baasi-emitteripinge määramisega) Töötades võimendina on oluline, et väljundsignaal oleks võrdeline sisendsignaaliga, sest siis ei teki signaali kujundis moonutusi, seetõttu on kasutusel ainult lineaarreziim. Selleks, et tagada sisendi ja väljundi võrdeline sõltuvus peab transistor lineaarreziimi jääma ükskõik millise sisendsignaali hetkväärtuse korral. Selle tagamiseks antakse transistorile sobiv alalisvoolureziim, mida nimetatakse tööpunkti fikseerimiseks. 7. Loetlege transistoride piirparameetrid .PC - kollektori suurim lubatud hajuvõimsus. UCER - suurim lubatav kollektoripinge. UCB0 - kollektori ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge. UEB0 - emitteri ja baasi vaheline suurim lubatav vastupinge (tavaliselt 3...5 V). Icmax - suurim lubatav kollektorivool. ICM - suurim lubatav kollektorimpulssvool. 8
bipolar transistor) transides. Nad on juhitavad kui väljatransid (hea: suur sisendtakistus), koormuse poolelt aga käituvad kui bipolaartransid. Rakendatakse ntx. fotoaparaatides välgu lülitamise juures. Kõik bipolaartransid on kas NPN või PNP tüüpi. Skeemitingmärgil on NPN transi emitteri nool transist väljapoole, PNP puhul aga vastupidi. Tehnoloogilstel põhjustel on NPN transid rohkem levinud (eriti mikroskeemide sees). Tüüp PNP või NPN määrab, mis pidi peavad pinged transistorile minema. NPN transistor tahab emmitterile miinust ja kollektorile plussi. Transi sulgemiseks (et e- >k voolu ei liiguks) peab baasile andma kas sama pinge mis emmitterile või sellest veidi negatiivsema. Avamiseks tuleb baasile anda emmitterist positiivsem pinge. PNP transi puhul on kõik täpselt vastupidi. Pinge tuleb anda muidugi mitte otse,sest siis põleb trans heleda leegiga, vaid eeltakisti kaudu. See tähendabki juhtimist VOOLUGA.
kõrvalekaldumisteta. Kui aga lülitatav objekt on induktiivse iseloomuga, siis tekib selle koormuse klemmidel voolu muutuste korral emj mis liitub toitepingega ja transistori tööreziim muutub oluliselt. Voolu suurenemisel indutseeritakse emj milline püüab voolu suurenemist takistada.Tekkiva elektromotoorjõu polaarsus on selline ,et ta lahutub toitepingest ja tööreziim ei muutu enam mööda koormussirget AB vaid vastavalt alumisele ringile (joon.1.13). See reziim ei ole transistorile ohtlik. Kui aga hakkame transistori välja lülitama (sulgema), siis püüab emj säilitada tarbijat läbivat voolu, ning tema klemmidel indutseeritakse emj mis liitub toitepingega. See indutseeritud emj on praktiliselt võrdne toitepingega, ning selle tulemusena kollektoriahelas mõjub kahekordne pinge koos suure vooluga. See reziim võib olla transistorile ohtlik, kuna toimivad üheaegselt suur pinge ja vool.
