reziimis: Du BE Rsis = DiB Du KE KU = Du BE Pikkov lk 64 Siin vaadeldakse transistori ÜE-lülituse lihtsat aseskeemi ja tuletatakse valem lülituse pingevõimendusteguri arvutamiseks. h11E ja h21E on nn hübriidparameetrid (transistori kui neliklemmi parameetrid h- parameetrite süsteemis). Need võetakse transistori spetsifikatsioonist või vajaduse korral mõõdetakse. h11E on transistori sisendtakistus ja h21E tema vooluülekandetegur (tuntud ka kui b » IK / IB). RK» tähistab koormustakistust vahelduvvoolule; see võrdub kollektortakisti RK ja koormustakistuse Rt paralleelühenduse takistusega (tähistatakse kui RK|| Rt).
2 Transistori lülitussskeem ÜE-ühenduses 7. Võtsime üles tunnusjoonte sarjad: UBE = f (IB) IC = f (UCE) Katseandmed märkisime tabelisse 7.2. Joonestasime sõltuvuse graafikud (joonised 7.5 ja 7.6). Joonis 7.5 Tunnusjooned UBE = f (IB) Joonis 7.6 Tunnusjooned IC = f (UCE) 8. Tunnusjoonte alusel määrasime: ΔU BE 0,68−0,69 0,1 h11e = = = =0,005 ΔI B 40−60 20 Δ I C 2,84−4,7 1,86 h21 e = = = =0,093 ΔI B 40−60 20 10. Võrdlesime omavahel ÜB- ja ÜE-lülituses transistori parameetreid. Võrreldes bipolaartransistori ühisbaas- ja ühisemitterühendust, selgub, et ÜB-ühenduse korral on sisendvool ja väljundvool peaaegu samad, kuid ÜE-ühenduse korral on sisend- ja väljundvoolude vahe oluliselt suurem
Sekund- mähisel keskelt väljavõte. Diood üleval/all, alumine ühendatud ülemise ette. Tarbija ülemise mähise peal. Ud=0.9U2. q1=0.67=1/m2-1, m-pulsatsioonide arv alaldatava pinge perioodide peal. 10pdf 5. ÜK-lülitus. Trans üles, lin. elem. alla. Takisti pingelang=väljund Usis>~Uvalj. Pinge järgi võimendust pole, voolu järgi küll. Tänu suurele sisendtakile kas puhvrina. Sign arvutusel Emitterist läbi RE maha. Rsis on suur=h11e+(1+h21e)RE~ 5pdf Pilet 11. 1. alaldava siirde tekkimise tingimus 2. väljatransistoride liigitus 3. 2xT sild (ASK ja FSK) 4. välistav või (tähistus ja tõeväärtustabel) 5. ROM 1. Alaldava siirde tekkimise ting Ge korral pp>>nn Räni korral vastupidi. 2. transis liiguvad ühenimel-d laengukand-d kanalis, mille juhtivust muudetakse elektrivälja abil. Jagunevad:*pn siirdega *isoleeritud paisuga(1.sisseehit kanal 2.induts kanal) (tähistus
( . 2. . : Rväl j = Rn / ri = Rn : ( ) Nn- ). h21 Rin = Ub e~/Ib~ = h11E = dUb e/d Ib (0)- Uke~ = - h 21E * Ib ~ * Rk ~ Ku = U ke ~/Ub e~ = - ( h21E/h 11E ) Rk~ ( ) - Rk ~ = (R k*Rt)/(R k+Rt )
Tänu 3. Kuidas ühendatakse loogika elementide väljundid suurele sisendtakile kas puhvrina. Sign arvutusel 4. Negatiivne tagasiside võimendil Emitterist läbi RE maha. Rsis on 5. Komparaator OV põhjal suur=h11e+(1+h21e)RE~ 1. BT lubab suuremat koormusvoolu. Loll viga: kui S suletud(transs avatud), siis max vool->läheb takistusel soojuseks P=U2/R=5V2/R, selle vea parandab CMOS=KMOP: R asemel ka transs(S 2)- Pilet 11. toitest +5V voolu maha ei lasta, sest üks lüliti alati kinni, S1=nMOP, S2=pMOP trans. Suurtel 1. alaldava siirde tekkimise tingimus sagedustel efektiivsus kaob. transi baar. Tarbib vähem võimsust. NAND nende baasil. Transside 2
