TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL Raadio- ja sidetehnika instituut Laboratoorse töö: ,,Transistorvõimendi" Raadiosageduslik skeemitehnika ARUANNE Täitja(d): Juhendaja: Ivo Müürsepp Töö tehtud: 18. aprill 2012 Aruanne esitatud: Aruanne tagastatud Aruanne kaitstud ...................................... (juhendaja allkiri) Töö eesmärk: Tutvumine bipolaartransistoriga
TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL Raadio- ja sidetehnika instituut Laboratoorse töö ,,Transistorvõimendi" ARUANNE Täitjad: Juhendaja: Ivo Müürsepp Töö tehtud: 10.2011 Aruanne esitatud ............................................... (kuupäev) Aruanne tagastatud ............................................ (kuupäev) Aruanne kaitstud .............................................. (kuupäev) .....................................
...................... Aruanne tagastatud: ............................................ Aruanne kaitstud: .............................................. ...................................... Töö eesmärk: Tutvumine bipolaartransistoriga. Bipolaartransistori lihtsustatud mudel, transistor võimendina. Skeemi tööreziim, selle arvutamine. Skeemi montaaz makettplaadil, parameetrid ja nende mõõtmine. Töö käik: 1. Koostasime transistorvõimendi (vt joonis 1) skeemi. Joonis 1. Alalisvooluvastusidega transistorvõomendusaste 2. Võimendi toitepingeks E valisime 9 V. 3. Transistori kollektorpinge UK0 valisime 6 V. 4. Transistori kollektorvool IK0 valisime 0,5mA 5. Emitteri pinge maa suhtes UE0 valisime 1,5V 6. Võimendi töösageduseks valida f valisime 70kHz 7. Koormustakistuseks Rk valisime 15 k 8. kasutatava transistori BC547B parameetrid Tabel 1. kasutatava transistori BC547B parameetrid
........................................... Aruanne tagastatud: ............................................ Aruanne kaitstud: .............................................. ...................................... Töö eesmärk: Tutvumine lihtsamate praktikas kasutatavate transistorvõimendusastmete skeemide, nende arvutamise, sidestamise ning numbrilise modelleerimisega. Töö käik: 1. Koostasime kaheastmelise transistorvõimendi (vt joonis 1) põhimõtteskeemi arvutil programmiga LTspice IV'is Joonis 1. Kaheastmelise Transistorvõimendi põhimõtteskeem 2. Võimendi toitepingeks E valisime 8 V. 3. Võimendi kollektortakisti R3 ja R7 arvutasime alljärgnevalt: E - U C 0 8 - 5,34 R3 = R7 = = = 1330 Ic 0,002 4. Emittertakisti R4 ja R8 väärtuse arvutasime järgmiselt:
Tallinna Tehnikaülikool Raadio- ja sidetehnika instituut Aines IRO0020 Raadiosageduslik skeemitehnika Laboratoorse töö nr. 1 Transistorvõimendi modelleerimine arvutil Aruanne Koostajad: 2012 Töö eesmärk: Tutvumine praktikas kasutatava transistorvõimendusastme skeemi, selle tööreziimi arvutamise ning numbrilise modelleerimisega (SPICE). Tagasiside kasutamine ja selle mõju skeemi tööle. Kasutatavad seadmed: 1. SPICE SPICE Vabatarkvaraga LTspice IV v.4
TALLINNA TEHNIKAÜLIKOOL Raadio- ja sidetehnika instituut Laboratoorse töö ,,Kaheastmelise transistorvõimendi modelleerimine arvutil" ARUANNE Täitjad: Reigo Tamm, Haigo Hein Juhendaja: Ivo Müürsepp Töö tehtud: 09.09.2010 Aruanne esitatud ............................................... (kuupäev) Aruanne tagastatud ............................................ (kuupäev) Aruanne kaitstud .............................................. (kuupäev)
