneguga. 11. Mis on fotodiood? Kus neid kasutatakse? Fotodiood (ka ventiil-fotoelement või fotorakk) on pooljuhtdiood, mille elektrilised omadused sõltuvad tema pn-siirdele langevast nähtavast valgusest, samuti ultraviolett- või infrapunakiirgusest. Fotodioode kasutatakse kahes tööreziimis: (1) fotogalvaaniliseks nimetatakse reziimi kui diood muundab valgusenergiat elektrienergiaks, näiteks töötades päikeseelemendina; (2) vastupingereziimiks (ka fotodioodireziimiks) olukorda kui fotodiood töötab koos välise pingeallikaga ning registreerib muutusi valguse intensiivsuses näiteks fototajuritena
R - koormustakisti, millele rakendadakse võimendatud signaal Nooltega on näidatud elektrivoolu suund Seega on ta juba kolmekihiline pooljuhtstruktuur, Joonistel on märgitud transistorkihtide tavapärased nimetused: · E - emitter (väljasaatma), · C - kollektor (koguja) · B - baas (alus, tüür). Ühele siirdele rakendatud signaalpingega saab reguleerida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. (Transistoritest saab koostada väga erineva otstarbega lülitusi kaks transistorit võib ühendada kahe tasakaaluseisundiga lülitusse: üks T juhib, teine mitte, kusjuures sisendsignaal võib nende olekut vahetada. Selline lülitus on elektronarvuti põhielement. )
138 8 29.722 7.51 × 10 26.107 23.6 Kuidas sõltub takistus voolu väärtusest? Takistus sõltub voolu väärtusest ligikaudu eksponentsiaalselt. Mitu korda erineb takistus pärilülituse korral takistusest vastulülituse korral? Miks? Erinevus on umbes miljon korda. Põhjuseks on pn-siirde eripära vastupingestamisel voolu mitte läbi lasta. Siirdele vastupinge rakendamisel liitub väline elektriväli siirde oma väljaga samasuunaliselt. Selle tulemusena muutub potentsiaalibarjäär sedavõrd kõrgeks, et enamuslaengukandjate difusioon lakkab. Vähemuslaengukandjad läbivad siirde küll takistamatult, kuid neid tekib toatemperatuuril vähe ja vastuvool jääb nõrgaks. Miks on dioodil pärilang ja kui suur see on teie dioodil?
Transistor: pooljuhtseadis elektrisignaalide võimendamiseks, muundamiseks ja genereerimiseks. Selle abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida teist elektrisignaali. Kui valgusdioodi läbib pärivool, hakkavad need valgust kiirgama: siirdealas kohtuvad elektronid ja augud taasühinevad rekombineeruvad. Pooljuhtdioodid: alaldid, ventiilfotoelemendid nt. päikesepatareid. Päripinge: elektrivoolu pinge elektronide liikumise vastassuunas. Takistuse ülekanne tähendab: ühele siirdele rakendatud signaalpingega saab reguleerida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget.
natuke parema elatustasemega riikidesse. Aasia Põhja-Ameerikasse - paremate elu ja töötingimuste otsingutele, ka ülerahvastatuse ja loodusõnnetuste eest. Mandrisisene – poliitiline, sõjaline, usuline tagakiusamine: Kasahstanist, Kesk-Aasiast, Taga-Kaukaasiast Venemaale. Lõuna-Aasiast Araabia ps. riikidesse – ülerahvastatus, paremad töö- ja elu tingimused. Positiivne külg siirdele: mitmekesistunud tööjõuturg, saadakse vajalik tööjõud. Migrandid on nõus töötama raskematel töödel. Odav tööjõud – nõus töötama odavama tasu eest. Negatiivne külg siirdele: suureneb tööpuudus oma riigi elanike hulgas, suurem surve sotsiaalsfäärile. Positiivne külg lähteriigile: riigis väheneb tööpuudus. Paranevad migrantide tööoskused, mida hiljem saab kodumaal kasutada. Suur osa teenitud rahast saadetakse kodumaale.
