kehadele. *Pindpinevusega on seotud märgamine ja mittemärgamine. Kapillaarsus: Tahkis: Tahked ained millel on korrapärane e. kristallstruktuur. (süsinik, jää jne). *On mono- ja polükristallid *Kristallid on anisotroopsed(omadused sõltuvad suunast) Amorfsed ained: Tahked ained millel kristallstruktruur puudub(klaas, pigi, plastmassid)*Voolavad*Isotroopsed. Tahkiste tüübid: 1)Ioonkristall(NaCl, MgO, LiF) erinimeliste naaberioonide tõmbumine 2) Aatomkristall(teemant, Ge, Si) naaberaatomite ühised elektronpaarid 3) Molekulkristall(jää, O2, CO2) polaarsete naaberaatomite tõmbumine 4) Metall(Cu,Al,Zn) positiivsete ioonide vaheline elektrongaas.
Tahkises valitseb molekulide vahel vastastikmõju, mis määrab ka kristallile iseloomuliku struktuuri. Eristatakse nelja põhitüüpi vastastikmõju. Nende järgi jaotatakse ka kristallid nelja tüüpi: · Ioonkristallid · Aatomkristallid · Molekulkristallid · Metallilised kristallid Ioonkristallides on põhiliseks vastastikmõjuks positiivsete ja negatiivsete ioonide elektrostaatiline tõmbumine. Aatomkristallides seisavad aatomid koos naaberaatomite ühiste elektronpaaride abil. Molekulkristallis valitsevad elektrilised jõud, mis on tingitud sellest, et molekulid on polaarsed nende ühes otsas on positiivne, teises aga negatiivne laeng. Metallilist kristalli hoiab koos Metalli positiivsete ioonide vahel vabalt paiknev elektronide pilv ehk elektrongaas. Tänu vabade elektronide hulgale juhivad metallid ka elektrit, sest vabad elektronid on võimelised elektrivälja mõjul metallis suunatult liikuma.
Tahkis Struktuur Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses
URAANI TUUMADE AHELREAKTSIOON 1938 avastasid Saksa teadlased Otto Hahn ja Fritz Starssmann, et uraani pommitamisel neutronitega, haarab tuum neutroni ning seejärel lõhustub nn kildtuumadeks (Ba ja Kr). Sellega kaasneb energia eraldumine 200MeV ühe tuuma lõhustumisel. Selle ernergia omandavad peamiselt kildtuumad, osa energiat eraldub g kiirgusena, osa en omandavad lõhustumisel eraldunud neutronid Vabanenud N en on erinev, nad võivad omakorda naaberaatomite tuumi lõhustuda, aeglasemat 235U ja kiiremat 238U, sellist nähtust nim ahelreaktsiooniks. Nt 1g U olevate kõigi tuumade lõhustumisel eralduks 3t kivisöe põlemisel tekkinud en Uraani kasutatakse ahelreaktsiooni tekitamiseks seetõttu, et just raskete tuumade lõhustumisel vabaneb palju en, sest nende soseenergia on suur nukleoneid palju Ahelreaktsioonidel tekkinud en saab kasutada, kui reaktsioon on juhitav, st ei toimu plahvatust
H-H 436 kJ; C-H 414 kJ; C-C 343 kJ; C-O 351 kJ Nõrgad sidemed ja interaktsioonid nende iseloomustus 1) van der Waalsi jõud 0,4 4,0 kJ/mol 0,1 0,2 nm Van der Waalsi jõud tekivad indutseeritud elektrilistest interaktsioonidest kahe lähestikku jõudnud aatomi positiivselt laetud tuumade ja negatiivselt laetud tuumade ja negatiivselt laetud elektronpilvede vahel. Need on üksikult väga nõrgad vastastikmõjud, mis toimuvad naaberaatomite vahel, seega peaksid aatomid olema suhteliselt üksteise lähedal. 2) vesiniksidemed 10 30 kJ/mol 0,3 nm Vesinikside tekib elektronegatiivse aatomiga (tavaliselt O või N) kovalentselt seotud H ja teise elektronegatiivse aatomi (H-aktseptor) vahel, kas samas või mõnes naabermolekulis. Side on tugevam, kui aatomid asuvad ühel joonel. 3) ioonsed sidemed 20 kJ/mol 0,25 nm
