KÕRGEPINGETEHNIKA AEK 3011 KORDAMISKÜSIMUSED 1. Isolatsiooni elektrilist tugevust mõjutavad parameetrid Isolatsiooni elektriline tugevus sõltub: - materjalist - keskkonnast - pinge mõjumise ajast - jahutustingimustest - radiatsioonist - ja muudest teguritest 2. Liigpingete tekkepõhjused · atmosfäärilised liigpinged Uatm t < 50...100 s I < 200...400 kA U on statistiline suurus Joonis 1.3 Liini liigpingete esinemise tõenäosus pinge suuruse järgi Atmosfääriliste liigpingete piiramine: · piksekaitsetrossid liinidel · piksekaitsesüsteemid · liigpingepiirikud · kommutatsiooni- e siseliigpinged Usis < (3...3,5) Un isolatsiooni varu on piisav kuni 220 kV-ni üle 220 kV oluline on siseliigpingete piiramine 3
ELEKTROENERGEETIKA INSTITUUT Kõrgepingetehnika õppetool Töö nr. 2 ÕHU LÄBILÖÖK JA PINDLAHENDUS TÖÖSTUSLIKU SAGEDUSEGA PINGEL Labor mõõdetud: 13.10.2008 Õppejõud: Ivo Palu Tudengid: Kaisa Kaasik Lauri Luige Eero Tibar Karl Valge Tallinn 2008 Sisukord Töö eesmärk ............................................................................................................................................ 3 Katseseadme põhimõtteskeem............................................................................................................... 3 Mõõtetulemused..............................................................................................................
Tallina Polütehnikum ELEKTER JUHID, POOLJUHID, DIELEKTRIKUD Referaat Koostanud Margit Kauge KNE-11 Juhendaja Krusell Tallinn 2012.a. SISUKORD: 1. ELEKTER 3 1.1 Ajalugu 3 1.2 Elektrivool 4 1.2.1 Elektrivoolu iseloomulikud jooned 5 1.2.2 Elektrivooluga kaasnevad nähtused 5 1.2.3 Elektrivoolu liigid 5 1.2.4 Elektrivoolu suund 6 1.3 Elektrijuhtivus 6 1.4 Elektronkate 7 1.4.1 Elektronkatte tekkimine 8 1.4
TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL Elektroenergeetika instituut ALAJAAMAD AEK3025 5,0 AP 6 4-1-1 E K (eeldusaine AES3045 "Elektrivõrgud") TALLINN 2008 Loengukursus AEK 3025 ii Rein Oidram _____________________________________________________________________ SISUKORD 1. Sissejuhatus 2. Alajaama struktuur ja side elektrivõrguga 2.1. Alajaama põhitüübid 2.2. Alajaamade talitlustingimused 2.3. Elektrijaamade sidumine elektrivõrguga. 3. Alajaama põhiseadmed 3.1. Trafo ja autotrafo 3.1.1. Trafode ja autotrafode kasutamine elektrisüsteemis 3.1.2. Trafo soojuslik talitlus 3.1.3. Trafo isolatsiooni kulumine ja koormusvõime 3.1.4. Trafole lubatavad ülekoormused 3.1.5. Elektrivõrgu neutraali ühendamine maaga 3.1.5.1. Isoleeritud neutraaliga elektrivõrk 3.1.5.2
Uudo Usai ELEKTROONIKA KOMPONENDID Elektroonika alused TPT 1998 ELEKTROONIKAKOMPONEND1D lk.1 SISSEJUHATUS Kaasaegsed elektroonikaseadmed koosnevad väga suurest hulgast elementidest, millest on koostatud vajaliku toimega lülitused. Otstarbe tähtsuselt jagatakse neid elemente põhi-ja abielementideks. Põhielementideks on need, milleta pole lülituste töö võimalik. Abielementideta on lülituste töö küll võimalik, kuid nendest sõltuvad suuresti seadme tarbimisomadused. Põhielemendid jagunevad omakorda passiiv- ja aktiivelementideks. Passiv-
Kontsentratsiooni sõltuvust koordinaadist x nimetatakse kontsentratsiooni profiiliks (joon 4- 4b). Selle sõltuvuse kalle mingis punktis dC/dx on kontsentratsiooni gradient. Statsionaarse difusiooni korral on kontsentratsiooni profiil lineaarne ja gradient konstantne: dC/dx= C/ x= Ca-Cb/Xa-Xb=const Statsionaarse difusiooni korral on difusioonivoog võrdeline kontsentratsiooni gradiendiga: J = - D dC / dx Fick'i I seadus kus J difusioonivoog suunas x; D võrdetegur e difusioonitegur. Miinusmärk on seetõttu, et difusioon toimub kontsentratsiooni vähenemise suunas. Kui D = const; S = const ja dC/dx = const, saame integreerimisel: m = - D S dC/ dx t See võrrand annab aja t jooksul läbi pinna S difundeerunud ainehulga. Kui S = 1; dC/dx = -1; t = 1, siis m = D Seega difusioonitegur võrdub ainehulgaga, mis ajaühikus difundeerub läbi ühikulise pinna, kui kontsentratsiooni gradient on 1. D mõõtühik on m2/s. 4. Materjalide tugevus
Energia fluktuatsioonide tõttu võib mõni aatom omandada energia, mis ületab keskmise energia sedavõrd, et aatom saab võres liikuda. Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama (vajalikku lisaenergiat) nimetatakse difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergiat, on difusiooni mõttes aktiivsed. Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant; E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1
Eksamiküsimused 2012 KYP0040 Materjaliteaduse üldalused 1. Polükristalsed, monokristalsed ja amorfsed materjalid (2.4) 1) Valdav osa tahkeid aineid on polükristalse ehitusega, nad koosnevad suurest hulgast väikestest korrapäratult orienteeritud kristallidest. Tekib, kui kristallide kasv algab korraga paljudes kohtades (tavaliselt lisandid, kolloidosakesed jne). Üksikute terade pinnal muutub kristallvõre orientatsioon. Kui kristallisatsioon algab vormi pinnalt, on orientatsioon veidi erinev.
Kõik kommentaarid