üldse mitte. Seda kasutatakse pooljuhtdioodide valmistamiseks. 13. Kui dioodile rakendada päripinge, hakkab vool pinge tõustes kasvama. Vastupinge korral kahaneb vool nullilähedale. 14. Pärisiire toimub siis, kui vooluallika positiivne poolus on ühendatud p-poolmega. Vastusiire toimub siis, kui poolused on vahetatud. 15. Transistoris on ühisesse kristallipalasse loodud kaks vastasjärjestuses pn-siiret. Ühele siirdele rakendatud signaalipingega saab reguleerida teise siirde takistust. 16. Väljatransistoris tüüritakse klemmide "läte" ja "suure" vahelist voolu siireteta pooljuhis. Tüürib isoleeritud elektroodile "pais" antud signaalipinge. 17. Kiip on pooljuhtplaadike, millesse on tehtud suur hulk pisikesi transistoreid koos lülitusse kuuluvate takistite, kondensaatorite jm vajalikuga. 18. Kiirgavas aatomis toimub kvantsiire - elektroni võnkumine ühest seisulainest teise. 19
kõik liikumisparameetrid nagu tahkete ja vedelete kehade asend, siire, kiirus, kiirendus ja tõuge ning samuti kehadele toimivad jõud, momendid, rõhk. Kuna erinevaid mehaanilisi suurusi on palju, siis toimub andurites täiendav mehaaniliste suuruste muundamine. Näiteks, anduri erinevate füüsikaliste sisendsuuruste: jõu, momendi, rõhu ja kiirenduse taandamine mehaanilisele deformatsioonile (siirdele), kasutades selleks Hook'e seadusena tuntud põhimõtet, et elastsete kehade deformatsioon on võrdeline seda põhjustanud jõuga. Mehaaniliste suuruste muundamisest annab ülevaate tabel. Sisendmuutujad Vahemuutujad Väljundmuutuja Siire x = kF 1. Jõud, F Jõud, F (Hooke seadus
väike. Tulemusena selgub et PN siirde ventiili omadused temperatuuri tõustes halvenevad. See asjaolu piirab pooljuht seadiste suurimat lugatavat töötemperatuuri. 1.4 PN siirde läbilöök Kui suurendada vastupingestatud siirdele mõjuvat pinget siis tugevneb siirdes mõjuv elektriväli ning see elektriväli hakkab kiskuma ära tõkkekihis olevate aatomite elektrone. Tulemusena tekib vastuvoolu suurenemine, mis läheb üle laviini taoliseks, siire hävib. Nimetatud põhjusel ei tohi siirdele mõjuv vastupinge ületada teatud piirväärtust ja see väärtus peab olema läbilöögi pingest väiksem. Läbilöögi protsess sõltub ka temperatuurist. Kõrgematel temperatuuridel on vastuvool suurem ja mõjuva elektrivälja
tugevam, siis ei saa enamuslaengukandjad siiret üldse läbida. Seda olukorda võib kujutada ka nii, nagu muutuks tõkkekiht paksemaks. Selliselt pingestatud siirde olukorda nimetatakse vastupingereziimiks. p-n- siiret läbib vastupinge olukorras ainult väga nõrk vool, mida nimetatakse vastuvooluks. Vastuvoolu põhjustajaks on vähemuslaengukandjad. Tingituna vähemuslaengukandjate piiratud kontsentratsioonist ei sõltu vastuvool siirdele rakendatud vastupingest. Päripingestatud p-n siire Kui ühendada p-n-siire vastupidise polaarsusega pingeallikaga, siis on ka esinevad nähtused vastupidised võrreldes eelmisega juhtumiga. Sel juhul on välise pingeallika poolt tekitatud elektriväli suunatud vastu p-n-siirde elektriväljale ja siirdes mõjuv elektriväli hakkab vähenema, muutub nulliks ja siis muudab koguni suunda. Samal ajal liiguvad enamuslaengukandjad siirde suunas, kuni laengud siirdes kaovad
Vastusiirde puhul on poolused vahetatud. 13. Milline on transistori ehitus ja tööpõhimõte? ( tee skemaatiline joonis) Transistor on pooljuhtseadis, millel on kaks p-n-siiret. Tal on kolm osa, millest kaks äärmist on ühesuguse juhtivusega, keskmine aga erineva juhtivusega. Vastavalt sellele, millist juhtivust omab keskmine osa. On võimalik valmistada kaht liiki transistore p-n-p ja n-p-n. Transistori tööpõhimõte seisneb selles, et ühele siirdele rakendatud oluliselt nõrgema signaalipingega saab reguleerida ning tüürida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. 14. Milline on välitransistori tööpõhimõte? Selles tüüritakse kanali takistust paisu pinge abil. 15. Mis on kiip? Kiip on pooljuhtplaadike, millesse on tehtud suur hulk pisikesi transistoreid koos lülitusse kuuluvate takistite, kondensaatorite ja muu vajalikuga. 16. Mis toimub kiirgavas aatomis?
