kolloidosakese ja dispersioonikeskkonna agregaatoleku või vastastiktoime alusel. Liigitus agregaatoleku järgi: aerosoolid(tahke,vedel gaasis), soolid(dispersiooniKK vedel), vahud(gaas vedelikus), dispKK tahke(vahtplasi, pimss). Lüofoobsed kolloidid: dispergeerunud osakesed nõrgas vastastoimes lahustiga, seetõttu suhteliselt ebapüsivad. Saadakse kondenseerumismeetodil(keem reakts) ja dispergeerimismeetod (saavutatakse vajalik peenestusaste mehaanilisel peenestamisel või elektrikaares vedelikus) Lüofiilsed kolloidid: osakesed tugevas vastastoimes dispersiooniKK- ga Adsorptsioon: aineosakeste kogunemine faasi sisemusest faaside piirpinnale, Protsessi eksotermilisuse tõttu väheneb adsorbeerunud aine hulk temperatuuri tõusmisel ja suureneb temperatuuri alanemisel. Iseeneslik protsess, kaasneb energia eraldumine. Neil protsessidel suur tähtsus: ainete puhastamisel, heterogeenses katalüüsis, kromatograafias, sõjanduses(gaasitorbik)
K avaldab vastupanu stabiliseeritud v/õ tüüpi emulsioon. Siit järeldub, et emulsiooni tüüp lahustub seebilahuses, kusjuures tema lahustuvus suureneb pihustamine väiksemateks: kuulveski, kolloidveski, pihustamine aine dispergeerimisele. Adhesioon on töö faasidevahelise pinna on määratud emulgaatori iseloomuga. Lisades teistsugust võrdeliselt seebi kontsentratsiooni suurenemisel vees. elektrikaares, vedelate/tahkete ainete peenestamine ultraheliga, katkestamiseks. Seda tööd tarvitatakse kahe uue pinna emulgaatorit, võib emulsiooni õ/v muuta emulsiooniks v/õ või Solubilisatsiooniga kaasnevad muutused mitselli ehituses: mitselli keemiline dispergeerimine. Kolloidosakste puhastamine: dialüüs, moodustamiseks, piirpind kaob, mõõduks on pindade vastupidi
et ei tekiks jämedispersne ebapüsiv süsteem. Staadiumid: kristallisatsioonikeskme teke väikeste kristallidena ja keskmete kasv sõltuvana kristalli pinnale sadenevate molekulide arvust, difusioonkonstandist ja difusioonitee pikkusest. Kasutatavamad: lahusti vahetamine ehk füüsiline kondenseerimine, aurude kondenseerimine, keemiline reaktsioon.Peenestusmeetotid: eesmärgiks suuremate osakeste pihustamine väiksemateks: kuulveski, kolloidveski, pihustamine elektrikaares, vedelate/tahkete ainete peenestamine ultraheliga, keemiline dispergeerimine. Kolloidosakste puhastamine: dialüüs, elektridialüüs. Ültrahelifiltreerimine, tsentrifuugimine. Optilised omadused: valguse hajumine-molekulardispergeeritud süsteemi läbib mutusteta, jämedisp-us põhjustab hägususe selles valguse hajumine ja peegeldumine. Valgus hajub difrkatsiooniliselt (laine kõrvalekaldumine sirgjoonelisest levimisteest) tingimusel, et
Lahusti vahetamisel sadeneb aine liig välja ning moodustab kolloidosakesed. Näiteks annab NaCl lahustatuna vees tõelise lahuse, lahustatuna benseenis aga kolloidlahuse. 2. Aurude kondenseerimine . 3. Keemiline reaktsioon. ( a: vahetusreaktsioon, b: hüdrolüüsireaktsioon, c: redoksreaktsioon). B Peenestusmeetodid. Selle eesmärgiks on suuremate osakeste pihustamine väiksemateks 1. Kuulveski 2. Kolloidveski 3. Pihustamine elektrikaares 4. Vedelate või tahkete ainete peenestamine ultraheliga 5. Keemiline dispergeerimine (peptisatsioon) Fe(OH)3 + HCl FeOCl + 2H2O. 3. Kolloidsüsteemide puhastamine. A Dialüüs B Elektrodialüüs C Ultrafiltreerimine D Tsentrifuugimine 4. Dispergeeritud süsteemide optilised omadused Valguse hajumine: Valgus läbib (värvusetut) molekulaardispergeeritud süsteemi muutusteta. Jämedispergeeritud süsteemi hägususe põhjustab selles toimuv valguse hajumine ja peegeldumine
ei tekiks jämedispersne ebapüsiv süsteem. Kondenseerimismeetodis eraldatakse kaks staadiumit: 1) kristallisatsioonikeskmete teke väikeste kristallikestena 2) keskmete kasv sõltuvana kristalli pinnale sadenevate molekulide arvust Ühtlase dispersiooniastme saavutamiseks peab keskmete tekkekiirus olema palju suurem kui kasvukiirus. Peenestusmeetodid. Selle eesmärgiks on suuremate osakeste pihustamine väiksemateks. 1. Kuulveski 2. Kolloidveski 3. Pihustamine elektrikaares 4. Vedelate või tahkete ainete peenestamine ultraheliga 5. Keemiline dispergeerimine. Dispergeeritud süsteemide optilised omadused: Valgus läbib molekulaardispergeeritud süsteemi muutusteta. Jämedispergeeritud süsteemi hägususe põhjustab selles toimuv valguse hajumine ja peegeldumine. Kolloidsüsteemidele on omased valguse difraktsiooniline hajumine ja neeldumine. Valgus hajub