gaas,vedelik 31)Kuidas jaotatakse kristallid arvestades nende molekulide vahelist vastastikmõju? ( 2 punkti) Klassifitseerimisel võetakse aluseks,millist tüüpi vastastikmõju on kristallvõres põhiline. 32)Milles väljendub ioonkristallide põhiline vastastikmõju? (2 punkti) On põhiliseks vastatikmõjuks positiivsete ja negatiivsete ioonide elektrostaatiline tõmbumine. 33)Milles väljendub aatomikristallide põhiline vastastikmõju? ( 2 punkti) Aatomikristallides seisavad aatomid koos naaberaatomite ühiste elektronpaaride abil. 34)Milles väljendub molekulkristallide põhiline vastastikmõju? (2 punkti) Molekulkristallides valitsevad elektrilised jõud, mis on tingitud sellest,et molekulid on polaarsed- nende ühes otsas on positiivne,teise aga negatiivne laeng. 35. Milles väljendub metallist kristallide põhiline vastastikmõju? (2 punkti) 36. Kas difusioon esineb tahkistes? Põhjenda. ( 2 punkti)
spinnidega, elektroni Hundi reegel – kui asmas alakihis on rohkem kui üks orbitaal, siis paigutuvad elektronid eelistatult ühekaupa, paralleelsete spinnidega, erinevate alakihi orbitaalidele Põhiolek – aatomi kõige madalama energiaga seisund Ergastatud olek – kõrgema energiaga seisund Osaliselt täidetud välist elektronkihti nimetatakse valentskihiks ja selllel olevaid elektrone valentselektronideks Aatomiraadius – pool naaberaatomite vahekaugusest; kovalentne raadius (aatomid kovalentselt seotud); van der Waalsi raadius (kui aatomid asuvad eri molekulides, mis puutuvad kokku) Ioonraadius – elemendi ioonraadius on tema osa naaberioonide vahelisest kaugusest ioonilises tahkises Anioonid on suuremad, kui vastavad aatomid; katioonid on väiksemad kui vastavad aatomid; isoelektroonsed ioonid on seda väiksemad, mida suurem on tuumalaeng Ionisatsioonienergia – gaasifaasis olevalt aatomilt elektroni eemaldamiseks
spinnidega, elektroni Hundi reegel kui asmas alakihis on rohkem kui üks orbitaal, siis paigutuvad elektronid eelistatult ühekaupa, paralleelsete spinnidega, erinevate alakihi orbitaalidele Põhiolek aatomi kõige madalama energiaga seisund Ergastatud olek kõrgema energiaga seisund Osaliselt täidetud välist elektronkihti nimetatakse valentskihiks ja selllel olevaid elektrone valentselektronideks Aatomiraadius pool naaberaatomite vahekaugusest; kovalentne raadius (aatomid kovalentselt seotud); van der Waalsi raadius (kui aatomid asuvad eri molekulides, mis puutuvad kokku) Ioonraadius elemendi ioonraadius on tema osa naaberioonide vahelisest kaugusest ioonilises tahkises Anioonid on suuremad, kui vastavad aatomid; katioonid on väiksemad kui vastavad aatomid; isoelektroonsed ioonid on seda väiksemad, mida suurem on tuumalaeng Ionisatsioonienergia gaasifaasis olevalt aatomilt elektroni eemaldamiseks
keelutsoonist üle hüpata ühest lubatud tsoonist teise. Selle põhjal eristataksegi metalle, pooljuhte ja dielektrikuid. Tahkiste struktuur · Energiatasemed tahkises. Tahkis tahke keha. Tahked kehad jagunevad kristallilisteks (keedusool NaCl, jää, metall) ja amorfseteks (klaas). Kristallilised kehad on tahkised. Amorfsed kehad on põhimõtteliselt vedelikud väga suure viskoossusega. · Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks tahkistes on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks (1eV = 1,6·10-19J). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22eV, st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele
on kasulikud elusorganismidele - õhus teatud tasakaal erinimeliste ioonide vahel. Aeroioone on õhus (massisuhtena) väga vähe. Rikutud õhus suureneb posit. aeroioonide osakaal. Tööstuse ja transp. Heitgaasid –> looduse saastumine Soojuse ja elektrienergia tootmine - eksponentsiaalselt suureneva elanikkonnaga planeedil ei ole praktiliselt võimalik vähendada. Võre tüübid 1 Aatomvõre - kristallivõre sõlmpunktides aatomid (seotud tugeva koval. sidemega) Iga aatomi naaberaatomite arv = 8 – N (N - elemendi rühmanumber perioodilisussüsteemis) Lihtained: Ge, Si, Se, Te, As, C (teemant) jt. Teemant: C-aatomite tetraeedriline paigutus, koord.-arv 8 - 4 = 4 (4 naaberaatomit, sp3- hübriidorbitaalid kattuvad, väga tugev kovalentne side) Tugeva sideme tõttu on aatomkristallilistel ainetel suur kõvadus, kõrge sulamistemp., väike lahustuvus ja lenduvus. 2 Molekulvõre - sõlmpunktides neutraalsed molekulid, seotud