ja siis jälle ei juhi. 29. Miks dioodil on mittelineaarne pinge-voolu tunnusjoon? Sest diood on mittelineaarse takistusega element. 30. Miks türistori võib nimetada ka juhtivaks dioodiks? Kuna türistor koosneb erinevatest juhtivatest kihtidest. Türistor on neljakihiline pooljuhtseadis. 31. Miks transistor võimendab sisendsignaali? Transistor on mõeldud selleks, et võimendada signaali. Transistor võimendab selle pärast, et talle kantakse pinge peale. Kui anda transistorile sisse signaal ja transistorile pinge, siis välja tuleb algsest signaalist võimsam signaal, ehk on toimunud sisendsignaali võimendus, mille tulemusena on saadud sisendsignaalist võimsam väljundsignaal. Kui pinget peale ei lastaks, oleks sisend- ja väljundsignaalid võrdsed. 32. Miks triger mäletab oma eelmist olukorda, aga loogikaelement ei mäleta? Loogikaelemendi mõte on teha tehe, seejuures teda pidevalt vooluga ei toideta. Trigeril aga on
on induktiivse iseloomuga, siis tekib sellise koormuse klemmidel voolu muutuste korral endainduktsiooni elektromotoorjõud, mis liitub toitepingega, mistõttu transistori tööreziim oluliselt muutub. Voolu suurenemisel indutseeritakse elektromotoorjõud, milline püüab voolu suurenemist takistada. Tekkiva elektromotoorjõu polaarsus on selline, mis lahutub toitepingest ja tööreziim ei muutu enam mööda koormussirget AB, vaid vastavalt alumisele ringile joonisel 6.26. See reziim ei ole transistorile ohtlik. Joonis 6.26. Induktiivse koormusega transistor lülitireziimis [4]. Kui aga hakkame transistori sulgema, siis püüab endainduktsiooni elektromotoorjõud säilitada koormust läbivat voolu, ning tema klemmidel indutseeritav elektromotoorjõud, liitub toitepingega (punkt D joonisel 6.26). See indutseeritud elektromotoorjõud on samas suurusjärgus toitepingega, mille tulemusena kollektoriahelas mõjub kahekordne pinge koos suure vooluga
Bipolaartransistore tüüritakse sisendvooluga, väljatransistore tüüritakse sisendpingega. Bipolaartransistor on "kolmekihiline" pooljuhtseadis, mis koosneb kahest järjestikku asetsevast pn-siirdest, koosnedes seega just nagu kahest järjestikusest dioodist, millest üks on päripingestatud ja teine vastupingestatud. Võrdlus kahe järjestikuse dioodiga on siiski üksnes piltlik võrdlus. Kahe pooljuhtdioodi kokkuühendamisel transistori ei teki, sest võimendusomadused annab transistorile äärmisi pooljuhikihte eraldava keskmise pooljuhikihi e. baasi üliväike paksus (< 1 mm). Kuna järjestikku tuleb ühendada erineva juhtivusega pooljuhid, saab valmistada kahte tüüpi bipolaartransistore npn- ja pnp-struktuuriga transistore. Enamasti kasutatakse npn-struktuuriga transistore, kuna neis on laengukandjatena peaosa elektronidel, millede liikuvus on suurem kui aukude liikuvus. See parandab transistori kui võimendus- ja
· kasutab Bayeri-mustrit R-G-B ja toimub interpoleerimine b) CMOS-sensor: "complementary metal-oxide semiconductor" uuem sensoritüüp, levinud enamikes digikaamerates kuna iga piksli kõrval on transistor, mis kiirendab info kogumist, on kiirem kui CCD, kuid samas vähem valgustundlik, sest valgus langeb lisaks fotodioodidele ka transistorile, mis ei ole valgustundlik kuna saab toota igasugusest silikoonist, on odavam kasutab Bayeri-mustrit R-G-B ja toimub interpoleerimine c) FOVEON-sensor: o sensoritüüp, mis EI kasuta Bayeri mustrit ning selles ei toimu interpoleerimist, sest ta salvestab R,G,B värviinfo eraldi igasse pikslisse (eri toonid salvestuvad eri sügavustele)
Kui aga lülitatav objekt on induktiivse iseloomuga, siis tekib selle koormuse klemmidel voolu muutuste korral emj mis liitub toitepingega ja transistori tööreziim muutub oluliselt. Voolu suurenemisel indutseeritakse emj milline püüab voolu suurenemist takistada. Tekkiva elektromotoorjõu polaarsus on selline ,et ta lahutub toitepingest ja tööreziim ei muutu enam mööda koormussirget AB vaid vastavalt alumisele ringile (joon.4.14). See reziim ei ole transistorile ohtlik. Kui aga hakkame transistori välja lülitama (sulgema), siis püüab emj säilitada tarbijat läbivat voolu, ning tema klemmidel indutseeritakse emj mis liitub toitepingega. See indutseeritud emj on praktiliselt võrdne toitepingega, ning selle tulemusena kollektoriahelas mõjub kahekordne pinge koos suure 53 vooluga. See reziim võib olla transistorile ohtlik, kuna toimivad üheaegselt suur pinge ja vool.
