komponendid eralduvad üksteisest, moodustades tsoonid, mis on eraldatud puhta kandva gaasi tsoonidega. Gaasi-vedelikkromatograafia puhul kasutatakse sorbendina kõrgeltkeevaid vedelikke, mis suurema kontaktipinna loomiseks kantakse tahkele kandjale (täidiskolonnid) või peene kapillaari siseseintele (kapillaarkolonnid). Komponentide eraldamine põhineb nende jaotuskoefitsientide erinevusel vedela ja gaasifaasi vahel. Siin mängib rolli nii komponentide erinev lenduvus kui erinev lahustuvus vedelfaasis. Vedelfaasis hästilahustuvad komponendid hoitakse kolonnis kauem kinni, halvemini lahustuvad väljuvad kiiremini. GVK abil saab analüüsida orgaaniliste ainete segusid, kusjuures segu komponendid peavad olema temperatuuridel, mille juures analüüsi teostatakse termiliselt stabiilsed, ka ei tohi nende keemistemperatuur olla liiga kõrge ( <400°C). Retentsiooniaeg tR koosneb inertgaasi retentsiooniajast to s.o. ajast, mille jooksul
Nitreerimine. Nitreerimine on nitrorühma (NO2) viimine orgaanilise ühendi koostisse temasse lämmastikoksiidide (auru- või vedelfaasis) või nitreerimisseguga (kontsentreeritud lämmastik- ja väävelhappe seguga) toimides. Saadud nitroühendeid kasut. lahustite ja lõhkeainetena (nt. nitroglütseriini), nad on ka värv- ja lõhnaainete, ravimite ja muu sellise sünteesimise vahesaadused. Nitreerimine on ka termokeemiline töötlemine, mille puhul teras-, malm- või titaanisulameist detailide pinnakihti rikastatakse lämmastikuga kõvaduse, kulumis- ja korrosioonikindluse ning väsimustugevuse suurendamiseks. Nitreeritakse
( 3,176-2,465 ) · ( 4,897-3,176 ) 1,22363 t 0=3,176- =3,176- =¿ 1,965 min 4,897-3,176-( 3,176-2,465 ) 1,01 Retentsiooniaeg tR koosneb inertgaasi retentsiooniajast t0 s.o. ajast, mille jooksul komponendid liiguvad kandegaasis ja parandatud retentsiooniajast t'R, mille jooksul komponendid hoitakse kinni ' vedelfaasis. t R=t 0 +t R t 'R 1=t R 1-t 0 =¿ 6,515-1,965= 4,550 min ' t R 2=t R 2-t 0=¿ 8,660-1,965= 6,695 min Mahtuvustegur on piigi asukoha mõõduks kromatogrammil, ta on antud tingimustes antud ühendile konstantne. Leian mahtuvusteguri ehk retentsiooni faktori k' piikidele 1. segu t R -t 0 puhul: k'= t0 6,515-1,965 k ' ( 6,515 )= =¿ 2,316 1,965
aurustumiskoefitsendi suhet etanooli aurustumiskoefitsenti. Rektifitseerimiskoefitsent näitab lisandite koguse suurenemist või vähenemist piirituse suhtes. Piirituse lisandid jaotatakse kolme gruppi: pea-, vahe-, järellisandid. Pealisanditel on rektifikatsioonikoefitsent suurem kui üks (äädika aldehüüdid, äädika etüüli eetrid). Need kontsentreeruvad aurudes piirituse vedelfaasis. Järellisanditel on lenduvate ühendite lenduvus alati väiksem etanooli lenduvusest (vesi, äädikhape). Vaheühendid omavad kahepidiseid omadusi: kõrgete piirituse kanguste juures on nad järelühendid (koefitsent ühest väiksem), madalamatel on peaühendid (koefitsent ühest suurem). 8 9
11. Etüleendioksiidi süntees Produktid etüleeni baasil :Etüleenoksiid Kõige tähtsam produkt on etüleenoksiid ning peale selle polüetüleeni mitmed liigid. Põhiline sünteesi viis on etüleeni otsene oksüdatsioon õhuga Ag-katalüsaatori juuresolekul: CH2=CH2 + 1/2 O2....CH2 CH2 + CO2 + H2O Etüleenoksiid absorbeeritakse reaktsiooni gaasidest veega ning lahutatakse veest destillatsiooniga.Etüleendikloriid ja vinüülkloriid. Reaktsioon klooriga viiakse läbi kas gaasifaasis voi vedelfaasis pehmetes tingimustes. CH 2=CH2 + Cl2..ClCH2CH2Cl > 80% etüleendikloriidi läheb vinüülkloriidi tootmiseks 12. Propüleeni süntees Propeen - see on propüleeni ametlik nimetus IUPAC järgi. Üks vanimaid naftatööstuse kemikaale. Teda saadakse propaani või kõrgemate CH krakkimisel veeauru juuresolekul väga sarnastes tingimustes etüleenile. Propüleeni saagis kasvab krakkimise temperatuuri kasvades 13.MTBE süntees
