· Liini rippisolaator: 21 cm · Läbiviikisolaator: 15 cm · Tugiisolaator: 11 cm · Tõirisolaator 15 cm Erinevate isolaatorite Ek: · Liini rippisolaator: Ek= 62,2/21 = 3,0 kV/cm · Läbiviikisolaator: Ek= 55,2/15 = 3,7 kV/cm · Tugiisolaator: Ek= 53,8/11 = 4,9 kV/cm · Tõirisolaator: Ek= 73/15= 4,9 kV/cm 6. Tulemuste analüüs Töös kasutasime erinevadi isolaatoreid: liiniisolaatorit, läbiviikisolaatorit ja 2x tugi(tõir)isolaatorit. Ehk siis kokku nelja isolaatorit Katsete käigus selgus, et isolaator lööb üle sealt, kus on vähim kaugus elektroodide vahel. Ehk siis ülelöök toimub kõige otsemat teed pidi elektroodide vahel. Võime öelda, et katsetatud isolaatorid on töökorras, sest katsete käigus toimusid ainult ülelöögid. Läbilööke ei esinenud. Aga leitud andmete järgi oleks pidanud rippisolaator suuremale pingele vastu pidama.
olla nii tahked, vedelad kui gaasilised. Indutseeritud laengud- juhtiva keha pinnale elektrilaengu kujunemine. Summaarne elektriväli juhis puudub. Elektriline induktsioon-juhtivate kehade pinnale elektrilaengute kujunemise nähtus. Elektriline varjestamine- nim.mingi keha kaitsmist elektrivälja mõju eest. Faraday puur- jäik varjestav metallvõrk Isolaator-ained jagatakse juhtideks, pooljuhtideks ja dielektrikuteks, siis mõistetakse dielektriku all tavalist mittejuhti ehk isolaatorit. Polariseerumine- ehk polarisatsiooni nähtus, on see kui osakesed jäävad omavahel seotuks ja nad kuuluvad jätkuvalt ühte ja samasse aatomisse pärast nihutamist. Dipool- dielektriku aatom, mis koosneb kahest ühesuurusest, kuid erimärgilisest laengust. Polaarsed molekulid elektriväljas( mikrolaineahju näitel) Vee molekuli käitumisel dipoolina pöhineb mikrolaineahju töö.Mikrolainete perioodiliselt muutuva suunaga elektrivälja mõjul hakkavad vee molekulid toidus
c1 isolaatori mahtuvus maa suhtes c2 isolaatori mahtuvus juhtme suhtes n isolaatori järjekorranumber u isolaatorile langev osapinge protsentides · Joonisel 2.41 on nooltega kujutatud isolaatorite mahtuvusi läbivate voolude suunad. · Isolaatorite ja maa (traaversi) vahelised mahtuvused c1 ja vastavad voolud on mõnevõrra suuremad kui isolaatorite ja juhtme vahelised mahtuvused c2 ja vastavad voolud. · Isolaatorist maha voolav vool vähendab järgmist isolaatorit läbivat voolu ja seega ka järgmisele isolaatorile rakenduvat pinget (kõver 1 joonisel 2.41). · Juhtmest isolaatorisse suunduv vool suurendab järgmist isolaatorit läbivat voolu ja seega ka järgmisele isolaatorile rakenduvat pinget (kõver 2 joonisel 2.41). · Tegelikku (summaarset) pingete jagunemist isolaatorketis kujutab kõver 3. 35. 35. Koroonalahendus Koroonalahendus e. koroona tekib tugevalt mitteühtlases väljas. Tugevalt mitteühtlane väli
Assotsiatiivmälu ei kasutata aadressi, vaid otsitakse sõna ühe tema osa järgi. Kahe pordiga saab samal ajal nii lugeda kui ka kirjutada (tingimusel, et need ei ole üksteisest sõltuvad. Puutetundlikud ekraanid 1. Takistuslikud koosneb alusest, mille peal õhuke läbipaistev takistuslikust materjalist kiht, mis on samuti välisel painduval kihil. Kahe kihi vahel on isolaatorid, kui vajutada ekraanile siis puutuvad isolaatorit kokku ning tuvastatakse puutepunkt. Küllaltki odav tehnoloogia, pildikvaliteet kehv. 2. Mahtuvuslikud u 70% turust. Väga vastupidav, mustus ei sega. Pindmahtuvuslik: puutepind on ainult ühelt poolt kaetud läbipaistva juhtiva kihiga. Ekraani nurkadesse on paigutatud elektroodid, mille kaudu tekitatakse ekraani pinnale ühtlane elektriväli. Kasutatakse vahelduvvoolu generaatorit. Projekteeritud mahtuvuslik: ekraani
