Vajad kellegagi rääkida?
Küsi julgelt abi LasteAbi
Logi sisse

Aine aatomistruktuur (1)

5 VÄGA HEA
Punktid
Aine aatomistruktuur.
Aatomite kooslus . Molekulide kritsallid.
1.Hõre gaas
Gaasis on aatomid vabad, see tähendab, mida hõredam on gaas, seda suuremad on aatomite vahelised kaugused ja aatmid võivad pidevalt ja korrapäratult liikuda vabalt. Molekulaarjõud on väga väiksed ning aatomitevahelised põrked on elastsed, mis tähendab, et põrkel energiakadu ei toimi.
2. Kooslused moodustuvad aatomites ; molekulis, mis koosneb 2-st ja enamast aatomist;vedelikes, kus osakesed moodustavad suuremaid kooslusi; ja kristallides , kus moodustub kristallivõre osakestest ,mis asuvad seal väga korrapäraselt.
Järelikult koosluses on osakeste vahelised kaugused väga väikesed ning kooslusesse kuuluvad aatmomid mõjutavad teineteist.
A. Kovalentne side.
Joonis.
1)Moodustub kooslus nt. 2-st aatomist, mille 2 või enam väliskihi elektroni hakkavad tiirlema mõlema tuuma ümber.
*Energeetiline selgitus .
Joonis.
Valemid.
1. 2πrn =nλ ,kui n on peakvantarv ehk elektroni orbiidi nr ehk energianivoo nr, siis näeme, et elektroni lainepikkus on võrdeline orbiidu raadiusega .
Võrreldes aatomit ja molekuli näeme, et elektroni raadius molekulis on suurem, kui aatomis. Järelikult elektroni lainepikkus on molekulis suurem, kui aatomis.
rm►ra
2. λ=h/mv näitab, et mida suurem on elektroni lainepikkus molekulis, seda väiksem on elektroni liikumishulk molekulis.
3. Ek=mv²/2 Kolmandas valemis me näeme, et liikumishulga võredline sõltuvus energiaga tuleneb, et liikumishulga kahanemisel väheneb ka molekulis liikumishulga energia.
(On lause õige:p?)
Def. Energiat, mis on vajalik molekuli lõhkumiseks aatomiteks või energiat, mis vabaneb aatomites molekuli moodustamisel nim. molekuli seose energiaks.
B. Ioonne side
Näiteks ioonne side moodustub molekulis olevate ioonide vahel. Naatriumkloriidi molekulis, millies Na on pos. ioon , kloor neg. Põhjus: klooris väliskihi elektronide orbiit ei ole päris ringikujuline,mistõttu elektroni kiht on mõnes kohas õhem mõnes paksem .
Õhemas osas on tuuma tõmbejõud tugevam ja selletõttu kloori aatom tõmbab naatrium elektroni endale. Nii tekib naatrium pos. ioon jakloor neg. ioon.
C. Metalliline side tekib tahkistes ,kuna neid iseloomustavad kritsall e ruumvõred, mille sõlmpunktides asuvad pos. ioonid (aatomis, millest on lahkunud elekronid) ning kuna neg. elektronide ja pos. ioonide vahel valitseb tõmbejõud, mistõttu elektronid iseenesest metallis lahkuda ei saa, küll aga moodustavad elektronpilve, kus võivad vabalt liikuda kristalli ulatuses.
Elektri väljas toimub aukude tekkimine, elektronide vabaks muutumine korrapäraselt. Elektronid liiguvad suunatult elektrivälja + pooluse poole, see on elektrijuhtivus augud, aga nihkuvad nagu nad oleks pos. Laengud elektrivälja – pooluse poole. Me räägime siis aukjuhtivusest.
Ge joonis.
Ge-4v, As- 5v, In- 3v. p-tüüpi juhtivus - Ia, n-tüüpi juhtivus- In. 4-valentsele, 5v Arseeni lisamisega tekib Germaaniumi Arseeni kovalentses sidemes 4 täiskorvalentset sidet. 1As elektron jääb aga vabaks suurendades sellega vabade elektronide arvu.
Vaadeldes 4-valentset Germaaniumi moodustub 4 täiskovalentset sidet , iga aatomi ümber kui see moodustab koosluse 2 germaaniumi aatomiga, kusjuures kummagi aatomi valetselektronid tiirlevad ümber mõlema tuuma
Kuna jõud, mis hoiab elektroni, kovalentses sidemes ei ole nii tugev, siis el. võib lahkuda jättes endast järgi augu , mida võib täita ning teine elektron mille lahkumisel sidemest jäi omakorda auk.
