· Elektrijuhid (Metallid) tahkised, milles on osaliselt täidetud valentstsoon ja hübriidtsoon · Pooljuhid tahkised, mille valentstsoon on küll täielikult täidetud, kuid keelutsoon on kitsas (1...3eV) · Dielektrikud - tahkised, milles esinevad vaid täielikult täidetud energiatsoonid, keelutsooni laius on 5....10 eV Aukjuhtivus on aukude siirdumine välise elektrivälja mõjul ühelt alatasemelt teisele pooljuhi valentstsoonis Akseptornivoo on keelutsoonis, valentstsooni läheduses painev energiatase, millele võivad siirdda akseptorlisandi elektronid valentstsoonist Doonornivoo - on keelutsoonis, juhtivustsooni läheduses paiknev energiatase, mille täidavad doonorlisandi elektronid n-pooljuht doonorlisandiga pooljuht enamuslaengukandjateks on välise elektrivälja mõjul juhtivustsoonis liikuvad elektronid p-pooljuht - akseptorlisanidga pooljuht - enamuslaengukandjateks on välise elektrivälja
Lubatud tsoonid kristallis vastavatele valentselektronidele lubatud energiatasemed Keelutsoonid eraldavad lubatud tsoone üksteisest Valentstsoon viimane elektronidega täielikult täidetud lubatud tsoon Juhtivustsoon valentstsoonile järgnev lubatud tsoon, mis on elektronidega täitmata või osaliselt täidetud Hübriidtsoon kaks viimast tsooni täituvad 5. Valentselektron väliskihi elektron ,,Auk" - elektronist vabanenud koht valentstsoonis 6. Kristallide liigitus: Juhid (metallid) olemas kristallstruktuur, mille moodustavad positiivsed ioonid, mida ümbritsevad vaba elektronid (kusjuures nende leiuala hõlmab kogu kristallstruktuuri Dielektrikud olemas kristallstruktuur, mille moodustavad ioonid või aatomid; puuduvad vabad laengukandjad Pooljuhid olemas kristallstruktuur, mille moodustavad aatomid/ioonid; osa elektrone on liikunud leiualasse 7
Pooljuhid on oma omadustelt väga lähedased dielektrikule. Erinevus pooljuhtide ja dielektrikute vahel seisnebki vaid keelutsooni laiuses. Dielektrikus on valentstsoon täielikult täidetud, keelutsoon väga lai ja juhtivustsoon praktiliselt täiesti tühi. Mida laiem on materjali keelutsoon, seda väiksem on tema elektrijuhtivus. Juhtivustsoon tühi ja energiaruumi elektronide liikumiseks on piisavalt, kuid seal puuduvad elektronid, mis saaksid liikuma hakata. Valentstsoonis on elektrone, kuid puuduvad vabad alamtasemed, et elektronid saaksid liikuda. Pooljuhis on keelutsoon kitsam. Absoluutse nulltemperatuuri juures on valentstsoon täielikult täidetud, juhtivustsoonis elektrone ei ole ning pooljuht käitub kui dielektrik. Osad valentselektronid saavad soojusliikumise energia arvelt ületada keelutsooni ja siirduda juhtivustsooni. Soojusliikumine pole piisav tekitamaks elektronide massilist keelutsooni ületamist
Selliseid energianivoosid nimetatakse doonornivoodeks (elektrone äraandvateks) ning lisandeid ise doonoriteks. Doonorlisanditega pooljuhtide elektrijuhtivus kujutab endast elektronjuhtivust ehk n-tüüpi pooljuhid. p-juhtivus mehhanism: Kui lisandi täitmata energianivoo paikneb keelutsoonis valentstsooni ülemise serva lähedal. Sel juhul võivad valentstsooni elektronid suhteliselt lihtsalt "hüpata" vabale lisandinivoole, jättes seejuures endast järele auke valentstsoonis. Augud aga võivad pooljuhis elektrivälja toimel vabalt liikuda. Selliseid lisandiaatomite energianivoosid nimetatakse aktseptornivoodeks (vastuvõtvateks) ning vastavaid lisandeid aktseptoriteks. Aktseptorlisanditega pooljuhid on seega aukjuhtivusega ehk p-tüüpi pooljuhid. pn-siire pärivoolu resiimis: Pooljuhtelektroonikas kasutatakse voolu alaldamiseks pn-siiret, mis tekib p- ja n-tüüpi pooljuhi kontaktkihis. Kui vooluallika plussklemm ühendada p-
