SRCD- kombineeritud pistikupesa ja rikkevoolukaitse SRCBO- kombineeritud lühis-, ülekoormusvabastiga rikkevoolukaitse pistikupesas Rikkevoolukaitsme tööpõhimõte Rikkevoolu poolt tekkitatud kahjude eest kaitseb inimest ja muid loomi suure tõenäsusega vooluahelasse paigutatud rikkevoolukaitse, mille rakendumisvool on tavaliselt 10 või 30 mA ja rakendumisaeg ei ületa 20...30 ms. Rikkevoolukaitselüliti põhivabastiks on kaitselülitisse ehitatud rikkevoolurelee. Lekkevoolu suurust rikkevoolukaitsmes mõõdab kaitselülitisse sisse ehitatud mõõtetrafo, mis koosneb toroid-magnetahelast, millele on mähitud (või mida läbivad) faasijuhtmed ja neutraaljuhe ning sekundaar- ehk mõõtemähisest. Normaaltalitlusel on mõõtetrafot läbivad voolud on võrdsed, üksteist tasakaalustavad tekitatud magnetvood. Magnetvoog trafo südamikus võrdub nulliga ja mõõtemähises voolu ei teki, mis paneks kaitse rakenduma. Kui
(Välja- ja rootori pöörlemissageduste vahe suhe pöörlemissagedusse) n1 staatori sünkroonikiirus n2 rootori päärlemissagedus 68. 9.3.6 Kuidas mõõdetakse mootori kasulikku momenti? 69. 10.3.1. Millised on RVKL põhiosad? Vabasti relee, mõõtemähis, mõõtetrahvo rõngassüdamik 70. 10.3.2. Mis on lekke- ja rikkevool? Lekkevool on vool, mis lekib isolatsiooni kaudu, kuna ükski isolatsioon pole ideaalne. Lekkevoolu, mis on läinud millegi/kellegi jaoks ohtlikuks näiteks rikkis isolatsiooni tõttu, nimetatakse rikkevooluks. 71. 10.3.3. Millist voolu loetakse inimesele ohutuks? 10 - 20 mA 72. 10.3.4. Millest sõltub voolu ohtlikkus peale selle suuruse? Sagedusest 73. 10.3.5. Millist rikkevoolu tugevust loetakse tuleohtlikuks? 300 mA 74. 10.3.6. Kas PE juht tohib RVKL läbida? Ei
Eristatakste mõisteid takistus, mis on omadus ja takisti, mis on selle omadusega ese. Juhtmed on väikese takistusega juhid. Takistust juhtmete üleminekukohtades, näitkes pistikus, nim üleminekutakistuseks. Väikese takistusega takistite ühendamisel tuleb arvestada ka ühenduskoha üleminekutakistust. Selle suurusjärk pistikuühenduses on millioom. Juhid on ohutuse tagamiseks tavaliselt kaetud isolatsiooniga. Kui teki vajadus arvestada isolatsiooni läbivat lekkevoolu, on vaja teada juhtmetevahelist isolatsioonitakistust. Takistite valikul tuleb silmas pidada vajalikku võimsust või voolutugevust, mis selles takistis on vajalik. Takistuse sõltuvust tempist Peale materjali ja suuruse sõltub takisti ja juhtme takistus veel temperatuurist. Temperatuuri tõus põhjustab metalljuhtide takistuse suurenemist ja temperatuuri langus vähenemist. Seda muutust iseloomustab temperatuuritegur
seda suurem, mida kõrgem pinge. Kuigi õhu takistus maapinna lähedal on vaskjuhtme takistusest üle kümme astmes kakskümmend kolm korra suurem, on juhtme tohutu ristlõike (maakera pindala) tõttu atmosfääri takistus alla 390 oomi. Kui pinge ionosfääri ja maapinna vahel kasvab 250-300 kilovoldini, mis on välgu otste vahelise pingega võrreldes väga väike pinge, siis kasvab lekkevool generaatorite vooluga võrdseks ja pinge jääb püsima lonosfääri-maapinna lekkevoolu võimses on ligikaudu 300 megavatti, mis kõigest kümnendik protsenti kõigi välkude elektrilisest võimsusest ja võrreldav üsna väikeste elektrijaama võimsusega. Lonosfääri ja maapinna vaheline pinge muutub ajas ja ruumis samuti nagu globaalne äikesetegevus.Äike vajab soojusenergiat ning seetõttu on kõige sagedasemad ja võimsamad äikesed troopikas. Äikesetegevus kulmineerub päeval ja vaibub öösel. Ionosfääri pinge
