Ära tuleb kasutada kogu põrandapind (12 m x 12 m). Toenghooglemine – Pommel Horse I – ühe jala ringhood; II – külg ees ja risti tehtavad ringid koos spindlite (ringid pöördega vastassuunas) ja kätelseisudega või ilma nendeta; III – külgsuunas ja ristisuunas liikumised; IV – kehrring ja wendering ehk pöördega ringid; V – mahahüpe. Rõngad – Rings I – uppasendist hood, tõusud ja hooelemendid; II – kätelseisu tõusmiseks sooritatavad hooelemendid; III – staatilisse jõuelementi jõudmiseks sooritatavad hooelemendid; IV – jõuelement ja staatiline jõuelement; V – mahahüpe. Toenghüpe – Vault Hüpete nimetused ja alghinded on antud sellekohases tabelis. 5 Rööbaspuud – Parallel Bars I – toengus mõlemal rööpal sooritatavad hooelemendid; II – õlavarstoengus sooritatavad hooelemendid; III – rippes mõlemal rööpal sooritatavad hooelemendid;
käigus eralduv energia. Bioluminestsents on mõnede organismide helendumine. Fosforestsents on fosoforit sisaldavate ainete omadus kiirata energiat, mida nad on eelnevalt endasse salvestanud, mille tingib värvainete omadus teisendada kogu ainele langev kiirgus mingisse kindlasse spektrivahemikku. Radioluminestsents on helendumine, mis toimub kiirete osakestega. Elektroluminestsents on aine helendumine kui see asetada staatilisse elektrivälja. Triboluminestsents on aine helendumine, mis tekib kui ainet mehaaniliselt deformeerida. Termoluminestsents on helendumine, mis tekib kui ainet kuumutada. (Võib ka jaotada üliselt looduslikuks või tehislikuks luminestsentsiks. Luminestsentsi korral keha siseenergia muundub valguseks. ) Kiirgamisvõime on aine omadus nähtavat valgust kiirata rohkem kui neelata (mingis sagedusvahemikus teatud perioodi jooksul); peegelduda või helendada ja selle mõjul
käigus eralduv energia. Bioluminestsents on mõnede organismide helendumine. Fosforestsents on fosoforit sisaldavate ainete omadus kiirata energiat, mida nad on eelnevalt endasse salvestanud, mille tingib värvainete omadus teisendada kogu ainele langev kiirgus mingisse kindlasse spektrivahemikku. Radioluminestsents on helendumine, mis toimub kiirete osakestega. Elektroluminestsents on aine helendumine kui see asetada staatilisse elektrivälja. Triboluminestsents on aine helendumine, mis tekib kui ainet mehaaniliselt deformeerida. Termoluminestsents on helendumine, mis tekib kui ainet kuumutada. (Võib ka jaotada üliselt looduslikuks või tehislikuks luminestsentsiks. Luminestsentsi korral keha siseenergia muundub valguseks. ) Kiirgamisvõime on aine omadus nähtavat valgust kiirata rohkem kui neelata (mingis sagedusvahemikus teatud perioodi jooksul); peegelduda või helendada ja selle mõjul
pakkimistihedus kristallil jääb väiksemaks kui dünaamilisel RAM-l. Joonisel on toodud ka tavaliselt SRAM-i juhtimiseks kasutatavd signaalid. Järgmisel joonisel on toodud SRAM-i sisemine struktuur. Mälu pesikud on kujutatud D- trigeritena, kuid realiseeritakse nad kristalli pinnal muidugi transistoride abil. 34 Mitu mälu moodulit: SRAM-i poole pöördumine: Staatilisest mälust lugemise tsükkel (Read cycle of static RAM) Staatilisse mällu kirjutamise tsükkel (Write cycle of static RAM) 35 · Dünaamiline pooljuht suvapöördusmälu (Dynamic RAM) DRAM-s on info kandajaks laeng. Kui SRAM-is kulub ühe biti info hoidmiseks kuni kuus transistori, siis siin on vaid üks transistor koos kondensaatoriga. Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib
pakkimistihedus kristallil jääb väiksemaks kui dünaamilisel RAM-l. Joonisel on toodud ka tavaliselt SRAM-i juhtimiseks kasutatavd signaalid. Järgmisel joonisel on toodud SRAM-i sisemine struktuur. Mälu pesikud on kujutatud D- trigeritena, kuid realiseeritakse nad kristalli pinnal muidugi transistoride abil. 34 Mitu mälu moodulit: SRAM-i poole pöördumine: Staatilisest mälust lugemise tsükkel (Read cycle of static RAM) Staatilisse mällu kirjutamise tsükkel (Write cycle of static RAM) 35 Dünaamiline pooljuht suvapöördusmälu (Dynamic RAM) DRAM-s on info kandajaks laeng. Kui SRAM-is kulub ühe biti info hoidmiseks kuni kuus transistori, siis siin on vaid üks transistor koos kondensaatoriga. Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib
Vaimu ja Hinge tasakaalustatud vastasmõju on suurima loomingu ja Armastuse allikas.Sellest perspektiivist asute te kõik absoluutse Ühtsuse ja individuaalse hinge seisunditevahelise tasakaalu leidmise teel. Praegu teevad Valguse Töötajad oma Vaimuga Ühtsuse suure teadvustamise tööd. Nende seiklus duaalsusesse oli pikk ja kauge ning nüüd on nad, see tähendab teie, mu kallid lugejad, valmis Koju tagasi pöörduma. Kuid mitte staatilisse Puhta Ühtsuse Koju, vaid jumalike, paljumõõtmeliste inimeste, kelle tajud saavad olema täis rõõmu ja Valgust, dünaamilisse loomingulisse reaalsusesse.See on Valguse Töötajate seeria lõpp. Kõiki, kes neid ridu loevad, täidab soov Koju tagasi pöörduda ja sügav otsus täita oma kõige sügavamad soovid. Säilitage oma eesmärgid ja soovid, usaldage neid. Kuna nad viivad teid Koju. Suure Armastusega, Jeshua Tagasi : Üles Integratsioonikeskus BROKA
Trigerite pakkimistihedus kristallil jääb väiksemaks kui dünaamilisel RAM-l. Joonisel on toodud ka tavaliselt SRAM-i juhtimiseks kasutatavd signaalid. Järgmisel joonisel on toodud SRAM-i sisemine struktuur. Mälu pesikud on kujutatud D-trigeritena, kuid realiseeritakse nad kristalli pinnal muidugi transistoride abil. Mitu mälu moodulit: SRAM-i poole pöördumine: Staatilisest mälust lugemise tsükkel (Read cycle of static RAM) Staatilisse mällu kirjutamise tsükkel (Write cycle of static RAM) Dünaamiline pooljuht suvapöördusmälu (Dynamic RAM) DRAM-s on info kandajaks laeng. Kui SRAM-is kulub ühe biti info hoidmiseks kuni kuus transistori, siis siin on vaid üks transistor koos kondensaatoriga. Info pakkimise tihedus kristallile on parem kui SRAM-l. Kuivõrd ei ole olemas ideaalset isolaatorit, siis laeng teatud aja möödudes kaob ja info hävib. Selle vältimiseks toimub dünaamilises mälus pidev mälu
annaabi.ee 