22.Metallilise sideme iseloomulikuks tunnuseks on see, et iga aatomi üks või mitu el on ühildatud kõigi metalli aatomite poolt. 23.Pooljuht kujutav endast tsooniteooria seisukohalt tahkist, mille keelutsooni laius on väiksem kui 3 eV 24.Tahkises on aatomid omavahel seotud elektromagnetilise tõmbejõu vahendusel. 25. Juhvtivuselektronide arv on võrdne ,,aukude" arvuga ainult puhastes pooljuhtides. 26.Tavalistes(puhastes) pooljuhtudes on laengukandjateks el juhtivustsoonis ja augud valentstsoonis. 27.Tavalises(puhtas) pooljuhis temperatuuri tõustes kasvab juhtivuselektronide ja aukude hulk ühesuguse kiirusega. 28.Bohri aatomimudelis on liikumishulga moment 3h/3biiga elektronil , mis asub kolmandal orbiidil. 29.Millised järgmistest väidetest on tõesed? 1913.aastal korraldatud Francki ja Hertzi katsed kinnitasid aatomite statsionaarsete olekute olemasolu. 30.N.Bohri aatomiteooria kirjeldas adekvaatselt vaid vesiniku aatomit. 31
*Juhtivustsoon-keelutsoonile järgnev, täitmata või osaliselt täidetud tsoon. 7. Milliseid kahte juhtivustüüpi eristatakse pooljuhtides? Aukjuhtivus, elektronjuhtivus 8. Selgita augu mõistet pooljuhtide füüsikas ja kirjelda aukjuhtivuse protsessi. Pooljuhis on osa elektrone siiratud valentstsoonist juhtivustsooni, seega jääb sinna vabu alatasemeid ehk ,,auke". Aukjuhtivus on aukude siirdumine välise elektrivälja mõjul ühelt alatasemelt teisele pooljuhi valentstsoonis. 9. Mis on rekombinatsioon? Elektroni ja augu taasühinemine 10. Mis on termistor? Pooljuhtseadis, kus eritakistuse sõltuvust temperatuurist kasutatakse temperatuuriandurina. 11. Millel põhineb fototakististe toime? Täiendav voolukandja vabastab pooljuhis tema valgustamise, kui vaid footonite energia ületab keelutsooni laiuse. See on fotojuhtivus, misa rakendatakse valgustajurites. 12. Selgita doonorite ja aktseptorite nimetuste päritolu.
Tingmärk: d)transistor koosneb pnp või npn tüüpi pooljuhtidest. Kasut signaalide võimendamisel. e)kiip koosneb mitmest dioodist, transistorist, takistist,kondensaatorist. 15. Energiatsoonide tekkimine: metallides, dielektrikutes ja pooljuhtides on energiatsoonid. Neid nim valentstsoonideks, juhtivustsoonideks ja keelutsoonideks, Tsoonid tekivad aatomite lähenemisel, mille tulemusel tekivad tahkised. a)metall valentstsoonis ja juhtivustsoonis on palju vaba ruumi, head elektrijuhid. b)pooljuhid keelutsoon kitsas, juhtivustsoon tühi, valentstsoon täidetud,mõningad elektronid suudavad minna juhtivustsooni. Juhib teatud tingimustel el.voolu. c)isolaator-dielektrik juhtivustsoon on vaba, valentstsoon täidetud, elektronid ei saa liikuda juhtivustsooni.Ei juhi el.voolu. 16. L.de Broglie hüpotees: elektronid käituvad liikumisel kui lained. Hüpotees osutus õigeks. Elektronid
(punastel metallidel 273 K ). Takistuse temperatuuriteguri leidmiseks on otstarbekas mõõta takistus kahel erineval temperatuuril R 1 = R o (1 + t 1 ) , R 2 = R o (1 + t 2 ) . Viimase avaldise läbijagamisel ja teisendamisel saame R1 - R 2 = R 1t 2 - R 2 t1 [2] Vaatame pooljuhi elektrijuhtivust. Kui pooljuhis elektron saab energia W, siis läheb ta juhtivustsooni. Valentstsoonis tekib vakantne koht nn. auk, mille võib peaaegu energiakaota täita mõne teine valentstsooni elektron. Elektroni üleminek juhtivustsooni tähendab sisuliselt ühe valentssideme purustamist. Kuna auk kujutab endast elektroni jaoks madalama potensiaaliga kohta, siis augu täidab uus elektron jne. See tähendab aga augu liikumist kristallvõres. Augu liikumine on ekvivalentne positiivse laengu liikumisega tahkes kehas. Kui pole suunatud elektrivälja, siis võtab auk nagu elektrongi osa