Kui aga lülitatav objekt on induktiivse iseloomuga, siis tekib selle koormuse klemmidel voolu muutuste korral emj mis liitub toitepingega ja transistori tööreziim muutub oluliselt. Voolu suurenemisel indutseeritakse emj milline püüab voolu suurenemist takistada. Tekkiva elektromotoorjõu polaarsus on selline ,et ta lahutub toitepingest ja tööreziim ei muutu enam mööda koormussirget AB vaid vastavalt alumisele ringile (joon.4.14). See reziim ei ole transistorile ohtlik. Kui aga hakkame transistori välja lülitama (sulgema), siis püüab emj säilitada tarbijat läbivat voolu, ning tema klemmidel indutseeritakse emj mis liitub toitepingega. See indutseeritud emj on praktiliselt võrdne toitepingega, ning selle tulemusena kollektoriahelas mõjub kahekordne pinge koos suure vooluga. See reziim võib olla transistorile ohtlik, kuna toimivad üheaegselt suur pinge ja vool.
võimendi vajaliku ribalaiuse tagamine. Selleks tuleb võimendi projekteerimisel valida transistorid või mistahes teised võimeduselemendid sellise piirsagedusega, mis vastavad võimendi poolt esitatavatele nõuetele. Samal ajal tuleb arvestada võimeduselementide parameetrite sõltuvust sagedusest, tööpunkti asukohast, t-st, sisemisest tagasisidest ja skeemilistest iseärasustest; näteks tagasiside kasutamisel. Transistorile esitatavatest nõuetest on esmatähtsad: 1) piirsagedus fp 2) kollektorsiirde mahtuvus 3) suur vooluvõimendus 4) väike kollektorsiirde vastuvool Ik0 E k Astmete vaheline sidestuslüli, mis R1 R k koosneb kondensaatorist ja takistist:
- määratakse pingega Uplp, vastavalt punktile P. Seda tüüpi transistoril võib olla: Uplp = 0; Uplp < 0; Uplp > 0 74 Võiks valida: Rp = (0,01- 0,001)rsis ; Rl on tagasiside takisti selles võimendusastmes. Stabiilsuse tõstmiseks oleks vaja suurendada Rl. Sel juhul on vaja kasutada kompensatsiooniks takistit R1. Uplp 0 Sel juhul R1 on kohustuslik. Selline reziim sobib formeer- ja indutseerkanaliga transistorile. Selline võimendusaste on ,,faasipööraja". Signaali arvutus aseskeemi alusel: Pingevõimendustegur: Uvälj SUsis (ri MM Rn) KU = = = S (ri MMRn ) Usis Usis Sisendtakistus Rsis = R1Rp Väljundtakistus Rvälj = Rnri Rn 75 Ühisneeluga võimendusaste . R1, Rp, Rl transistori tööreziimi seadmiseks (eelmise skeemiga analoogselt). Kõrge sisendtakistus;
Programmeerib kasutaja spetsiaalse programmaatoriga, põletades mittevajalikud väiksema ristlõike pindalaga ühendused. - ümberprog. püsimälu (EPROM- erasable programmable read only memory), elektriliselt kustutatav ümberprogrammeeritav püsimälu (EEPROM- electrically erasable programmable read only memory) ja Flash. EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega, EEPRO-il ja Flashil elektriväljaga). Seejärel saab teda
Programmeerib kasutaja spetsiaalse programmaatoriga, põletades mittevajalikud väiksema ristlõike pindalaga ühendused. - ümberprog. püsimälu (EPROM- erasable programmable read only memory), elektriliselt kustutatav ümberprogrammeeritav püsimälu (EEPROM- electrically erasable programmable read only memory) ja Flash. EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega, EEPRO-il ja Flashil elektriväljaga). Seejärel saab teda
