· Kristallil on erinevate lisanditega ehk erineva juhtuvusega piirkonnad, et tekiks erinimeliste laengute vastastikmõju · Kahe erineva lisandiga kihi vaheline piir ongi pn-siire. Et laengud tõmbuvad, siis siirde läheduses olevad elektronid täidavad peagi ligemad augud ja laenguta ala siirde ümber laieneb. Kui rakendada n-kihile positiivne ja p-kihile negatiivne pinge, siis vastaslaengud tõmbuvad mõlemal kihi otstel(siirdest kaugel) ja suurendavad laenguta ala ehk tekitavad tõkkekihi, mis oma suuruse tõttu ei lase elektrivoolu läbi, sest vastaskihtides olevate laengute tõmbejõud ei ole piisav selle ületamisks. Kui aga kihile n rakendada negatiivne ja p-kihile positiivne pinge, mis on suurem kui iseeneslikult tekkiv pinge(germaaniumil 0.3 volti, ränil natuke üle 0.6 voldi), siis tõkkekiht väheneb, pinge ,,tõukab" elektronid samasuguse laengu tõttu siirde poole ja laengud saavad
muundamiseks. Transistori abil saab ühe elektrisignaali abil juhtida ehk tüürida teist elektrisignaali. Transistorite Erinevus Eristatakse bipolaar- ja unipolaar- e. väljatransistoreid. Enamik transistoreid valmistatakse ränist. Vaid väga kõrgsageduslikud mudelid gallium-arseniidi ja analoogsete materjalide baasil. Bipolaartransistorid Bipolaartransistor on transistor, mis koosneb kolmest auk- ja elektronjuhtivusega kihist ja kahest nendevahelisest pn-siirdest. Bipolaartransistori (tavaliselt germaaniumist või ränist) struktuur võib olla pnp või npn. Biopolaartransistorid Bipolaartransistori saab panna kolme lülitusse: on olemas ühise emitteriga, ühise kollektoriga ja ühise baasiga lülitus. Esimene neist on kõige kasutatavam, sest see tagab suure võimendusteguri. Ühise kollektoriga lülitus on spetsiifilisem (emitterijärgur). Ühise baasiga lülitus on sageli kasutusel raadiotehnikas, sest võimaldab
17. Mis on pärilülitus? lk 92-93 Kui pinge on rakendatud juhtivas suunas. Lk 93 Päripingestatud pn-siire Kui aga n-kihile rakendada negatiivne ja p-kihile positiivne pinge, mis on suurem kui iseeneslikult tekkiv pinge (germaaniumil ligikaudu 0,3 volti, ränil natuke üle 0,6 voldi), siis tõkkekiht väheneb, pinge "tõukab" elektronid samasuguse laengu tõttu siirde poole ja laengud saavad siiret ületada, sest vastaslaengud tõmbuvad. Edasi liiguvad siirde läbinud laengud siirdest eemale.Aukude liikumist vaadeldakse vaid pooljuhtides. Tegelikult liiguvad ainult elektronid; augud on lihtsalt kohad, kus elektrone ei ole (kuigi need ka liiguvad, aga nad ei ole aineosakesed). Elektrivoolu suund on vastupidine elektronide liikumise suunaga. Näitena võib mõtelda sellele, kuidas toimub pikas autorivis autode liikumine. Esimene auto (tinglikult elektron) liigub natukene edasi, selle auto taha tekkis