mudel. Selle teooria aluseks on järgmised postulaadid: 1) Elektron aatomis võib olla ainult erilistes püsivates ehk kvantolekutes, millest igaühele vastab kindel energia E(n). Püsivas olekus aatom ei kiirga. 2) Üleminekul ühest püsivast olekust teise aatom kiirgab või neelab elektromagnetkiirguse kvandi ehk footoni. Kiiratud või neelatud footoni energia võrdub püsivatele olekutele vastavate energiate vahega hf=E(m)-E(n) Tahkiste struktuur Metall Metallides ei jätku viimases valentstsoonis elektrone, et seda täielikult täita. Valentstsoon on poolikult täidetud ja pinge rakendumisel metallile on elektronidel küllalt vabu energiatasemeid kuhu minna. Pinge rakendamine tähendab seda, et elektronidele ,,pakutakse" lisaenergiat. Energiat saavad nad vastu võtta siis, kui nad saavad siirduda kõrgematele energiatasemetele. Selle tulemusena tekib metallis elektrivool. Metall juhib elektrit seetõttu, et elektronid saavad kergesti liikuda kõrgematele energiatasemetele. Metallis
273 K Takistuse temperatuuriteguri leidmiseks on otstarbekas mõõta takistus kahel erineval temperatuuril R 1 = R o (1 + t 1 ) , R 2 = R o (1 + t 2 ) . Viimase avaldise läbijagamisel ja teisendamisel saame R1 - R 2 = [2] R 1t 2 - R 2 t1 Vaatame pooljuhi elektrijuhtivust. Kui pooljuhis elektron saab energia W, siis läheb ta juhtivustsooni. Valentstsoonis tekib vakantne koht nn. auk, mille võib peaaegu energiakaota täita mõne teine valentstsooni elektron. Elektroni üleminek juhtivustsooni tähendab sisuliselt ühe valentssideme purustamist. Kuna auk kujutab endast elektroni jaoks madalama potensiaaliga kohta, siis augu täidab uus elektron jne. See tähendab aga augu liikumist kristallvõres. Augu liikumine on ekvivalentne positiivse laengu liikumisega tahkes kehas
keelutsooni, mis tõttu el. paigutuvad juhtivustsooni, suurendades sellega elektronide arvu. b) Aktseptorlisandid- on lisandid, mis suurenevad pooljuhis aukude arvu, nt. Ge-le lisame Indiumi joonis. Moodustub Ge-ni ümber 3 täiskovalentset sidet, üks side jääb poolikuks, sest seal tiirleb ümber Indiumi ja Ge aatomituumade ainult 1 elektron ,teise kohal on auk. Energeetiliselt on indium germaaniumi valetstsooni kohal ning tõmbab ära valentstsoonist elektronid, suurendades aukude arvu valentstsoonis. c) Diood- see on üks näide, kus kasutatakse pooljuhte. Pooljuhte kasut. Päikesepatareides, elektriseadmetes vahelduvvoolu muutmisel alalisvooluks, selleks kasut. Pooljuht dioodi ja transistorites, mille abil võimendatakse voolu. Pooljuht dioodi ehitus ja töö 1.joonis. Tihedasse kontakti viiakse erineva juhtivusega pooljuhid, p-tüüpi pooljuhis on palju auke, n- tüüpi pooljuhis palju elektrone. Nende pooljuhtide vahele tekib kontakt a,a` mille el. juhtivus
(kaugematel) elektronidel on see veidi suurem. Kristallis on alumistes tsoonides asuvate elektronide liikumine samuti piiratud, juhtivustsoonis asuvatel elektronidel aga potentsiaali barjäär puudub ja nad saavad liikuda kogu kristalli ulatuses. Nivoode energiate vahe juhtivustsoonis on väga väike (10 -17 eV), mistõttu elektriväljas ergastatakse nad kõrgematele vabadele nivoodele, kus nad saavadki liikuda. Seetõttu nimetatakse juhtivustsooni elektrone vabadeks elektronideks. Valentstsoonis olevad augud saavad samuti liikuda kogu kristallis ja neid nimetatakse seetõttu vabadeks aukudeks. Pooljuhi optiliste omaduste seisukohast on oluline vabade elektronide ja vabade aukude energia sõltuvus nende impulsist p (p = mv) (vt joonis 2.3). Minimaalse energia läheduses (juhtivustsooni põhjas) kattub sõltuvus E=f(p) parabooliga. Elektrone on juhtivustsoonis tavaliselt vähe ja nad asuvadki kõvera min lähedal.