Elektriväljas pos. Aukude suunatud liikumine tekitab voolutugevuse- Ia auk, elektroni suunatud liikumine tekitab voolutugevuse In, seega kogu I( voolutugevus ) on arvuliselt võrdne nii aukude suunatud liikumisest voolutugevusega ja elektronide suunatud liikumisest voolutugevuste summadega. I=Ia+In
Pooljuhtide suur kasutus on tingitud sellest, et nende elektrijuhtivust on suhteliselt lihtne suurendada, neid nt. soojendades termotakisteid valgustades.
Pooljuhtide lisandjuhtivus
a)
doonorlisandid- on lisandid, mis suurendavad elektronide arvu pooljuhis
Ge lisan arseen 5v
joonis.
Energeetiliselt lisandi antud juhul Arseeni energianivoo läheb Ge-i aatomi juhtivustsooni alla keelutsooni, mis tõttu el. paigutuvad juhtivustsooni, suurendades sellega elektronide arvu.
b) Aktseptorlisandid- on lisandid, mis suurenevad pooljuhis aukude arvu, nt. Ge-le lisame Indiumi
joonis. Moodustub Ge-ni ümber 3 täiskovalentset sidet, üks side jääb poolikuks, sest seal tiirleb ümber Indiumi ja Ge aatomituumade ainult 1 elektron ,teise kohal on auk.
Energeetiliselt on indium germaaniumi valetstsooni kohal ning tõmbab ära valentstsoonist elektronid, suurendades aukude arvu valentstsoonis.
c) Diood- see on üks näide, kus kasutatakse pooljuhte.
Pooljuhte kasut. Päikesepatareides, elektriseadmetes vahelduvvoolu muutmisel alalisvooluks, selleks kasut. Pooljuht dioodi ja transistorites, mille abil võimendatakse voolu.
Pooljuht dioodi ehitus ja töö
1.
joonis.
Tihedasse kontakti viiakse erineva juhtivusega pooljuhid, p-tüüpi pooljuhis on palju auke , n-tüüpi pooljuhis palju elektrone. Nende pooljuhtide vahele tekib kontakt a,a` mille el. juhtivus sõltub pooljuhtidele rakendatud elektrivälja suunast .
a) ühendame vooluringi selle pooljuhi, nii et elektrivälja suund on +lt miinusele.
joonis.
I=q/t, I=U/R, k=1/R
Sellise ühenduse korral hakkavad vabad laengud, mida on palju, liikuma üle kontaktkihis, augud – laengu poole, elektronid + laengu poole. Laeng suur mis ajaühikus läbib kontaktkihi, voolutugevus on suur, kontaktkihi takistus on väike ……
Kui takistus on väike on kontaktkihti elektrijuhtivus väike.
joonis.
Elektrivälja suuna muutumisega läbi kontaktkihi, sest antud ühenduses on n-tüüpi pooljuht ühendatud +ga ja suurem osa elektrone liigub sinna peale. P-tüüpi pooljuht on ühendatud – klemmiga ning enamik auke nihkub sinna poole.
Seega, üle kontaktkihi toimub väheste laengute suunatud liikumine, mille tõttu voolutugevus on minimaalne, kontaktkihi takistus suur ja elektrijuhtivus väike.
Antud juhul kasutatakse dioodi vahelduvvoolu muutmiseks alalisvooluks. Et kui voolul on selline suund, et ta tekitab elektrivälja nagu juhul @ siis selle poolperioodi voolu laseb diood läbi . Kui teisel pool dioodil on selline suund nagu voolul (b), on diood „lukus“, seega 1 dioodi kasutamise korral saame me vaheldusvoolust pulseeriva alalisvoolu.
Pideva alalisvoolu saamiseks kasut. Vähemalt 2 dioodi, mis töötavad vastupidistes töörežiimides.
joonis.
Aine aatomistruktuur #1 Aine aatomistruktuur #2 Aine aatomistruktuur #3
Punktid 50 punkti Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
Leheküljed ~ 3 lehte Lehekülgede arv dokumendis
Aeg2009-12-13 Kuupäev, millal dokument üles laeti
Allalaadimisi 31 laadimist Kokku alla laetud
Kommentaarid 1 arvamus Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Autor krisstina14 Õppematerjali autor
aatomite kooslus,energeetiline selgitus, iioonne side, mettaliline side,pooljuhid, dioodi ehitus