stack) Aperioodiline planeerimine Let {Ti } be a set of tasks. Let: Sellele leiab vastuse planeeritavuse analüüsiga Võimsustarve CMOS tehnoloogia seadmetes miljonites dollarites)tereziime, kui ka madala ci be the execution time of Ti , Prioriteetidel põhinev katkestav planeerimine Pikka aega on lekkevoolu võimsust peetud tühiseks koormuse perioode di be the deadline interval, that is, (schedulability analysis) võrreldes dünaamilise võimsusega the time between Ti becoming available Tänapäeval on need kaks saanud võrreldavateks
liigpingekategooriasse kuuluvate seadmete kaitseks peenkaitseks. Liigpingekaitsetsoonid Liigpingepiirikutele esitatavad nõuded ·piirikud peavad riknematult vastu pidama keskkonna toimele; ·piirikud peavad olema varustatud korrasoleku ja rakendumisvalmiduse signaalseadisega; ·piirikud peavad olema varustatud riknemisel rakenduva signaalseadisega; ·piirikud peavad olema otsepuute- ja tuleohutud; ·piirikud peavad põhjustama vaid väikese lekkevoolu. Releed Releede liigitus Releed liigitatakse sisendsignaali järgi: Voolureleed Pingereleed Võimsusreleed Termoreleed Optilised releed jne Releede ehitus Releedel on tavaliselt kolm funktsionaalset sõlme: Vastuvõtu- e. kontrollelement Vahe- e. võrdluselement Täiturelement Lisaelement - viiteelement Vastuvõtuelemendi järgi liigitatakse releed: Primaarreleed vastuvõtuelement lülitatakse vahetult kontrollitavasse ahelasse. Sekundaarreleed
ning Read/Write väljundid. Kuna staatilises mälus säilib salvestatud informatsioon ka pärast mälust lugemist, püsides seal toitepinge olemasolu korral kui tahes kaua, siis nimetatakse niisugust mälu staatiliseks. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. dünaamilised Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFETtransistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida).Koosneb mälumaatriksist, milles küljes rea aadressi ning veeru aadressi puhvrid. RowAddressSelect ning ColumnAddressSelect sisendid, R/W sisend. Andmed tuleb mingi aja jooksul refreshida, vastasel juhul imbub laeng transistoritest välja ja andmed hävivad. Liigid: FastPageMode DRAM mälus järjestikku
Nendega tekkivad nö ,,mullid" lahendab andmete otsene edastus. 3. SUVAPÖÖRDUSMÄLUD Ehk muutmälud on toitepingest sõltuvad. Iga sõna poole pöördumine nõuab ühepalju aega asukohast sõltumata. Staatilised iga infobiti salvestamiseks kasutatakse ühe trigerit, mis säilitab infot kuni säilib toitepinge. Salvestatud info säilib ka pärast mälust lugemist toitepinge olemasolu korral kui tahes kaua. Dünaamilised info säilib MOSFET-transistorite lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Info säilitamiseks tuleb laengut perioodiliselt (nt iga 2 ms järel) uuendada. Lihtsama ehitusega. Ühe biti salvestamiseks vaja umbes kaks korda vähem elemente. Aeglasem, kuid tarvitab vähem energiat. 1. LOENDURID Impulsside loendamiseks ette nähtud loogikaskeem. Kasutatakse automaatikaseadmetes ja arvutustehnikas. Sisenditesse püütakse impulsid, väljundiks 0 1 kombinatsioonid. Erinevate väljund kombinatsioonide arvu nim. mooduliks