, töötab väline elektrijõud kaksikkihile vastu ja dioodi läbib vool, mis pinge tõustes kiiresti kasvab. Vastusiire See on pooluste vahetamisel, väline väli tugevdab sisemist tõkkevälja ja vool kahaneb nulli lähedale. 15. Transistor saadake kui kaks pn-siiret luuakse vastasjärjestuses ühisesse kristallipalasse. Transistor on kolmekihiline pooljuhtstruktuur (emitter, kollektor ja baas). Tööpõhimõte on, et ühele siirdele rakendatud signaalipingega saab reguleerida, tüürida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. 16. Tüüritakse klemmide ,,läte" ja ,,suue" vahelist voolu homogeenses, siireteta pooljuhis. Tüürib isoleeritud elektroodile"pais" antud signaalipinge. 17. Kiip on pooljuhtplaadike, millesse on tehtud suur hulk imepisikesi, mõnemikromeetriste mõõtmetega transistoreid koos lülitusse kuuluvate takistite, kondensaatorite jm. Vajalikuga. Üks kiip moodustab terve
vastassuunalised ning nende summa on null. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 6 3.2.2. Päripingestatud pn-siire Kui ühendada p-juhtivusega piirkond vooluallika positiivse poolusega ja n-juhtivusega piirkond negatiivse poolusega s.t. rakendada siirdele päripinge, mõjub väline elektriväli sisemisele elektriväljale vastu, alandades potentsiaalibarjääri (joonis 3.3). Seetõttu on rohkem elektrone suutelised difundeeruma läbi tõkkekihi p-piirkonda ning samal põhjusel tugevneb ka aukude difusioon vastassuunas. Tekib pärivool. Kui väline pinge ületab tõkkepinge (ligikaudu 0,3 V germaanium- ja 0,7 V ränisiirde korral), kahaneb tõkkekihi paksus nullini ning siiret läbiv pärivool kasvab pinge edasisel suurendamisel eksponentsiaalselt
sinnapoole, kuhu on üles seatud märklaud. Seepärast tuleb üles panna veel üks peegel. See pöörab tagasi plaadikese teisest servast peegeldunud kiired, suurendades veelgi laseri valgusenergiat. Laserist väljuva kiire võimsus sõltub pumpamislambist. Laseri käivitab optiline pumpamine. Transistorid Transistor koosneb kahest järjestikusest vastupidisest pn-siirdest. Transistor koosneb kahest ühendatud dioodist. Transistori tööpõhimõte seisneb selles, et ühele siirdele rakendatud oluliselt nõrgema signaalipingega saab reguleerida ning tüürida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. Transistor on aktiivseade tema abil saab võimendada elektrisignaale, teha ümberlülitamisi, genereerida elektrivõnkumisi jpm. Transistore saab paigutada kahe tasakaaluseisundiga lülitusse. Üks transistor juhib ja teine ei juhi ning sisendsignaal võib nende olekut vahetada. Selliste lülitustega modelleeritakse binaarkood (0 ja 1)
Siirdealas jäävad n-poolele positiivsed ioonid ja p-poolde negatiivsed aktseptori ioonid. Nende laengut ei tasakaalusta enam lahkunud elektronid ega augud. Kaksikkihi elektriväli hakkab ülevalguvaid laengukandjaid tagasi tõrjuma, kuni tekib tasakaal. P-N siirde juhtimine. Välise vooluallikaga saab tekkinud potentsiaalibarjääri tõsta või langetada. Kui dioodile rakendada päripinge (vt. Joonist), siis töötab väline elektrijõud siirdele vastu ja dioodi läbib normaalne pingega võrdeline vool. Vastupinge korral tugevdab väline väli sisemist tõkkevälja ja vool kahaneb nullilähedaseks. Vahelduvvoolu ahelas hakkab diood seega alaldama vahelduvvoolu ja tekitab sellest pulseeriva ühesuunaliste vooluimpulsside jada. Vooluimpulsse saab tasandada filtritega,näiteks konden- saatoritega. Pooljuhtdioodide liike.