Üldjuhul arvatakse, et kiiratud valguse hulk sõltub lineaarselt kiiritusdoosist. Protsessi aluseks on järgmine mehhanism. Kiirguse vastasmõju kristalliga põhjustab selle elektronide siirdumist kõrgema energia seisunditesse, juhtivustsooni, kus peale energeetilist relaksatsiooni nad võivad lõksustuda enamasti spetsiaalselt sisse viidud lisandiioonidel. Alumistes elektronidega täidetud seisundites, ehk valentstsoonis, jääb sellega ühest elektronist puudu ja tekib kvasiosake, mida nimetatakse auguks. Auk võib lõksustuda lisandioonidel nagu elektrongi. Kristalli kuumutamine (TSL puhul) või nähtava valgusega valgustamine (OSL puhul) vabastab laengukandjad, põhjustades nende rekombineerumist ja sellega rekombinatsiooniluminestsentsi tekkimist. Rekombinatsiooniluminestsentsi hulk ongi kiiritusdoosi mõõduks. Kiirgunud footonite registreerimiseks kasutatakse fotokordistit
6.Koordinatsiooniarv HTP struktuuris?12. 7.Mis on kristallvõre defekt? Igasugune kõrvalkalle ideaalsest võre korraparast. 8.Millised on difusiooni kiirust mõjutavad faktorid? Difundeeruva osakese suurus, dif. mehhanismist, temp, aine kristallmodifikatsioon 9.Joonistage võimalikud metallide tsoonistruktuurid? 1)valentstsoon on vaid osaliselt täidetud elektronidega2)täis valentstsoon ja normaalolekus tühi juhtivustsoon kattuvad osaliselt.3)Ja 4) On sarnased: Kõik olekud valentstsoonis on täidetud, puudub kattumine juhtivustsooniga, valents ja juhtivsoon on eraldatud keelatud tsooniga. Erinevus 3) ja 4) vahel seisneb keelutsooni laiuses. 10.Kuidas on määratud valgusosakese e footoni energia? kus h -- blancki konstant, -valguse lainepikkus, -valguse sagedus. 11. Kui suur on süsteemi vabadusastmete arv kahefaasilises alas? Kui suur on süsteemi vabadusastmete arv kahefaasilises alas?v= 112.Analüüsi piiramatu
7.20). Joonis 7.20a juhul on valentstsoon vaid osaliselt täidetud elektronidega. Energiat, mis vastab kõrgemale täidetud olekule temperatuuril O K nimetatakse Fermi nivooks E f . Antud tsooniskeem on tüüpiline metallidele, mis omavad ühe s valentselektroni (Cu). Iga vase aatom omab ühe 4 s elektroni. Kui tahke aine sisaldab N aatomit, siis 4s tsoon on võimeline mahutama 2N elektroni. Seega vaid pooled lubatud elektroninivoodest on 4s valentstsoonis täidetud. Teine tsooniskeem (joon. 7.20b) on samuti omane metallidele. Antud tsooniskeemis täis valentstsoon ja normaalolekus tühi juhtivustsoon osaliselt kattuvad. Selline tsooniskeem omab Mg. Igas isoleeritud Mg aatomis on kaks 3s valentselektroni. Kui toimub materjali (kristallvõre) moodustumine, siis 3s ja 3p tsoonid osaliselt kattuvad. Kaks viimast tsooniskeemi on sarnased: kõik olekud valentstsoonis on täidetud ja puudub kattumine valents- ja juhtivustsooni vahel