= = kus (1 + )IK0 IK0(E) ja IB 1- 31 Kui UKE=0, siis kollekt. siire pinge UBE ja kollekt. siire injekteerib auke baasi, IK = 0. 32 BP liittransistor (Darlington`i lülitus). Üldine voolu ülekandetegur: = 1 + 2 + 12; kuna 1 >> 1; 2 >>1 siis 12 -------------- Transistori parameetrid (ÜE) h param. süsteemis: h21E = iK/iB ik/iB vooluvõimenduse tegur; h11E = UBE/iB transistori sisendtakistus leitakse kui diferentsiaalne takistus sisendkarakteristikult. h21E = 50 250 tavaliselt. Võib olla h21E = 30 3000 Tehnoloogia "superbeta" h21D = 500... 33 Väljatransistorid (unipolaarsed), FET Väljatransistoris liiguvad ühenimelised laengukandjad kanalis, mille juhtivus muudetakse elektrivälja abil. Väljatransistorid:
Nool ringis näitab voolusuunda. Maa on neil ühine elektrod => juhitakse baasi poolt Transistori väljundkarakteristikud: 5 Ühtlaste vahedega baasivoolude korral ik ik Transistori parameetrid: h21e = ib ib See on voolu võimenduse tegur u be h11e = - leitakse kui dif. takistus sisendkarakteristikult ib h21e = 100...250 tavaliselt pnp on tavaliselt abistav variant. Seal on kõik vastupidi ehk siis augud juhivad voolu jmt. 1.11. Väljatransistor, ehitus, karakteristikud ja põhiparameetrid Väljatransistor (nõrgem vool kui bipolaarsetes transistorides, arvutitehnikas peamised) Allolev joonis on p-kanaliga ehk siis tegelt on see abistava transistori joonis, õige oleks n kanaliga ehk siis kõik on vastupidi.
Uvälj U R RE sis 2 E Joon.1.45 Täpsemalt, tema välundpinge on 0,6 V võrra sisendpingest väiksem (emittersiirde pingelangu võrra), Rsis = h11e +h21e RE ja Rvälj = h11e + Ri / h21e, kus Ri on signaaliallika sisetakistus. Tänu oma omadustele, kasutatakse emitterjärgurit sobitusastmena, suure väljundtakistusega võimendusastme ja väikese koormustakistuse või väikese sisendtakistusega võimendusastme vahel. Sisendtakistuse reaalsks väärtuseks väikesevõimsuslistel transistoridel on kuni 100 k ja väljundtakistuseks 30...100 sõltuvalt lülituselementide parameetritest.
U R RE sis 2 E JOONIS 7.26. Täpsemalt, tema väljundpinge on 0,6 V võrra sisendpingest väiksem (emittersiirde pingelangu võrra), Rsis = h11e +h21e RE ja Rvälj = h11e + Ri / h21e, kus Ri on signaaliallika sisetakistus. Tänu oma omadustele, kasutatakse emitterjärgurit sobitusastmena, suure väljundtakistusega võimendusastme ja väikese koormustakistuse või väikese sisendtakistusega võimendusastme vahel. Sisendtakistuse reaalseks väärtuseks väikesevõimsuslistel transistoridel on kuni 100 k ja väljundtakistuseks 30...100 sõltuvalt lülituselementide parameetritest.
on toodud joonisel 6.27. JOONIS 6.26. JOONIS 6.27. Nagu selgus parameetrite tunnusjoontelt määramise näitest, sõltuvad parameetrite väärtused kohast, kus neid tunnussarjal määratakse, s.o. tööpunktist. Praktiliselt enim mõjutab parameetrite väärtusi emitterivool. h-parameetrite sõltuvus emitterivoolust on toodud joonisel 6.28. JOONIS 6.28. Nagu graafikutelt näha, muutuvad emittervoolu muutumisel enim H22e ja h11e. Parameetrite sõltuvus kollektorpingest on vähemoluline ja sellega tuleb arvestada ainult väikestel kollektorpingetel, kus see sõtuvus järsult suureneb. 6.10. Transistoride levinumaid eriliike Phototransis tor 6.10.1. Fototransistor Fototransistor on bipolaarse transistori struktuuriga fotoelektriline seadis, mille väljundvool on tüüritav valgusvooga (on ka valgusvooga tüüritavaid väljatransistore).
annaabi.ee 
