10 punkti
Autor soovib selle materjali allalaadimise eest saada 10 punkti.
~ 2 lehte
Lehekülgede arv dokumendis
2013-09-22
Kuupäev, millal dokument üles laeti
4 laadimist
Kokku alla laetud
0 arvamust
Teiste kasutajate poolt lisatud kommentaarid
rider1
Õppematerjali autor
ROM 1)SRAM Bubble CD-ROM PROM 2)DRAM Ferrite core Floppy disk CD-R EPROM hard disk CD-RW EEPROM magnetic d DVD FlashEPROM tape Magnetic-optical gologrphy Alamprogrammide poole pöördumine. ! Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad. Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad : - - - , c , p-channel MOS, Complementary MOS (CMOS) . : - () -- , . (, ) , -- TTL-- ( H type, L type) - - , (, , ), . , , . ECL : 1 , 0, , , 2 , , - , - ; IIL ); 3- , - ; /, - , - . . ( , ) RISC ja CISC protsessorid, mikroprogramm.
seda kiiremini seda teenindatakse Mälude klassifikatsioon suvapöördusmälu jadapöördusmälu pooljuhtmälu magnetmälu magnetmälu optiline mälu mittesäiliv säiliv säiliv säiliv säiliv Static RAM ROM ferriit mullmälu CD-ROM Dynamic RAM PROM floppy disk CD-R EPROM hard disk CD-RW EEPROM magnet disk DVD FlashEEPROM Lint M/O Holograafiline Alamprogrammide poole pöördumine. Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad. Bipolaarsed tehnoloogiad: dioodloogika: kokku ühendatud n-p pooljuhid lüliti avatud, kui vool kulgeb noole suunas. Väljundvoolu hergnevustegur dioodide arv loogikaskeemis piiratud, kuna vastasel juhul võib ühte dioodi hakata läbima liiga suur vool ... summa eelnenud dioodidest * I ... vana, ei kasutata TTL Transistor-Transistor Loogika: bipolaarne transistor ... npn = emitter-base- collector ja pnp = emitter-base-collector ... viimane on negatiivse loogika näide (invertor)
................. 5 NOT ............................................................................................................................................... 5 NAND ........................................................................................................................................... 5 NOR .............................................................................................................................................. 6 Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad .............................................................................................. 6 Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad .............................................................................................. 6 unipolaarsed tehnoloogiad (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET) .............................................................................................................................................. 6
2. MIKROSKEEMIDE VALMISTAMISE TEHNOLOOGIAD. * DTL (Drod Transistor Logic) - 3 osa: 1). kombinaator, mis realiseerib loogikafunktsiooni. 2). Taastaja, mis taastab õiged nivood. 3) puhver väljundi hargnemisteguri tõstmiseks. 1) on dioodidest, 2) ja 3) on transistorid. Dioodidel on takistus,seetõttu tekib väljundisse igal juhul mingi pinge (U=IR), seetõttu teda ei tarvitata. Liiga vana versioon lihtsalt. * TTL (Transistor Transistor Logic)- sama, mis DTL, aga 1). osa on samuti transistoritega. (Bipolaarne tehnoloogia). Suur edusamm- dioodide asemel transistorid. Tarbib vähem voolu ja kiirem. * STTL (Schollky TTL e. Low TTL)- kasutatakse Soti dioodi. Pannakse transistori ette diood, et transistor ei küllastuks, kuna küllastunud transistori sulgemine võtab kauem aega. Järelikult on TTL- st kiirem. * ECL- (Emitter Coupled Logic)- bipolaartransistoridel põhinev, kiiretoimeline. Väga kiire. * MOS (Metal Oxyde Silicon)- unipolaarne tehnoloogia * NMOS (n- channel MOS)- n juhtivuseg
.......................................5 NOT............................................................................................................................................. 5 NAND..........................................................................................................................................5 NOR.............................................................................................................................................6 Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad .................................................................................... 6 unipolaarsed tehnoloogiad (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor - MOSFET) . 6 n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor - MOS)...........................................................6 p-channel MOS........................................................................................................................6 Complementary MOS (CMOS).....................
liita). Kiire ülekanne - kaks korda vähem elemente), superpositsiooni abil saab Lihtsaim loendustriger jadarööpülekanne. pesikud suurema toimekiirusega ning kirjeldada iga funktsiooni. moodustab kahendloenduri järgu. jaotataksegruppidesse. Gruppide tarvitab tööks vähem energiat. 2.Mikroskeemide valmistamise Loendustegur=2 n (n- vahel võimalik: 1) jadaülekanne Dünaamiliste muutmälude tehnoloogiad: DTL (Diod loendurikohtade arv). gruppides ja rööpülekanne eeliseks on väike hind ja Transistor Logic) 3 osa: 1) Kümnendloendur - loendab gruppide vahel 2) vastupidi võimsustarve. Neid saab
Arvutid I eksamiküsimuste vastused Eero Ringmäe mai 2002 õj = Teet Evartson I Digitaalloogika 1._Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad: Bipolaarsed tehnoloogiad: dioodloogika: kokku ühendatud n-p pooljuhid lüliti avatud, kui vool kulgeb noole suunas. Väljundvoolu hergnevustegur dioodide arv loogikaskeemis piiratud, kuna vastasel juhul võib ühte dioodi hakata läbima liiga suur vool ... summa eelnenud dioodidest * I ... vana, ei kasutata TTL Transistor-Transistor Loogika: bipolaarne transistor ... npn = emitter-base- collector ja pnp = emitter-base-collector ... viimane on negatiivse loogika näide (invertor)
Arvutid I eksamiküsimuste vastused Eero Ringmäe mai 2002 õj = Teet Evartson I Digitaalloogika 1._Mikroskeemide valmistamise tehnoloogiad: Bipolaarsed tehnoloogiad: dioodloogika: kokku ühendatud n-p pooljuhid lüliti avatud, kui vool kulgeb noole suunas. Väljundvoolu hergnevustegur dioodide arv loogikaskeemis piiratud, kuna vastasel juhul võib ühte dioodi hakata läbima liiga suur vool ... summa eelnenud dioodidest * I ... vana, ei kasutata TTL Transistor-Transistor Loogika: bipolaarne transistor ... npn = emitter-base- collector ja pnp = emitter-base-collector ... viimane on negatiivse loogika näide (invertor)
annaabi.ee 
Kõik kommentaarid