Koosmõju tulemusena N aatomi elektronnivood jagunevad N üksteise ligidal paiknevaks elektronnivooks, mis moodustavad kogumiku (energiatsooni) 7. Materjalide neli võimalikku tsoonistruktuuri? 8. Millised on metallide tsoonistruktuurid? 1) täis valentstsoon ja normaalolekus tühi juhtivustsoon osaliselt kattuvad, 2) valentstsoon vaid osaliselt täidetud elektronidega 9. Milline tsoonistruktuur vastab pooljuhtidele ja isolaatoritele? olekud valentstsoonis on täidetud ja puudub kattumine valents- ja juhtivustsooni vahel. Valents ja juhtivustsoon on eraldatud teineteisest nn. keelatud tsooniga. . 10. Miks metallid on väga head elektrijuhid? Üldiselt on elektrivälja poolt antav energia küllaldane, et suurt hulka elektrone metallides ergastada neile vabadele olekutele ja seetõttu on metallid hea elektrijuhtivusega 11. Miks pooljuhtide ja isolaatorite elektrijuhtivus on madal
H2O2 + hn= OH* + OH* Üldiselt toimub ka sellisel juhul mitu paralleelset protsessi. On eelistatav viia protsess läbi happeliste pH väärtuste juures (2,5-3,5) ning see ei sobi tavaliselt raskelt saastatud ning värvunud reovete puhul (neid on vaja enne töötlemist lahjendada). Fotokatalüüs Fotokatalüüsis kasutatakse TiO2/UV süsteemi oksüdatsioonivõimet. TiO2 kiiritamisel vesilahuses lainepikkustel <400 nm tekivad juhtivustsoonis üleliigsed elektronid ning valentstsoonis positiivselt laetud ,,augud". Need augud oksüdeerivad vett ning tekivad OH radikaalid ning prooton: hv = e- + h+ ; h+ +H2O = HO*+H+ OH radikaalid oksüdeerivad omakorda vees lahustunud orgaanikat, süsteem ei ole tundlik pH-le. Võimaldab lagundada ning mineraliseerida erinevaid orgaanilisi ühendeid. Osooni ja UV-kiirguse kombinatsioon (O3/UV ) Osoon neelab hästi UV-kiirgust 254 nm juures ning selle protsessi tagajärjel tekib vaheproduktina
Kristallis 0 elektronide energianivood nihkuvad, nihe on umbes 10-20 eV (Pauli printsiip!) Tekivad energiatsoonid. Valentsnivoodel on naaberaatomite elektronide vastastikune mõju suurem ja nivoodest tekivad laiemad tsoonid Tsoonide teke - Valentsnivoode nihkumisega tekib valentstsoon. Liituvad ka valentselektronide nivoodest kõrgemal asuvad elektronidega täitmata energianivood. Neist moodustub vabatsoon. Kui valentstsoonis osa võimalikke olekuid on elektronidega täitmata, tekib nende vaba liikumise võimalus kristalli piires. Selliste omadustega on kõik metallid. Vaba liikumine kristalli piires võimaldab selles elektronide suunatud liikumist, st elektrivoolu. Selleks, et elektron saaks kristalli piires vabalt liikuda, tuleb talle anda energiakvant, mis siirdaks ta vabatsooni! Valentstsooni ja vabatsooni vahel peab seega olema energialünk – keelutsoon
7.Kristallvõre defektide klassifikatsiooni alused? a)punktdefektid b)lineaarsed defektid c)sekundaarsed defektid d)kolmemõõtmelised defektid(poorid, võrefaasid) 8.Mis on difusioon? Difusioon on materjali ülekanne, mis põhineb aatomite liikumisel materjalis. 9.Milline tsoonistruktuur vastab pooljuhtidele ja isolaatoritele? Pooljuhtidele ja isolaatoritele on omane 3 ja 4 tsoonistruktuur. 3 ja 4 on sarnased: Kõik olekud valentstsoonis on täidetud, puudub kattumine juhtivustsooniga, valents ja juhtivsoon on realdatud keelatud tsooniga. Erinevus: 3 ja 4 vahel seisneb keelutsooni laiuses. 10.Mis on materjali valguse murdumisnäitaja? Materjali murdumisnäitaja n on valguse suhteline levimiskiirus mingis keskkonnas. Avaldub kujul n=c/v, c-valguse kiirus vaakumis, v-valguse kiirus antud keskkonnas. 11.Kui suur on süsteemi vabadusastmete arv kolmefaasilises alas? 12.Analüüsige piiratud lahustuvusega süsteemi faasidiagrammi.