Juhtmed on väikese takistusega juhid. Takistust juhtmete üleminekukohtades, näiteks pistikus, nimetatakse ülemineku- takistuseks. Mehhatroonikaseadmetes kasutatavad takistid on enamasti suure takistusega (10 ...10 M). Väikese takistusega takistite ühendamisel tuleb arvestada ka ühenduskoha üleminekutakistust. Selle suurusjärk pistikühenduses on millioom (m). Juhid on ohutuse tagamiseks tavaliselt kaetud isolatsiooniga. Kui tekib vajadus arvestada isolatsiooni läbivat lekkevoolu, on vaja teada juhtmetevahelist isolatsioonitakistust. Isolatsiooni- takistuse suurusjärk kaablis on näiteks 10 gigaoomi (10 G = 1010 = 10 000 000 000 ). 9 Üleminekutakistus Takistid mehhatroonikas Isolatsioonitakistus 10 -6 -3 0 3 6 9 12 15
Juhtmed on väikese takistusega juhid. Takistust juhtmete üleminekukohtades, näiteks pistikus, nimetatakse ülemineku- takistuseks. Mehhatroonikaseadmetes kasutatavad takistid on enamasti suure takistusega (10 ...10 M). Väikese takistusega takistite ühendamisel tuleb arvestada ka ühenduskoha üleminekutakistust. Selle suurusjärk pistikühenduses on millioom (m). Juhid on ohutuse tagamiseks tavaliselt kaetud isolatsiooniga. Kui tekib vajadus arvestada isolatsiooni läbivat lekkevoolu, on vaja teada juhtmetevahelist isolatsioonitakistust. Isolatsiooni- takistuse suurusjärk kaablis on näiteks 10 gigaoomi (10 G = 1010 = 10 000 000 000 ). 9 Üleminekutakistus Takistid mehhatroonikas Isolatsioonitakistus 10 -6 -3 0 3 6 9 12 15
Juhtmed on väikese takistusega juhid. Takistust juhtmete üleminekukohtades, näiteks pistikus, nimetatakse ülemineku- takistuseks. Mehhatroonikaseadmetes kasutatavad takistid on enamasti suure takistusega (10 ...10 M). Väikese takistusega takistite ühendamisel tuleb arvestada ka ühenduskoha üleminekutakistust. Selle suurusjärk pistikühenduses on millioom (m). Juhid on ohutuse tagamiseks tavaliselt kaetud isolatsiooniga. Kui tekib vajadus arvestada isolatsiooni läbivat lekkevoolu, on vaja teada juhtmetevahelist isolatsioonitakistust. Isolatsiooni- takistuse suurusjärk kaablis on näiteks 10 gigaoomi (10 G = 1010 = 10 000 000 000 ). 9 Üleminekutakistus Takistid mehhatroonikas Isolatsioonitakistus 10 -6 -3 0 3 6 9 12 15
pinda soojendama. · Seoses isolaatori pinna kujuga ja saaste ebaühtlusega on soojenemine ebaühtlane. · Tulemuseks aurub niiskus isolaatori pinnalt ebaühtlaselt ja mõnedes kohtades ületab aurustumiskiirus vee juurdetuleku kiiruse ning need (mõne millimeetrise laiusega) alad kuivavad. · Kuivanud ala takistus suureneb oluliselt ja kogu pinge rakendub sellele kitsale kuivanud alale. · Tulemuseks on kuivanud pinnaosa ülelöök · Ülelöögiga seotud lekkevoolu suurus sõltub ülejäänud (märja) osa takistusest ja lahenduse edasiseks arenemiseks on võimalikud kaks varianti: 1. Kui märgunud isolaatori pinna takistus on suur, siis on lekkevool väike ja lahendus sumbub kiiresti. o Seejärel (vihma jätkumisel) märgub ülelöögikoht uuesti ja kogu protsess kordub. o Sellise väikese ülelöögi tulemusel jääb isolaatori ülelöögitugevus paktiliselt samaks, kuid