on 250-300 volti. (Piirkond I) Kui vool kasvab üle 500 mA, toimub üleminek kaarlahendusele, kusjuures pingelang kaarevahemikus langeb 20-30 voldini. (Piirkond II) Elektrikaart iseloomustab suhteliselt madal kontaktide vaheline pingelang 10 20 volti ja suur voolutihedus 100...1000 A/mm2. (Piirkond III) Elektrikaare temperatuur tõuseb 6000...25000 K. Voolu kasvades pingelang kaarevahemikul algul väheneb, seejärel aga praktiliselt enam ei muutu. Elektrilahendus Elektrikaares toimuvad protsessid Termoelektriline emissioon elektronide eraldumine kuumalt pinnalt. Autoelektroonne emissioon elektronide eraldumine katoodilt tugeva elektrivälja toimel. Tõukeionisatsioon suure kiirusega liikvad neutraalsed osakesed omavahel purunevad ja neist moodustuvad laetud osakesed. Rekombinatsioon erinimelised laetud osakesed omavahel kokku puutudes moodustavad neutraalse (d) osakese (d). Elektrikaare kustutamine Elektrikaare kustutamise võimalused
Lakid. Kiletekitajate lahused orgaanilistes lahustites ja on ette nähtud läbipaistva kile tekitamiseks või pinnasele läikekihi tekitamiseks. 74. Metallist ja mittemetallist konstruktsioonide liitmine. Metalle ja mittemetalle ühendatakse liimimise teel. 75. Metallide kaitsmine metalliseerimisega. Terasest detailile kantakse kattemetall pritsimise teel spetsiaalse püstoliga. Kattemetall viiakse püstolisse traadi kujul. Püstolis traat sulab atsetüleenileegis või elektrikaares ja kantakse detailile suruõhu abil. Tekib suhteliselt paks kaitsekiht tsingist, kaadiumist, alumiiniumist, vasest jne. Katte tihedus on väiksema tihedusega ja koosneb väikese ühendusjõuga terakestest. Kasutatakse suurte pindade kiireks katmiseks suured sõlmed, valmis konstruktsioonid, metallist mahutite sisepinnad kütusetankuritel, keerulise profiiliga detailid, mida on galvaaniliselt keerulisem katta. 76. Laki ja värvikatete omadused. Viskoossus
Kolloidide klassifikatsioon: · Lüofoobsed nõrgas vastastiktoimes keskkonnaga, liiguvad vabalt, võivad liituda üksteisega, pole püsivad. Liitumine võib põhjustada nende eraldumist keskkonnast. Nt. savid. Saadakse molekulide või aatomite liitmisel suuremateks agregaatideks või aine peenestamisel kolloidosakese mõõtmeteni. Dispegeerimismeetod mehaaniline peenestamine kolloidveskis, ultraheliga või elektrikaares. · Lüofiilsed sisaldavad rühmi, mis moodustavad vesiniksidemeid vee molekulidega, tekivad iseenesest, tugev vastastiktoime lahustiga ja püsivad. Nt. valgud. Poolkolloidid tekivad madalmolekulaarsete ühendite molekulide iseeneslikul liitumisel lahuses. Geel lüofiilne kolloid, mis sisestruktuuri moodustamise järel on tahke aine omadustega. Nt. juust, sült, leib, lihaskiud, kõhred. · Assotsieerunud molekulis 2 osa, hüdrofoobne ja fiilne) nt. seep.
poolest Maal 9. kohal; universumis kõige levinum element; T on radioaktiivne beetakiirgur, mille lagunemisel tekib heeliumi isotoop. T moodustab atmosfääri ülakihtides kosmilise kiirguse mõjul, peamiselt õhulämmastiku ja kosmilises kiirguses esinevate neutronite regeerimisel. Hinnatakse, et maailmameres on u 250kg, magevees 45kg ja atmosfääris u 3kg triitiumi. Kasutatakse termotuumareaktsiooni evitamine energeetikas. Monovesinik: Kõrgel temperatuuril, elektrikaares või ultraviolettkiirguse mõjul laguneb molekulaarne divesinik H2 endotermilisel protsessil aatomiteks ja tekib monovesinik. Monovesiniku eksisteerimis aeg on lühike.Sellega kaasneb tunduv eksotermiline soojusefekt, mida kasutatakse tehnikas metallide sulatamiseks ja mitmesuguste kõrgtemperatuuri nõudvate protsesside läbiviimiseks. Monovesinik on väga tugev redutseerija, tunduvalt tugevam kui divesinik. Monovesinik ühineb otseselt mõnede
väga “liikuv” kõrgemal temp-l läbib ka metalle Lahustub halvasti vees ja org. lahustites, hästi mõnedes metallides (Pd, Pt) Aatomi H ja molekuli H2 mõõtmed väga väikesed, molekulis sidemeenergia kõrge: raskesti polariseeritav Neist omadustest tingitud vähene lahustuvus, madal keemis- ja sulamistemp. Atomaarne vesinik Protsess H2 → 2H (väga endotermil.) algab alles üle 2000C; täielikult atomaarne u. 5000C juures (elektrikaares) protsessid 2H → H2 ; H2 + ½O2 → H2O – äärmiselt eksotermil. Kuid atomaarne vesinik võib in statu nascendi vähesel määral tekkida paljudes protsessides (hape + metall, vabanemine metalli (Pd, Pt) pinnalt jmt.). Atomaarne vesinik – paljudes protsessides väga aktiivne redutseerimisreaktsioonid (Marshi reaktsioon) 2.1.4. Kasutamine ¤ peam. keemiatööstuses, eriti NH3, HCl, CH3OH sünteesil vedelate rasvade hüdrogeenimisel (sh. → margariin)
annaabi.ee 