Metalli korral on pooltäidetud nii juhtivus kui ka valentstsoon, on piisavalt nii elektrone kui ka vabu alamtasemeid, mille arvel energia saab kasvada. See tagab juhtivuse. Dielektriku korral on juhtivustsoon tühi ja energiaruumi piisavalt kuid seal puuduvad elektronid, mis saaksid liikuma hakata. Valentstsoonis on elektrone, kuid puuduvad vabad alamtasemed, et elektronid saaksid liikuda. Pooljuhi keelutsoon on suhteliselt kitsas. Osad valentselektronid saavad soojusliikumise energia arvelt ületada keelutsooni ja siirduda juhtivustsooni. Seal on ka vabu tasemeid, mille abil saab tekitada väli laengute liikumist. Soojusliikumine pole piisav tekitamaks elektronide massilist keelutsooni ületamist. Seepärast on pooljuhtide elektrijuhtivus oluliselt väiksem juhtide omast. Kuna osa elektrone
lubatud energiatega tsoon on juhtivustsoon. Nende vahel asub keelatud energiate tsoon keelutsoon. Energiatsoonide ehituseks on neli võimalust (joonisel 11-3 on esitatud tsoonid 0 K juures): 1) Valentstsoon on osaliselt tühi (joon 11-3a). Kõrgeimat nivood, mis 0 K juures on elektronidega täidetud, nimetatakse Fermi nivooks. Temale vastab energia . Selline tsoonide ehitus on omane metallidele, mille väliskihis on üks s elektron (näiteks Cu, millel on väliskihis elektron). Valentstsoonis võib olla 2N elektroni, on aga ainult N elektroni. Sellise tsoonidiagrammiga ained on elektrijuhid. 2) Valentstsoon on täis, kuid kattub osaliselt juhtivustsooniga (11-3b). Näiteks Mg, tal on väliskihis elektroni, seega valentstsoonis 2N elektroni ja valentstsoon on täis. Kuid see 3s elektronide tsoon kattub osaliselt 3p elektronide tsooniga. Ka sellise tsoonidiagrammiga ained on juhid. 3) Valentstsoon on täis ja ei kattu juhtivustsooniga, keelutsoon on lai (11-3c)
valgust läbib materjali. 27. Materjali värvus. Polümeeride ja komposiitide optilised omadused. Valguse neeldumistegur läbipaistvas materjalis sõltub valguse lainepikkusest. Kui materjal neelab kõiki lainepikkusi ühtlaselt, siis on ta värvitu (ülipuhas klaas, safiir). Dielektrikutes tekib neeldumine ja sellele järgnev kiirgamine juhul, kui on lisandeid, mis tekitavad nivoosid keelutsoonis. Rubiini värvuse määrab valguse poolt ergastatud elektronide tagasilangemisel valentstsoonis eralduv kiirus. Värvilise klaasi saamikseks lisame erinevaid ioone. Materjali värvus langeva valguse poolses küljes on määratud peegeldumisteguri sõltuvusega lainepikkusest samadel lainepikkustel. Seega Peegeldunud valguses on sama värvus, küljelt määrab värvuse hajunud valgus. Polümeeride ja kompsiitide optilised omadused--neil on tavaliselt kristalsed osad suurema murdumisnäitajaga ja amorfne keskkond väiksema murdumisnäitajaga. Suur osa valguses
Ioonilised hüdriidid on kõrge sulamistemp tahked kritallilised ained ehk soolad. Esimese rühma s-elementide hüdriidid on nagu enamik nende elementide halogeniide NaCl struktuuriga. Keemilises mõttes käituvad ioonilised hüdriidid aluseliste ühenditena. KH+HOH=KOH +H2 Metallilised hüdriidid on elektrijuhid, metalse läikega ja evivad ka teisi metallilistele ainetele iseloomulikke omadusi. Vastavad metallilised ühendid tekivad siis, kui valentstsoonis saavutatakse teatav elektronide konts. Ti2H, TiH, TiH2. Metallilised hüdriidid moodustuvad mõnede delementide kuumutamisel vesinikus. Nad on mustad, pulbrilised ja elektrit juhtivad. Kuumutamisel või happe toimel hüdriid laguneb ja eraldub vesinik. Metallilisi hüdriide uuritakse vesiniku transpordi ja säilitamise eesmärgil. Mittemetallid moodustavad molekulaarseid hüdriide, mis koosnevad diskreetsetest molekulidest. Nad on sageli lenduvad. Nad on sageli Brønstedi happed.
annaabi.ee 
