4. keemilise koostise ebaühtlust 19. (Points: 2.5) Mille poolest erinevad monokristallid polükristallidest? 1. monokristallide omadused on anisotroopsed 2. monokristallide omadused on isotroopsed 3. polükristallide omadused on polümorfsed 4. polükristallide omadused on anisotroopsed 20. (Points: 2.5) Rauamaakidest suurima rauasisaldusega on 1. magnetiit Fe304 2. limoniit 2Fe203·3H20 3. hematiit Fe203 4. sideriit FeC03 21. (Points: 2.5) Millised on kristallvõre defektid? 1. vakants, dislokatsioon, punktdefekt 2. ruumdefekt, tera, dislokatsioon 3. vakants, dislokatsioon, poor 4. joondefekt, pinnadefekt, kristallvõre 22. (Points: 2.5) Eutektikum kujutab endast 1. mehaanilist segu 2. vedelat lahust 3. tardlahust 4. keemilist ühendit 23. (Points: 2.5) Happeliseks kuumuskindlaks materjaliks on 1. grafiit 2. dinas 3. magnesiit 4. samott 24. (Points: 2.5) Kõrgahjuprotsessi põhiprodukt on 1. valumalm 2. toormalm 3. kõrgahjugaas 4. ferrosulamid 25. (Points: 2
b. eutektseil c. alaeutektseil d. üleeutektseil Küsimus 23 Valmis Hinne 1 / 1 Märgista küsimus Küsimuse tekst Malmi tootmisel kasutatav meetod on Vali üks: a. hüdrometallurgia b. pulbermetallurgia c. pürometallurgia d. elektrometallurgia Küsimus 24 Valmis Hinne 0 / 1 Märgista küsimus Küsimuse tekst Millised on kristallvõre defektid? Vali üks: a. ruumdefekt, tera, dislokatsioon b. vakants, dislokatsioon, poor c. vakants, dislokatsioon, punktdefekt d. joondefekt, pinnadefekt, kristallvõre Küsimus 25 Valmis Hinne 1 / 1 Märgista küsimus Küsimuse tekst Sn tihedus (g/cm3) on Vali üks: a. 4,5 b. 7,3 c. 1,7 d. 2,7 Küsimus 26 Valmis Hinne 1 / 1 Märgista küsimus Küsimuse tekst Terase tootmisel martäänmeetodil kasutatakse lisandite oksüdeerimiseks Vali üks: a. õhku b
Brutotulu kuus 250 Vakants 5% Üldpind 38 Ekspl.kulu 2 tulu kasv 3% Kulude kasv 3% diskontomäär 10% Müügikulu 2% Kap. määr 8% Aasta 1 2 3 4 5 6
alatasemete kogum, millele vastavad energiad on elektronidele lubatud Valentstsoon - on viimane elektronidega täielikult täidetud lubatud tsoon Juhtivustsoon valentstsoonile järgnev elektronidega täitmata või osaliselt täidetud lubatud tsoon Hübriidtsoon tekib siis, kui kaks viimast tsooni kattuvad Valentselektron elektronkatte välisekihi elektron Auk - tekib, kui eletron lahkub valentstsoonist ja moodustub vakants Kristallid vastavalt energiatsoonidele: · Elektrijuhid (Metallid) tahkised, milles on osaliselt täidetud valentstsoon ja hübriidtsoon · Pooljuhid tahkised, mille valentstsoon on küll täielikult täidetud, kuid keelutsoon on kitsas (1...3eV) · Dielektrikud - tahkised, milles esinevad vaid täielikult täidetud energiatsoonid, keelutsooni laius on 5....10 eV Aukjuhtivus on aukude siirdumine välise elektrivälja mõjul ühelt alatasemelt teisele
d. kõvadus tõuseb, plastsus väheneb Question 2 Complete Mark 1.00 out of 1.00 Flag question Question text Millise reaktsiooniga toimub väävli eraldumine terasest? Select one: a. FeS + CaO CaS + FeO - Q b. FeS + Mn MnS + Fe + Q c. MnS + CaO CaS + MnO - Q d. 2FeO + Si2Fe + Si + Q Question 3 Complete Mark 1.00 out of 1.00 Flag question Question text Millised on kristallvõre defektid? Select one: a. vakants, dislokatsioon, punktdefekt b. joondefekt, pinnadefekt, kristallvõre c. ruumdefekt, tera, dislokatsioon d. vakants, dislokatsioon, poor Question 4 Complete Mark 1.00 out of 1.00 Flag question Question text S lisand satub malmi põhiliselt Select one: a. lubjakivist b. kütusest (koks) c. maagi aherainest d. räbustist Question 5 Complete Mark 1.00 out of 1.00 Flag question Question text