SRAM: info salvestatud positiivse tagasiside kaudu trigerites, kiire mälu, mida kasutatakse registermälus ja vahemälus, suudab funktsioneerida protsessori taktsagedusega, aga 4-6 transistorit biti kohta, mis nõuab palju kristallipinda; DRAM: sellena on realiseeritud tavalise PC arvuti põhimälu, ühe biti kohta üks transistor, nii et kulub vähem kristallipinda, odavam ja aeglasem kui SRAM. Kuna pole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng mingi aja tagant hävib ja selle vältimiseks toimub DRAMis pidev mälu värskendamine, mille käigus infot üle kirjutatakse. Säilivad: ROM on mõeldud paljukordseks informatsiooni lugemiseks; info on püsimällu salvestatud eelneva spetsiaalse tehnoloogilise protsessi käigus, kasutaja selle sisu muuta ei saa. PROM on programmeeritav püsimälu. Tema püsimälu sisu saab programmeerida kas
vad mesilased paigutama mett ning neid ka kombineeritakse. Näiteks on ema märgistatud punase märgiga, kanne kõrgemaks ehitama. Selle väl- mille peale on tehtud veel valge täpp. Selline süsteem võimaldab palju eri- timiseks on soovitav hoida isolaatorit nevaid kombinatsioone ja ei lase liinidel segamini minna. tarus ainult kasutamise ajal. Peale selle, et märgistamine on kasulik tõuaretusele ja lihtsustab ema Nicot’ isolaatorit võib kasutada ka otsimist, võimaldab see ka avastada mesilasperes toimunud sülemlemist mesilasema andmiseks. Selleks on või salajast emavahetust.
muutub varasemaks. Pöörlemiskiiruse vähenedes eelsüütenurk väheneb. Süüteküünlad Süüteküünla töötingimused on rasked küünlale mõjuvad: · soojus · mehaaniline koormus · elektriline koormus · põlemisjääkide korrosioon. Küünlal on teraskere, millesse on valtsitud elektriisolaator. Isolaator on valmistatud keraamilisest materjalist. Isolaatorit läbib keskelektrood. Kere küljes on külg elektrood (-id). Kõrgepinge läbib sädemena keskelektroodi ja külgelektroodi vahelise pilu ning süütab küttesegu. Magneetosüütesüsteemi töötamine Elektrivoolu tekitamiseks peab juhet liigutama magneti suhtes või magnetit juhtme suhtes. Elektrivool tekib juhtmes siis, kui magnetvälja jõujooned lõikavad juhtme keerdu. Pinge suurus sõltub keerdude arvust, magnetvoo tugevusest. Magneti (rootori) paneb pöörlema mootor
mälumahtude realiseerimiseks. Dünaamiline pooljuht-suvapöördusmälu (DRAM): Tavaliselt on tüüpilise PC arvuti põhimälu realiseeritud DRAM-ina. Seal kulub ühe pesiku valmistamiseks üks transistor, samas kui SRAM-is on vaja neli kuni kuus transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemale transistoride arvule biti kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laend teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine, mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-ist odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suuremahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Alati on mikroskeemides piiratus aadressiliinide multiplekseerimist. Spetsiaalse riistvara realiseerimine
Seal kulub ühe pesiku valmistamiseks üks transistor, samas kui SRAM-is on vaja 4-6 transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemale transistoride arvule biti kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd pole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub DRAMis pidev mälu värskendamine, mille käigus kirj pidevalt infot uuesti üle. SRAMIist odavama hinna tõttu kasut suuremahulise põhimälu valmistamiseks Aeglasem kui SRAM Säiliv o Maskiga programeeritav mälu püsimälu – ROM
