Fraktsionaalsel destilleerimisel kuumutatakse näiteks alkoholi, kuid kasutatakse ka peale alkoholi tootmisele ka kütuste tootmiseks(nafta). Fraktionierte Destillation, http://www.uni-protokolle.de/Lexikon/Fraktionierte_Destillation.html, 17.04.2014. Absolut, alkohoolsete jookide kaubamärk, mis kuulub Rootsi riigiettevõttele V&S Vin & Spirit AB. Absoluti nime all toodetavad alkoholjoogid tõi 1879 turule Rootsi ettevõtja Lars Olsson Smith, kelle leiutatud uus destilleerimismeetod – rektifikatsioon ehk fraktsioneeriv destillatsioon – võimaldas valmistada väga puhast alkoholi. 1970. a-te lõpul muutis V&S Vin & Spirit AB toote esialgse nime „Absolut Vodkaks”.Alates 2004. a-st on Absoluti nime all müüdavate jookide valmistajad kuulunud maailma kolme juhtiva alkoholitootja hulka. Tea kirjastus 2008, http://www.ents.ee:81/PrintArticle.aspx?aid=340, 17.02.2014. bibliograafiliste kirjete loend: 1)Raamat Eesti Entsüklopeedia, kõide 6, 1995
Raoult i seadus. Rakendused ideaallahustele ja lõpmatult lahjadele lahustele. Kuidas lihtsustub. 27. Lahuste keemistemperatuur. Avaldis lõpmatult lahjadele lahustele. 27.28 lähtevalemid antud aint lõpp. 28. Lahuste külmumistemperatuur. Avaldis lõpmatult lahjadele lahustele. 29. Osmootne rõhk. Osmoosi tähtsusest. 30. Lenduvuse mõiste reaalgaasidele. 31.Aktiivsuse mõiste reaallahustele. 32. P- x ja T - x diagrammid ideaal- ja reaallahustele. Destillatsioon ja rektifikatsioon. 33. Gaaside lahustuvus vedelikes. Henry seadus. 34. Elektrolüütilise dissotsiatsiooni põhjused. 35. Ostwaldi lahjendusseadus ja dissotsiatsioonikonstandi praktiline määramine elektrijuhtivuse môôtmise abil. 36. pH mõiste. 36.-40 vaata 37. Hüdrolüüs. 38. Puhverlahused. 39 .Ülekandearvud. 40. Konduktomeetriline tiitrimine. Tiitrimiskõverad. 41. Galvaanielemendi elektromotoorjõu arvutamise üldvõrrand. Nernsti võrrand. Kindel. 42. Vesinikelektrood. 42.-45 ei tule. 43
Lahjendatakse väävelhape (75ml väävelhapet + 15 ml vett) ning lahjendatud väävelhapet hakatakse lisama, kui segu keeb. Esmalt lisatakse ¼ happest kiiresti ja ülejäänu tilkhaaval. Klapp kolonni peas avatakse, kui kolonn on ,,tööreziimis" ja temperatuur kolonni peas on langenud alla 42o C. Destillaadi vastuvõtjana võib kasutada väikest kolbi, millesse on bromoetaani aurumiskadude vältimiseks lisatud peenestatud jääd. Rektifikatsioon lõpetatakse, kui temperatuur ei lange enam alla 45oC. Sünteesi käigus tuleb jälgida, et hapet ei lisataks liiga kiiresti: tekib ,,valge udu", mis võib väljuda kolonnist. Happe lisamisel normaalsel kiirusel ei tohi udu tõusta kõrgemale kui 1/3 kolonni kõrgusest. Vajadusel juhitakse happeudu keeduklaasi, kus on NaOH. Rektifikaati pestakse jaotuslehtris kaks korda veega, kuivatatakse
(Vahell kutsutakse ka KLINKRIKS- mis ei ole õige termin, või TÄISMASSPLAADIKS) PUNA- või VALGESAVIPÕHJALINE PLAAT Punasavipõhjalised plaadid on harilikult tehnilistelt omadustelt paremad. Valgesavipõhjalised plaadid aga on oma kaliibrilt (mõõtudelt) täpsemad ja odavamad toota. R või A, B, C - kategooria Kareduse (libisemiskindluse) määratlus keraamilistel paatidel. "R" on koefitsient vahemikus 9 - 13 (vähekaredatest kuni väga karedateni). REKTIFIKATSIOON e. õgvendus Plaadi kalibreerimine (mõõtu ajamine) kas lõikamise, käiamise või freesimise teel. KLAASISTUMINE Üle +1000C temperatuuril kuumutamisel plaatides moodustunud ühendid pehmenevad, mille tagajärjel plaadis olevad mikropoorid täituvad ning samas pehmenenud ühendid ühinevad kõrgemat sulamispunkti omavate osakestega. Sellega plaatide mehhaaniline vastupidavus paraneb tunduvalt. VALATUD PLAAT Valutehnikat kasutatakse põhiliselt mosaiikide tootmisel. http://www.plaadipunkt.ee/