Kuid osa kiiri peegeldub plaadikeselt ja eemaldub varda telje suhtes täisnurga all. Laserikiir peab tulistama ühele poole, sinnapoole, kuhu on üles seatud märklaud. Seepärast tuleb üles panna veel üks peegel. See pöörab tagasi plaadikese teisest servast peegeldunud kiired, suurendades veelgi laseri valgusenergiat. Laserist väljuva kiire võimsus sõltub pumpamislambist. Laseri käivitab optiline pumpamine. Transistorid Transistor koosneb kahest järjestikusest vastupidisest pn-siirdest. Transistor koosneb kahest ühendatud dioodist. Transistori tööpõhimõte seisneb selles, et ühele siirdele rakendatud oluliselt nõrgema signaalipingega saab reguleerida ning tüürida teise siirde takistust ja seeläbi ka väljundpinget. Transistor on aktiivseade tema abil saab võimendada elektrisignaale, teha ümberlülitamisi, genereerida elektrivõnkumisi jpm. Transistore saab paigutada kahe tasakaaluseisundiga lülitusse. Üks transistor juhib ja teine ei juhi ning sisendsignaal
Tähtsamad on invertor (EI), konjunktor (NING), disjunktor (VÕI), Pierce'i element (EI-EGA) ja Shefferi element (NING-EI). 5.Baaselemendid NING-EI, VÕI-EI. 6.HiZ otstarve, kasutusnäide, HiZ realiseerimise põhimõte. HiZ on sisuliselt kõrge takistus (miski kolmas olek). 7.Bipolaartransistor kui lüliti. Bipolaartransistoride germaaniumist või ränist pooljuhtstruktuur koosneb kolmest p- ja n-juhtivustüübiga kihist (pnp- või npn-struktuur) ning kahest nendevahelisest pn-siirdest. Ühe pn-siirde (näit emittersiirde) voolu muutumine põhjustab teise siirde (kollektorsiirde) takistuse muutumise. Bipolaartransistori tööks on vajalik erimärgiliste laengukandjate (neg elektronide ja pos aukude) olemasolu pooljuhis. 8.MOP-transistor. Metall-Oksiid-Pooljuht transistor. n ja p-kanaliga. 9.Pooljuhtdiood. Harilikult ühe pn-siirde või metall-pooljuhtkontaktiga ja kahe väljaviiguga pooljuhtseadis elektriliste suuruste muundamiseks
vahe, p alas allpool joont, kasvab siirde alas 0-ni, t-temp.pot 25mV toatemp. Jdif(p- >n)=Jtr(n->p) voolude tihedused. Päripinge: p-n siirde laiuse vähenemine kõrgeoomilise ala (n) arvelt. Ruum laengute vähenemine, 0-Ua(läheneb 0-le), Ja=Jdif-Jtr Ia=JiaS-siirde ristlõige. Katkematu aukude dif läbi p-n siirde ja nende rekomb tekita el-de juurdevoo – klemmilt. Vastupinge:siire laienenud kõvasti n alale, 0+Ub. Jb=Jtr-JJdif. 0-kasvanud ja takistab aukude siirdest läbiminekut. Is=Jtr*S-soojuslik vool, Ia=Is(exp(U/t)-1)-eksponent. VAK: U<0=Ub=>const Is natuke alla nulli kuni läbilöögini, nullilähedal teeb jõnksu ja U>0=>Ia exp pingelang dioodil on exp laius(0,7V Si korral). STABilitron:alalispinge stab, läbilöögi põhimõte, kindel läbilöögipinge ja Istab min ja Istab max läbilöögi vool, selles vahemikus ei tohi rikenda. VARIKAP-mahtuvusdiood:(2 hor joont) kas vastupingel C=var.
