refreshida, sünkroonne süsteemi kellaga, genereerib ise järjestikused aadressid Rambus DRAM multibank DRAM + liideslülitus, edastab infot nii eis kui tagafrondist, kiire Content Adressable Memory, CAM assotsiatiivmälu Double Data Rate DRAM edastab infot nii esi kui tagafrondist SIMM 72 klemmi DIMM 168 klemmi PÕHIMÄLU 23. Püsimälud: Maskiga programmeeritav ROM Progtammeeritav ROM fuse-maatriks tehnoloogia Kustutatav püsimälu Erasable ROM transistoris ujuvpais, mis ei lase laengul välja imbuda. Kustutatakse UV-kiirgusega ujuvpaisul olev laeng hajub Mälu jaotatakse moodulitesse, millest lugemiseks tuleb aktiveerida vastav ChipSelect sisend. Vastavalt CPUs töödeldavate mälusõnade järkudele ehitatakse andmesiinid ja mälu sõnalaiused. BIOS, mikroprogrammid 24. Magnetmälud: Mittemagneetuval alusel magneentuv substants, mille kohal liigub vooluga mähis, milles kitsas pilu. Pilust väljuv magnetväli pöörab magneetuva substantsi
refreshida, sünkroonne süsteemi kellaga, genereerib ise järjestikused aadressid Rambus DRAM multibank DRAM + liideslülitus, edastab infot nii eis kui tagafrondist, kiire Content Adressable Memory, CAM assotsiatiivmälu Double Data Rate DRAM edastab infot nii esi kui tagafrondist SIMM 72 klemmi DIMM 168 klemmi PÕHIMÄLU 23. Püsimälud: Maskiga programmeeritav ROM Progtammeeritav ROM fuse-maatriks tehnoloogia Kustutatav püsimälu Erasable ROM transistoris ujuvpais, mis ei lase laengul välja imbuda. Kustutatakse UV-kiirgusega ujuvpaisul olev laeng hajub Mälu jaotatakse moodulitesse, millest lugemiseks tuleb aktiveerida vastav ChipSelect sisend. Vastavalt CPUs töödeldavate mälusõnade järkudele ehitatakse andmesiinid ja mälu sõnalaiused. BIOS, mikroprogrammid 24. Magnetmälud: Mittemagneetuval alusel magneentuv substants, mille kohal liigub vooluga mähis, milles kitsas pilu. Pilust väljuv magnetväli pöörab magneetuva substantsi
võimalik. 14.2 Ümberprogrameeritavad maatriksid Ümberprogrammeeritavates maatriksites kasutatakse ühenduselemendina ujuvpaisuga MOS-transistore (joonis c). Ujuvpaisul elektriline ühendus puudub ning see on ette nähtud laengu säilitamiseks. Transistori pais on ühendatud rõhtjuhtmega, suue püstjuhtmega ning läte toiteallika miinusklemmiga. Lähteolekus läbib paisu ergastamisel transistori vool. Programmeerimisel antakse püstjuhtmele 25...50 V pingeimpulss, mille tulemusena ujuvpais saab negatiivse laengu. Ujuvpais säilitab laengu ning transistori avamiseks tuleb paisule anda tavalisest märksa kõrgemat pinget. Hariliku juhtpinge korral jääb transistor suletuks ja vool transistori ei läbi. Transistori algolek taastub, kui tema siirdeid kiiritada 30...100 sekundit ultraviolettkiirgusega. Selleks on maatriksi või püsimälu integraallülituse keres ultraviolettkiirgust läbilaskev ava.
Juba loodud skeemi ei saa ümber konfigureerida. Programmeeritav loogika Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse muxga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metallamorfne ränimetall ühendused. EPROM tech Erasable Programmable Read Only Memory EPROM transistorid, millel npn ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UVkiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga > sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks
ning ekstremaalsete rakenduskohtade jaoks. Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech – StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech – programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech – Erasable Programmable Read Only Memory – EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV- kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA – Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist – seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks
Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech Erasable Programmable Read Only Memory EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks
sobib suurte andmekoguste ning ekstremaalsete rakenduskohtade jaoks. Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech Erasable Programmable Read Only Memory EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks.
Programmeeritav loogika: Tehnoloogiad: SRAM tech – StaticRAM trigerid ühendatakse mux-ga. AntiFuse tech – programmeeritavad maatriksid, milles saab erinevaid programme luua, põletades programmaatoriga maatriksi sõlmedest 'fuse' ühendusi. metall-amorfne_räni-metall ühendused. EPROM tech – Erasable Programmable Read Only Memory – EPROM transistorid, millel npn-ühenduse paisu ning pooljuhi vahel on veel teine, nn ujuvpais, mis ei lase laengul transistorist hajuda, kuid võimaldab andmeid UV-kiirgusega kustutada. (näiteks segmentindikaatori juhtimine püsimäluga --> sisenditeks on aadressid 1..2..3 etc) Programmeritavad maatriksid: PLA – Programmable Logic Array Enamasti ei lähe vaja mitme muutuja Boole'i funktsiooni muutujate kõigi kombinatsioonide kasutamist – seega sisaldavad dekoodrid jms elemendid ülearuseid transistoreid. Konjunktsioone realiseeriv maatriks + disjunktsioone realiseeriv maatriks
1.4.2. Ümberprogrammeeritavad maatriksid Ümberprogrammeeritavates maatriksites kasutatakse ühenduselemendina ujuvpaisuga MOS-transistore (joonis 1.23, c). Ujuvpaisul elektriline ühendus puudub ning see on ette nähtud laengu säilitamiseks. Transistori pais on ühendatud rõhtjuhtmega, suue püstjuhtmega ning läte toiteallika miinusklemmiga. Lähteolekus läbib paisu ergastamisel transistori vool. Programmeerimisel antakse püstjuhtmele 25...50 V pingeimpulss, mille tulemusena ujuvpais saab negatiivse laengu. Ujuvpais säilitab laengu ning transistori avamiseks tuleb paisule anda tavalisest märksa kõrgemat pinget. Hariliku juhtpinge korral jääb transistor suletuks ja vool transistori ei läbi. Transistori algolek taastub, kui tema siirdeid kiiritada 30...100 sekundit ultraviolettkiirgusega. Selleks on maatriksi või püsimälu integraallülituse keres ultraviolettkiirgust läbilaskev ava.
annaabi.ee 
