7 suurem aluseline ülekaalus OH- -ioonid 7 neutraalne H+ ja OH- -ioone lahuses võrdselt Hapete omadused Hapukas maitse, muudavad indikaatorite värvust, reageerivad aluste ja aluliste oksiididega, reageerivad metallidega eraldades vesinikku. Hapete liigitus Hapniku sisalduse järgi, prootonite arvu järgi, tugevuse järgi. Mis on neutralisatsioonireaktsioon? Happe ja aluse vaheline reaktsioon. Reaktsioonivõrrandid Oksiid+vesi=hüdroksiid Mittemetalloksiid+vesi=hape Metall+hapnik=oksiid Metalloksiid+vesi=hüdroksiid Metalloksiid+hape=metall ja happeanioon+vesi Metall+hape=ainult H tõrjub välja Hape+alus=sool+vesi Alus+hape=sool+vesi Kuumutamisel=oksiid+vesi
Kõikidel emaplaatidel asub spetsiaalne kiip, mida kutsutakse püsimälu baasvahetussüsteemiks. See koondab alglaadimisprogramme ja draivereid, mida on vaja süsteemi käitamiseks, ja mis liidestaks riistvara. Süsteemi käivitamisel testib käivitustest ka kõiki süsteemi põhilisi komponente. Lisaks on võimalik käivitada ka seadistusprogramm, mis salvestab süsteemiseadeid CMOS kiibil (inglise keeles complementary metal-oxide semiconductor ehk komplementaarne metalloksiid-pooljuht), mida varustatakse energiaga emaplaadil asuvast patareist. Seda CMOS muutmälu nimetatakse sageli ka säilmäluks, sest see tarvitab oma tööks ühte mikroamprit voolu nii, et see suudab aastaid säilitada andmeid, kui seda toita ühe tillukese liitiumpatareiga. Kasutatud kirjandus: https://et.wikipedia.org/wiki/Baasvahetuss%C3%BCsteem
kaltsiumoksiidi terase, magneesiumi, alumiiniumi ja muude värviliste metallide tootmisel lisandite, näiteks räbu eemaldamiseks. Kustutamata lupja kasutatakse ka klaasi valmistamisel. Toidulisandi sees niimetatakse kaltsiumoksiidi E529 ja seda kasutatakse happesuse regulaatorina. Seda kasutatakse ka flokulandina, paberi tootmisel ligniini lagundamiseks, koagulandina ja pleegitamisel. Kaltsiumoksiid on mürgine. Alumiiniumoksiid Teine tähtis metalloksiid on alumiinumoksiid (Al 2O3). Alumiiniumoksiid (teise nimega korunt) on keemiliselt väga püsiv valge tahke aine, ta on amfoteerne oksiid. Selle oksiidi sulamistemperatuur on 2054 C° ja keemistemperatuur on 2980 C°. Ta ei reageeri veega ning on väga vastupidav ka hapete ning leeliste lahuste suhtes. Alumiiniumoksiidi on võimalik saada alumiiniumhüdroksiidist. Looduses esineb see oksiid puhtana mineraalkorundina. Seda ainet kasutatakse hambalaborites arvatavasti plommide jaoks
...........................................................................................................10 2 1. CMOS 4011 CMOS 4011 näol on tegemist 14-klemmilise DIL (Dual-In-Line) digitaalse integraallülitusega. DIL tähis täpsustab klemmide asetust, mis 4011 puhul on 7+7 klemmi paralleerselt. CMOS on lühend inglise keelsest nimest Complementary metaloxide semiconductor ehk (teineteise) olekust erinevad metalloksiid pooljuhid (viide 1). Joonis 1: CMOS 4011 integraallülitus Klemme hakatakse lugema alati ülemise nõgu vasakpoolsest küljest. Integraallülitusele rakendatakse pinge 14. klemmile ja maandatakse 7. klemmilt. 4011 integraallülitus koosneb neljast väravast (vt. Joonis 1). Värava tüüpi näitab selle tingmärk. Sel puhul on tingmärgiks NAND (Not And). Input'i ehk sisendi poolt on ruut ja output'i e. väljundi poolt on ümar ning otsas väike ring
orgaanilisest lahustist ja lahustunud liitiumi soolast. Seetõttu on selline süsteem hermeetiliselt suletud , et vältida õhuniiskuse ja hapniku juurdepääsu. Veevaba elektrolüüdi kasutamine lubab üksikelemendi tööpinge tõsta üle 4,0 V. Elektroodi materjalidena kasutatakse negatiivsel poolel grafiitset süsinikku (C) ja positiivsel poolel mõnda sobivat metallide oksiidi näiteks LiMn2O4, LiCoO4, jt. Liitiumaku laadimisel toimub metalloksiid lahustumine elektroodil (+), liitiumi ioniseerumine Li+ iooniks ja grafiit elektroodil (-) liitiumiioonide uuesti neutraliseerumine vabaks liitiumiks. Aku tühjenemisel leiab aset pöördprotsess. Nende protsesside pöörduvaks toimumiseks (aku laitmatuks töötamiseks) on oluline komponentmaterjalide kõrge puhtus ja hoolikalt kontrollitud tööreziimid. Mõlemate faktorite koosmõju on olnud pikemat aega üheks Li-ioonakude kasutust pidurdavaks teguriks. Pliiaku
Näiteks
kuvatakse selle jaoks tekst Press to Enter Setup.