saab leida mittetasakaaluliste laengukandjate eluea o alusel: L = Do kus D laengukandjate difusioonitegur. Mittetasakaaluliste laengukandjate eluea mõistet vaatleme fotojuhtivuse juures, ta määrb ära seadise inertsi (kiiretoimelisuse). Tõõkekihi (siirdeala) ulatuses on sisemise elektrivälja toimel energiatsoonid kaldu, st enamuslaengukandjate liikumisele ühelt alalt teisele esineb energiabarjäär (joonis 2.15). Vaatleme, mis juhtub, kui p-n siirdele rakendada väline elektriväli. Seda illustreerib joonis 2.16. Kui ühendada välise pingeallika positiivne poolus p-alaga ja negatiivne poolus n-alaga, siis on väline elektriväli suunatud vastupidi sisemisele väljale (joonis 2.16a). Sellist pinget nimetatakse päripingeks, kuna selle toimel liiguvad enamuslaengukandjad ülemineku poole ja vähenab tõkkekihi laius, väheneb ka eneriatsoonide kalle ja potentsiaali barjäär ning enamuslaengukandjad suudavad tõkkekihti läbida. Tõkkekihi
o Arvutatakse või valitakse töötlemisrežiimid ja ajanormid o Vormistatakse vajalik dokumentatsioon (operatsiooni kaardid) Töötlemislisa ja töötlemisvaru o Töötlemislisa on toorikult eemaldatav materjali kiht, mis on tingitud tooriku valmistamise tehnoloogiast o Töötlemisvaru on toorikult eemaldatav materjali kiht, mis on vajalik detaili täpsuse ja pinnakvaliteedi tagamiseks. Tehakse vahet töötlemisvaruga siirdele ja üldise töötlemisvaruga. 4. Soonte töötlemine Lõikeriista asetus tooriku teljest o Lõikeriista paigalduse viga võib olla ±0.1mm. Tööriista vale paigaldus toob kaasa pealõikeserva ning tagatahu ja detailivahelise nurga muutuse. Lõikeriist peab olema seatud 90⁰ nurgaga. Mida väiksem tööriista väljaulatus, seda parem tulemus. Lõikeplaadi nurga suurendamine vähendab lõikejõude, kuid nõrgestab
JOONIS 4.6. ELEKTROONIKAKOMPONEND1D lk.23 Seda olukorda võib kujutada ka nii, nagu muutuks tõkkekiht paksemaks. Selliselt pingestatud siirde olukorda nimetatakse vastupingereziimiks. p-n-siiret läbib vastupinge olukorras ainult väga nõrk vool, mida nimetatakse vastuvooluks. Vastuvoolu põhjustajaks on vähemuslaengukandjad. Tingituna vähemuslaengukandjate piiratud kontsentratsioonist ei sõltu vastuvool siirdele rakendatud vastupingest. Täpsemalt asja uurides selgub, et vastuvool koosneb mitmest komponendist, millest osa sõltub ka rakendatud pingest. Seetõttu võime ka praktiliselt märgata vastuvoolu mõningat sõltuvust vastupingest. Vastuvool sõltub samuti ka materjalist. Ränil on see märksa väiksem kui germaaniumil. Kui ühendada p-n-siire vastupidise polaarsusega pingeallikaga, siis on ka esinevad nähtused vastupidised (vt. joonis 4.7)
pingestatud siirde olukorda nimetatakse vastupingereziimiks. P-N-siiret läbib vastupinge olukorras siiski ka väga nõrk vool, mida nimetatakse vastuvooluks Vastuvoolu põhjustajaks on vähemuslaengukandjad , mis saavad mõjuva elektrivälja kaasabil siiret läbida Võime kujutleda ka, et siirde tõkkekiht muutub nagu paksemaks. Reverse Biased Junction 7 JOONIS 1.6 Tingituna vähemuslaengukandjate piiratud kontsentratsioonist sõltub vastuvool siirdele rakendatud vastupingest väga vähe. Vastuvool sõltub samuti ka materjalist.. Ränil on ta märksa väiksem kui germaaniumil. Kui ühendada P-N-siire vastupidise polaarsusega pingeallikaga, siis on ka esinevad nähtused vastupidised (vt. joonis 1.7). Sel juhul on välise pingeallika poolt tekitatud elektriväli suunatud vastu P-N-siirde elektriväljale ja siirdes mõjuv elektriväli hakkab vähenema, muutub nulliks ja siis muudab koguni suunda. Samal ajal liiguvad