Na+ ja Cl-. Kovalentne side tekib siis kui väliselektronide spinnid on antiparalleelsed. Nt: H2 molekul tekib siis kui elektronide spinnid on vastassuunalised. 2. Iseloomusta metalli siseehitust. Metallide välimises elektronkihis on tavaliselt 1-2 elektroni. Metallide aatomid paiknevad ruumis korrapäraselt. 3. Miks ja millest tekivad juhtides energiatsoonid? Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumivõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist ja selle tulemuseks on aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide muundumine mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks. 4. Kuidas nimetatakse erinevaid energiatsoone ja mille poolest need üksteisest erinevad? Keelutsoon – Vahemaa, milles elektronid ei saa omandada energiat nende laineomaduste tõttu. Valentsitsoon – Hõivatud tsoon, mis täitub kristalliaatomite väliskatte aatomitega.
See on metalli juhtum. Pooltäidetud tsooni elektronid moodustavadki metallides liikumisvõimelise elektrongaasi. Metalli pooltäidetud tsoonis on külluses nii eletrone kui ka vabu alatasemeid - energia kasvuruumi. Seepärast nad ongi suurepärased elektrijuhid. Metallide kristallides on kristallivõreks seostunud positiivsed ioonid. 3. Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks. Tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10 -22 eV, st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on lihtne kogu energiatsooni ulatuses. 4. Eristatakse lubatud energiatsoone ja keelutsoone
Kui see süsteem säilib üle terve ainekoguse, on tegemist monokristalliga. Kui aine koosneb paljudest liitunud monokristallidest, on tegemist polükristalliga. Tahkiste tüübid: Tahkise tüüp Vastastikmõju põhjus Ioonkristall(NaCl, MgO, LiF jne.) Erinimeliste naaberioonide tõmbumine Aatomkristall(teemant, Ge, Si jne.) Naaberaamtonite ühised elektroniparis Molekulkristall(jää, O2, CO2 jne.) Polaarsete naaberaatomite tõmbumine Metall(Cu, Al, Zn jne.) Positiivsete ioonide vaheline elektrongaas Tahkises, kus oskased paiknevad kindal korra järgi, sõltuvad mitmed aine omadused suunast. Näiteks tahkise tugevus oleneb selelst, millises suunas teda kokku suruda. Samuti on tahkise soojusjuhtivus erinevates suunades erinev, sellist aine omaduste sõltuvust mõjumissuunast nim. anisotroopiaks. Faasisiirded Faas on ühesuguse keemilise koosseisu ja füüsikaliste omadustega aine olek
Valentskristallides tuleb elektroni vabastamiseks keemiline side purustada. Tüüpnäited: teemant, räni, germaanium Ioonkristallid - Koosnevad positiivsetest ja negatiivsetest ioonidest (ioonside!). Valentselektronid on küllalt tugevalt seotud elektronkihtidega Molekulaarkristallid - Moodustuvad van der Vaalsi sideme mõjul. Sidet tekitavaid jõudusid nimetatakse ka dispersioonmõjuks. Orbiidil tiirlevat elektroni ja tuuma võib vaadelda pöörleva dipoolina. Naaberaatomite / dipoolide tiirlemisel tekib nende vahel mõningane “kooskõlastatus”. Aatomite vahel tekib suhteliselt nõrk side. Näited: lämmastik, argoon, hapnik, neoon, parafiin ja paljud teised orgaanilised ained 2.8. ELEKTRONIDE ENERGEETILISED SPEKTRID Et elektronide võimalikud orbitaalid aatomis on kvanditud, siis vastab igale orbitaalile ka kindel energia. Seda saab kujutada energiadiagrammina. Normaalselt asub elektron madalaimal võimalikul energianivool (valentskihis)