Sarnased õppematerjalid

Aatom
56
ppt

Aatom

AATOMI JA TUUMAFÜÜSIKA 12. KL Mikro ja makro Mikro ja makro1 Mikromaailma all tuleb mõista aine elementaarosakesi ja nendega toimuvaid füüsikalisi protsesse. Vastav füüsikaosa kannab nimetust mikrofüüsika. Teadusharu on tekkinud 20. Sajandil. Eelduseks oli radioaktiivsuse, aatomi ja tuuma avastamine. Põhiliseks uurimismeetodiks on siin kaudne katse. Makromailm on see, mida me oma meeltega vahetult tajume. Selles maailmas kehtib klassikaline füüsika oma seadustega. Alused pärinevad 17. Sajandist. Aatomi ehitus ja kvantfüüsika Aatom sarnaneb Päikesesüsteemile

Füüsika
Teema 3-Pooljuhtseadmed
46
pdf

Teema 3, Pooljuhtseadmed

kristallvõre ideaalsest, rangelt korrapärasest ehitusest). Kui näiteks neljavalentse germaaniumi või räni kristalli viia lisandainena sisse viievalentset ainet (fosforit, arseeni v. antimoni) jääb ringorbiidil üks lisandi valentselektron vabaks. Selle eemaldamiseks piisab tühisest energiahulgast, mistõttu tehnikas praktiliselt kasutatavas temperatuurivahemikus on praktiliselt kõik lisandaatomid ioniseeritud (lisandi aatom muutub valentselektroni lahkumise järel positiivseks iooniks). Niisuguseid lisandeid, mis annavad pooljuhile juhtivuselektrone, nimetatakse doonorlisanditeks. Doonorlisandid annavad pooljuhile n-juhtivuse. Vajalik lisandikogus on väga väike, näiteks 1mg fosforit 50 g ülipuhta räni kohta vähendab räni eritakistust 100 000 korda. Liikuvaid laengukandjaid, mis antud pooljuhis on ülekaalus, nimetatakse enamus- laengukandjateks, vastasmärgilisi laengukandjaid aga vähemuslaengukandjateks.

Elektroonika alused
AT dielektrikud pooljuhid jne
2
doc

AT(dielektrikud,pooljuhid jne)

Kuna seal on rohkesti vabu alatasemeid, saab väli neid kiirendada ja tekitada elektrivoolu. Sellep. ongi nimi juhtivustsoon. 4.selgita augu mõisted pooljuhtide füüsikas ja aukjuhtivuse protsessi. Tavatem-del ergastab soojusliikumine pooljuhtides elektrone üle kitsa(1eV) keelutsooni kõrgemasse tsooni-juhtivustsooni,jättes valentsitsooni tühikuid-auke.Auk käitub elektronväljas nagu pos.laenguga voolukandja.Pooljuhti läbiv vool liigub elektronide ja aukude voogudest. Ioniseeritud aatom haarab kaotatud elektroni asemel naabri oma, see ,,röövib"omakorda järgmist ja nõnda muudkui aatomite ahelikku pidi edasi.Seega on siis auk positiivne laungukandja, ta triivib vooluallika negatiivse pooluse poole. Koguvool liitub elektronide ja aukude vastassuunalistest voogudest. 5.mis on rekombinatsioon? Rekombinatsioon on positiivne ioon haarab vaba elektroni ja muutub uuesti neutraalseks aatomiks. (pooljuhi aatomi ioniseermisel tekkiva pos

Füüsika
Elektrotehnika ja elektroonika
18
doc

Elektrotehnika ja elektroonika

intensiivsemalt võnkuma ja toimub elektrienergia muundumine soojusenergiaks. Energia jäävuse seaduse põhjasl on saadud soojushulk Q võrdne kulutatud elektritööga. Joule-Lenzi seadus: Vooluga juhtmes eralduv soojushulk on võrdeline voolutugevuse ruudu, juhtme takistuse ja ajaga Q=I2Rt Juhi takistuse sõltuvus temperatuurist: soojenemisel metallide takistus suureneb, vedelike, gaaside ja pooljuhtide oma aga väheneb. Aine takistuse temperatuurisõltuvust näitab tema takistuse temperatuuritegur. 7. Juhtmete ristlõike valik Juhtmete ja kaablite ülesandeks on elektroonika seadistes elektrivoolu juhtimine, seetõttu valmistatakse nad tavaliselt vasest, harvemini alumiiniumist. Juhtmete ristlõike valilkul lähtutakse kahest tingimusest: a) lubatud vooli järgi (ehk soojenemise järgi) Q=I 2Rt ->t0C; Il=Ia(Il-lubatud vool käsiraamatutes; Ia-arvutuslik vool K.s ja Ohmi järgi)

