✍🏽 Avalikusta oma sahtlis olevad luuletused!Luuletus.ee
0
Metalloksiid - väljatransistoride (SFET-transistoride) tehnoloogia võimaldas 1996. aastal väga madala avatud oleku takistusega (neelu ja lätte vahelise takistusega), kuid madalate pingetega (UDS max < 100 V, RDS < 6 mΩ, UDS = 30 V) transistoride tootmist.
Tulemused kuvatakse siia. Otsimiseks kirjuta üles lahtrisse(vähemalt 3 tähte pikk). Leksikon põhineb AnnaAbi õppematerjalidel(Beta).
Andmebaas (kokku 683 873 mõistet) põhineb annaabi õppematerjalidel, seetõttu võib esineda vigu! Aita AnnaAbit ja teata vigastest terminitest - iga kord võid teenida kuni 10 punkti.
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