Valgusdioode kasutatakse kaasajal indikaatoritena, kuna nad tarbivad tavalistest lampidest oluliselt vähem energiat. Valgusdioode võidakse kasutada ka lihtsamate tekstide ja numbrite esitamiseks automaatikaseadmetes või mõõteriistades. Samuti on ka väikesemõõtmelistes pooljuhtlaserites kasutuses valgusdioodid. Transistorid Transistor koosneb kahest järjestikusest vastupidisest pn-siirdest. Transistor koosneb kahest ühendatud dioodist. Transistori tööpõhimõte seisneb selles, et ühele siirdele rakendatud oluliselt nõrgema signaalipingega saab reguleerida
Katkematu 2. TTL loogika ja 2NING-EI 3. Flash ADM aukude dif läbi p-n siirde ja nende rekomb tekita el-de juurdevoo klemmilt. Vastupinge:siire 4. 1 f. "0" alaldi laienenud kõvasti n alale, 0+Ub. Jb=Jtr-JJdif. 0-kasvanud ja takistab aukude siirdest 5. emitterijärgija läbiminekut. Is=Jtr*S-soojuslik vool, Ia=Is(exp(U/t)-1)-eksponent. VAK: U<0=Ub=>const Is 1. faasinihet fo puhul ple. Diferentseeriv ja integreeriv ahel, saab ühendada võimu külge mitteinv- natuke alla nulli kuni läbilöögini, nullilähedal teeb jõnksu ja U>0=>Ia exp pingelang dioodil on va skeemiga. Mida madalam sagedus, seda väiksem hüvetegur
negatiivseks pooluseks. 44. Stabilitron ja stabistor. Stabilitroniga pingestabilisaator Stabilitron on pooljuhtdiood, mille tunnusjoonel on vooluteljega peaaegu paraleelne lõik, kus pinge sõltub voolust vähe 45. Bipolaartransitorid. ÜE-ühenduses transistori tunnusjooned ja parameetrid Bipolaartransistor on enamasti germaaniumist või ränist pooljuhtseadis, mis koodneb kolmest p- ja n-juhtivusega kihist ning kahest nendevahelisest pn-siirdest, kusjuures võimendusprotsessidest võtavad osa nii elektronid kui ka augud. ÜE(ühisemitriga)-ühenduses transistor on levinuim, kuna ta annab suure pinge- ja vooluvõimenduse ning sisend ja väljundtakistused ei ole teineteisest väga erinevad, see võimaldab astemid hõlbsalt sisendada. Välistunnusjooned saadakse kollektorvoolu Ik sõltuvusena kollektori ja emitteri vahelisest pingest Uce püsiva baasivoolu korral. 46. Võimendi struktuur. Signaali moonutused. Võimendutegur
Aga selline signaalide kombinatsioon ei ole lubatud! 2)Sünkroonne RS-triger: sarnane asünkroonse ühetaktilise RS-trigeriga. Aga tema olek muutub ainult siis, kui sünkroniseerimissisendile C (Clock) on antud vastav sünkroniseerimissignaal. Pilet 2 1. Bipolaarne transistor Bipolaartransistor on vooluga juhitav transistor, mis koosneb kolmest erineva juhitavusega (auk – ja elektronjuhitavusega) kihist ja kahest nendevahelisest pn- siirdest. Transistori seda siiret, millele antakse päripinge, nimetatakse emittersiirdeks, ja sellega külgnevat ala emitteriks. Vastupingestavat siiret nimetatakse kollektorsiirdeks ja sellega külgnevat ala kollektoriks. Keskmine ala – baas – võib olla p- või n-juhtivusega, millele vastavalt on npn- ja pnp- struktuuriga transistore. Npn tüüpi transistoris on enamuslaengukandjateks elektronid ja pnp tüüpi transistorides augud.