Palju süsiniku on Fe-Fe3C faasidiagrammi eutektilisel sulamil? Vali üks: a. 6,67 % b. 2,14 % c. 0,02 % d. 4,3 % Küsimus 6 Valmis Hinne 1,00 / 1,00 Flag question Küsimuse tekst Al elektrolüüsil koguneb Al Vali üks: a. anoodile b. katoodile c. jääb lahusesse d. jääb elektolüüdi pinnale Küsimus 7 Valmis Hinne 1,00 / 1,00 Flag question Küsimuse tekst Millised on kristallvõre defektid? Vali üks: a. vakants, dislokatsioon, punktdefekt b. joondefekt, pinnadefekt, kristallvõre c. vakants, dislokatsioon, poor d. ruumdefekt, tera, dislokatsioon Küsimus 8 Valmis Hinne 1,00 / 1,00 Flag question Küsimuse tekst SüsinikusisaIduse suurenemine terases vähendab Vali üks: a. rabedust b. kõvadust c. löögisitkust d. tugevust Küsimus 9 Valmis Hinne 1,00 / 1,00 Flag question Küsimuse tekst Toorvase saamisel on lõppetapiks
Faasidiagrammid : kahekomponendiliste sulamite diagrammide aluseks on kontsentratsioonisirge, mille otspunktid vastavad 100 % puhtale komponendile ja iga vahepunkt vastab kindlale sulamile, vertikaalteljel on temperatuur. Diagrammid koostatakse termilisel meetodilkatsete aluselsaadud sulamite jahtumiskõverate järgi, kandes diagrammile kõik sulami kriitilised temperatuurid, mille juures toimub järsk jahtumiskiiruse muutus või temperatuuriseisak. Kristallvõre defektid : 1) Punktdefektid - vakants (vabaksjäänud sõlm kristallvõres ja sõlmede vahekohtades asuvad põhimetalli aatomid) ; lisandite aatomid põhimetalli kristallvõre sõlmedes või sõlmede vahel. 2) Joondefektid dislokaatorid (sirg-või kõverjoonelised kristallpindade katkekohad) , mõjutavad tunduvalt kristalliterade tugevust ümberpaiknemise tõttu , vähendades voolavuspiiri 1000 korda.
peroodi. 3) keemiline ühend- iseloom. Komponentide kristallivõerst erinev kristallivõre, omane aatomite korrapärane paigutus ja lihtne täisarvkordne suhe komponentide aatomite vahel. 2. Punkt-, joon-, pind- ja ruumdefektid. 1) punktdefekt- korrapärasest kristallilisest srtuktuurist kõrvalekalded, mille suurusjärk on võrreldav aatomite mõõtmetega. Hulka kuluvad vakants ja lisandaatom. 2) Joondefekt- hulka kuuluvad dislokatsioonid- jooned mille ulatuses ja ümber on rikutud aatomite korrapärane paigutus. Eristatakse serv- ja kruvdislokatsioone. 3) Pinnadefektid- eralduspinnad üksikute kristallide vahel. 4) Ruumdefektid- makroskoopilised kõrvalekalded metalli korrapärasest struktuurist, nt praod, poorid jms. 3. See on tingitud kristalliseerumissoojuse eraldumisest. 4. 5
kristallidest. 35. Millised on amorfsed materjalid? materjalid millel puuduvad regulaarne korrapära ja korduvus pikkadel aatomdistantsidel. 1. Kas on võimalik materjalides ideaalne korrapära ja millistel tingimustel? Kui T=0K 2. Mis on kristallvõre defekt? igasugune kõrvalekalle ideaalsest võre korrapärasusest. 3. Kristallvõre defektide klassifikatsiooni alused? geomeetria või dimensioonide alusel 4. Loetle võimalikud punktdefektid? Vakants, võrevahelised, 5. Mis on vakantsid? tühjad aatomkohad kristallvõres, mis normaalselt on ideaalses võres hõivatud. 6. Kuidas tekivad tasakaalsed vakantsid? 7. Kuidas sõltub tasakaalsete vakantside kontsentratsioon temperatuurist? Tasakaalsete vakantside kontsentratsioon Nv suureneb eksponentsiaalselt temperatuuriga. 8. Kuidas tekitada mittetasakaalseid vakantse? materjali plastilised deformatsioonil, materjalide
ainult üht lainepikkust korraga. See tähendab, et uuritav keemiline element peab olema teada, et leida temale vastavale röntgenkiirusele õiget difrageerivat kristalli. Seetõttu kasutatakse meetodit koos EDS-ga mille abil määratakse kõigepealt kvalitatiivselt, milliste keemiliste elementidega on tegemist. Mida nimetatakse K ja L seeriaks röntgenspektris? 44. · K-kihist väljalöödud elektron asendatakse L-kihi elektroniga, siis tekivad nn. K seeriaspektrijooned · vakants täidetakse M-kihi elektroniga, siis saadakse K seeria spektrijooned. · Spektrijoonte asukohad energia teljel on unikaalsed ja iseloomustavad aatomit üheselt. 45. Mida nimetatakse karakteristlikuks kiirguseks? Aatomis sisekattest lüüakse välja elektron. Tekib vakants. Aatom ioniseerub. Relaksatsioon toimub vakantsi täitmisega kõrgema energiaga nivoolt. Erinevatel elektronkatetel olevatel elektronidel on erinev potentsiaalne energia
