raudteejaamades, lennujaama terminalides ja infotabloodel. Suuremõõtmelised videoekraanid ja suur valik igasuguseid vahendeid valgustatud reklaamstentidel on samuti koht, kus leidub dioode. LED-e kasutatakse ka vähiravis ravimiaktiveerijana (valgusteraapia) ja kosmoselaevades taimelavade valgustitena. • Fotodiood - pooljuhtdiood, mille elektrilised omadused sõltuvad sellele langevast valgusest. Küllastusrežiim Suure koormustakistusega töötab fotodiood fotoelemendina ja genereerib talle langeva valguse toimel elektrilist pinget. Sellel režiimil genereeritud pinge ei sõltu oluliselt dioodile langeva valguse hulgast. Lühisrežiim Väga väikese koormustakistuse juures tekitab fotodiood talle langevast valgustugevuset suhteliselt täpselt lineaarselt sõltuvat elektrivoolu, mistõttu kasutatakse seda režiimi valguse tugevuse määramiseks kasutatavates seadmetes. Vastupingerežiim
pääseb baasi väiksem voolutugevus. Mille tulemusena väheneb kollektorivool. Fototakistid Fototakistiks nimetatakse pooljuhtelementi mille takistus väheneb nähtava valguse või infrapuna valguse mõjul. Takistuse muutus põhineb fotoefektil st. elektronide siirdumist kiirguse mõjul juhtivustsooni. Kui fototakisti ühendada jadamisei koormustakistusega ja rakendada sellele ühendusele elektromotoorjõud, siis sõltub koormustakistil tekkiv voolulang fototalisti valgustundliku pinna valgustus tiheduses. Nähtavale valgusele tundlikuks fototakistiks on tablet kujuline valgustundlik element, kaaliumsulfiidist. Infrapunasele tundlikuks fototakistiks on plastplaadil pliisulfiidi kith. Põhiparameetrid: 1. Pimetakistus Rp fototakisti takistus täielikus pimeduses 20°C juures 2
väljundvool sõltud lineaarselt sisendpingest või sisendvoolust. Sellisteks elementideks on eelkõige transistorid. Sellest lähtudes on: transistorvõimendid, integraalvõimendid, elektronlampvõimendid, magnetvõimendid jne. Töörezhiimist ja konstruktsioonist sõltuvalt jagatakse võimendeid eel- ja K lõppvõimenditeks. Eelvõimendite väljund on ühendatud järgneva astme sisendiga, lõppvõimendite väljund on aga ühendatud koormustakistusega. K 0,7K 0 0,7K0 0 20kHz f 20Hz
asjaolu, et väljatransistoril puudub tüüpiline küllastusreziim, mille asemel on suurevooluline niinimetatud takistusreziim. Selles reziimis käitub transistor takistusena, kuna tema lätte ja neelu vaheline pingelang sõltub teda läbivast voolust ja see võib olla märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust. Lülitireziimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestikku väljatransistori kanali takistus, mistõttu neelu ja lätte vaheline pinge sõltub transistori läbivast voolust. Elektroonika alused. Teema 3 Pooljuhtseadised 51 Suurevooluliste väljatransistoride valmistamiseks püütakse leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks. Lülititena kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore,
arvutusi vaja, sest sellisel juhul RL= RS. Taoline lähenemisviis sobib nii alalis- kui vahelduvvoolu allikate puhul kuni helisagedusteni välja, niikaua kui väljundtakistus on oma olemuselt resistiivne (kõrgematel sagedustel hakkavad ilmnema mahtuvuste ja induktiivsuste mõjud). Joonis 5.17. a) Signaaliallika väljundi saame esitada Thevenin'i aseskeemi kujul. b) Kui aseskeem ühendada koormustakistusega, saame eelmises punktis vaadeldud pingejaguri. Mõned allikad nagu näiteks patareid, ei talu suuri koormusvoolusid, mistõttu neid tuleb mõõta nii suure koormustakistuse juures kui võimalik. Samuti tuleb võimalike suurte koormusvoolude puhul arvestada sellega, et need võivad kahjustada nii testitavat allikat ennast kui ka koormustakistust. Näide Kaudsel teel tuleb määrata võimendi väljundtakistus