Krakkimise teel saavutatakse bensiini summaarse saagise ligi kolmekordne tõus,kusjuures krakkbensiin on isegi väärtuslikum kui tavaline bensiin. On olemas termiline ja katalüütline krakkimine. Koksistamine-kuumutamine temperatuurini 1000-2000 kraadi. Eesmärgiks on kütuse sügav lagundamine, mille juures esmaselt tekkinud õliaurud lagunevad edasi, andes, gaasi ja koksi. Utmine-ehk poolkoksistamine. Kuumutamine temperatuurini 500 kraadi. Eesmärgiks eelkõige õli saamine. Rektifikatsioon-destilleerimine rektifikatsioonikolonni abil. Mitmeastmeline,korduv destillatsioon. Rektifikatsiooni kasutatakse laialdaselt selliste vedeliksegude lahutamiseks, mille komponentidel on erinevad keemistemperatuurid. Rektifikatsiooniprotsess viiakse läbi spetsiaalsetes aparaatides nn rektifikatsioonikolonnides, mis võivad olla erineva konstruktsiooniga ja töötada pidevas või perioodilises reziimis. 3.Ahelreaktsiooni mehhanisim halogeenidega reageerimisel:(valguse toimel)
l v s Hl- lahustuvussoojus, µ1 Destillatsioon ja rektifikatsioon. Tb dTb Võimalik lahutada komponente vedelik-vedelik süsteemides. Hv-kristallvõre lõhkumise entalpia, Hs-solvatatsioonientalpia
Räni puhastamise teeb raskeks kõrge sulamistemperatuur 1414OC. Sel temperatuuril pehmeneb konteinerite ja torude valmistamise peamine materjal räni tehnoloogias kvartsklaas SiO2. Grafiiti ei saa aga kasutada, kuna süsinik reageerib räniga. Pooljuhtpuhtusega räni saamise tehnoloogia peamised etapid: - tehnilise Si üleviimine kloriidiks Si + 4 HCl = SiCl4 + 2 H2 (300 400 OC); - SiCl4 destillatsioon, ekstraktsioon ja rektifikatsioon; - SiCl4 taandamine vesinikuga SiCl4 + 2 H2 = Si + 4 HCl (1000 OC); - Si lõplik puhastamine vertikaalse (tiiglivaba) tsoonsulatuse meetodil vaakuumis; - legeeritud monokristallide kasvatamine sulandist tõmbamise (Czochralski) meetodil. Räni puhastamist tsoonsulatuse meetodil ja legeeritud monokristallide kasvatamist vaatleme hiljem materjalide valmistamise peatükis. Ränil on äärmiselt head omadused, mistõttu valmistatakse temast kõikvõimalikke seadiseid ja mikroskeeme
silicon, vene кремний (кремень), pr. silicium saksa: elemendina küll das Silízium, muidu Kíesel (ränikivi), näit. die Kíeselsäure – ränihape Saamine Liiva ja söe (koksi vm.) segu kuumutamisel kaarleek-ahjus (1800ºC): SiO2 + 2C → Si + 2CO Pärast erilist happetöötlust saadakse 99,9%-lise Si-sisaldusega produkt. Teised meetodid (elektrol.) – tööstuses väga vähe Kõrgpuhas Si (saam.): 99,9%-line Si → SiCl 4 või SiHCl3; klooriühendid: rektifikatsioon jt. puhastusmeetodid, redutseeritakse ülipuhta H2-ga (1200-1300ºC) → Si Ülipuhas Si: 10-7 - 10-8% lisandeid kokku sageli → monokristallid Ülipuhast Si kasutatakse üsna palju (ainuüksi monokristallilist ca 3000 t/a). Profileeritud monokristallid, epitaksiaalkiled. 3.9.2. Füüsikal. ja keemil. Omadused vt. tabel p. 3.7. Kristallil. kompaktne Si metalliläikega tume-hõbehall kõva, habras aine
ja leia õige kaart. Näiteks 1871. aastal moodustas transiidis Saturn konjuktsiooni ühe Edisoni võimaliku sünni-Kuuga ja sel ajal ta abiellus. (Saturn on tema sünni 4.ndas ja Kuu uue kaardi 2-s). See näib soosivat 12. veebruari kella 12:19AM kaarti, ehkki vajaks veel astroloogilisi katseid. Käesoleva harjutuse jaoks eeldatakse, et Edisoni kaart on see, mis on toodud joonisel kaart 3: Kaart 3 - Thomas Edison (rektifikatsioon) B.Brady: Predictive Astrology Peamine on see, et kaarti tuleb enne ennustamist kontrollida. Edisoni algse kaardiga töötades oleks ennustatud sündmuste ajastatus ja olemus olnud arvestatavalt valed. Edisoni uus kaart näitab Päikest ja Merkuuri nüüd kaardi 3.majas, mis ei ole üllatav, arvestades tema legendaarset uudishimu. See muudab teljestikku (joonis 20), sest alumises reas ei rõhutata enam Päikest ja 4
annaabi.ee 