Kui see süsteem säilib üle terve ainekoguse, on tegemist monokristalliga. Kui aine koosneb paljudest liitunud monokristallikestest, on tegemist polükristalliga. Kõik metallid ja mineraalid on tahkised. Tahkiseid liigitatakse molekulidevahelise vastastikmõju järgi. Tahkiste tüüpe Tahkise tüüp Vastastikmõju põhjus Ioonkristall (NaCl, MgO, LiF, jne.) Erinimeliste naaberioonide tõmbumine Aatomkristall (teemant, Ge, Si, jne.) Naaberaatomite ühised elektronpaarid Molekulkristall (jää, O2, CO2, jne.) Polaarsete naaberaatomite tõmbumine Metall (Cu, Al, Zn, jne.) Positiivsete ioonide vaheline elektrongaas Tahkiseid jaotatakse ka osakeste paiknemise korra järgi. Sellise klassifikatsiooni aluseks on väikseima iseseisvalt eksisteerida võiva kristalli struktuur. Niisugust kristallikest nimetatakse elementaarrakuks. Kui elementaarrakke paigutada üksteise
Põhiseisukohad on: 1. Aineosakestel on laineomadused (st osake võib käituda lainena). 2. Mikroosakeste käitumine on tõenäosuslik (ei ole täpselt ennustatav). Kvantmehaanika võtab arvesse osakeste liikumise kirjeldamisel nii korpuskulaarseid kui ka lainelisi aspekte. 6. teema - energiatasemed tahkistes · Tahkis - kristallilised kehad. · Energiatsoonid Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks (1eV = 16×10-19 J). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe suurusjärgus 10-22 eV , st üliväike ning elektronide siirdumine ühelt alatasemelt teisele on
orbiidilt kaugemale orbiidile toimub siis, kui aatom neelab energiat. Viimast nimetatakse aatomi ergastamiseks. Tahkistite struktuur Energiatasemed tahkises. Tahkis tahke keha, kuigi on levinud ka nende samastamine. Tahked kehad jagunevad kristallilisteks (keedusool NaCl, jää, metall) ja amorfseteks (klaas). Kristallilised kehad on tahkised. Amorfsed kehad on põhimõtteliselt vedelikud väga suure viskoossusega. Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks tahkistes on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks -19 energiatsoonideks ( 1eV =1,6 10 J ). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe
elektronorbiidi raadiuse ja elektroni kiiruse. Energianivoo on peakvantarvule vastav energia. Aatom asub põhiolekus, kus energia on vähim. Valguse kiirgumine elektron läheb üle madalamale energiatasemele (tuumale lähemale), siis kiirgub footon. Valguse neeldumine elektron läheb üle kõrgemale energiatasemele (tuumast kaugemale), siis neeldub footon. Energiatasemed tahkistes Tahkistes muunduvad valentselektronide energiatasemed naaberaatomite elektronidega toimuva vastastikmõju käigus mitme elektronvoldi laiusteks energiatsoonideks. Lubatud energiatsoonid on üksteisest lahutatud keelutsoonidega. Metallides (juhtides) on energiatsoon vaid osaliselt elektronide poolt hõivatud, seega on nad ka head elektrijuhid. Elektronid saavad võtta elektriväljalt lisaenergiat ja nii ka liikuda ja põhjustada elektrijuhtivust. Pooljuhtides on energiatsoon madalal temperatuuril elektronide poolt küll täielikult hõivatud, kuid
Para- kui ka diamagneetik on nõrk magneetik võrreldes ferromagneetikuga, siis ka vastasmõju välise magnetväljaga on suhteliselt nõrk. 40. Ferromagneetikud.Halliday lk 877 Ferromagneetikud on püsimagnetid. Raud, koobalt, nikkel, gadoliinium, düsproosium ja sulamid, mis neid elemente sisaldavad, on ferromagneetikud kvantfüüsika nähtuse tõttu, mida nimetatakse vahetusmõju seoseks ning mille puhul ühe aatomi elektronide spinnid mõjutavad naaberaatomite spinne. Tulemuseks on aatomite magnetiliste dipoolmomentide joondumine hoolimata aatomite juhuslikest kokkupõrgetest soojusliikumise tõttu. See püsiv joondumine on just see nähtus, mis annab ferromagnetilistele ainetele püsiva magnetismi. Kui ferromagnetilise aine temperatuur tõuseb üle teatud kriitilise väärtuse, mida nimetatakse Curie’ temperatuuriks, siis vahetusmõju seos enam ei toimi, Suurem osa ferromagneetikutest muutub siis lihtsalt paramagneetikuteks, s