ELEKTROONILINE VÕIMENDI Ain Bubnovski, Jaan Kund Elektrooniline võimendi • Võimendi, mis suurendab elektrisignaali. • See saavutatakse toiteallikast võetava energia väljundisse juhtimisega, matkides sisendsignaali kuju, aga suurendades amplituuti. • On olemas suures koguses erineva otstarbe jaoks mõeldud elektroonilisi võimendeid. Võimendi võib olla nii üksik aktiivkomponent kui ka suur süsteem. Transistorvõimendi • Transistorvõimendi puhul on võimendavateks komponentideks transistorid, mistõttu seda tüüpi võimendid on üldjuhul väiksemad ja ökonoomsemad. • Võimendi üheks parameetriks on väljundvõimsus, mida mõõdetakse vattides. Lisaks ka võimendus, mida mõõdetakse detsibellides. Võimsusvõimendi • Võimsusvõimendi on suurema võimsuse jaoks mõeldud võimendi. • Võimsusvõimendid on tavaliselt võimenditeahela lõpus. Suure võimsuse tõttu pööratakse nende puhul ka rohkem
CMOS SENSORI EELISED CCD SENSORI EES · Väike voolutarve ja suur andmeedastuskiirus; · Võimalus integreerida samas CMOS-tehnoloogias kiibile lisafunktsioone ja teostada analoogdigitaalmuundamine; · Otsepöördus iga piksli poole pakub võimalusi pikslirühmade valikuliseks töötlemiseks; KOKKUVÕTE CMOS sensorit kasutatakse enamasti peegelkaamerates. CMOS sensor tagab teie pildile hea kvaliteedi kuna tal on lisaks optoelektroonilisele muundurile transistorvõimendi, mis muundab elektriaengu elektri signaaliks. Kasutatud kirjandus http://et.wikipedia.org/wiki/CMOS http://et.wikipedia.org/wiki/CMOS-sensor http://et.wikipedia.org/wiki/Pildisensor http://www.klick.ee/Kaameratest/ http://www.mintron.com/htm/q&a/Htm/CMOS%20VS%20CCD%20camera.htm http://blog.photopoint.ee/sony-kahekordistas-oma-cmos-sensorite-valgustundlikkust/ http://en.wikipedia.org/wiki/Image_sensor
generaator. Positiivne tagasiside ja selle kasutamine. Ostsillaatori väljundsignaali puhtus ja sageduse stabiilsus, toitepinge kõikumiste mõju. Siirdeprotsessid käivitusel. Kasutatavad seadmed: · Ostsilloskoobi mooduliga PicoScope 2205 varustatud personaalarvuti · Toiteplokk EP-603 · Montaaziplaat, transistor (BC547B), takistid, kondensaatorid, induktiivpool · Ühendus- ja montaazijuhtmed · Tööriistad Töö käik Valime ja arvutame koostatava transistorvõimendi parameetrid Lähteandmed: E=9 V Uk0=6V Ik0=1 mA f0=1 MHz UE0=1 V h21= 300 · Emitter takistus k · Koormustakistus Rk=3 k · Tegelik väärtus 3 k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k Tegelik väärtus 36 k · Pingejaguri ülemise õla takistus k · Tegelik väärtus 130k · Emittertakistiga sildav kondensaator F
Kasutatavad seadmed: · Ostsilloskoobi mooduliga PicoScope 2205 varustatud personaalarvuti · Toiteplokk EP-603 · Montaaziplaat, transistor (BC547B), takistid, kondensaatorid, induktiivpool · Ühendus- ja montaazijuhtmed · Tööriistad Töö käik 1. Koostatud võimendi skeem Joonis 1. Ühise emitteriga lülituses resonantsvõimendi Valime ja arvutame koostatava transistorvõimendi parameetrid · Võimendi toitepinge E=9 V · Transistori vooluülekandetegur h21E=300 · Emitteri vaheline küllastuspinge UBE0=0,7 V · Võimendi töösagedus f=60 kHz · Emitteri pinge maa suhtes UE0= 1 V · Kollektorvool =1 mA · Koormustakistus Rk=510 · Signaali sisetakistus Rsig=120 · Emitter takistus k · Baasipingejaguri alumise õla takistus rahuldab võrdust k
Kontrolltöö nr. 2D. 1.Elektronvõimendid. Elektronvõimenditena kasutatakse elektronlampe või transistorvõimendeid. Elektronlamp on elektronvaakuumseadis, milles elektronide voogu tüürivad erilised elektroodid, mida nim. võredeks. Kolme elektroodiga elektronlampi trioodi tüürvõre potentsiaali väikesed muutused põhjustavad anoodvoolu suuri muutusi. seda trioodide omadust rakendatakse elektrivõngete võimendamiseks. Transistorvõimendi põhiosaks on pooljuhtelement. Transistoril on kolm väljaviiku: emitterist (piirkond, mis initsieerib laengukandjaid baaspiirkonda (baasi), kollektorist (piirkond, mis ekstraheerib st. tõmbab välja baasist laengukandjaid) ja baasist. Baas on emitteri ja kollektori vaheline pooljuhtkiht 2.Hüdraulilised võimendid. Kahe joatoruga jugavõimendi. Hüdraulilistes võimendites juhtseade tööpõhimõtte järgi jaotatakse juga, siiber, drossel, kompensatsioon ja kombineeritud juhtseadmeteks.