Seadistusse (Setup) sisenemisel on näha erinevad tekstipõhised menüüd arvukate
seadistusvõimalustega. Osa neist on standardsed, teised varieeruvad, sõltuvalt BIOS-i
valmistajast.
5
BIOS paikneb ise emaplaadil asuval kiibil. Selle erinevaid valikuid hoitakse aga teises
kiibis, mis kannab nime CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor -
komplementaarne metalloksiid-pooljuht).
Erinevalt BIOS-ist kustub info CMOS-kivil kohe, kui arvuti täiesti ilma võrgutoiteta jääb.
Seepärast ongi emaplaatidel pisike liitium- või Ni-Cad-patarei, mis annab piisavalt
energiat selleks, et tagada andmete säilimine aastateks. Mõnedel uuematel kiipidel on
sisseehitatud tilluke liitiumpatareid, millel on toitevaru kümneks aastaks.
Kui patarei välja võtta, siis "unustab" arvuti ära kõik sätted, mida vahepeal BIOS-is
muudetud on
Tavaliselt rakendatakse takisti tööle 30 80%'lise võimsusega haruharva nimivõimsusega. Uk=Utegegelik/Ulubatud; Pk=Ptegelik/Pnimiväärtus 03.10.2007 (vene L )peab olema Takistite tähistused MLT Metallkile lakitud ja kuumakindel. (üldkasutatavad) OMLT Eriti töökindel (sõjaväe aparatuur, export) MT Metallkile lakitud ja eriti kuumakindel MOH Väikese takistuslik metalloksiid takisti MYH kaitsmata ülikõrgsageduslik metallisulam takisti Takistite väärtused antakse , kohale läheb K, M jne. Lisa takistite värvikoodid. MUUTTAKISTID muuttakistite põhiparameetrid on samad mis püsitakistitel. 1. Lisaks töökindlus 2. Reguleer karateristik reguleerimise karakteristik muuttakistite liigid: 1. reguleertakistid kasutame seadmetega töötamisel 2
midagi, mis asendaks korraga palju dioode. Kui kõik sisenddioodid asendati transistoridega, siis muutus integraallülituste füüsikaline konstruktsioon märksa efektiivsemaks. Erinevuseks DTL-ist on see, et sisendis kasutatakse mitme emitterilist transistori. 12.n-MOP-loogika. 13.CMOS (KMOP)-loogika. Paljud rakendused, eriti transporditavad, patareitoitega, vajavad, et energiavajadus oleks võimalikult minimeeritud. Et seda saavutada, selleks arendati välja KMOP (komplementaarne metalloksiid pooljuht) tehnoloogia. KMOP loogika kasutab kõrgendatud reziimis MOSFET-e transistoridena ja on niimoodi disainitud, et ei vaja peaaegu üldse elektrivoolu. Samas on nad limiteeritud oma opereerimiskiirusega. Sellegipoolest on nad väga kasulikud ja efektiivsed suure osa patareitoitega rakenduste juures. KMOP põhineb täiendavate MOP transistoride kasutamisel, et realiseerida loogikafunktsioone ilma, et elektrivoolu peaaegu üldse tarvis oleks. See teeb selle perekonna väga kasulikuks
Näiteks kuvatakse
selle jaoks tekst Press to Enter Setup.
Seadistusse (Setup) sisenemisel on näha erinevad tekstipõhised menüüd arvukate
seadistusvõimalustega. Osa neist on standardsed, teised varieeruvad, sõltuvalt BIOS-i
valmistajast.
3
BIOS paikneb ise emaplaadil asuval kiibil. Selle erinevaid valikuid hoitakse aga teises kiibis,
mis kannab nime CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor - komplementaarne
metalloksiid-pooljuht).
Erinevalt BIOS-ist kustub info CMOS-kivil kohe, kui arvuti täiesti ilma võrgutoiteta jääb.
Seepärast ongi emaplaatidel pisike liitium- või Ni-Cad-patarei, mis annab piisavalt energiat
selleks, et tagada andmete säilimine aastateks. Mõnedel uuematel kiipidel on sisseehitatud
tilluke liitiumpatareid, millel on toitevaru kümneks aastaks.