Elektrotehnika ja elektroonika
Elektrotehnika
11
doc

Elektrotehnika

intensiivsemalt võnkuma ja toimub elektrienergia muundumine soojusenergiaks. Energia jäävuse seaduse põhjasl on saadud soojushulk Q võrdne kulutatud elektritööga. Joule-Lenzi seadus: Vooluga juhtmes eralduv soojushulk on võrdeline voolutugevuse ruudu, juhtme takistuse ja ajaga Q=I2Rt Juhi takistuse sõltuvus temperatuurist: soojenemisel metallide takistus suureneb, vedelike, gaaside ja pooljuhtide oma aga väheneb. Aine takistuse temperatuurisõltuvust näitab tema takistuse temperatuuritegur. 7. Juhtmete ristlõike valik Juhtmete ja kaablite ülesandeks on elektroonika seadistes elektrivoolu juhtimine, seetõttu valmistatakse nad tavaliselt vasest, harvemini alumiiniumist. Juhtmete ristlõike valilkul lähtutakse kahest tingimusest: a) lubatud vooli järgi (ehk soojenemise järgi) Q=I 2Rt ->t0C; Il=Ia(Il-lubatud vool käsiraamatutes; Ia-arvutuslik vool K.s ja Ohmi järgi)

Laeva elektriseadmed
Materjali keemia ja füüsika
11
doc

Materjali keemia ja füüsika

1. Mis on aine? Aine on osake, mis omab massi ja mahtu 2. Mis on materjal? Materjal on aine, mille töötlemisel (kasutamisel) ei toimu keemilisi muutusi 3. Mis määraab ära aine omadused? Keemiliste elementide ja nendest moodustunud liht- ja liitainete omadused on perioodilises sõltuvuses elementide aatomite tuumalaengust (elementide aatommassidest). 4. Defineerida materjaliteaduse mõiste? 5. Defineerida materjalide tehnoloogia mõiste? 6. Mis on materjali struktuur? 7. Materjali struktuuri erinevad astmed? 8. Mis on materjali omadus? 9. Materjalide klassifikatsiooni alused? Klassifikatsioon toimub alati mingi kindla tunnuse

Füüsika
Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt
73
pdf

Enn Mellikovi materjalifüüsika ja -keemia konspekt

...................................... 13 2.2. Aatomi ehitus. ......................................................................................................... 13 2.2.1. Aatomnumbrid. ............................................................................................... 13 2.2.2. Aatommassid. .................................................................................................. 13 2.3. Aatomite elektronstruktuur. Vesiniku aatom. ........................................................ 14 2.3.1. Kõrvalepõige kvantmehhaanikasse. Kvantarvud............................................. 15 2.4. Keerulisemate (multielektroonsete) aatomite elektronstruktuur. ......................... 16 2.4.1. Aatomi suurus.................................................................................................. 16 2.4.2. Elektron-konfiguratsioon elementides. .......................

Ökoloogia ja keskkonnatehnoloogia
Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused
9
pdf

Funktsionaalsed materjalid I kontrolltöö vastused

5). Pinna eritakistuse saamiseks tuleb arvestada elektroodide vahelist kaugust l ja elektroodi pikkust d. Pinna eritakistus S avaldub pinnatakistuse RS kaudu valemiga s = Rs d/1 , Pinnatakistuse määrab ära pinnajuhtivus, mis omakorda sõltub dielektriku pinna puhtusest. Igasugused lisandid pinnal suurendavad pinnajuhtivast ja vähendavad pinnatakistust. Mustunud pinna korral sõltub pinnatakistus tugevalt ka õhu niiskusest. Niiskes õhus kondenseerub tahke aine pinnale õhuke veekiht, milles lahustuvad pinnal olevad lisandid ja tekitavad sisuliselt pinnale elektrolüütlahuse kihi, mis on suure juhtivusega. Tahkete dielektrikute ruumijuhtivus avaldub samasuguste valemitega nagu pooljuhi juhtivus, ainult laengukandjateks on ioonid (lisandioonid või ioonse kristalli korral ka omaioonid). Kuna ioonide liikuvus on äärmiselt väike, siis on väga väike ka ruumijuhtivus üldse. Dielektriku kogujuhtivus on ruumi- ja pinnajuhtivuste summa. 3.1

Funktsionaalsed materjalid




Kommentaarid (1)

kt8900 profiilipilt
kt8900: hea materjal
14:20 17-01-2010



Sellel veebilehel kasutatakse küpsiseid. Kasutamist jätkates nõustute küpsiste ja veebilehe üldtingimustega Nõustun