5. Sisendtakistus - kujutletav takistus, millega võimendi koormab signaaliallikat tema väärtus sõltub kasutatavatest võimenduselementitest: transistorvõimendi on 300-3, lampvõimendil ja ka väljatransistorvõimentitel on ta 1M Joonis2 6. Väljundtakistus on võimendi kui signaali sisetakistus. Ta on oluline koormustakistuse valikul sest selleks et väljundis saada max võimsust peab väljuntakistus võrduma koormustakistusega Rvälj = RL. Sageli väljundtakistuse väärtust tehnilistes andmetes ei anta, kui antakse koormustakistuse vajalik väärtus 4 ja 8. Joonis 3 Idealaalne võimendi oleks see mis võimendaks ühtlaselt kõiki sagedusi Joonis 4 Võimendamise käigusei võimentata kõiki sagedusi võrdsel määral sel juhul tekivad signaalis moonutused, moonutusi on kahte liiki: · lineaar ehk moonutus sagedused tekivad võimendi lülituses olevate sagedusest
asjaolu, et väljatransistoril puudub tüüpiline küllastusreziim, mille asemel on suurevooluline niinimetatud takistusreziim (joon.5.8.).Selles reziimis käitub transistor takistusena ja tema lätte ja neelu vaheline pingelang sõltub teda läbivast voolust ja on märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust. Võime kujutleda , et lüliti reziimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestiku kanali takistus ja seetõttu sõltubki neelu ja lätte vaheline pinge transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D-MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem
väljatransistoril puudub tüüpiline küllastusreziim, mille asemel on suurevooluline niinimetatud takistusreziim (joon.5.8.).Selles reziimis käitub transistor takistusena ja tema lätte ja neelu vaheline pingelang sõltub teda läbivast voolust ja on märksa suurem tavalise transistori vastavast emitteri ja kollektori vahelisest pingelangust. Võime kujutleda , et lüliti reziimi sisselülitatud olukorras jääb koormustakistusega järjestiku kanali takistus ja seetõttu sõltubki neelu ja lätte vaheline pinge transistori läbivast voolust Nimetatud põhjusel püütakse suurevooluliste väljatransistoride korral leida võimalusi kanali takistuse vähendamiseks, selleks otstarbeks kasutatakse indutseeritava kanaliga väljatransistore, kus on püütud tekitada võimalikult lühike voolu juhtiv kanal. Parimateks taolisteks transistorideks on D-MOSFET transistorid, mille kanali takistus võib olla 0,1 oomi ja vähem
võimsus eristatakse pinge, voolu ja võimsus võimendeid. Väga levinud on liigitada võimendeid eel ja lõppvõimenditeks. Eelvõimendi ülesandeks on suurendada signaali pinget või voolu sel määral, et sellest piisaks lõppvõimendi tüürimiseks ehk võib ka öelda et eelvõimendi väljund ühendatakse lõppvõimendi sisendiga. Lõppvõimendi ülesandeks on arendada koormusel nõutavat signaali võimsust, ehk lõppvõimendi väljund ühendatakse alati koormustakistusega ja lõppvõimendi peab olema kujundatud nii, et ta suudaks arendada koormustakistuses nõutavat võimsust. Järgmine liigitus liigitab kasutus otstarbe järgi. Kuna kasutus otstarbest sõltub olulisel määral ka võimendilt nõutav amplituudi sagedus karakteristika, siis on ka selle karakteristika kuju võimendite liigituse aluseks. 1.1.1. MSV (madal sagedus võimendid) Madal sagedus ehk ka helisagedus võimendid
on nende summaarne alalisvoolu pingelang umbes 1,5V, mille võrra väheneb kollektorilt baasile antav pinge. Samal ajal on seal vahelduvpingeline pingelang ehk signaali kadu mitte rohkem 0,1-0,2V. 2.5 Lõppvõimendid Lõppvõimendite ülesandeks on arendada koormusest maksimaalsest signaali sagedusliku võimsust. Elektrotehnika kursusest on teada, et tarbijal saab maksimaalsel võimsusel juhul kui generaatori sisetakistus on võrdne koormustakistusega. Joonis 2.5.1 Võimendi korral on generaatori sisetakistuseks võimendus astme väljund takistus. Ja selleks, et rahuldada sobituvuse tingimus ühendatakse koormus võimendus astmega väljundtrafo kaudu. Joonis. 2.5.2 Trafo kasutamisel langeb koormustakistus primaar poolele taandatud takistusena, mille väärtus sõltub trafo ülekande tegurist. R´L=RL/n2, n=W1/W2. Kui koormustakistus on väljund takistusest väiksem tuleb kasutada pinget vähendavat
annaabi.ee 