Tsüklite pikkus võib suuresti erineda. Tsüklid on näiteks sesoonsed (Eestis jaanuar/veebruar vaiksemad), on ka lühi- ja pikaajalisi tsükleid. Pikk tsükkel ca 18 aastat, lühiajalised kuni 10 aastat ning neid on raske prognoosida. 1. faas: nõudluse kiire kasv, rentide/üüride kiire kasv, vabade pindade vähenemine, uute projektide alustamine arendajate poolt 2. faas: nõudlus on kõrge, kuid nõudluse kasv peatub, rendimäärad kasvavad, vakants väheneb jätkuvalt, turule jõuavad eelmises faasis alustatud arendusprojektid 3. faas: nõudlus langeb, pakkumine kasvab, vakants hakkab kasvama, rendimäärad hakkavad langema 4. faas: madalseis. Nõudlus on jätkuvalt madal, pakkumine jätkub kuna valmivad eelmistel faasidel alustatud projektid. Alustatud projektid külmutatakse, rendi languse tõttu liiguvad rentnikud madalamalt kvaliteediklassilt kõrgemale. Kinnisvara hindamine.
12. Kui sügaval aines tekivad sekundaarsed elektronid? Sekundaarsed elektronid tekivad kogu aine ulatuses. 13. Kui sügavalt ainest tuleb sekundaarelektronide signaal? Nad kannavad informatsiooni ainult pinnalähedases kihis. ?? 14. Kui sügavalt ainest väljuvad Auger' elektronid? Väikese energia tõttu suudavad väljuda vaid väga pinnalähedasest kihist (0,1-3 nm). 15. Kui sügavalt ainest väljuvad sekundaarsed elektronid? 5-50nm 16. Kuidas tekivad Auger' elektronid? Sisekatte vakants täidetakse kõrgema katte elektroniga, ja energia ülejääk kiiratakse aatomist välja teise kõrgema katte elektroni poolt, mis eraldub aatomist. Auger' elektron on iseloomulik ainult sellele aatomile ja on elemendi identifitseerimise aluseks. 17. Kuidas tekivad peegeldunud elektronid? (17 ja 18 äkki on koos), Need on primaarsed elektronid, mis peale elastset põrget aine aatomitega läbisid ergastusruumi ja jõudsid aine pinnale tagasi. Sõltuvalt kokkupõrgete
Kui aatom läheb võresõlmest sõlmede vahelisse tühimikku, siis tekibki võrevaheline aatom. Kuna toimub võre deformatsioon, siis tekkeenergia on suurem, kui EV ja võrevaheliste aatomite kontsentratsioon on tavaliselt väiksem. 3) Schottky defektid ja Frenkeli defektid Keemiliste ühendite kristallides (näit AB) esievad omadefektid alati paarisdefektidena, seda nõuab kristalli stöhhiomeetria (A ja B võresõlmede arv on võrdne): A ja B vakantsid (VA ja VB) - Schottky defektid; A vakants ja võrevaheline A (VA ja Ai) - Frenkeli defektid (joon 3-2) Omadefektid võivad omada ka laengut, nagu ioonid. 3.2.2 Lisanddefektid e lisandite aatomid Absoluutselt puhtaid materjale ei ole olemas. Tehniliselt puhtad materjalid sisaldavad kuni 1 % lisandeid. Väga puhasteks loetakse materjale, kus on 1 lisandi aatom miljoni põhiaine aatomi kohta ( e 0,0001aatom%). Pooljuhtmaterjalid võivad olla veel mitu suurusjärku puhtamad, selleks on välja töötatud erilised puhastusmeetodid
1.Riigi kinnisvararegister - Sisaldab informatsiooni riigi omandis ja kasutuses oleva kinnisvara kohta. 2.Riiklik ehitisregister saab otsida registreeritud ehitisi ja vaadata nende andmeid ning otsida ehitisregistrile esitatud dokumente ja vaadata nende andmeid 3.Maakataster - riigi põhiregister, mille pidamise eesmärk on maa väärtust, maa looduslikku seisundit ja maa kasutamist kajastava informatsiooni kogumine, säilitamine ja avalikkusele kättesaadavuse tagamine. Mis on vakantsus? Vakants iseloomustab mitu % pinda on antud kinnisvaraturu sektoris välja rentimata. Mida tähendab õiguslikus mõttes vallasvara? Vallasvara, s.o. asjad ning rahaliselt hinnatavad õigused ja kohustused Mis on absorbeerumismäär? Ehk turu neeldumismäär iseloomustab pinna hulka, mida turg suudab vastu võtta teatud aja jooksul Mis on servituut? Piiratud asjaõigus, võõra kinnisasja kasutamise õigus teatud juhtudel, kinnisasja omanikule kinnisasja kasutamisel seatud piirang.
Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant; E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast. E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom.
Nende kontsentratsioon sõltub temperatuurist Boltzmani võrrandi järgi: kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant; E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast. E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom.
kontsentratsioon; C mingi konstant E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile 4.1 on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformee-rimiseks liikumisel.Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht ,kuhu minna;2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamistemperatuurVakantsmehhanism on põhiline omadifusioonis ja difusioonis tahketes lahustes. 4.1.2 Võrevaheline mehhanism Aatom liigub ühest võrevahelisest asendist teise.Selle mehhanismi alusel toimub peamiselt väikeste mõõtmetega aatomite difusioon.
nv = Ce - Ev / kT N kus, n v - vakantside konsentratsioon] materjalis; N - summaarne aatomarv aine m3-s. E v - vakantsi tekke aktivatsioonienergia, eV; T - absoluutne temperatuur; k - Bolzmani koefitsient = 8,62 . 10-5 eV/K C - konstant. Arvutades ülaltoodud valemi abil vakantside kontsentratsiooni, näiteks vases 500°C juures (E v Cu = 0,9 eV) saame n v = 1,4 . 10-6 s.o. aines on vaid 1 vakants ühe miljoni aatomkoha kohta. Nagu märkasite on Boltzmanni poolt tuletatud valem enda olemuselt analoogne Arheniuse poolt tuletatud valemiga, mis väljendab keemiliste reaktsioonide temperatuursõltuvust. Valemite sarnasus on lihtsalt seletatav, sest mõlema protsessi toimumiseks on vajalikud aatomid, mille energia ületab mingi väärtuse võrra osakeste keskmise energia. 6.2. Aatomdifusioon tahketes materjalides (joonis 4.8).
järgi: n = N C exp(- E*/kT) kus N aatomite üldine kontsentratsioon; C mingi konstant; E* - aktiveerimise energia. Vastavalt võrranile 4.1 on n seda suurem, mida väiksem on E* ja mida suurem on T. Seejuures kasvab n temperatuuri tõusul eksponentsiaalselt. E* on vajalik sidemete lõhkumiseks ja võre deformeerimiseks liikumisel. Aatomi liikumiseks kristallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1) kõrval peab olema tühi koht (vakants või võrevaheline tühik), kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi. 4.1.1 Vakantsmehhanism Aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. E* on summa vakantsi tekkeenergiast ja kohavahetuse energiast (joon 4-2). E* on seda suurem, mida kõrgem on metalli sulamis- temperatuur
Seda energiabarjääri, mida aatom liikumiseks peab ületama nim difusiooni aktiveerimise energiaks. Aatomid, mis omavad seda lisaenergia, on difusiooni mõttes aktiivsed. Aatomi liikumiseks kritallvõres peab olema täidetud kaks tingimust: 1)kõrval peab olema tühi koht, kuhu minna; 2) aatom peab olema aktiivne. Metallides toimub difusioon kahe mehhanismi järgi: 1)Vakantsmehhanism- aatom ja kõrvalolev vakants vahetavad kohad. Aatomi difusiooni korral selle mehhanismi alusel toimub vakantsi difusioon vastupidises suunas. Aktiveerimise energia on seda suurem, mida kõrgem on metallid sulamistemperatuur. Selle mehhanismi järgi võib toimuda ka lisandi difusioon, kui A on lisandi aatom. Vakantsimehhanism on omadifusioonis ja difusioon tahketes lahustes. 2)Võrevaheline mehhanism Aatom liigub ühest võrevahelisest asendist teise. Selle mehhanismi alusel toimub peamiselt
........................................................14 1.Plastse deformeerimise füüsikalised alused Kristallivõre põhitüüpideks on ruumkesendatud kuupvõre (Fe, Mo, W jt.), tahkkesendatud kuupvõre ( Cu, Al,Au,Pb,Ag) ning kompaktne heksagonaalvõre (M, Zn, Co). Monokristallilisi metalle iseloomustab omaduste anisotroopia, kuna aatomitevahelised kaugused erinevates suundades erinevad. Kristallivõre defektid liigitatakse järgmiselt: Punktdefektid: vakants, lisandiaatom,sõlmpunktidevaheline aatom. Ühedimensioonilised e. Joondefektid: dislokatsioon Kahedimensioonilised e. Pinddefektid: pakkedefekt ja teradevaheline piir Kolmedimensioonilised e. Ruumdefektid: poor,tühik, pragu Metallide plastse deformatsiooni teoorias on uurim tähtsus joondefektidel dislokatsioonidel. Punktdefektid vakantsid omavad suurt liikuvust ja teiste defektidega toimides mängivad plastse deformatsiooni protsessides suurt rolli. 2. Mahtvormimisprotsessid.
