planaarmenetlust, mispuhul lülituse struktuur moodustatakse räniplaadi õhukeses, mõne m paksuses pindkihis ja pinnal. Planaarmenetlusel valmistatud integraallülitust nimetatakse monoliitintegraallülitusteks. Selliste integraallülituste juures pole võimalik optimeerida ühe skeemielemendi parameetreid, muutmata sama ajal teiste elementide karakteristikuid. Valmistatakse ka hübriidintegraallülitusi. Hübriidintegraallülituses kasutatakse kiledest passiivelemente ja eraldi pooljuhtkristallis valmistatud aktiivelemente. Selline tehnoloogia võimaldab saada täpsemaid parameetreid, neil on avaram sagedusala.
ELEKTROONIKA ALUSED Elektroonikaseadmete koostaja erialale 2007 SISUKORD ........................................................................................................................................... 24 I...................................................................................................................................... 25 U2.................................................................................................................................. 25 ........................................................................................................................................... 25 VD2........................................................
Elektroonika Loengute materjalid: skeemid, diagrammid, teesid. 1 Sisukord 1. Elektroonika ajaloost (arengu etapid, elektroonika osad, elektronlambid, elektronkiiretoru, elektronseadmete montaazi tüübid)............................................................................................... 3 2. Elektroonika passiivsed komponendid.......................................................................................... 14 3. Pooljuhtseadised (dioodid, bipolaartransistorid, väljatransistorid, türistorid)............................... 23 4. Optoelektroonika elemendid, infoesitusseadmed.......................................................................... 42 5. Analoogelektroonika lülitused....................................................................................................... 60 5.1
Tallinn University of Technology Department of Electrical Drives and Power Electronics Report Diodes Tallinn 2011 + A VS RV V D - Fig. 1.1. Circuit diagram VS - DC voltage source PS 5005, 0-50VDC/0-5A RV - Rheostat, Rmax=3600 V - DC volt meter DV-101, 200mV-200V A - DC current meter DA-103, 2mA-20mA-200mA-5A D - Diode 1N360 Voltage divider calculations RV=(US-UAC)/If(max) RV=(46,6 - 0,45)/0,1=461,5 Table 1.1. Observed data If , mA US If Uf Ir Ur 0,60
praegu olemas kollane, sinine, roheline. Pinge umbes 2V. valmistatakse (gallium arseeniid fosfiid). Kasutatakse optronites (valgusallik+valguse vastuvõtja). Dioodoptron kiireim 10 -8s. Inertsivaba ja saab ise valida spektri. 2. Võimendus astme põhiparameetrid: Ku=Uvalj/Usis, Ki=Ivalj/Isis, KP=Pvalj/Psis=Ku*Ki. Võimendi puhul KP alati >>1 OV: *Võimendustegur: KUD, K. Sõltub differentspinge sagedused, toiteping, temp. Antakse nullsagedusel ja nimiting-stel K=500..500k *Ühissignaali nõrgendustegur. Reegline ÜSNT=20logK/Ksf (-70..100dB) *nihkepinge Un, U0-differentspinge, mis tuleb anda OV sisendite vahele, et väljundis oleks 0. U0=3..30mV *Sisendvool Isis nim sisendite voolude aritm keskm sisendping-te puudumisel *Sisendtak difer.signaalile RDSIS on ekviv sisendite vaheline tak nõrga sign puhul. *Sisendtak ühissign-le – ekviv tak sisendite ja nullklemmi vahel *nihkepingete triivid: a)soojuslik 3..10uV/K b)ajaline 2.
nimetatakse nihkepinge triiviks. -Sisendvool Isis – sisendite voolude aritmeetiline keskmine sisendpinge puudumisel. -Sisendtakistus diferentssignaalile Rd sis - ekvivalentne sisendite vaheline takistus nõrga signaali korral. Bipolaar-sisendtransistoridega OV-de R d sis on mõni MΩ. Sisendvool läbi sisendtakistuse on ainult mõni nA. -Sisendtakistus ühissignaalile Rü sis on ekvivalentne takistus sisendi ja 0-klemmi vahel. -Suurimad väljundpinged U+v , U-v – suurim võimalik positiivne ja negatiivne väljundpinge etteantud koormustaktistuse korral. -Ühikvõimenduste sagedus f1 on sagedus, mille korral võimendusteguri moodul on võrdne ühega. -Talitluskiirus vu on väljundpinge suurim muutumise kiirus diferentspinge hüppelisel muutumisel. 3. RC-generaator (Wien i sild + OV) Harmooniliste võnkumiste generaator, kus harmooniline võnkumine säilitatakse võimendi tagasisideahelasse ühendatud farseeriva RC-ahela abil. RC-generaatoreid
Pilet 1. Pilet 3. 1. Valgusdioodid 1. türistori volt-amper karakteristik 2. Võimendi põhiparameetid 2. mis asi on nullinihepinge OV baasil? 3. RC-generaator (Wien i sild + OV) 3. T-triger 4. TTL-Schottky loogika elemendid 4. demutlipleksor 5. RS-triger 5. inverteeriv võimendaja (skeem, 1.Valgusdiood on päripingestatud pn-siirdega pooljuhtseadis, milles siire kiirgab valgus pingevõimendustegur) laengukandjate rekombinatsiooni tõttu
Rakenduselektroonika Sisukord Sisukord ....................................................................................................................... 1 1. Võimendid ................................................................................................................ 3 1.1
annaabi.ee 
50 punkti
~ 3 lehte
24 laadimist
0 arvamust 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
Kõik kommentaarid