parameetrite hajuvuse tõttu tunduvalt sageduskarakteristiku kuju, mistõttu korrektsioon vajab järelhäälestamist. Seepärast kasutatakse LK-d väga harva. Impulss-signaalvõimendites kasutatakse sageli KSK-ks negatiivset TS-i, mille rakendamisel stabiliseerub võimendustegur, vähenevad sagedus- ja mittelineaar- moonutused. Enamasti kasutatakse neg. vooluTS-i, mis tekitab emitter komplektiga ReCe transistorvõimendi puhul. Erinevalt tavalisest on sel juhul mahtuvus Ce väike (vaid kuni mõnisada pF). Madalatel ja keskmistel sagedustel on XCl tunduvalt suurem kui Re ja seepärast tekib emittervooluringis TS-pinge, mis vähendab baasil mõjuva signaali toimet ja pinget. Sageduse suurenedes XCe väheneb ja seepärast väheneb ka emittervooluringi kogutakistus, neg. TS
võimsusel. Keskmine on tavaliselt 10 korda väiksem. 4. Nimisisendsignaal Usis n see on sisendsignaali amplituut, millel on võimendi arvestatud. Helivõimenditel võib olla mitu erineva tundlikusega sisendit näiteks mikrofoni sisendil on 1-3mV, maki ehk helipeasisendil 50 mV 5. Sisendtakistus - kujutletav takistus, millega võimendi koormab signaaliallikat tema väärtus sõltub kasutatavatest võimenduselementitest: transistorvõimendi on 300-3, lampvõimendil ja ka väljatransistorvõimentitel on ta 1M Joonis2 6. Väljundtakistus on võimendi kui signaali sisetakistus. Ta on oluline koormustakistuse valikul sest selleks et väljundis saada max võimsust peab väljuntakistus võrduma koormustakistusega Rvälj = RL. Sageli väljundtakistuse väärtust tehnilistes andmetes ei anta, kui antakse koormustakistuse vajalik väärtus 4 ja 8. Joonis 3
65, c). Vii- Voolu toimel traat kuumeneb, muudab oma pikkust ning mase kontaktide vooluahelasse ongi lülitatud 'suunatule- lainbid. Kontaktideta elektrbrireleede. (VTL-l, yH-2 ja 116 117 yn-3) esimene osa on samuti multivibraator; sellele järg- neb paarisastmeline transistorvõimendi, mis juhib suuna- tulelainpide tööd. Vahelduvvoolugeneraatoriga mootor- ratastel lisandub sellele skeemile veel dioodalaldi (yiI-3). Elektriseadmestiku skeem Juhtmed Vooluahelate loomiseks ühendatakse vooluallikad tarvititega juhtmete abil, kusjuures teise juhtme ülesannet täidab kere. Juhtmetena käsutatakse praegu polüvinüül- kloriidisolatsiooniga kiudjuhtmeid; mis on vastupidavad vibreerimisele ega rikne õli ja bensiini toimel. Montaazi
annaabi.ee 