difusiooniga (diffusion). Metalli aatomite liikumist kristallivõre sõlmpunktist naabersõlmpunkti või nende vahele temperatuuri mõjul nimetatakse omadifusiooniks (self-diffusion). Erisuguste aatomite liikumist, millega kaasneb sulami koostise (komponentide sisalduse) muutus selle üksikutes osades, nimetatakse heterodifusiooniks (heterodiffusion). Difusiooniprotsessid võivad toimuda mitmete mehhanismide kohaselt (vahetus-, sõlmedevaheline, vakants- jm. mehhanism). Realiseerub see difusioonimehhanism, mille korral on energeetiline barjäär (aktivatsioonienergia), mida liikuvad aatomid ületavad, minimaalne. - vabakristalliseerumine; Vabakristalliseerumine Kristalliseerumiseks e. kristallisatsiooniks (crystallization) nimetatakse vedela metalli üleminekut tahkesse (kristalsesse) olekusse ka tardumine (solidification). Kristalliseerumine leiab aset siis, kui süsteem läheb üle termodünaamiliselt püsivamasse, vähima vaba energia
· abi, konsultatsiooni · arenemisvõimalust, õppimisvõimalust ja selleks soodsat keskkonda · õiglust, eetilist käitumist · Tingimused: · Uus- vana organisatsioon · Täpselt teadaolevad ja sõnastatud-kokkulepitud vajadused Lähtekohad: · lähtub töö analüüsist · tulevikuperspektiividest · oskustest, kompetentsuse tasemest · majanduslikust seisundist · keskkonnatingimustest · sisemisest korrastatuse astmest (reserv sees) Vaja on teada: · kas vakants on tegelikult olemas? · Kas see tuleb täita kandidaadiga väljastpoolt? Millised on muud võimalused? · Tööde ümberkorraldamine (allüksuse sees, allüksuste vahel) · Töö mehaniseerimine (n. arvuti) · Töögraafiku ümberkorraldamine (ületunnitöö, töö vahetustega või osalise koormusega). Lepingulise töö kasutamine (alltöövõtt, ajutist tööjõudu pakkuvad agentuurid) Määrata kompetentsid! Laine Simson, Ph
rohkem esineb Comptoni protsessi, väiksemate energiate puhul hakkab domineerima fotoelektriline protsess. Fotoelektrilise protsessi puhul reageerib footon aatomi elektronkatte sisekihi elektroniga (näiteks K, L, või M). Kogu footoni energia kandub üle, osa sellest kulub, et ületada elektroni seoseenergiat, ülejäänu antakse kineetilise energia elektronile: KE = hν – ES, kus hν on algfootoni energia, ja ES on elektroni seoseenergia. Elektronkihile jäänud vakants tuleb täita uue elektroniga, milleks saab kas sama aatomi kaugema kihi elektron või mõni vaba elektron väljastpoolst aatomit. Elektroni liikumine ühelt kihilt teisele põhjustab muutusi aatomi ‘energiamajanduses’. Kuna elektron on negatiivselt laetud osake, siis liikumisel väliskihilt sisemisele kihile väheneb elektroni potensiaalne energia, energeetilise tasakaalu taastekitamiseks eraldub ülejääv energiahulk footonina, eralduvat elektromagnetilist kiirgust
annaabi.ee 