eesmärgil pestitsiidid, biotsiidid soovimatud kõrvalproduktid tööstuses, põletamisel eelnevate degradatsiooni- või metabolismiproduktid.Dioksiinid Allikad:Põlemisprotsessid, kloori sisaldavate jäätmete põletamine !kõrvalproduktid paberi tootmisel, klorofenoolidega reaktsioonides.TCDDVees halvasti lahustuvad,Väga püsivad,Väga toksilised. GAASIDE LAHUSTUVUS VEESOn kindlaks tehtud, et tasakaalu korral on gaasi kontsentratsioonide suhe vedelfaasis jagaasifaasis antud temperatuuril püsiv suurus. Gaaside lahustuvust vedelikes kirjeldab Henry seadus: gaasi lahustuvus vedelikus (küllastuskontsentratsioon) on võrdeline tema osarõhuga lahuse kohal: Xg = KH × pg ,kus Xg on gaasi lahustuvus vedelikus ehk gaasi küllastuskontsentratsioon lahuses, mol/l KH on Henry konstant, mol/ (l×atm)pg on gaasi osarõhk lahuse kohtal, atm Võrdelisusteguriks on
39. Kas tervikkristalli kasvatamiseks on vaja suurt või väikest alajahutust? Miks? väikest alajahutust, siis tekib vähe nukleatsioonitsentreid, mis kasvavad suurteks kristallideks. 40. Mis vahe on homogeensel ja heterogeensel nukleatsioonil? Kumb neist vajab suuremat alajahutust (või üldisemalt suuremat üleküllastust)? Miks? homogeensel nukleatsioonil peavad püsivad nukleatsioonitsentrid ise tekkima, heterogeensel on stabiilne nukleatsioonipind olemas - nt lisandid vedelfaasis või vormi sein. seetõttu on heterogeenne nukleatsioon kergemini toimuv ja vajab väiksemat üleküllastust. 41. Milles seisneb otseste ja mitteotseste kristallikasvatusmeetodite erinevus? Tooge näiteid otseste ja mitteotseste kasvatusmeetodite kohta. otsese meetodi korral sisaldavad lähtematerjalid ainult neid komponente, mis esinevad soovitud kristalls, nt alfa-Al2O3 kristallide kasvatus sulast Al2O3-st.sulafaas on sama koosseisuga kui tahke faas.
Tardfaaspaagutus: materjalis vedelat faasi ei teki. Kalestusnähtuste kadumine->oksiidide taandamine-> pind-,piir- ja mahtdifusioon-> pooride kujumuutus, vähenemine või kadumine->rekristallisatsioon ja terade kasv. Vedelfaaspaagutus: 2 või enamkomponentses süsteemis kergsulav komponent on mingis paagutusstaadiumis sulas olekus. Esimeses staadiumis mood vedelfaas, mis täidab osakeste vahelised tühikud. Teises staadiumis toimub väikeste osakeste lahustumine vedelfaasis ja sadestumine suurematele tardosakestele, mis toimivad kristalliseerumiskeskmetena. Kolmandas staadiumis toimub tahkete osakeste kokkukasvamine. 39. Valtside kalibreerimine? 40. Stantsimise protsessi parameetrid- templi ja matriitsi kuju, stantsimise kiirus, lõtk matriitsi ja templivahel, määrimine. 41. Pulbrite kahepoolne pressimine- pulber puistatakse matriitsi õõnde ja pressitakse ülemise templiga kokku (alumine tempel liigub ülemisele vastu) 42
on põlemisprotsesside produktideks Etüleendikloriid (1,2 dikloroetaan) ja vinüülkloriid saadavad produktid. (soojusjõujaamad, diiselmootorid jt.). Identifitseeritud on Reaktsioon klooriga viiakse läbi kas gaasifaasis voi Kogu seade koosneb kahest toruahjust ning kahest 16 ühendit, mis sisaldavad 2-6 aromaatset tuuma, osa vedelfaasis pehmetes tingimustes. Saagis on > 96%: kolonnist: esimene töötab atmosfäärirõhul ja teine, on kantserogeenid või muutuvad kantserogeenideks CH2=CH2 + Cl2...........ClCH2CH2Cl masuudi lahutamise kolonn, vaakuumis (jääkrõhk 5-8 ainevahetuse käigus. > 80% etüleendikloriidi läheb vinüülkloriidi tootmiseks kPa)
CF-CG mõlema tardlahuse segu. Likvidus- ja solidusjoone vahel on kaks stabiilset faasi (joonis 1.40a, lk 38): tardlahus ( või ) ja vedelfaas L. Temperatuuridel, millele vastab joon TAE algab tardlahuse kristalliseerumine, temperatuuridel, millele vastab joon ETB tardlahuse kristalliseerumine. Jooned TAE ja ETB iseloomustavad mitte ainult krisatalliseerumise algtemperatuure, vaid ka komponendi A ja B lahustuvust vedelfaasis. Punkt C iseloomustab komponendi B piirlahustuvust komponendis A, punkt D komponendi A piirlahtuvust komponendis B temperatuuril TE. Punktid F ja G iseloomustavad komponentide B ja A lahustuvust vastavalt komponentides A ja B normaaltemperatuuril. Seega iseloomustab joon CF komponendi B lahustuvust komponendis A ja joon DG komponendi A lahustuvust komponendis B sõltuvalt temperatuurist. Seetõttu nim. jooni CF ja DG lahustuvus- ehk solvusjoonteks.