Elektromagnetlained võivad paikneda spektri nähtavas osas või infrapunases osas. Valgusdiood kiirgab kitsa spektriga valgust (monokromaatne). 43. Milleks on vaja valgusdioodi ühendamisel vooluringi kasutada takistit? Sest valgusdioodi PN-siire ei kannata kõrget pinget. 44. Bipolaartransistor, tööpõhimõte, siirete nimetused, juhtivustüübid. Bipolaartransistor – aktiivne pooljuhtseadis, mis koosneb kolmest P- ja Njuhtivusega kihist ning kahest nendevahelisest PN-siirdest. Võimendusprotsessist võtavad osa nii augud kui ka elektronid. Transistoril on kolm terminali, millega on ühendatud transistori kolm kihti Emitter Baas Kollektor Sõltuvalt transistori osade juhtivusest eristatakse PNP ja NPN juhtivusega transistore. 45. Transistori tähtsamad parameetrid. Transistori tähtsamad parameetrid Vooluvõimendustegur – transistori kui võimenduselemendi väljundelektroodi voolu muutuse ja seda põhjustanud sisendelektroodi voolu muutuse suhe;
3.4. Bipolaartransistorid Transistor on kolme väljaviiguga tüüritav võimendusomadustega pooljuhtseadis. Tööpõhimõtte järgi jagatakse nad bipolaartransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid ja augud) ja unipolaar- ehk väljatransistorideks (juhtivuses osalevad elektronid või augud). Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. Bipolaartransistor on "kolmekihiline" pooljuhtseadis, mis koosneb kahest järjestikku asetsevast pn-siirdest, koosnedes seega just nagu kahest järjestikusest dioodist, millest üks on päripingestatud ja teine vastupingestatud. Võrdlus kahe järjestikuse dioodiga on siiski üksnes piltlik võrdlus. Kahe pooljuhtdioodi kokkuühendamisel transistori ei teki, sest võimendusomadused annab transistorile äärmisi pooljuhikihte eraldava keskmise pooljuhikihi e. baasi üliväike paksus (< 1 mm). Kuna järjestikku tuleb ühendada erineva juhtivusega pooljuhid, saab valmistada kahte
Katkematu aukude diffusioon (läbi p-n siirde) ja nende rekombinatsioon tekitab elektronide juurdevoo pinge- allika ,,miinuse" poolt. 25 Pingestame vastassuunas! Dünaamiline tasakaal kaob! Jb = Jtr - Jdif 0 on kasvanud ja takistab enamuslaengukandjatele (augud) siirdest läbiminekut. Diff. komponent langeb, vool läheb vastassuunas. Vool pärisuunas enamuslaengukandjad, Pp >> nn vool vastassuunas vähemuslaengukandjad. ventiili omadused U I a = I s e t - 1 eksponent!
N IId / A M IId / W + ≤1 fc ,0 ,d fm ,d PUITKONSTRUKTSIOONID –ABIMATERJAL 22/106 Georg Kodi TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL ehitiste projekteerimise instituut Survele töötavas konstruktsioonis tekib varda siirdest lisajõud V, mis põhjustab täiendavaid deformatsioonide ja ka ristlõigete suurenemist. Vaatleme järgmises näites sinusoidelt kõverdunud surutud varrast: Arvutusskeem: Algolukord (“0“ samm): e 0 = e ja M 0 = N ⋅ e 0 M0 ⋅ l2 N⋅ e 0 ⋅ l2 N ⋅ l2 N⋅ l2 → w el ,0 = 2 = 2 = e0 ⋅ 2
vertikaaltasandis paiknevate postide keskmisest koormusest. Konstruktsiooni algkõverused asendatakse ekvivalentsete koormustega nagu on näidatud joonistel. TERASKONSTRUKTSIOONID ABIMATERJAL 58/79 Georg Kodi TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL ehitiste projekteerimise instituut TEIST JÄRKU MÕJURID Survele töötavas konstruktsioonis tekib varda siirdest (kõverdumisest) lisajõud, mis põhjustab täiendavaid deformatsioonide ja sisejõudude suurenemist. Vaatleme sinusoidelt kõverdunud surutud varrast: Arvutusskeem: I JÄRKU MÕJU II JÄRKU MÕJU Algolukord ("0" samm): e 0 = e ja M 0 = N e 0 M0 M l2 N e 0 l2 N l2 N l2