kaugemale orbiidile toimub siis, kui aatom neelab energiat. Viimast nimetatakse aatomi ergastamiseks. Tahkiste struktuur Energiatasemed tahkises. Tahkis tahke keha, kuigi on levinud ka nende samastamine. Tahked kehad jagunevad kristallilisteks (keedusool NaCl, jää, metall) ja amorfseteks (klaas). Kristallilised kehad on tahkised. Amorfsed kehad on põhimõtteliselt vedelikud väga suure viskoossusega. Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks tahkistes on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks -19 energiatsoonideks ( 1eV =1,6 10 J ). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe
kaugemale orbiidile toimub siis, kui aatom neelab energiat. Viimast nimetatakse aatomi ergastamiseks. Tahkiste struktuur Energiatasemed tahkises. Tahkis tahke keha, kuigi on levinud ka nende samastamine. Tahked kehad jagunevad kristallilisteks (keedusool NaCl, jää, metall) ja amorfseteks (klaas). Kristallilised kehad on tahkised. Amorfsed kehad on põhimõtteliselt vedelikud väga suure viskoossusega. Kristallides on aatomid või ioonid paigutunud korrapärase ruumvõrena. Naaberaatomite välised elektronkatted mõjutavad üksteist. Selle tulemuseks tahkistes on, et aatomite väliskihi elektronide ehk valentselektronide energiatasemed muunduvad mitme elektronvoldi laiusteks -19 energiatsoonideks ( 1eV =1,6 10 J ). Tahkistes tekivad ühistatud elektronid, mis kuuluvad kogu kristallile. Ka tsoonid on ühised kogu kristallile. Energiatsoonis on alatasemete energiate vahe
See on tingitud relativistlikest efektidest: 1s-elektroni kiirus läheneb valguse kiirusele, mis toob kaasa elektroni massi suurenemise ja orbitaalide energianivoode muutumise. Nüüdisajal tuntakse 111 keemilist elementi: Aatomite raadiused Kuna lainefunktsioon läheneb nullile pikkamööda, ei ole üksiku aatomi mõõtmeid võimalik üheselt määratleda. Sageli kasutatakse mitmeaatomilistest süsteemidest arvutatud aatomite mõõtmeid. Van der Waals'i raadius - pool naaberaatomite tuumade minimaalsest vahekaugustest. Kasutatakse väärisgaaside puhul. Metalli aatomraadius - pool aatomituumade vahekaugusest metallis. Kovalentne raadius - pool omavahel keemilise sidemega seotud aatomite vahelisest kaugusest (reeglina molekulis, mis koosneb kahest sama elemendi aatomist). Iooniraadius- kuna katiooni ja aniooni raadiused on erinevad, ei või iooni raadiuse leidmiseks ioonidevahelist kaugust pooleks jagada. Kui ühe iooni raadius r1 ja ioonide
Igas punktis, kuhu saabuvad erinevatest punktidest lained, võrdub mitme laine mõju tulemus suvalisel hetkel nende lainete mõjude tulemuste summaga sel hetkel. Seda seaduspärasust nimetatakse superpositsiooniprintsiibiks. IV ARVESTUS MOLEKULAARFÜÜSIKA 1. Soojusliikumine Soojusliikumine on molekulide korrapäratu liikumine, millest sõltub keha temperatuur. Tahketes kehades molekulid ja aatomid võnguvad korrapäratult oma tasakaaluasendi ümber, so asendi ümber, milles naaberaatomite poolt avaldatavad tõmbe- ja tõukejõud on tasakaalustatud. Ka vedeliku molekulid võnguvad oma tasakaaluasendi ümber. Kuid peale selle hüppavad nad ühest tasakaaluasendist teise. 2. Siseenergia Keha siseenergia on keha koostisosakeste liikumise ja vastasmõju energia. 26 Keha siseenergia ei sõltu keha kui terviku mehaanilisest liikumisest ja asendist teiste kehade suhtes.