vähemuslaengukandjad , mis saavad mõjuva elektrivälja kaasabil siiret läbida Võime kujutleda ka, et siirde tõkkekiht muutub nagu paksemaks. 6 Reverse Biased Junction JOONIS 1.6 Tingituna vähemuslaengukandjate piiratud kontsentratsioonist sõltub vastuvool siirdele rakendatud vastupingest väga vähe. Vastuvool sõltub samuti ka materjalist.. Ränil on ta märksa väiksem kui germaaniumil. Kui ühendada P-N-siire vastupidise polaarsusega pingeallikaga, siis on ka esinevad nähtused vastupidised (vt. joonis 1.7). Sel juhul on välise pingeallika poolt tekitatud elektriväli suunatud vastu P-N-siirde elektriväljale ja siirdes mõjuv elektriväli hakkab vähenema, muutub nulliks ja siis muudab koguni suunda
225 Tugevusanalüüsi alused 14. KÕVERATE VARRASTE TUGEVUS · väändenurk d on seotud vedru koormuse rakenduspunkti B virtuaalse siirdega BB' mööda ringjoone kaart ümber ristlõike pinnakeskme C; R FR 3 · siirdele BB' vastab punkti B vertikaalsiire: d = BB' = Rd = d ; CB GI 0 · vedru pikkuse muutus koormuse F toimel saadakse 2n FR 3 elementaarsiirde d avaldise integreerimisega üle = d = d ;
elementaarimpulsiks. d(m*~v)= ~F*dt (masspunkti liikumishulga diferentsiaal võrdub sellele punktile rakendatud jõu elementaarimpulsiga. 36. Jõu töö mõiste. Elementaartöö. Konservatiivsed (raskusjõud, gravitatsioonijõud, elastsusjõud) ja dissipatiivsed jõud. *Jõu töö mõiste - DEF Mehaanikas defineeritakse jõu ~F elementaartöö dA lõpmata väikeseks siirdel ds, kui dA= F*ds*cos, kus on jõu ~F projektsioon siirdele. *Elementaartöö: dA= F*cos*ds * Konservatiivsed (raskusjõud, gravitatsioonijõud, elastsusjõud) jõud - DEF: Jõude, mis töö rakenduspunkti üleminekul ühest kohast teise ei sõltu tee pikkusest, kujust, ega rakenduspunkti liikumise seadusest nimetatakse konservatiivseteks jõududeks. * Dissipatiivsed jõud - DEF: mittekonservatiivseid jõude nimetatakse dissipatiivseteks 37. Potentsiaalne energia. Potentsiaalse energia tasemepinnad.
Matemaatikast on teada: X= × u × u . u du Kaudselt mõõdetud vea suurust leitakse funktsiooni tuletise df(u)/du ja mõõdetava suuruse ebatäpsuse u abil. 7. Millised on SI põhiühikud? Mis on dimensioonivalem? SI-süsteemis (Systeme International d`Units, 1960.a.) on seitse põhiühikut: 1 sekund-1 sek (aeg, mis võrdub 133 Cs aatomi põhioleku kahe ülepeenstruktuuri nivoo vahelisele siirdele vastava kiirguse 9 192 631 770 perioodiga), 1meeter-1 m (on teepikkus, mille valgus läbib vaakumis 1/299 792 458 sekundi jooksul), 1 kilogramm-1kg ( on määratud plaatina Pt ja iriidiumi Ir sulamist valmistatud normaalkilogrammiga), 1 amper-1A (on selline alalisvoolutugevus, mis liikudes kahes paralleelses lõpmata pikas juhtmes, põhjustab juhtmete vahel 1 meetri kohta 2*10 7 N suuruse jõu, kui juhtmete vahekaugus on 1 m), 1 kelvin-1 K (on 1/273,16 osa vee kolmikpunkti
Alaldusdiood on ettenähtud madalasagedusliku vahelduvvoolu muundamiseks pulseerivaks alalsivooluks. Kasutatakse peamiselt ränipinddioode. Valmistatakse kahest dioodist koosnevaid komplekte, ühesuguste näitajatega jadalülituses dioodidest alaldustulpi ja erinevate skeemide järgi ühendatud dioodidest alaldusplokke. Parameetrid: suurim lubatud alalisvool (IFmax on pärivoolu suurim keskväärtus; suurim lubatav alalisvastupinge URmax on dioodi siirdele rakendada lubatav vastupinge suurim väärtus; sagedusala piirdesagedus. Pingevoolu tunnusjoon: (pütsepp:lk 48) 42. Ühefaasilised alaldid Ühefaasilises ühetaktilises alaldis vool läbib dioodi ja tarvitit trafo sekundaarpinge poole perioodi ulatuses, st kuni sekundaarmähise otspunkt a on positiivne otspunkti b suhtes. See vool on pulseeriv, muutudes amplituudiväärtusest nullini. Alaldatud vooli alaliskomponent kujutab endast perioodi vältel tarvitit läbiva voolu