Kui patarei välja võtta, siis "unustab" arvuti ära kõik sätted, mida vahepeal BIOS-is muudetud
on
liini teises otsas oleva multiplexeri X0 – X3 loogilisi nivoosid. 7. Loogilise 0-i ja 1-e reaalsed elektrilised väärtused tänapäevastes CMOS tehnoloogial digitaalseadmetes. 0 – 0-1,5 V 1 – 3,5-5 V 8. Milliseid probleeme kohtame vana TTL ja CMOS ühendamisel (sisend- ja väljundpinged ning voolutarve)? Ttl min high võib olla madalam kui cmos kõige madalam high väärtus. (2,7V) Ttl-transistor transistor loogika Cmos-metalloksiid pooljuht KMOP loogika ei talu suuri negatiivseid sisendpingeid., KMOP struktuurid on väga tundlikud staatilise elektri suhtes! TTL puudused: vastandina KMOP-lülitusele tarbib TTL voolu ka siis, kui on stabiilses seisundis 9. CMOS loogikaelementide (inverter, NING-EI ja VÕI-EI) elektriskeemid transistoridel (piisab kahest sisendist). Inventer ehk EI element. Koosmeb kahest järjestikku ühendatud eri tüüpi kanaliga väljatransistorist. vdd-toide
Lilla 7 7 7 10 - 5 Hall 8 8 8 10 - 1 Valge 9 9 9 10 - - K91 0,910K 91K 91K R47J 0,47 ±5 % 20R - 20 68KK 68K ± 10% MLT- MT lakitud kuumakindel metallisulam takisti MT- kuumakindel metallisulam tekisti X L=2fL MON MOH väikesetakistuslik metalloksiid takisti MUN MYH kaitsmata ülikõrgsageduslik metallsulam takisti MUUTTAKISTIS Liigitatakse kasutusotstarbelt: 1. Reguleertakistiteks mida kasutatakse helitugevuse reguleerimiseks 2. Seadmetakistus kasutatakse laboris seadme parameetrite saamiseks Muuttakistite parameetrid on samasugused nagu püsitakistitel: 1. Rn nimitakistus ja R ± % 2. Pn nimivõimsus 3. Tmax maksimum temperatuur 4. Um 5. R 6. kulumiskindlus
Seega mida suurem on vastupinge, seda kitsamaks kanal muutub ja kanali takistus suureneb. Kanal ei muutu kitsamaks ühtlaselt, nimelt toimub neelupoolses otsas suurem ahenemine. Teatud vastupingel UGS(off) sulgub kanal praktiliselt täielikult. Ongi saadud pooljuhtseadis, kus saab paisupinge muutmisega tüürida neeluvoolu. a) Ülekandetunnusjoon; b) Väljundtunnusjooned. 48. MOP väljatransistor, tööpõhimõte, tunnusjooned. MOP-transistor. MOP-(metalloksiid pooljuht)transistoris on paisuks õhuke metallikiht, mis on pooljuhi pinnast eraldatud õhukese dielektriku, tavaliselt ränidioksiidi SiO2, kihiga. Eristatakse kahte tüüpi MOP-transistore. Kui juhtiv kanal on juba pooljuhti moodustatud, siis on tegemist formeerkanaliga väljatransistoriga. Teise klassi moodustavad indutseerkanaliga väljatransistorid, millel tekib kanal alles seadise pingestamisel. Indutseerkanaliga väljatransistorid on rohkem levinud, kuna nende
kõrgetel temperatuuridel. Seetõttu kasutatakse praktikas muundurite materjalina peamiselt plaatinat, volframit, vaske ning niklit ja nende sulameid 17 (tabel 2.14). Kõige sobivamaks materjaliks takistustermomeetrite valmistamisel on osutunud plaatina. 24. NTC-termistorid, nende tunnusjooned, takistuse muutuse funktsiooni üldvõrrand Sellist nimetust kasutatakse tavaliselt metalloksiid-muundurite puhul, mis võivad olla valmistatud tilga-, silindri-, ketta-, seibi- või ristkülikukujulisena, ka keraamilisele alusele kantud kihtidena . Sõltuvalt tunnusjoone iseloomust eristatakse negatiivse temperatuuriteguriga (ingl negative temperature coefficient NTC) (joonis 2.142) Põhilisteks materjalideks, millest valmistatakse NTC-termistormuundureid, on metallide oksiidid (MgTiO3, MgO, CuO, NiO, CoO), mis jahvatatakse pulbriks,
U sat max - U sat min R= . Ir Tänapäeval on bipolaartransistorid peaaegu kõikides jõuelektroonika rakendustes asendatud MOSFET-transistoridega ja IGBT-transistoridega. Nende keskmised võimsuste vahemikud on joonisel 2.5. Märkimisväärne on, et MOSFET-transistoride kiire areng leidis aset alles viimase kümne aasta vältel. Metalloksiid-väljatransistoride (SFET-transistoride) tehnoloogia võimaldas 1996. aastal väga madala avatud oleku takistusega (neelu ja lätte vahelise takistusega), kuid madalate pingetega (UDS max < 100 V, RDS < 6 m, UDS = 30 V) transistoride tootmist. CoolMOS- transistoride kasutuselevõtmine aastal 1998 võimaldas veelgi vähendada avatud oleku takistust RDS, võrreldes tavalise MOSFET-transistoriga ligikaudu 5...6 korda. Samuti suurenesid ka transistoride pinged UR = 0,6...1 kV
annaabi.ee 