jõutransistorid V1 ja V2 on suletud ja mootor ei tööta. Joonis 5.2 Kui pöörata etteandeseadme käepidet mingi nurga võrra, tekib potentsiomeetrite Rsis ja Rvälj liugurite asendite erinevuse tulemusena kõrvalekaldesignaal U´, mille polaarsus sõltub kõrvalekaldenurga märgist. Seega tekib võimendi väljundis pinge Umis antakse sõltuvalt võimendi väljundi polaarsusest kas piki ahelat: võimendi ,,+" V10 V5 R3 V7 võimendi ,," transistorile V1 või piki ahelat: võimendi ,,+" V9 V6 R4 V8 võimendi ,," transistorile V2. Kui see pinge ületab stabilitroni V5 või V6 rakendumisläve, siis avaneb transistor V1 või V2 ning ühendab mootori toiteallikaga. Mootor hakkab tööle ning pöörab täiturorgani TO võlli ja potentsiomeetri Rvälj liugurit suunas, mis vähendab süsteemis tekkinud kõrvalekallet. Kui U saab väiksemaks stabilitroni rakendumispingest, sulgub transistor ja mootor lülitatakse välja.
- PROM programmeeritav püsimälu (PROM- programmable read only memory). Programmeerib kasutaja spetsiaalse programmaatoriga, põletades mittevajalikud väiksema ristlõike pindalaga ühendused. - EPROM ümberprog. püsimälu (EPROM- erasable programmable read only memory), elektriliselt kustutatav ümberprogrammeeritav püsimälu (EEPROM- electrically erasable programmable read only memory) ja Flash. - EPROM, EEPROM ja Flash tehnoloogiad põhinevad kõik ujuva paisuga väljatransistoridel. Transistorile on paisu juurde on lisatud teine pais kuhu on võimalik kanda laeng. Selle laenguga muudetakse transistori avamiseks (suudme ja lätte vahel suureneb järsult vool) vajaliku paisu pinge suurust. Põhineb sellel, et kui ujuval paisul on laeng, siis alguses tõstes paisu pinget, kulub ta selle laengu kompenseerimiseks ja seejärel alles avab transistori. Kustutamisel laeng ujuvalt paisult eemaldatakse (EPROM-il ultravioletse valgusega, EEPRO-il ja Flashil elektriväljaga)
IGBT-mooduli CPV 364M4U baasil ehitatud elektriajami ühendusdiagramm on joonisel 6.7 ning komponentide funktsioonide kirjeldused on toodud lisas 4. Muunduri toitepingeks on siin akupatarei pinge. Juhtlülitus lülitab jõutransistore selliselt, et mootorit toidetakse pulsilaiusmoduleeritud pingega. Regulaator võrdleb seadesuurusi tegelike suurustega, kasutab juhtsignaalide genereerimiseks pulsilaiusmodulatsiooni ning jaotab need signaalid muunduri igale transistorile. Soovitav pinge kuju saadakse jõutransistoride avamise-ja sulgemisega konstantsel sagedusel. Moduleeritud pinge tekitab mootoris voolu, mis mootori ja ühenduskaabli induktiivsuste tõttu on siinuseline. Vaatamata sellele sisaldab vool madala sagedusega harmoonilisi, mis sõltuvalt võrgu näivtakistusest võib põhjustada pingemoonutusi. Iga jõutransistoriga on rööpselt ühendatud diood. Need vabavooludioodid väldivad muundurit kahjustavaid endainduktsioonpingeid
annaabi.ee 