Kinnistoega varda korral suvalise ristlõike pöörde võrdub toe ja vaadeldava lõike vahelise varda lõigu väändenurgaga. d. Siire risti varda teljele e. Elastse joone võrrandid 10. Siirete määramine Mohr’i integraaliga. 1. Leitakse konstruktsioonile rakendatud koormusest tekkivad sisejõud 2. Sellesse punkti mille siiret otsitakse rakendatakse otsitavale siirdele vastav ühikjõud, ühikmoment või nende grupp. Joonsiirde leidmiseks rakendatakse ühikjõud, pöörde leidmiseks ühikmoment. Telje kahe punkti vastastikuse pöörde leidmiseks rakendatakse nendesse punktidesse kaks vastupidist jõupaari momendiga 1 ja kahe punkti omavahelise eemaldumise või lähenemise leidmiseks kaks vastupidist ühikjõudu. 3. Leitakse rakendatud jõududele vastavad sisejõud. 4
Seetõttu tekib dioodi viikude vahel potentsiaalide vahe mida nimetatakse fotoelektro- motoorjõuks. Seda saab kasutada fotovoolu tekitamiseks dioodiga ühendatud koormustakistis R (joonis 4.3 a). Antud juhul töötab diood fotogeneraatorina. Fotodioode saab kasutada ka fotomuundurina koos välise toiteallikaga, mille pinge rakendatakse dioodile tõkkesuunas (joonis 4.3 b). Valgustuse puudumisel läbib dioodi nõrk vastuvool IR (pimevool). Siirdele langeva valguse mõjul tema juhtivus suureneb ning vastavalt tugevneb ka teda läbiv üldvool. Vool kasvab seda enam, mida tugevam on valgusvoog. Selles reziimis on inerts väga väike ja fotodioodi saab kasutada väga kiirete (isegi nanosekundiliste) valgusmuutuste registreerimiseks. Seejuures on voolu muutused praktiliselt lineaarses sõltuvuses valgustustugevusest. Joonis 4.3. Fotodioodide lülitusviisid: (a) fotogeneraatorina; (b) fotomuundurina [2].
õhu või vee suhtes. Selliste suuruste dimensioon on muidugi alati üks. Allpool toome SI põhiühikute definitsioonid (v.a. valgustugevuse ühik kandela): meeter (m) võrdub vahemaaga, mille valgus läbib vaakumis 1/299 792 458 sekundiga (1983). kilogramm (kg) on massiühik, mis võrdub rahvusvahelise kilogrammietaloni massiga (1901). sekund (s) võrdub 133 Cs aatomi põhiseisundi kahe ülipeenstruktuurinivoo vahelisele siirdele vastava kiirguse 9 192 631 770 perioodiga (1967). amper (A) on selline muutumatu elektrivoolu tugevus, mis kahte lõpmatult pikka ja paralleelset, teineteisest vaakumis 1 m kaugusel asetsevat kaduväikese ringikujulise ristilõikega sirgjuhet läbides tekitab nende juhtmete vahel iga meetripikkuse lõigu kohta jõu 2x10-7 njuutonit (1948) (ehk 1 kulon[C]/s). 4
Joonis 3.24 Dünaamilise paisu juhtimise korral määrab voolumuutusest sI ning pingemuutusest sU tulenevad liigpinged juhtlülitus. Lihtsamate kaitseviiside puhul vähendab IGBT-ja MOSFET- transistoride sulgemise liigpingeid suurem paisu jadatakistus (joonis 3.25, a) või vooluallika juhtimine (joonis 3.25, b). Siirde temperatuuri vahetu mõõtmine on võimalik vaid siis, kui temperatuuriandur paigutatakse siirdele võimalikult lähedale (nt monoliitlülituste puhul või ühendatakse temperatuuriandur pooljuhtkristalliga). Temperatuuri saab määrata kaudselt dioodi või türistori vastuvoolu mõõtmisega. Siiski on selliseid meetodeid rakendatud ainult intelligentsetes jõumoodulites. Transistor-jõumoodulite temperatuuri mõõdetakse jahutusradiaatorite pinnal või pooljuhtkristalliga ühendatud termoanduritega. Seega annavad mõõtmised soojuslike
annaabi.ee 