Pindpinevus töö, mida on tarvis kulutada molekulide toomiseks faasi sisemusest piirpinnale Isevoolulised protsessid (vabaenergia vähenemise suunas) Kui väheneb pinna suurus, siis väheneb vabaenergia liig pinnaühiku kohta Pindpinevus Vedelikel (eriti suurema pindpinevusega vedelikel) on kalduvus minimiseerida oma pindala. Pindpinevus on nähtus, kus vedeliku pinnakiht käitub kui elastne kile. Sellisel juhul on maksimaalne hulk vedeliku molekule faasi sisemuses ja ümbritsetud naaberaatomite poolt. Seetõttu püüavad vedeliku tilgad olla sfäärilised. Pinna suurendamiseks tuleb vedeliku seest pinnale tuua uusi molekule. Aine dispergeerimisel suureneb pind märgatavalt. *Jõud, mis mõjub pindkihis olevatele molekulitel, püüab neid tõmmata vedeliku sisse. Seetõttu on vedeliku pind vähendatud minimaalsete mõõtmeteni. *Vedeliku pinda suurendamiseks, tuleb teha tööd siserõhu vastu. See töö läheb pinna vabaenergia suurendamiseks
Pindpinevus töö, mida on tarvis kulutada molekulide toomiseks faasi sisemusest piirpinnale Isevoolulised protsessid (vabaenergia vähenemise suunas) Kui väheneb pinna suurus, siis väheneb vabaenergia liig pinnaühiku kohta Pindpinevus Vedelikel (eriti suurema pindpinevusega vedelikel) on kalduvus minimiseerida oma pindala. Pindpinevus on nähtus, kus vedeliku pinnakiht käitub kui elastne kile. Sellisel juhul on maksimaalne hulk vedeliku molekule faasi sisemuses ja ümbritsetud naaberaatomite poolt. Seetõttu püüavad vedeliku tilgad olla sfäärilised. Pinna suurendamiseks tuleb vedeliku seest pinnale tuua uusi molekule. Aine dispergeerimisel suureneb pind märgatavalt. *Jõud, mis mõjub pindkihis olevatele molekulitel, püüab neid tõmmata vedeliku sisse. Seetõttu on vedeliku pind vähendatud minimaalsete mõõtmeteni. *Vedeliku pinda suurendamiseks, tuleb teha tööd siserõhu vastu. See töö läheb pinna vabaenergia suurendamiseks
Kui aine koosneb paljudest liitunud monokristallikestest, on tegemist polükristalliga. Kõik metallid ja mineraalid on tahkised. Tahkiseid liigitatakse molekulidevahelise vastastikmõju järgi. Tahkiste tüüpe Tahkise tüüp Vastastikmõju põhjus Ioonkristall (NaCl, MgO, LiF, jne.) Erinimeliste naaberioonide tõmbumine 63 Aatomkristall (teemant, Ge, Si, jne.) Naaberaatomite ühised elektronpaarid Molekulkristall (jää, O2, CO2, jne.) Polaarsete naaberaatomite tõmbumine Metall (Cu, Al, Zn, jne.) Positiivsete ioonide vaheline elektrongaas Tahkiseid jaotatakse ka osakeste paiknemise korra järgi. Sellise klassifikatsiooni aluseks on väikseima iseseisvalt eksisteerida võiva kristalli struktuur. Niisugust kristallikest nimetatakse elementaarrakuks. Kui elementaarrakke paigutada üksteise kõrvale kõigis
võre moodustub mitte aatomitest vaid ioonidest, mistõttu KA arvutamisel tuleb arvestada metallide ioonraadiustega. Joonisel 2.41a. on esitatud vase kristalliline struktuur, kus iga vase aatom on kordineeritud 12 lähema vase aatomiga moodustades pindtsentreeritud kuubilise kristallstruktuuri. Et aatomid on struktuuris üksteisele väga lähedal, siis nende välised elektronkatted on 25 koosmõjus väga paljude naaberaatomite elektronkatetega. Koosmõju tulemusena ei ole need valentselektronid seotud mingi konkreetse tuumaga vaid on jaotunud kõigi nende aatomite vahel moodustades väikese tihedusega elektronpilve, mida sageli nimetatakse elektrongaasiks. Elektrongaas hoiab ioone võresõlmedes nende tihedas paigutuses. Seega tahkeid metalle võib esitada koosnevana positiivsetest ioonidest moodustunud kristallvõrest (mille moodustavad aatomid ilma nende valents-elektronideta) ja valentselektronide poolt
annaabi.ee 