faasis üheaegselt. Reaalgaasi põhiomadusi on, et teda on alati võimalik teatud tingimustel kondenseerida. Gaasifaasis oleva reaalgaasi mahu püsitemperatuursel (isotermsel) vähenemisel mingil temperatuuril T1 tõuseb rõhk seni, kuni erimaht saavutab väärtuse v1'' (punkt 1"). Aine on punktis 1" küllastunud olekus aurufaasis ja sellist ainet nimetatakse küllastunud auruks. Auru erimahu tähis küllastunud olekus on v". Punktis 1' on aine samuti küllastunud olekus, kuid vedelfaasis, ja sellist nimetatakse küllastunud vedelikuks. Punkte 1', 2', 3', ... ühendavat pidevat joont (aK) nimetatakse alumiseks piirkõveraks ehk keemisjooneks. Punkte 1", 2", 3", ... ühendav joon (bK) kannab ülemise piirkõvera nimetust, seda teatakse ka kui kondenseerumisjoont. Van der Waalsi võrrand pv- tasandil 5. Mehaaniline töö. Tehniline töö Mehaanilise töö mõiste termodünaamikas on seotud materiaalselt suletud süsteemiga. Olgu antud
1. Katalüüs ja katalüsaator Reaktsiooni kiirus sõltub süsteemi viidud ainest - katalüsaatorist. Protsesse, millest need ained osa võtavad nim. katalüüsiks. Katalüsaator on aine, mis kiirendab reaktsiooni, kuid mille kontsentratsioon reaktsioonis ei muutu. Ta ei mõjuta reaktsiooni tasakaalu, vaid mõjutab kiirust, millega tasakaaluolekusse jõutakse. Homogeenne katalüüs - katalüsaator ja lähteained samas faasis, enamasti vedelfaasis Heterogeenne katalüüs - katalüsaator ja lähteained eri faasides. Tekivad vaheühendid katalüsaatori pinnal, mis on ebapüsivad pindühendid Promootorid - ained, mis veelgi kiirendavad katalüsaatori toimet Inhibiitor aine, mis vähendab reaktsiooni kiirust - negatiivne katalüüs, urotropiin. Katalüsaatori funktsioon: luua alternatiivne reaktsiooni tee, millel on võrreldes tavalise reaktsiooniga madalam aktivatsioonienergia 1
allajahutusastme korral, kui tardfaasi vaba energia (Gibbsi energia) on väiksem vedelfaasi vabast energiast. Kristalliseerumisprotsess kujutab endast kristallisatsioonikeskmete tekkimist ja nende järgnevat kasvu. Vedelfaasist tekkivad tardfaasid erinevad koostiselt vedelast lähtefaasist. Seetõttu on püsivate kristallisatsioonikeskmete tekkimiseks vaja koostise kõrvalekaldeid sulami keskmisest koostisest vedelfaasi mikromahtudes. Sellised erineva koostisega alad (mikromahud) tekivad vedelfaasis aatomite difuusse liikumise tagajärjel ja kui nende maht ületab kriitilise, tekivad püsivad kristallisatsioonikeskmed, mis on võimelised kasvama. - faasidiagramm ( faasidiagramm komponentide piiramatu või piiratud lahustuvuse korral, sulamite korral,mille komponendid teineteises ei lahustu, keemilisi ühendeid moodustavate komponentide korral, komponentide polümorfismi korral, seos faasidiagrammi ja sulamite omaduste vahel ) RAAMAT LK 34.
annaabi.ee 