SRAM juhtimiseks on vajalik aadress, mis määrab maksimaalse mälusõnade hulga. Dünamiiline pooljuhtsuvapöördusmälu (DRAM). Tavaliselt on tüüpilise PC arvuti põhimälu realiseeritud DRAMina. Seal kulub ühe pesiku valmistamiseks 1 transistor, samas kui SRAMis oli vaja 4-6 transistori biti kohta. Info salvestatakse laenguna väljatransistoris. Tänu väiksemaletransistoride arvule bit kohta on info tihedus kristalli pinnal oluliselt suurem. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit siis laeng teatud aja möödudes kaobja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidevalt mälu värskendamine, mille käigus kirjutatakse infot pidevalt üle. Odavama hinna tõttu kasutatakse DRAMi suuremahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Alati on mikroskeemides piiratud väljaviikude arv ja selleks, et kogu mälu saaks adresseerida kasutatakse aadressiliinide multipleksorit. Mälu võib vaadelda kui maatriksit, millel on rea ja veeru aadressid
Staatilisest mälust lugemise tsükkel (Read cycle of static RAM) Staatilisse mällu kirjutamise tsükkel (Write cycle of static RAM) 35 · Dünaamiline pooljuht suvapöördusmälu (Dynamic RAM) DRAM-s on info kandajaks laeng. Kui SRAM-is kulub ühe biti info hoidmiseks kuni kuus transistori, siis siin on vaid üks transistor koos kondensaatoriga. Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine (refresh) mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-st odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suurema mahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on siin suured (väike biti pindala), kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike
Staatilisest mälust lugemise tsükkel (Read cycle of static RAM) Staatilisse mällu kirjutamise tsükkel (Write cycle of static RAM) 35 Dünaamiline pooljuht suvapöördusmälu (Dynamic RAM) DRAM-s on info kandajaks laeng. Kui SRAM-is kulub ühe biti info hoidmiseks kuni kuus transistori, siis siin on vaid üks transistor koos kondensaatoriga. Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine (refresh) mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-st odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suurema mahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on siin suured (väike biti pindala), kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike
SRAM-i poole pöördumine: Staatilisest mälust lugemise tsükkel (Read cycle of static RAM) Staatilisse mällu kirjutamise tsükkel (Write cycle of static RAM) Dünaamiline pooljuht suvapöördusmälu (Dynamic RAM) DRAM-s on info kandajaks laeng. Kui SRAM-is kulub ühe biti info hoidmiseks kuni kuus transistori, siis siin on vaid üks transistor koos kondensaatoriga. Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu värskendamine (refresh) mille käigus kirjutatakse pidevalt infot uuesti üle. SRAM-st odavama hinna tõttu kasutatakse DRAM-i just suurema mahulise põhimälu valmistamiseks. DRAM on aeglasem kui SRAM. Mälu moodulite mahud on siin suured (väike biti pindala), kuid mikroskeemile ei ole võimalik teha piisaval hulgal väljaviike. Sellepärast jagatakse tavaliselt
55, a). kingadest, mistõttu pooli südamikku läbib muutuva suu- Süüteküünla teraskere ülaosas on kuuskantpea mutri- naga magnetvoog. Vool primaarmähises saavutab maksi- võtme jaoks ja allosas keere silindrikaane kinnitamiseks. mumi hetkel, kui hooratta magnetpoolus on eemaldunud Kere alumise serva külge on keevitatud külgelektrood. süütepooli südamikust ca 2 ... 3 mm. Keraamilist isolaatorit läbib keskelektroodi varras, mille Süütemomenti saab seada süütepooli aluse nihutamisega. välisotsal on keere kõrgepinge juhtme otsaku kinnitami- Selleks on aluse kinnituskruvide avad piklikud. Seadmi - seks. Kere ülemine serv on valtsitud isolaatori keskosa ast- seks on hoorattal ja karteril enamasti vastavad märgid. Kui melisele äärisele. Gaaside läbipääsu kere ja isolaatori
annaabi.ee 