Mahtuvuslikud puuteekraanid Mahtuvusliku ekraani puutetundlikuks osaks on elektrit juhtiva läbipaistva kihiga kaetud kilest plaat, mille neljas nurgas on elektroodid. Nendele antakse ühesugune vahelduvpinge, mis tekitab ühtlase elektrivälja üle ekraani. Ekraani puudutamisel sõrme või mingi elektrit juhtiva esemega elektrivälja jaotus plaadil muutub, sest puutekoha kaudu siseneb inimese kehasse mahtuvusliku sidestuse läbi lekkevooluna teatud elektrilaeng. Selle tulemusena muutuvad ka lekkevoolu komponendid, mis sisenevad plaadi nurkade kaudu: mida suurem on puutepunkti kaugus mingist nurgast, seda suurem on nurga ja puutepunkti vaheline takistus ning vastavalt ka vool nõrgem. Nende vooluväärtuste järgi arvutab kontroller puutepunkti koordinaadid. Mahtuvuslikud puuteekraanid on usaldusväärsed, vastupidavusega kuni 200 miljonit puudutust (~6,5 aastat ühesekundilise intervalliga), ei karda vedelikke. Läbipaistvus on kuni 90%
CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga
CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel. Mäluna toimib transistori VT2 paisuahela mahtuvus C1. Info kirjutatakse mällu ja
kaua, siis nimetatakse niisugust mälu staatiliseks. *Mälu juhtimimiseks kasutatavad reziimid: R/W = 1, (read/write) määrab ära lugemisreziimi; R/W = 0, määrab ära kirjutusreziimi; CS = 1, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda või sellesse kirjutada; CS = 0, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri signaalile R/W; *Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistoride lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), ta on aeglasem, ent tarvitab tööks vähem energiat. 12. Adresseerimise viisid[2] 1. Vahetu adresseerimine operand ise sisaldabki operandi otsest väärtust(nt. hex-number),
CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga REG ja koos sellega toimub
CS = 0, (chip select) lubab mälukiibist bitte lugeda (D0) või sellesse kirjutada (D1); CS = 1, mäluelement on süsteemi tööst välja lülitatud ning ei reageeri aadressi A9...A0 koodile ega signaalile R/W. Andmesõna pikkuseks on tavaliselt 8, 16, 32 jne bitti. Vastavalt andmesõna pikkusele valitakse ka mäluelementide ühendamisviis. Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilisi muutmälusid regenereeritakse harilikult regenereerimissignaaliga REG ja koos sellega toimub mälu kõigi ridade
Mahtuvuslikud puuteekraanid Mahtuvusliku ekraani puutetundlikuks osaks on elektrit juhtiva läbipaistva kihiga kaetud kilest plaat, mille neljas nurgas on elektroodid. Nendele antakse ühesugune vahelduvpinge, mis tekitab ühtlase elektrivälja üle ekraani. Ekraani puudutamisel sõrme või mingi elektrit juhtiva esemega elektrivälja jaotus plaadil muutub, sest puutekoha kaudu siseneb inimese kehasse mahtuvusliku sidestuse läbi lekkevooluna teatud elektrilaeng. Selle tulemusena muutuvad ka lekkevoolu komponendid, mis sisenevad plaadi nurkade kaudu: mida suurem on puutepunkti kaugus mingist nurgast, seda suurem on nurga ja puutepunkti vaheline takistus ning vastavalt ka vool nõrgem. Nende vooluväärtuste järgi arvutab kontroller puutepunkti koordinaadid. Mahtuvuslikud puuteekraanid on usaldusväärsed, vastupidavusega kuni 200 miljonit puudutust (~6,5 aastat ühesekundilise intervalliga), ei karda vedelikke. Läbipaistvus on kuni 90%
