50 punkti
Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 50 punkti.
~ 4 lehte
Lehekülgede arv dokumendis
2010-03-13
Kuupäev, millal dokument üles laeti
16 laadimist
Kokku alla laetud
2 arvamust
Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
Kert Karsson
Õppematerjali autor
Tallinna Tehnikaülikool Raadio- ja sidetehnika instituut Aines IRO0020 Raadiosageduslik skeemitehnika Laboratoorse töö nr. 1 Transistorvõimendi modelleerimine arvutil Aruanne Koostajad: 2012 Töö eesmärk: Tutvumine praktikas kasutatava transistorvõimendusastme skeemi, selle tööreziimi arvutamise ning numbrilise modelleerimisega (SPICE). Tagasiside kasutamine ja selle mõju skeemi tööle. Kasutatavad seadmed: 1. SPICE SPICE Vabatarkvaraga LTspice IV v.4.03z varustatud personaalarvuti
....................... Aruanne tagastatud: ............................................ Aruanne kaitstud: .............................................. ...................................... Töö eesmärk: Tutvumine bipolaartransistoriga. Bipolaartransistori lihtsustatud mudel, transistor võimendina. Skeemi tööreziim, selle arvutamine. Skeemi montaaz makettplaadil, parameetrid ja nende mõõtmine. Töö käik: 1. Koostasime transistorvõimendi (vt joonis 1) skeemi. Joonis 1. Alalisvooluvastusidega transistorvõomendusaste 2. Võimendi toitepingeks E valisime 9 V. 3. Transistori kollektorpinge UK0 valisime 6 V. 4. Transistori kollektorvool IK0 valisime 0,5mA 5. Emitteri pinge maa suhtes UE0 valisime 1,5V 6. Võimendi töösageduseks valida f valisime 70kHz 7. Koormustakistuseks Rk valisime 15 k 8. kasutatava transistori BC547B parameetrid Tabel 1. kasutatava transistori BC547B parameetrid
TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL Raadio- ja sidetehnika instituut Laboratoorse töö ,,Kaheastmelise transistorvõimendi modelleerimine arvutil" ARUANNE Täitjad: Reigo Tamm, Haigo Hein Juhendaja: Ivo Müürsepp Töö tehtud: 09.09.2010 Aruanne esitatud ............................................... (kuupäev) Aruanne tagastatud ............................................ (kuupäev) Aruanne kaitstud .............................................. (kuupäev) ...................
- Võimendusaste üksiktransistoriga (bipolaartransistor ühise emitteriga ja väljatransistor ühise lättega lülituses). - Tööpunkt (ehk reziim) ja staatiline ning dünaamiline koormussirge. - Astmete aseskeemid. - Pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Järgurid, nende pingevõimendustegur ja sisendtakistus. - Ühise baasiga aste. - Astmetevaheline sidestus mitmeastmelises võimendis. - Tagasiside võimendites. - Tagasiside tüübi mõju võimendi põhiparameetritele. - Bipolaartransistori töö lülitireziimis. - Stabiilse voolu generaatorid. Käesoleva teksti sisujaotus: 6.1 Võimendid: mõiste, liigitus ja põhiparameetrid 6.2 Võimendusastmed bipolaartransistori baasil 6.2.1 ÜE-lülituses transistor 6.2.2 ÜK-lülituses transistor e. emitterjärgija 6.2.3 ÜB-lülituses transistor 6.2.4 Transistori tööpunkt ja koormussirge 6.3 Võimendusastmete vaheline sidestus 6.3.1 RC-sidestus e
osaliselt alaldatud, suurte moonutustega väljundpinge, mis on rikas harmooniliste poolest. Joonis 5.5. Diood-poolperioodalaldi (ebasümmeetrilise mitteresistiivse lülituselemendi) mittelineaarne ülekandekarakteristik [1]. Joonis 5.6. A-klassi reziimis töötava võimendi ülekandekarakteristik [1]. Võimendi (lampvõimendusaste), mille ülekandekarakteristikut näeme joonisel 5.6, töötab väikese signaali korral lineaarses reziimis, ent muutub signaali amplituudi kasvades mittelineaarseks (algab väljundsignaali piiramine). Elektroonika alused. Teema 5 Mõned elektrotehnika ja süsteemitehnika põhimõisted. Passiivsed resistiivsed vooluahelad. SDER 3. loeng 10.02
1. Skeemitehniliste mõõtühikute U, I, R ja P tabelikujul. kesk, tipp ja tipp-tipp ja anda efektiiv väärtuste vahelised suurused tabelikujul. Ostsillograafil on 4 ruutu, tundlikus on 2V ruudule. Kui palju näitab magnet- elektrilise osutsakaalga mõõduriist pinget? 2. Koostada järjestik pingejagur 3 erineva jagamisteguriga, väljund pingete saamiseks valida sisendpinge, arvutadatakistite suurused ja võimsus, näidatasuurused skeemil. 3. dB võimendi sisendvõimsus on 10 mW, võimendi tegur on 40 dB. Leida väljundvõimsus. 4. Koostada diferentseeriva lüli 2 elektrilist skeemi, anda kummagi kohta ajakonstandi ja diferentseerimistingimuste valemid. Valida sisendpingete ristkülikulisel kujul ja anda väljundpingete 5 erinevat kuju /ti suurused ja kujud. Parasiitmahtuvuse mõju väljundis ja alumise astme sisetakistuse mõju diferentseerivale lülile. 5
Rakenduselektroonika 1. Võimendid 1.1. Võimendite liigid ja neid iseloomustavad parameetrid Võimendiks nimetatakse seadet mille abil toimub signaali amplituudi suurendamine võimalikult väikeste signaali kuju moonutustega. E + Usis Võimendi Uvälj Joon.1.1 Võimendil on alati kaks sisend-, kaks väljundklemmi ja temaga peab olema ühendatud alati energiaallikaks olev alalispinge allikas (joon.1.1). Sisendklemmidega ühendatakse signaaliallikas mille signaal vajab võimendamist. Väljundklemmidega aga ühendatakse see tarbija, millele antakse võimendatud signaal, milleks võib olla kas valjuhääldi, mingi relee mähis, mingi täiturmehhanismi juhtmähis jne. Nimetatud
Paneme 100 MOhm: 30kV I max = = 0,3mA 100M 1910.a. 1960.a. (50 aastat) lampelektroonika. 10 Elektronlambi kesk. eluiga 500 tundi. Esimesel numbrilisel (digitaalsel) arvutil (USA) umbes 2000 lampi. Arvuti tõrgeteta tööaeg 15 min.! 1948.a. USA Pooljuhttrioodi leiutamine. Ge transistor D.Bardin, W.Brattain, W.Schokly Nobeli preemia laureaadid. 1949.a. transistorid NSV Liidus. 1960.a. kuni tänaseni transistorelektroonika. 1960.a. 1970.a. diskreetsed transistorid. 1958.a. USA esimesed integraalskeemid (IC), D.Kilby R.Noice. 1962.a. algab integraallülituste seeriatootmine. 1970.a
annaabi.ee 
Sisene Facebook'ga
Sisene Google'ga
Sisene LinkedIn'ga
Kõik kommentaarid