vahel oli soodsam taandada kromosoomide sümbioosiks. Selline sümbiogeneetiline eukarüootse kromosoomistiku kujunemine seletab hästi ka eukarüoodi geenide arhe- ja eubakteriaalset päritolu. Siiski jäävad siin võrdväärsetena konkureerima ka muud võimalused geenide ülekandest algeukarüootide ja erinevate bakterite vahel (nt. arhebakter Methanococcus jannashi genoomis on nii eu- kui arhebakteritele omaseid geene (Kyprides et al. 1997)) kui ka võimalus mitokondrite geenide siirdest rakutuuma. 4) Üksikud hulkuvad hulgakromosoomsed alg-eukarüoodid neelasid aeg-ajalt ka üksteist – “liigikaaslasi”. Ka sel juhul võis allaneelatu jääda seedimata, see võis osutuda veelgi tululikumaks, kui võõra seedimata jätmine. Alla neelatud “liigikaaslasel” võis rakus olla tasakaalustatud hulgal kasulikke geene, mida neelajal polnud, samuti vastupidi. Võimalus saada ohtlikke geene oli aga palju väiksem kui päris võõra organismi kromosoomi säilitamisel
Selline sümbiogeneetiline eukarüootse kromosoomistiku kujunemine seletab hästi ka eukarüoodi geenide arhe- ja eubakteriaalset päritolu. Siiski jäävad siin võrdväärsetena konkureerima ka muud võimalused geenide ülekandest algeukarüootide ja erinevate bakterite vahel (nt. arhebakter Methanococcus jannashi genoomis on nii eu- kui arhebakteritele omaseid geene (Kyprides et al. 1997)) kui ka võimalus mitokondrite geenide siirdest rakutuuma. 4) Üksikud hulkuvad hulgakromosoomsed alg-eukarüoodid neelasid aeg-ajalt ka üksteist "liigikaaslasi". Ka sel juhul võis allaneelatu jääda seedimata, see võis osutuda veelgi tululikumaks, kui võõra seedimata jätmine. Alla neelatud "liigikaaslasel" võis rakus olla tasakaalustatud hulgal kasulikke geene, mida neelajal polnud, samuti vastupidi. Võimalus saada ohtlikke geene oli aga palju väiksem kui päris võõra organismi kromosoomi säilitamisel
Selline sümbiogeneetiline eukarüootse kromosoomistiku kujunemine seletab hästi ka eukarüoodi geenide arhe- ja eubakteriaalset päritolu. Siiski jäävad siin võrdväärsetena konkureerima ka muud võimalused geenide ülekandest algeukarüootide ja erinevate bakterite vahel (nt. arhebakter Methanococcus jannashi genoomis on nii eu- kui arhebakteritele omaseid geene (Kyprides et al. 1997)) kui ka võimalus mitokondrite geenide siirdest rakutuuma. 4) Üksikud hulkuvad hulgakromosoomsed alg-eukarüoodid neelasid aeg-ajalt ka üksteist "liigikaaslasi". Ka sel juhul võis allaneelatu jääda seedimata, see võis osutuda veelgi tululikumaks, kui võõra seedimata jätmine. Alla neelatud "liigikaaslasel" võis rakus olla tasakaalustatud hulgal kasulikke geene, mida neelajal polnud, samuti vastupidi. Võimalus saada ohtlikke geene oli aga palju väiksem kui päris võõra organismi kromosoomi säilitamisel
Kui ainult üks Z-profiili vöö on kinnitatud, siis teine (vaba) vöö paigutub külgsuunas, mis kutsub seinas esile painde. Roovi arvutatakse I etapil, nagu oleksid mlemad vööd toetatud, seejärel rakendatatakse kinnitusjõuga võrdne, kuid vastassuunaline jõud roovi vabale vööle. Osa sellest jõust kandub profiili seina painde kaudu kinnitatud vööle. See jõud tekitab punkti a suhtes paindemomendi, mis tasakaalustatakse vertikaalkoormuse rakenduspunkti siirdest tekkiva momendiga. Vaba vöö külgpaigutusest ja seina paindest tulenevalt on ühe kinnitatud vööga profiili kandevõime väiksem kui profiilil, mille mõlemad vööd on kinnitatud. Juhul kui kinnitamata on surutud vöö, on roovi ja kinnituselementide tööolukord veelgi ebasoodsam, kusjuures suurenevad ka vöö kinnituselementide sisejõud. Sellise Z-roovi Teras 1 102
annaabi.ee 