ning kaitsevad seadet lühiste eest. Selle poolest on toitevõrgupoolsed liinireaktorid eriti efektiivsed. Ajami installeerimisel on drosselite kasutamiseks palju erinevaid vajadusi. Toitepoole drossel asendab mitmeid voolu piiravaid mahtuvuslikke komponente, vähendab häireid toiteliinides, kaitseb kommutatsiooni liigpingete eest ja parandab süsteemi võimsustegurit laias võimsuste ja kiiruste vahemikus. Kui drossel asub vaheldi ja mootori vahel, vähendab see nii rikke-kui lekkevoolu. Alalisvooluahelates vähendab drossel kõrgemate harmooniliste poolt tekitatud pinge moonutusi ja vähendab pulsatsiooni. Trafo. Jõuelektroonika seadistes on hädavajalik, et trafo koosneks kahest või enamast tihedalt sidestatud mähisest, kus kogu magnetvoog tekitatakse ühe mähise või selle sektsiooni poolt. Joonisel 2.2, a on näidatud eraldustrafoga alaldusahel. Trafo madaldab toitepinge efektiivväärtuse U1 väärtusele U2, mis mõnikord on alaldites sobivam kasutada
Juhtmed on väikese takistusega juhid. Takistust juhtmete üleminekukohtades, näiteks pistikus, nimetatakse ülemineku- takistuseks. Mehhatroonikaseadmetes kasutatavad takistid on enamasti suure takistusega (10 ...10 M). Väikese takistusega takistite ühendamisel tuleb arvestada ka ühenduskoha üleminekutakistust. Selle suurusjärk pistikühenduses on millioom (m). Juhid on ohutuse tagamiseks tavaliselt kaetud isolatsiooniga. Kui tekib vajadus arvestada isolatsiooni läbivat lekkevoolu, on vaja teada juhtmetevahelist isolatsioonitakistust. Isolatsiooni- takistuse suurusjärk kaablis on näiteks 10 gigaoomi (10 G = 1010 = 10 000 000 000 ). 9 Üleminekutakistus Takistid mehhatroonikas Isolatsioonitakistus 10 -6 -3 0 3 6 9 12 15
vastavad lräirepingete ļubatud piin'ääfi used .Īoonis 7.3. Standardile E'N 55c1ļ 1A tn Toiteaļrela filtrid sisaldavad kondensaatoreid, nris põhjustavad ahelas lekkevoolu, rnille Suurus võib küündida kuni 200 mA' Mahtuvuslik lekkevool tekib ka sagedusmuundttri kootrnuspoolel (pearrriselt tnuundurit .ia nrootorit įiļrendavas kaablis). Seepärast pole sagedusnruunduri kasutamisel võimalik įrritneste kaitseks rakerrdada tüüpseid rikkevoolukaitselüliteid. Ininreste kaitseks sobiv pingeturdlik kaitse ülrendatakse sel jtilrui mttun drtri rnaaülrerid us kl emnli j a rrraatrduse l e ktroodi vahele. VäIjundfiltrid
R/W väljundi CS juhtimine 0 15 Veerudekooder A6 A7 A8 A9 Joonis 1.25. Staatiline muutmälu: a) struktuuriskeem, b) kiibi tähis 52 Dünaamilises muutmälus säilib info MOSFET-transistori paisu mahtuvuse elektrilaenguna. Tavaliselt säilib see laeng lekkevoolu tõttu väga lühikest aega. Seepärast tuleb info säilitamiseks laengut perioodiliselt näiteks iga 2 ms järel uuendada (regenereerida). Dünaamiline muutmälu on staatilise mäluga võrreldes lihtsama ehitusega (ühe biti salvestamiseks läheb vaja umbes kaks korda vähem elemente), suurema toimekiirusega ning tarvitab tööks vähem energiat. Dünaamilise muutmälu elemendi skeem on joonisel 1.26. Siin Y
annaabi.ee 
